一种超级联碳化硅结型场效应管的制作方法

文档序号:19390024发布日期:2019-12-13 17:35阅读:402来源:国知局
一种超级联碳化硅结型场效应管的制作方法

本实用新型实施例涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种超级联碳化硅结型场效应管。



背景技术:

场效应晶体管(fieldeffecttransistor缩写(fet))简称场效应管,是一种具有放大功能的三端有源器件,其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制,主要有两种类型:结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(107~1015ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,结型场效应管有两种结构形式。

但是,在现有的超级联碳化硅结型场效应管在电路中存在以下缺陷:

在转换的期间的超级联碳化硅结型场效应管电路中,所级联的碳化硅结型场效应管并不是同时开通或关闭,在短时间内最后开通或关闭的硅结型场效应管引脚会承受很高的母线电压,引脚处温度会急剧升高,导致引脚散热不及时,严重影响可靠性,降低了场效应管的使用寿命。



技术实现要素:

针对背景技术中的不足,本实用新型实施例提供一种超级联碳化硅结型场效应管,通过在场效应管引脚设置散热结构,使得在超级联碳化硅结型场效应管电路中处于较高温度时,能进行及时的散热,保证了场效应管的可靠性,能有效解决现有技术中的问题。

为了实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:

一种超级联碳化硅结型场效应管,包括绝缘的壳体,在所述壳体外侧边设置有与g极、d极和s极相对应连接的引脚,所述引脚包括从壳体内部引出的内连接片,所述内连接片外露端连接有散热段,所述散热段包括散热内腔和散热栅,所述内连接片穿设在散热内腔内部,所述散热栅连接有外连接片,并且所述外连接片贯穿所述散热栅与所述内连接片连接。

本实用新型实施例的特征还在于,所述散热内腔四周设置为向内凹弧形面,并且在所述内凹弧形面上设置有均匀分布的散热孔。

本实用新型实施例的特征还在于,在所述散热内腔内设置有导热薄片,所述导热薄片连接在所述内弧形面与所述外连接片之间。

本实用新型实施例的特征还在于,所述散热栅从所述散热内腔一端由大到小向所述外连接片上聚拢,在所述散热栅四周设置有栅格。

本实用新型实施例的特征还在于,所述内连接片与外连接片通过焊接的方式连接在所述散热内腔内部。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型通过在场效应管中设置散热结构,在超级联电路中,能有效通过引脚对场效应管进行散热,保证场效应管电参数不会发生剧烈变化,保障了整个电路的可靠性,也使得场效应管的使用寿命增加。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

本说明书所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为本实用新型整体结构示意图;

图2为本实用新型结构散热段剖面示意图;

图3为本实用新型结构散热栅俯视示意图;

图中:

1-壳体;2-引脚;3-内连接片;4-外连接片;5-散热段;6-散热内腔;7-散热栅;8-散热孔;9-内凹弧形面;10-导热薄片;

701-栅格。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1至图3所示,本实用新型提供了一种超级联碳化硅结型场效应管,包括绝缘的壳体1,在所述壳体1外侧边设置有与g极、d极和s极相对应连接的引脚2,所述引脚2包括从壳体1内部引出的内连接片3,所述内连接片3为质地较软的铝质金属材料,在连接到超级联电路中时能便于场效应管引脚2进行弯曲,所述内连接片3外露端连接有散热段5,所述散热段5包括散热内腔6和散热栅7,所述内连接片3穿设在散热内腔6内部,所述散热栅7连接有外连接片4,并且所述外连接片4贯穿所述散热栅7与所述内连接片3连接。

在超级联碳化硅结型场效应管电路中,场效应管会发生温度急剧升高,为了确保整个电路的可靠性,就要及时对场效应管进行散热处理,所述壳体1四周会设置有若干不同的引脚2,通过在引脚2设置散热段5,能将场效应管大部分热进行疏散,整个装置的温度也会得以控制。

所述内连接片3与外连接片4通过焊接的方式连接在所述散热内腔6内部,所述散热内腔6四周设置为向内凹弧形面9,并且在所述内凹弧形面9上设置有均匀分布的散热孔8。

所述内连接片3与外连接片4连接点设置在散热内腔6内部,两者连接点也是热量最集中的点,所以散热内腔6内部会有大部分的热量,为了保证量热能有效及时的排出,所述内凹弧形面9一方面能增加散热的面积,另一方面内凹的结构避免了与壳体1直接接触,给散热提供了空间,所述散热孔8能增加热量的排出速度。

在所述散热内腔6内设置有导热薄片10,所述导热薄片10连接在所述内凹弧形面9与所述外连接片4之间,所述导热薄片10能将热量进行转移,使得整个散热内腔6能散热均匀。

所述散热栅7从所述散热内腔6一端由大到小向所述外连接片4上聚拢,在所述散热栅7四周设置有栅格701,所述散热栅7能分担一部分的散热,所述栅格701能将热气流有效扩散排出,避免在封闭结构中造成热气流的积累。

虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述,但在本实用新型基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本实用新型要求保护的范围。

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