基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质与流程

本公开涉及基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。

背景技术：

专利文献1公开了一种通过对基片供给高浓度臭氧水来除去附着在基片上的附着物(例如抗蚀膜、污染物、氧化膜等)的基片处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-311256号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

已知高浓度臭氧水的臭氧浓度会在短时间内衰减。为此，本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。

解决问题的技术手段

基片处理装置之一例包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。

发明效果

采用本公开的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质，能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水。

附图说明

图1是概略地表示基片处理系统之一例的平面图。

图2是表示基片处理装置之一例的图。

图3是表示基片处理系统的主要部分之一例的框图。

图4是表示控制器的硬件结构之一例的概略图。

图5是用于说明晶片的处理工序的流程图。

图6是表示基片处理装置之另一例的图。

具体实施方式

下面参照附图详细地说明本公开的实施方式之一例。在下文的说明中，对于同一要素或具有同一功能的要素使用相同标记，省略重复的说明。

[基片处理系统的结构]

图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。下文中，为明确位置关系，定义彼此正交的x轴、y轴和z轴，并令正z轴方向为铅垂向上的方向。

如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。

送入送出站2包括载具载置部11和输送部12。载具载置部11载置有多个载具c，载具c能够以水平状态收纳多片基片，在本实施方式中为半导体晶片(下称晶片w)。

输送部12与载具载置部11相邻设置，内部包括基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括用于保持晶片w的晶片保持机构。基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载具c与交接部14之间输送晶片w。

处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置在输送部15的两侧。

输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17包括用于保持晶片w的晶片保持机构。基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶片w。

处理单元16对通过基片输送装置17输送来的晶片w进行规定的基片处理。

基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19中存储有对基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18读取存储在存储部19中的程序加以执行，来控制基片处理系统1的动作。

该程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，并从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如包括硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。

在上述结构的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载具载置部11的载具c中取出晶片w，将取出的晶片w载置到交接部14上。载置在交接部14上的晶片w被处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，送入到处理单元16。

送入到处理单元16的晶片w在经过处理单元16处理后，被基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14上。然后，载置在交接部14上的已处理的晶片w被基片输送装置13送回载具载置部11的载具c中。

[基片处理装置的结构]

接着，参照图2～图4说明基片处理系统1所包括的基片处理装置10的结构。基片处理装置10具有对晶片w供给臭氧水来除去附着在晶片w表面的附着物的功能。

晶片w可以呈圆片状，也可以呈多边形等圆形以外的片状。晶片w也可以具有一部分被去除的缺口部。缺口部例如可以是豁口(u字形、v字形的槽)，也可以是直线状延伸的直线部(所谓的参考面(orientationflat))。晶片w可以是例如半导体基片、玻璃基片、掩模基片、fpd(flatpaneldisplay，平板显示器)基片等其他各种基片。晶片w的直径例如可以为200mm～450mm左右。

基片处理装置10如图2所示，包括多个处理单元16、臭氧水供给部100、碱性溶液供给部200、清洗液供给部300、排液部400、排气部500、控制装置4(控制部18)。

[处理单元]

处理单元16包括处理腔室16a、旋转保持部16b和喷嘴n1、n2。处理腔室16a能够经未图示的闸阀将晶片w送进送出。旋转保持部16b配置在处理腔室16a内，构成为能够保持晶片w并使其旋转。

喷嘴n1、n2配置在处理腔室16a内，且在晶片w被旋转保持部16b保持的状态下位于晶片w的上方。从喷嘴n1释放臭氧水。从喷嘴n2释放清洗液。图2例示了3个处理单元16(16a～16c)并排排列的状况，但处理单元16的数量并没有特别的限定。即，基片处理装置10可以具有至少一个处理单元16。

[臭氧水供给部]

臭氧水供给部100具有生成臭氧水的功能和通过喷嘴n1对晶片w供给所生成的臭氧水的功能。臭氧水供给部100包括臭氧气体供给部110、调整液供给部120、溶解部130和送液部140。

臭氧气体供给部110构成为能够用氧来生成臭氧气体。臭氧气体供给部110经配管d1与溶解部130连接，将生成的臭氧气体供给到溶解部130。调整液供给部120包括液体源121、122、循环箱123、泵124、加热器125、氢离子浓度监视器126、阀v1～v3。

液体源121构成为能够贮存酸性溶液。酸性溶液可以是有机酸(例如柠檬酸、醋酸、碳酸)的溶液，可以是无机酸(例如盐酸、硝酸)的溶液，也可以是有机酸与无机酸混合得到的溶液。在使用有机酸与无机酸(例如盐酸)混合得到的酸性溶液的情况下，对抗蚀剂的溶解性能够提高。液体源121经配管d2与循环箱123连接，将酸性溶液供给到循环箱123。

