一种用于处理半导体矽晶片的吸笔的制作方法

文档序号:18834921发布日期:2019-10-09 04:54阅读:321来源:国知局
一种用于处理半导体矽晶片的吸笔的制作方法

本实用新型涉及集成电路制造领域,尤其涉及一种用于处理半导体矽晶片的吸笔。



背景技术:

现有技术中,为了防止手上的汗渍、污渍等污染硅片表面,太阳能电池硅片制造过程中通常使用真空吸笔移动硅片。使用时,将真空装置连通真空吸笔手持部上的气体通孔,将吸盘靠近硅片的侧面即可将硅片吸取并移至另一置放位置。

现有的吸笔由于很难保证吸笔内的气压正常,往往因为吸笔吸力不足而导致硅片滑落并摔碎硅片,给企业造成不必要的损失。另外,由于硅片的大小和重量不一,因而对真空吸附力的大小要求也不一样,因而需要一种可以调节真空吸附力的硅片吸笔来解决上述出现的问题。



技术实现要素:

为了解决现有技术的不足,本实用新型提供一种使用方便、吸取效果好的的真空吸笔。

一种用于处理半导体矽晶片的吸笔,包括笔体,所述笔体的前端设有吸嘴,还包括抽真空装置,所述抽真空装置与设置在笔体后端的第一阀板连接;所述第一阀板上对称地设置第一挡板和第二挡板,两个挡板之间设有第一阀孔和第二阀孔,所述第一阀板可绕笔体转动;所述第一阀板与笔体之间设有第二阀板,所述第二阀板上设有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔和第二通孔与吸嘴连接。

所述笔体的侧面设有进气口,所述进气口通过连接管与吸嘴连接。

所述笔体为中空圆柱体形状。

所述抽真空装置上设置一真空压力表。

所述真空吸嘴的材质为聚四氟乙烯或金属。

还包括托架,所述托架上装有滑槽,所述笔体可滑动地装设在托架上。

所述第一通孔通过第一通气道与吸嘴连接,所述第二通孔通过第二通气道与吸嘴连接。

本实用新型所述的一种用于处理半导体矽晶片的吸笔,其有益效果是:

(1)通过设置多个通孔和转动阀,可以调整真空吸笔内部的压力,并通过真空吸嘴将晶片吸附住;

(2)真空吸笔上设有托架,托架上装有滑槽,可防止气体回流至所述真空吸嘴,保证晶片被牢牢吸附在真空吸嘴上,确保晶片的安全;

(3)还包括一真空压力表,可用于监测真空吸笔内部的真空度,使得在吸附晶片过程中,可根据所述真空度来调整活塞的行程,既可确保牢牢的吸附住晶片,又可避免由于吸附力度过大导致晶片破碎。

附图说明

图1是本实用新型的真空吸笔的结构示意图;

图2是本实用新型的带支架的真空吸笔的结构示意图;

图3是本实用新型的真空吸笔的截面示意图。

图中标号说明:

1.笔体,2.真空吸嘴,3.抽真空装置,4.第一阀板,5.第一挡板,6.第二挡板,7.第一阀孔,8.第二阀孔,9.第二阀板,10.第一通孔,11.第二通孔,12.进气口,13.连接管,14.真空压力表,15.托架,16.滑槽,17.第一通气道,18.第二通气道。

具体实施方式

为详细说明本实用新型之技术内容、构造特征、所达成目的及功效,以下兹例举实施例并配合附图详予说明。

一种用于处理半导体矽晶片的吸笔,包括笔体1,所述笔体1的前端设有吸嘴2,还包括抽真空装置3,所述抽真空装置3与设置在笔体1后端的第一阀板4连接;所述第一阀板4上对称地设置第一挡板5和第二挡板6,两个挡板之间设有第一阀孔7和第二阀孔8,所述第一阀板4可绕笔体1转动;所述第一阀板4与笔体1之间设有第二阀板9,所述第二阀板9上设有第一通孔10和第二通孔11,所述第一通孔10和第二通孔11与吸嘴2连接。

所述笔体1的侧面设有进气口12,所述进气口12通过连接管13与吸嘴2连接,所述笔体1为中空圆柱体形状,所述抽真空装置3上设置一真空压力表14,所述吸嘴2的材质为聚四氟乙烯或金属。

还包括托架15,所述托架15上装有滑槽16,所述笔体1可滑动地装设在托架15上;所述第一通孔10通过第一通气道17与吸嘴2连接,所述第二通孔11通过第二通气道18与吸嘴2连接。

所述第一阀板4与第二阀板9贴合,第二阀板9上的第一通孔10和第二通孔11与第一阀板4上的第一阀孔7和第二阀孔8相对应,使用时,可通过转动第一阀板4来调整第一通孔10和第二通孔11的孔隙大小从而调整抽真空量的大小,所述第一通气道17和第二通气道18可设置相应的闸板从而配合调整抽真空量。

较佳的,所述真空压力表14可监测笔体1内部的真空度,使得在吸附晶片过程中,操作人员可根据所述真空度来调整抽真空装置3,既可确保吸嘴2牢牢的吸附住晶片,又可避免由于吸附力度过大导致晶片破碎。

所述吸嘴2的材质可以为耐腐蚀的聚四氟乙烯,当然,在本发明的其它实施例中,根据实际工艺要求,所述吸嘴2也可为其它材质,例如可以防静电的金属。

本实用新型所提供的吸笔提供的真空吸附力可将晶片牢牢吸附住,可应用于任何场合,使用方便快捷并节约生产成本。

综上所述,仅为本实用新型之较佳实施例,不以此限定本实用新型的保护范围,凡依本实用新型专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆为本实用新型专利涵盖的范围之内。

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