1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
蓝宝石衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有阵列排布的多个立体结构；
位于所述衬底第二表面上的第一外延层、发光层、第二外延层；
位于所述第二外延层上的第一电极以及位于所述第一外延层上的第二电极；
位于所述衬底第二表面上方的单层或叠层结构上的绝缘反射层，
位于所述第一表面上用于形成所述第一表面形态的掩膜。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜位于多个所述立体结构上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构为斜多棱柱体，所述立体结构的底面为圆形，所述立体结构的顶面为多边形。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的棱柱与底面夹角为50°～80°。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的底面直径为2.8μm～3.4μm。
6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构的高为0.7μm～1.6μm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述立体结构之间的间距为0.2μm～0.5μm。
8.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜为二氧化硅层，所述掩膜包括多个阵列排布的图案化的图形。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜的图案化图形为多边形。
10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜的图案化图形为圆形，所述圆形的直径为0.7～1.6μm。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
位于所述第二外延层之上的电流阻挡层，所述第一电极位于所述电流阻挡层之上。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
位于所述电流阻挡层之上的透明导电层，所述透明导电层覆盖所述电流阻挡层，且所述第一电极位于所述透明导电层之上。
13.根据权利要求1或11或12所述的发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述绝缘反射层上的至少两个通孔以使得部分所述第一电极以及部分所述第二电极暴露；以及
位于绝缘反射层上的第一金属接触层以及第二金属接触层，所述第一金属接触层和所述第二金属接触层分别经由通孔与所述第一电极和所述第二电极互连。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管选自倒装发光二极管、倒装高压发光二极管、倒装大功率发光二极管、倒装mini发光二极管、倒装micro发光二极管的任一种。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延层和所述第二外延层为gan掺杂。