液体源122构成为能够贮存水(例如纯水、diw(deionizedwater，去离子水))。液体源122经配管d2、d3与循环箱123连接，将水供给到循环箱123。配管d3可以连接在配管d2的中途。该情况下，酸性溶液与水在配管d2、d3的合流部分发生混合而生成调整液。调整液被调整为呈现出规定的氢离子浓度。调整液的氢离子浓度例如可以基于从液体源121供给的酸性溶液的流量与浓度，以及从液体源122供给的水的流量来调整。调整液的氢离子浓度例如可以为ph1～ph4左右。

循环箱123构成为能够暂时贮存调整液并通过配管d4使调整液循环。由于调整液通过循环箱123和配管d4进行循环，水与酸性溶液能够在循环的过程中充分均匀地混合。

配管d4将循环箱123的下部与上部连接。在配管d4上，从上游侧起依次连接有泵124、加热器125、氢离子浓度监视器126和阀v3。泵124构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，通过配管d4将循环箱123内的调整液输送到下游侧。加热器125构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对调整液进行加热以使调整液达到规定温度(例如22℃～85℃左右)。

氢离子浓度监视器126构成为能够获取在配管d4中流动的调整液的氢离子浓度的数据。氢离子浓度监视器126所获取的数据被发送到控制装置4。

阀v1～v3分别设置在配管d2～d4的中途。阀v1构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d2中流动的酸性溶液的流量进行控制。阀v2构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d3中流动的水的流量进行控制。

阀v3构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，切换下述流路，即：调整液在配管d4和循环箱123中循环的流路；调整液从循环箱123通过配管d4、d5被输送到溶解部130的流路。阀v3例如可以是三通电磁阀(solenoidvalve)。配管d5将阀v3与溶解部130连接。

溶解部130构成为能够使从臭氧气体供给部110供给来的臭氧气体溶解在从调整液供给部120供给来的调整液中，生成臭氧水。溶解部130例如可以是一种溶解模块，通过使臭氧气体在多孔质膜的一次侧流动并使水在多孔质膜的二次流动来进行气液接触，从而将臭氧气体溶解在水中。

送液部140具有将溶解部130中生成的臭氧水输送到各处理单元16a～16c或排液部400的功能。送液部140包括配管d6～d9(送液线路)、辅助加热器141、温度监视器142、臭氧浓度监视器143和阀v4～v6。

配管d6以连接溶解部130和排液部400的方式延伸。在配管d6上，从上游侧起依次连接有辅助加热器141、温度监视器142和臭氧浓度监视器143。辅助加热器141基于来自控制装置4的控制信号而动作，对臭氧水进行加热以使臭氧水达到规定温度(例如22℃～85℃左右)。温度监视器142构成为能够获取在配管d6中流动的臭氧水的温度的数据。温度监视器142所获取的数据被发送到控制装置4。

臭氧浓度监视器143构成为能够获取在配管d6中流动的臭氧水的臭氧浓度的数据。即，臭氧浓度监视器143获取溶解部130的下游侧的臭氧水的臭氧浓度的数据。臭氧浓度监视器143所获取的数据被发送到控制装置4。臭氧浓度监视器143的位置可以设定为，使得从溶解部130到臭氧浓度监视器143的路径长度大致等于从溶解部130到各处理单元16a～16c(到各喷嘴n1)的各个路径长度。

配管d7～d9各自从配管d6的中途分支，与各处理单元16a～16c的喷嘴n1连接。配管d7、d8可以包括调节部d7a、d8a以用于确保规定的路径长度。调节部d7a、d8a例如可以是使配管d7、d8局部发生曲折而形成的部分，也可以是使配管d7、d8局部螺旋状延伸而形成的部分。由于该调节部d7a、d8a的存在，从溶解部130到各处理单元16a～16c(到各喷嘴n1)的各个路径长度均能够大致相等。配管d9也可以包括调节部。

阀v4～v6分别设置在配管d7～d9的中途。阀v4～v6基于来自控制装置4的控制信号而动作，在配管d7～d9中流动的臭氧水中混合从碱性溶液供给部200供给的碱性调整液。阀v4～v6例如可以是混合阀(mixingvalve)。

[碱性溶液供给部]

碱性溶液供给部200具有生成碱性调整液的功能和通过喷嘴n1对晶片w供给所生成的碱性调整液的功能。碱性溶液供给部200包括液体源201、202、循环箱203、泵204、加热器205、氢离子浓度监视器206、阀v7、v8。

液体源201构成为能够贮存碱性溶液。碱性溶液例如可以是氨水。液体源201经配管d10与循环箱203连接，将碱性溶液供给到循环箱203。

液体源202与液体源122同样构成为能够贮存水(例如纯水、diw(deionizedwater，去离子水))。液体源202经配管d10、d11与循环箱203连接，将水供给到循环箱203。配管d11可以连接在配管d10的中途。该情况下，碱性溶液与水在配管d10、d11的合流部分发生混合而生成碱性调整液。碱性调整液被调整为呈现出规定的氢离子浓度。调整液的氢离子浓度例如可以基于从液体源201供给的碱性溶液的流量与浓度，以及从液体源122供给的水的流量来调整。碱性调整液的氢离子浓度例如可以为ph9～ph13左右。

