1.一种双向晶闸管器件(100)，所述双向晶闸管器件包括：
半导体晶片，所述半导体晶片具有第一主侧(102)和与所述第一主侧(102)相对的第二主侧(104)；
第一主电极(115)，所述第一主电极布置在所述第一主侧(102)上；
第一栅极电极(135)，所述第一栅极电极布置在所述第一主侧(102)上并且与所述第一主电极(115)分隔；
第二主电极(116)，所述第二主电极布置在所述第二主侧(104)上；以及
第二栅极电极(145)，所述第二栅极电极布置在所述第二主侧(104)上并且与所述第二主电极(116)分隔，
其中，所述半导体晶片按照从所述第一主侧(102)到所述第二主侧(104)的顺序包括以下的层：
第一半导体层(106)，所述第一半导体层具有第一导电类型，所述第一半导体层(106)与所述第一主电极(115)直接接触；
第二半导体层(108)，所述第二半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，其中，所述第二半导体层(108)与所述第一栅极电极(135)直接接触，并且其中，所述第一半导体层(106)和所述第二半导体层(108)形成第一p-n结(j1)；
第三半导体层(110)，所述第三半导体层具有所述第一导电类型，所述第二半导体层(108)和所述第三半导体层(110)形成第二p-n结(j2)；
第四半导体层(112)，所述第四半导体层具有所述第二导电类型，其中，所述第三半导体层(110)和所述第四半导体层(112)形成第三p-n结(j3)，并且其中，所述第四半导体层(112)与所述第二栅极电极(116)直接接触；以及
第五半导体层(114)，所述第五半导体层具有所述第一导电类型，并与所述第二主电极(116)直接接触，其中，所述第四半导体层(112)和所述第五半导体层(114)形成第四p-n结(j4)，
其特征在于，多个第一发射极短路部(128)，每个第一发射极短路部(128)穿透所述第一半导体层(106)，以将所述第二半导体层(108)与所述第一主电极(115)电连接，以及
多个第二发射极短路部(138)，每个第二发射极短路部(138)穿透所述第五半导体层(114)，以将所述第四半导体层(112)与所述第二主电极(116)电连接，其中：
在平行于所述第一主侧(102)的平面上的正交投影中，由所述第一半导体层(106)和所述第一发射极短路部(128)占据的第一区与由所述第五半导体层(114)和所述第二发射极短路(138)占据的第二区在重叠区中重叠，
在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第一发射极短路部(128)和所述第二发射极短路部(138)位于所述重叠区内，并且
在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，其中所述第一区与所述第二区重叠的所述重叠区覆盖由所述半导体晶片占据的总的晶片区的至少50％。
2.根据权利要求1所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第一发射极短路部(128)占据所述重叠区的至少2％、例如至少5％、例如至少8％、还例如至少10％。
3.根据权利要求1或2所述的晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第二发射极短路部(138)占据所述重叠区的至少2％、例如至少5％、例如至少8％以及还例如至少10％。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第一发射极短路部(138)是离散的。
5.根据权利要求4所述的双向晶闸管器件，其中，两个相邻的第一发射极短路部(128)之间的距离以这样的方式变化，两个相邻的第一发射极短路部(128)之间的平均距离随着距所述第一栅极电极(135)的距离的增加而减小。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第二发射极短路部(138)是离散的。
7.根据权利要求6所述的双向晶闸管器件，其中，两个相邻的第二发射极短路部(138)之间的距离以这样的方式变化，两个相邻的第二发射极短路部(138)之间的平均距离随着距所述第二栅极电极(145)的距离的增加而减小。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第一发射极短路部(128)和所述第二发射极短路部(138)具有从30μm至500μm的范围内的横向尺寸，例如具有从50μm至200μm的范围内的横向尺寸。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，至少所述第一栅极电极(135)或者所述第二栅极电极(145)具有旋转对称性。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，在平行于所述第一主侧(102)的平面上的所述正交投影中，所述第一栅极电极(135)和所述第二栅极电极(145)具有相同的形状。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，用作所述第三半导体层(110)中的复合中心的深能级的密度具有与距所述第三p-n结(j3)相比更靠近所述第二p-n结(j2)的第一局部最大值(p1)和/或与距所述第二p-n结(j2)相比更靠近所述第三p-n结(j3)的第二局部最大值(p2)。
12.根据权利要求11所述的双向晶闸管器件，其中，所述第一局部最大值(p1)距所述第二p-n结(j2)小于50μm，和/或其中，所述第二局部最大值(p2)距所述第三p-n结(j3)小于50μm。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的双向晶闸管器件，其中，过剩载流子寿命在所述第三半导体层(110)中具有与距所述第三p-n结(j3)相比更靠近所述第二p-n结(j2)的第一局部最小值和/或与距所述第二p-n结(j2)相比更靠近所述第三p-n结(j3)的第二局部最小值。
14.根据权利要求13所述的双向晶闸管器件，其中，所述第一局部最小值距所述第二p-n结(j2)小于50μm，和/或其中，所述第二局部最小值距所述第三p-n结(j3)小于50μm。