一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜的制作方法

本实用新型涉及光电玻璃技术领域，尤其涉及一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜。

背景技术：

ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值（消影特性）、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤（耐后期加工）等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

现有ITO导电膜的结构为：Glass/BM/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘保护层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。

已有技术中的ITO导电膜均是在高温镀膜线上实现，虽然在高温镀膜线上实现导电玻璃的ITO镀膜时的镀膜难度较小，但是，高温镀膜线所采用的设备昂贵，并且高温镀膜过程中温度比较难以控制，导致最终的镀膜成功率较低。

技术实现要素：

本实用新型提供一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜，旨在解决已有技术中的ITO导电膜所存在的技术缺陷。

本实用新型提供的具体技术方案如下：

本实用新型提供的一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述二氧化硅膜的厚度大于所述五氧化二铌膜厚度的8倍且小于所述五氧化二铌膜厚度的10倍，所述ITO导电层的厚度大于所述五氧化二铌膜厚度的3倍且小于所述五氧化二铌膜厚度的4倍，且所述ITO导电膜在常温下形成单面镀膜单面消影结构。

可选的，所述ITO导电层的厚度为21.4纳米，所述五氧化二铌膜厚度为6.2纳米，所述二氧化硅膜的厚度为59.6纳米。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型实施例提供一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、分别镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，二氧化硅膜的厚度大于五氧化二铌膜厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍，ITO导电层的厚度大于五氧化二铌膜厚度的3倍且小于五氧化二铌膜厚度的4倍，五氧化二铌膜的折射率远远大于二氧化硅膜的折射率，进而五氧化二铌膜和二氧化硅膜相互配合组成消影层，该消影层与ITO导电层相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，并且，由于采用的上述厚度配合下的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层，可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免ITO导电膜需要在高温镀膜线上实现，简化了ITO导电膜的镀膜难度，并提高了ITO导电膜的镀膜成功率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜刻蚀前后的反射曲线示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面将结合图1~图2对本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜进行详细的说明。

参考图1、图2所示，本实用新型实施例提供的一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板1、分别镀于TG基板1的上表面的五氧化二铌膜2、镀于五氧化二铌膜2上表面的二氧化硅膜3和镀于二氧化硅膜3上表面的ITO导电层4，其中，二氧化硅膜3的厚度大于五氧化二铌膜2厚度的十倍。由于，五氧化二铌膜2内含有的五氧化二铌为该折射率材料，而二氧化硅膜3中含有的二氧化硅为低折射率材料，进而两者相互配合组成消影层，该消影层与ITO导电层相互配合改善ITO导电膜刻蚀前后的反射差。其中，将二氧化硅膜3的厚度设置为大于五氧化二铌膜2厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍，而且，参考图2所示，ITO导电层4的厚度大于五氧化二铌膜2厚度的3倍且小于五氧化二铌膜2厚度的4倍，如此设置不仅可以保证ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，而且由于采用的上述厚度配合下的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层，可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免ITO导电膜需要在高温镀膜线上实现，简化了ITO导电膜的镀膜难度，并提高了ITO导电膜的镀膜成功率。

具体的，参考图1所示，在TG基板1的单侧设置有五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4，也即五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4仅仅分布在TG基板1的单侧，进而本实用新型实施例的ITO导电膜形成单面镀膜单面消影结构，可以满足ITO导电膜的单面镀膜单面消影效果。

进一步的，参考图1所示，ITO导电层4的厚度为21.4纳米，五氧化二铌膜2厚度为6.2纳米，二氧化硅膜3的厚度为59.6纳米，经大量的试验表明，在该厚度下的五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4配合组成的ITO导电膜刻蚀之后的消影效果最好，并且，该厚度下的五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4配合组成的消影层可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免ITO导电膜需要在高温镀膜线上实现，简化了ITO导电膜的镀膜难度，并提高了ITO导电膜的镀膜成功率。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型实施例的精神和范围。这样，倘若本实用新型实施例的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。