循环箱203构成为能够暂时贮存碱性调整液并通过配管d12使碱性调整液循环。由于碱性调整液通过循环箱203和配管d12进行循环，水与碱性溶液能够在循环的过程中充分均匀地混合。

配管d12将循环箱203的下部与上部连接。在配管d12上，从上游侧起依次连接有泵204、加热器205和氢离子浓度监视器206。泵204构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，通过配管d12将循环箱203内的调整液输送到下游侧。加热器205构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对碱性调整液进行加热以使碱性调整液达到规定温度(例如22℃～85℃左右)。

氢离子浓度监视器206构成为能够获取在配管d12中流动的碱性调整液的氢离子浓度的数据。氢离子浓度监视器206所获取的数据被发送到控制装置4。

配管d12上连接有从其中途分别分支的配管d13～d15。从配管d12分支的配管d13连接到阀v4上。在配管d13的下游侧从配管d12分支的配管d14连接到阀v5上。在配管d14的下游侧从配管d12分支的配管d15连接到阀v6上。因此，从碱性溶液供给部200供给的碱性调整液在各阀v4～v6处与从臭氧水供给部100供给的臭氧水混合。

阀v7、v8分别设置在配管d10、d11的中途。阀v7构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d10中流动的碱性溶液的流量进行控制。阀v8构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d11中流动的水的流量进行控制。

[清洗液供给部]

清洗液供给部300具有通过喷嘴n2对晶片w供给清洗液的功能。清洗液供给部300包括液体源301、泵302、阀v9～v11。液体源301构成为能够贮存清洗液。清洗液例如用于冲洗掉药液或附着在基片上的附着物等。清洗液可以是水(例如纯水、diw(deionizedwater，去离子水))。液体源301经配管d16～d19向各处理单元16a～16c延伸。配管d17～d19各自从配管d16的中途分支，与各处理单元16a～16c的喷嘴n2连接。因此，从液体源301供给的清洗液能够供给到各处理单元16a～16c的喷嘴n2。

泵302设置在配管d16的中途。泵302基于来自控制装置4的控制信号而动作，通过配管d16将清洗液输送到下游侧。阀v9～v11分别设置在配管d17～d19的中途。阀v9～v11各自构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d17～d19中流动的清洗液的流通量进行控制。

[排液部]

排液部400包括排液处理单元401和阀v12。排液处理单元401构成为能够将臭氧水中所含的臭氧分解为氧。臭氧的分解例如也可以使用臭氧分解催化剂、活性碳等。排液处理单元401通过配管d6与溶解部130连接。因此，臭氧水供给部100中生成但未供给到喷嘴n1的臭氧水能够通过配管d6流入排液处理单元401。阀v12设置在配管d6的中途。阀v12构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，对在配管d16中流动的臭氧水的流量进行控制。

排液处理单元401通过分支成三路的配管d20与各处理单元16a～16c连接。因此，各处理单元16a～16c中进行了晶片w的清洗处理后的臭氧水能够通过配管d20流入排液处理单元401。经过排液处理单元401处理后的液体被排出到系统外部。

[排气部]

排气部500包括排气处理单元501和泵502。排气处理单元501构成为能够将臭氧气体分解为氧。臭氧的分解例如也可以使用臭氧分解催化剂、活性碳等。排气处理单元501通过分支成三路的配管d21与各处理单元16a～16c连接。因此，各处理单元16a～16c中进行清洗处理时内部产生的臭氧气体能够通过配管d21流入排气处理单元501。经过排气处理单元501处理后的气体被排出到系统外部。

泵502设置在配管d21的中途。泵502构成为能够基于来自控制装置4的控制信号而动作，通过配管d21将臭氧气体输送到下游侧。

[控制装置]

在控制装置4中，例如图3所示，作为用于对基片处理装置10进行控制的功能性结构(功能模块)，包括氢离子浓度控制部m1、送液控制部m2、排液控制部m3和排气控制部m4。这些功能模块由控制装置4的控制部18和存储部19的协同工作而构成。存储部19可以存储例如从存储介质rm读取的程序、对晶片w进行处理时的各种数据(所谓的处理方案)、操作者通过外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。

氢离子浓度控制部m1可以控制调整液供给部120，以根据臭氧浓度监视器143获取的臭氧浓度来对调整液供给部120中生成的调整液的氢离子浓度进行调节。已知调整液的氢离子浓度越高(ph值越低)则臭氧气体越容易溶解于调整液。因此，例如在臭氧浓度监视器143所获取的臭氧浓度低于规定值的情况下，氢离子浓度控制部m1可以指示阀v1、v2执行下述的至少一者：增大来自液体源121的酸性溶液的供给量；减少来自液体源122的水的供给量。例如在臭氧浓度监视器143获取的臭氧浓度高于规定值的情况下，氢离子浓度控制部m1可以指示阀v1、v2执行下述的至少一者：减少来自液体源121的酸性溶液的供给量；增大来自液体源122的水的供给量。

