1.一种led芯片，包括：
外延层，位于衬底上；
第一电极和第二电极，位于所述外延层上；
其特征在于，所述外延层包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有凸台结构；
第一电极形成在所述第一区域上，具有与所述第一区域相互配合的凸台结构；
第二电极形成在所述第二区域上。
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述凸台结构为立体几何状。
3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述立体几何状为圆柱、环状圆形凸台、棱柱、棱台、环状方形凸台中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一电极为n型电极，所述第二电极为p型电极。
5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二电极的上表面高于第一电极的上表面。
6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述外延层包括从下到上依次形成的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层。
7.根据权利要求6所述的led芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层掺杂类型不同，所述第一半导体层为n型gan，所述第二半导体层为p型gan。
8.根据权利要求6所述的led芯片，其特征在于，还包括：
ito层，位于所述外延层的第二区域，其中，所述ito层部分位于所述第二电极和所述第二半导体层之间。
9.根据权利要求8所述的led芯片，其特征在于，还包括：
钝化层，覆盖于所述外延层、所述ito层、以及部分第一电极和第二电极上，其中
所述钝化层覆盖所述第一和第二电极的外边缘1-3um。
10.根据权利要求9所述的led芯片，其特征在于，所述钝化层材料为氧化硅、氮化硅、氮氧硅、聚酰亚胺中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石图形化衬底。