技术总结
本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。
技术研发人员：彭钰仁
受保护的技术使用者：厦门乾照半导体科技有限公司
技术研发日：2019.05.21
技术公布日：2019.10.18