氢离子浓度控制部m1可以控制碱性溶液供给部200，以根据氢离子浓度监视器206获取的氢离子浓度来对碱性溶液供给部200中生成的碱性调整液的氢离子浓度进行调节。例如，在氢离子浓度监视器206获取的氢离子浓度高于规定值的情况下，氢离子浓度控制部m1可以指示阀v7、v8执行下述的至少一者：增大来自液体源201的碱性溶液的供给量；减少来自液体源202的水的供给量。例如，在氢离子浓度监视器206获取的氢离子浓度低于规定值的情况下，氢离子浓度控制部m1可以指示阀v7、v8执行下述的至少一者：减少来自液体源201的碱性溶液的供给量；增大来自液体源202的水的供给量。

送液控制部m2可以控制泵124和阀v3，以对调整液通过循环箱123和配管d4进行的循环，和调整液对溶解部130的供给进行切换。送液控制部m2可以控制泵124和阀v3～v6，使得当温度监视器142获取的温度为规定值以上、氢离子浓度监视器126、206获取的氢离子浓度为规定值以上、且臭氧浓度监视器143获取的臭氧浓度为规定值以上时，将溶解部130中生成的臭氧水输送到处理单元16a～16c中的至少一个。此时，送液控制部m2可以控制阀v3～v6，使得碱性溶液供给部200中生成的碱性调整液与臭氧水混合。送液控制部m2可以控制阀v3～v6，使得在臭氧水输送到处理单元16a～16c中的任一个的情况下，不对处理单元16a～16c中的其余处理单元输送臭氧水。送液控制部m2可以控制阀v9～v11，以将液体源301的清洗液输送到处理单元16a～16c中的至少一个。

排液控制部m3可以控制阀v12，以在臭氧水没有被输送到处理单元16a～16c的至少一个的情况下，将臭氧水排出到系统外部。排液控制部m3可以控制阀v12，使得当温度监视器142获取的温度小于规定值、氢离子浓度监视器126、206获取的氢离子浓度小于规定值、或臭氧浓度监视器143获取的臭氧浓度小于规定值时，将溶解部130中生成的臭氧水排出到系统外部。或者，排液控制部m3可以控制阀v12，以在臭氧水没有被输送到任一处理单元16a～16c的情况下，将臭氧水排出到系统外部。

排气控制部m4可以控制泵502，以将处理单元16a～16c的气体抽吸、排出到系统外部。

控制装置4的硬件例如由一个或多个控制用计算机构成。控制装置4的硬件结构例如包括图4所示的电路4a。电路4a可以由电路元件(circuitry)构成。电路4a具体而言包括处理器4b、存储器4c(存储部)、存储装置4d(存储部)和输入输出端口4e。处理器4b与存储器4c和存储装置4d中的至少一个协同工作来执行程序，经输入输出端口4e执行信号的输入输出，由此构成上述各功能模块。输入输出端口4e在处理器4b、存储器4c和存储装置4d与基片处理装置10的各部分之间进行信号的输入输出。

基片处理装置10例如可以包括一个控制装置4，也可以包括由多个控制装置4构成的控制器组(控制部)。在基片处理装置10包括控制器组的情况下，上述功能模块各自可由一个控制装置4实现，也可由2个以上的控制装置4的组合来实现。在控制装置4由多个计算机(电路4a)构成的情况下，上述功能模块各自可由一个计算机(电路4a)实现，也可由2个以上的计算机(电路4a)的组合来实现。控制装置4也可以具有多个处理器4b。该情况下，上述功能模块各自可以由一个或多个处理器4b实现。

[基片处理方法]

接着，参考图5说明晶片w的清洗处理方法(基片处理方法)。首先，进行用于对晶片w进行清洗处理的准备处理(参照步骤s1)。在准备处理中，送液控制部m2和排液控制部m3基于从氢离子浓度监视器126、温度监视器142和臭氧浓度监视器143输入的数据，控制泵124和阀v12。

例如，送液控制部m2和排液控制部m3判断温度监视器142和臭氧浓度监视器143获取的数据是否均为规定值以上。根据其结果，在氢离子浓度监视器126、温度监视器142和臭氧浓度监视器143获取的数据中的任一个小于规定值的情况下，由送液控制部m2关闭阀v4～v6并由排液控制部m3打开阀v12，以不将臭氧水输送到处理单元16a～16c而是排出到系统外部。

在氢离子浓度监视器126的数据小于规定值的情况下，可以由氢离子浓度控制部m1控制阀v1、v2来使调整液的氢离子浓度达到规定值以上。在温度监视器142的数据小于规定值的情况下，可以由控制装置4控制加热器125来使调整液的温度达到规定值以上。在臭氧浓度监视器143的数据小于规定值的情况下，可以由氢离子浓度控制部m1控制阀v1、v2来使臭氧水的臭氧浓度达到规定值以上。

