1.一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，所述金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，所述金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，所述金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，所述电路走线位于阻焊层之下，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。
2.根据权利要求1所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述一体化的金属材料包括金属基材和金属导体，当完成芯片焊接后，通过物理方式，将金属基材与金属导体进行剥离或者将绝缘基材与金属导体进行剥离。
3.根据权利要求1所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：每个所述芯片的尺寸、厚度、焊盘大小各不相同，芯片的尺寸≥0.15*0.15mm，芯片的厚度≥0.08mm，芯片的焊盘尺寸≥20*20μm。
4.根据权利要求3所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述金属焊盘的尺寸≥20*20μm，金属焊盘高度≥20μm，每个金属焊盘的高度相等或者不相等。
5.根据权利要求4所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述焊料层的焊料厚度范围为3-5μm，焊料厚度的精度为±1μm。
6.根据权利要求5所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述电路走线的最小宽度≥20μm，电路走线的高度≥20μm。
7.根据权利要求6所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述助焊层采用固体或者膏状或者液体状材料之任一种。
8.根据权利要求7所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述焊料为锡或者铟或者锡铜合金之任一种。
9.根据权利要求8所述一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：所述金属焊盘为铜或者镍之任一种。