另一方面，在氢离子浓度监视器126、温度监视器142和臭氧浓度监视器143获取的数据中的任一个均为规定值以上的情况下，送液控制部m2和排液控制部m3判断为已做好了用于对晶片w进行清洗处理的准备(准备处理完成)。

当准备处理完成后，接着进行晶片w的输送处理(参照步骤s2)。例如，由控制装置4控制基片输送装置13、17，将载具c内的一个晶片w输送到处理单元16a。由此，在处理单元16a内，晶片w被保持在旋转保持部16b上。

当以处理单元16a为目的地的晶片w的输送处理完成后，接着进行处理单元16a的臭氧水供给处理(参照步骤s3)。例如，由送液控制部m2打开阀v4并关闭阀v5、v6，并且由排液控制部m3关闭阀v12，来对处理单元16a输送臭氧水。由此，从喷嘴n1对处理单元16a内的晶片w供给臭氧水，利用臭氧水对晶片w进行清洗处理。

与处理单元16a的臭氧水供给处理并行地，进行晶片w的输送处理(参照步骤s3)。例如，由控制装置4控制基片输送装置13、17，将载具c内的一个晶片w输送到处理单元16b。由此，在处理单元16b内，晶片w被保持在旋转保持部16b上。

当处理单元16a的臭氧水供给处理完成后，接着进行处理单元16a的清洗液供给处理(参照步骤s4)。例如，由送液控制部m2打开阀v9并关闭阀v10、v11，来对处理单元16a输送清洗液。由此，从喷嘴n2对处理单元16a内的晶片w供给清洗液，利用清洗液对晶片w进行清洗处理。清洗处理后的晶片w例如可由基片输送装置13、17送回载具c内。

与处理单元16a的清洗液供给处理并行地，进行处理单元16b的臭氧水供给处理(参照步骤s4)。例如，由送液控制部m2打开阀v5并关闭阀v4、v6，并且由排液控制部m3关闭阀v12，来对处理单元16b输送臭氧水。由此，从喷嘴n1对处理单元16b内的晶片w供给臭氧水，利用臭氧水对晶片w进行清洗处理。其中，处理单元16b的臭氧水供给处理可在处理单元16a内的臭氧水停止后进行，也可以在处理单元16a的清洗液供给处理开始后进行。

与处理单元16a的清洗液供给处理并行地，进行晶片w的输送处理(参照步骤s4)。例如，由控制装置4控制基片输送装置13、17，将载具c内的一个晶片w输送到处理单元16c。由此，在处理单元16c内，晶片w被保持在旋转保持部16b上。

当处理单元16b的臭氧水供给处理完成后，接着进行处理单元16b的清洗液供给处理(参照步骤s5)。例如，由送液控制部m2打开阀v10并关闭阀v9、v11，来对处理单元16b输送清洗液。由此，从喷嘴n2对处理单元16b内的晶片w供给清洗液，利用清洗液对晶片w进行清洗处理。清洗处理后的晶片w例如可由基片输送装置13、17送回载具c内。

与处理单元16b的清洗液供给处理并行地，进行处理单元16c的臭氧水供给处理(参照步骤s5)。例如，由送液控制部m2打开阀v6并关闭阀v4、v5，并且由排液控制部m3关闭阀v12，来对处理单元16c输送臭氧水。由此，从喷嘴n1对处理单元16c内的晶片w供给臭氧水，利用臭氧水对晶片w进行清洗处理。其中，处理单元16c的臭氧水供给处理可在处理单元16b内的臭氧水停止后进行，也可以在处理单元16b的清洗液供给处理开始后进行。

当处理单元16c的臭氧水供给处理完成后，接着进行处理单元16c的清洗液供给处理(参照步骤s6)。例如，由送液控制部m2打开阀v11并关闭阀v9、v10，来对处理单元16c输送清洗液。由此，从喷嘴n2对处理单元16c内的晶片w供给清洗液，利用清洗液对晶片w进行清洗处理。清洗处理后的晶片w例如可由基片输送装置13、17送回载具c内。

[作用]

上述示例中，在即将向处理单元16供给臭氧水之前，在溶解部130中生成臭氧水。因此，能够在臭氧水的臭氧浓度大幅衰减前对处理单元16供给臭氧水。从而，能够对晶片w供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水。

在上述示例中，根据臭氧浓度监视器143获取的臭氧浓度，对调整液供给部120中生成的调整液的氢离子浓度进行调节。因此，能够使臭氧水的臭氧浓度维持适当的值。

不过，臭氧水的臭氧浓度在臭氧水于溶解部130中生成后立即开始衰减。为此，在上述示例中，溶解部130到臭氧浓度监视器143的路径长度可以设定为，大致等于从溶解部130到各处理单元16a～16c的路径长度。该情况下，能够利用臭氧浓度监视器143间接地获取供给到各处理单元16a～16c时的臭氧水的臭氧浓度。从而，能够更高精度地利用臭氧水对晶片w进行清洗处理。

在上述示例中，溶解部130到各处理单元16a～16c的路径长度大致相等。因此，臭氧水从溶解部130到达各处理单元16a～16c的过程中的臭氧浓度的衰减量大致相等。从而，无论在哪个处理单元16中进行晶片w的清洗处理，都能够得到均匀的清洗结果。

在上述示例中，调整液供给部使调整液循环。因此，水与酸性溶液能够在调整液循环的过程中充分均匀地混合。从而，在溶解部130中能够稳定地使臭氧气体溶解于调整液。

在上述示例中，碱性溶液供给部200能够经阀v4～v6对配管d7～d9供给碱性调整液。该情况下，能够降低臭氧气体在调整液中的溶解性的碱性溶液，在臭氧水生成后被混合到臭氧水中。因此，能够在抑制臭氧水中臭氧浓度的降低的同时，利用碱性成分除去附着在晶片w上的附着物。

在上述示例中，在氢离子浓度监视器126、温度监视器142和臭氧浓度监视器143获取的数据中的任一个均为规定值以上的情况下，送液控制部m2和排液控制部m3能够控制泵124和阀v3～v6，将溶解部130中生成的臭氧水输送到处理单元16a～16c中的至少一个。该情况下，能够将供给到处理单元16的臭氧水的臭氧浓度稳定地维持在规定值以上。因此，能够得到均匀的清洗结果。

在上述示例中，处理单元16b的臭氧水供给处理能够在处理单元16a内的臭氧水停止后进行，处理单元16c的臭氧水供给处理能够在处理单元16b内的臭氧水停止后进行。即，在臭氧水输送到处理单元16a～16c中的任一个的情况下，不对处理单元16a～16c中的其余处理单元输送臭氧水。该情况下，在各处理单元16a～16c中不同时利用臭氧水对晶片w进行清洗处理。因此，能够对各处理单元16a～16c供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水。从而，无论在哪个处理单元16a～16c中进行晶片w的清洗处理，都能够得到均匀的清洗结果。

在上述示例中，排液控制部m3能够控制阀v12，以在臭氧水没有被输送到处理单元16a～16c的至少一个的情况下，将臭氧水排出到系统外部。该情况下，臭氧水不容易滞留在配管d6～d9(送液线路)中，所以能够使臭氧水的臭氧浓度更加稳定。

[变形例]

上面详细说明了本公开的实施方式，但在不超出技术方案的范围及其技术思想的范围内，可以对上述实施方式实施各种变形。

(1)可以如图6所示，调整液供给部120不包括循环箱123等，将来自液体源121的酸性溶液和来自液体源122的水经过混合得到的调整液直接供给到溶解部130而无需进行循环。该情况下，液体源121、122可以分别经配管d2、d3与阀v13连接。配管d2上可以设置有阀v1。配管d3上可以从上游侧起依次设置有阀v2和加热器125。阀v13可以基于来自控制装置4的控制信号而动作，使配管d2中流动的酸性溶液与配管d3中流动的水混合。阀v13例如可以是混合阀(mixingvalve)。

(2)溶解部130可以由多个溶解模块串联连接而成。该情况下，能够使在上游侧的溶解模块没有溶解于调整液的臭氧气体，进一步溶解在供给到下游侧的溶解模块的调整液中。因此，能够生成更高臭氧浓度的臭氧水。溶解部130可以由多个溶解模块并联连接而成。该情况下，能够增大溶解模块中生成的臭氧水的流量。

(3)臭氧水的温度越高，臭氧与附着在晶片w表面的附着物的反应性越有升高的趋势，但另一方面又有这样的趋势：臭氧水中溶解的臭氧容易变成气体释放，臭氧水的臭氧浓度会降低。为此，处理单元16可以进一步包括加热源，其在晶片w的正上方对从喷嘴n1释放的臭氧水进行加热。该情况下，在即将向晶片w释放臭氧水之前，臭氧水的温度都相对较低，因此能够对晶片w供给高浓度的臭氧水。并且，通过在晶片w的正上方对从喷嘴n1释放的臭氧水进行加热，能够在将臭氧气体从臭氧水中的释放抑制为最小限度的同时，提高臭氧对晶片w的附着物的反应性。从而，能够极为有效地除去附着在晶片w上的附着物。

加热源例如可以是从背面侧对晶片w加热的加热器，也可以是对晶片w的背面喷吹高温热水或蒸汽的加热流体供给机构。这些情况下，在处理单元16内可以将晶片w吸附保持在旋转保持部16b上，也可以对晶片w的周缘进行物理保持(可以用所谓的机械夹具保持晶片w)。

加热源例如可以是利用电磁感应而被加热的被加热体。该情况下，在处理单元16内，晶片w由被加热体支承。

加热源例如可以是能够使即将供给到喷嘴n1之前的臭氧水高速升温的加热器。

处理单元16可以是在一个处理槽中同时处理多个晶片w的批量式腔室。该情况下，加热源可以是能够使即将供给到处理槽之前的臭氧水高速升温的加热器。

(4)处理单元16可以包括照射紫外线等能量射线的照射部。控制装置4可以控制照射部，以在利用臭氧水对晶片w进行清洗处理时，对晶片w照射能量射线。该情况下，能够更有效地除去附着在晶片w表面的附着物。

(5)可以在当前所有的处理单元16都不进行晶片w的清洗处理等情况下(清洗处理结束后经过规定时间以上的情况下)，代替经排液部400将臭氧水排出到系统外部，而是停止臭氧水供给部100中的臭氧水的生成。

[示例]

例1.基片处理装置之一例包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。该情况下，在即将向处理腔室供给臭氧水之前，在溶解部中生成臭氧水。因此，能够在臭氧水的臭氧浓度大幅衰减前对处理腔室供给臭氧水。从而，能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水。

例2.例1的装置可以还包括排液部，其与送液线路连接，将臭氧水排出到系统外部。该情况下，在溶解部中持续生成臭氧水，但未利用臭氧水进行基片的清洗处理的情况下，能够将臭氧水从排液部排出。因此，臭氧水不容易滞留在送液线路中，所以能够使臭氧水的臭氧浓度更加稳定。

例3.例1或例2的装置可以还包括臭氧浓度监视器，其设置在送液线路上，用于获取溶解部的下游侧的臭氧水的臭氧浓度。

例4.例3的装置可以还包括控制部，其执行控制调整液供给部的处理，使得根据臭氧浓度监视器获取的臭氧浓度来对调整液供给部中生成的调整液的氢离子浓度进行调节。存在这样的趋势，即，调整液的氢离子浓度越高(ph值越小)则臭氧气体越容易溶解于该调整液，调整液的氢离子浓度越低(ph值越大)则臭氧气体越难以溶解于该调整液。因此，通过进行反馈控制来根据臭氧浓度监视器获取的臭氧浓度调节调整液的氢离子浓度，能够将臭氧水的臭氧浓度维持为适当的值。

例5.在例3或例4的装置中，可以是，从溶解部到臭氧浓度监视器的送液线路的路径长度，大致等于从溶解部到至少一个处理腔室的送液线路的路径长度。臭氧水的臭氧浓度在臭氧水于溶解部中生成后立即开始衰减。因此，通过在与从溶解部到至少一个处理腔室的送液线路的路径长度相同的位置上设置臭氧浓度监视器，能够间接地获取供给到至少一个处理腔室时的臭氧水的臭氧浓度。从而，能够更高精度地利用臭氧水对基片进行清洗处理。

例6.在例1～例5的任一装置中，可以是，至少一个处理腔室包括构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的第一处理腔室和第二处理腔室，送液线路以从溶解部分别向第一处理腔室和第二处理腔室分支的方式延伸，送液线路中从溶解部到第一处理腔室的路径长度，大致等于送液线路中从溶解部到第二处理腔室的路径长度。该情况下，臭氧水从溶解部到达第一处理腔室的过程中的臭氧浓度的衰减量，大致等于臭氧水从溶解部到达第二处理腔室的过程中的臭氧浓度的衰减量。因此，无论在第一和第二处理腔室的哪一个对基片进行清洗处理，都能够得到均匀的清洗结果。

例7.在例1～例6的任一装置中，调整液供给部可以将水与酸性溶液混合而生成调整液。

例8.在例7的装置中，调整液供给部可以使调整液循环。该情况下，水与酸性溶液能够在调整液循环的过程中充分均匀地混合。因此，在溶解部中能够稳定地使臭氧气体溶解于调整液。

例9.在例1～例8的任一装置中，可以还包括构成为能够对送液线路供给碱性溶液的碱性溶液供给部。该情况下，能够降低臭氧气体在调整液中的溶解性的碱性溶液，在臭氧水生成后被混合到臭氧水中。因此，能够在抑制臭氧水中臭氧浓度的降低的同时，利用碱性成分除去附着在基片上的附着物。

例10.在例1～例9的任一装置中，可以还包括：构成为能够获取调整液或臭氧水的温度的温度监视器；构成为能够获取调整液的氢离子浓度的氢离子浓度监视器；构成为能够获取臭氧水的臭氧浓度的臭氧浓度监视器；和控制部，其执行控制送液部的处理，使得在温度监视器所获取的温度为规定值以上，氢离子浓度监视器所获取的氢离子浓度为规定值以上，并且臭氧浓度监视器所获取的臭氧浓度为规定值以上时，将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室。该情况下，能够将供给到至少一个处理腔室的臭氧水的臭氧浓度稳定地维持在规定值以上。因此，能够得到均匀的清洗结果。

例11.在例1～例10的任一装置中，可以还包括控制部，至少一个处理腔室包括构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的多个处理腔室，送液线路以从溶解部分别向多个处理腔室分支的方式延伸，送液部构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部分别输送到多个处理腔室，控制部执行控制送液部的处理，使得在向多个处理腔室中的一个处理腔室输送臭氧水的情况下，不对多个处理腔室中的其余处理腔室输送臭氧水。该情况下，在各腔室中不同时利用臭氧水对基片进行清洗处理。因此，能够对各腔室供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水。从而，无论在哪个处理腔室中进行基片的清洗处理，都能够得到均匀的清洗结果。

例12.在例1～例11的任一装置中，可以还包括：排液部，其设置在送液线路上，构成为能够将臭氧水排出到系统外部；和控制部，其执行控制排液部的处理，使得在没有向至少一个处理腔室输送臭氧水的情况下，将臭氧水排出到系统外部。该情况下，臭氧水不容易滞留在送液线路中，所以能够使臭氧水的臭氧浓度更加稳定。

例13.基片处理方法之一例包括：将臭氧气体和呈现出规定的氢离子浓度的调整液供给到溶解部，通过使臭氧气体溶解于调整液来生成臭氧水的步骤；和通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的步骤，至少一个处理腔室构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理。该情况下，能够发挥与例1的装置同样的作用效果。

例14.例13的方法可以包括根据送液线路中流动的臭氧水的臭氧浓度对调整液的氢离子浓度进行调节的步骤。该情况下，能够发挥与例4的装置同样的作用效果。

例15.在例13或例14的方法中，输送臭氧水的步骤可以包括：在调整液或臭氧水的温度为规定值以上，调整液的氢离子浓度为规定值以上，并且臭氧水的臭氧浓度为规定值以上时，将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的步骤。该情况下，能够发挥与例10的装置同样的作用效果。

例16.在例13～例15的任一方法中，至少一个处理腔室包括构成为能够用臭氧水对基片进行清洗处理的多个处理腔室，输送臭氧水的步骤可以包括：在臭氧水被输送到多个处理腔室中的一个处理腔室的情况下，不对多个处理腔室中的其余处理腔室输臭氧水的步骤。该情况下，能够发挥与例11的装置同样的作用效果。

例17.在例13～例16的任一方法中，可以还包括：在臭氧水没有被输送到至少一个处理腔室的情况下，将臭氧水排出到系统外部的步骤。该情况下，能够发挥与例12的装置同样的作用效果。

例18.计算机可读存储介质之一例中记录有程序，其用于使基片处理装置执行例13～例17的任一基片处理方法。该情况下，能够发挥与例13～例17的任一方法同样的作用效果。本说明书中，计算机可读存储介质可以是非暂时性的有形介质(non-transitorycomputerrecordingmedium)(例如各种主存储装置或辅助存储装置)，也可以是传播信号(transitorycomputerrecordingmedium)(例如可经网络提供的数据信号)。

附图标记说明

1……基片处理系统，3……处理站，4……控制装置，10……基片处理装置，16……处理单元，18……控制部，100……臭氧水供给部，110……臭氧气体供给部，120……调整液供给部，126……氢离子浓度监视器，130……溶解部，140……送液部，142……温度监视器，143……臭氧浓度监视器，200……碱性溶液供给部，300……清洗液供给部，400……排液部，500……排气部，d6～d9……配管(送液线路)，rm……存储介质。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.(修改后)一种基片处理装置，其特征在于，包括：

构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；

构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；

构成为能够使所述臭氧气体溶解于所述调整液而生成臭氧水的溶解部；

构成为能够用所述臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；

构成为能够通过送液线路将所述臭氧水从所述溶解部输送到所述至少一个处理腔室的送液部；

臭氧浓度监视器，其设置在所述送液线路上，构成为能够获取所述溶解部的下游侧的所述臭氧水的臭氧浓度；和

控制部，其执行控制所述调整液供给部的处理，使得根据所述臭氧浓度监视器所获取的臭氧浓度，来调节所述调整液供给部中生成的所述调整液的氢离子浓度，将所述臭氧浓度维持为适当的值。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括排液部，其与所述送液线路连接，构成为能够将所述臭氧水排出到系统外部。

3.(删除)

4.(删除)

5.(修改后)如权利要求1所述的装置，其特征在于：

从所述溶解部到所述臭氧浓度监视器的所述送液线路的路径长度，大致等于从所述溶解部到所述至少一个处理腔室的所述送液线路的路径长度。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述至少一个处理腔室包括构成为能够用所述臭氧水来对基片进行清洗处理的第一处理腔室和第二处理腔室，

所述送液线路以从所述溶解部分别向所述第一处理腔室和所述第二处理腔室分支的方式延伸，

所述送液线路中从所述溶解部到所述第一处理腔室的路径长度，大致等于所述送液线路中从所述溶解部到所述第二处理腔室的路径长度。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述调整液供给部构成为能够将水与酸性溶液混合而生成所述调整液。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：

所述调整液供给部构成为能够使所述调整液循环。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括构成为能够对所述送液线路供给碱性溶液的碱性溶液供给部。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

构成为能够获取所述调整液或所述臭氧水的温度的温度监视器；

构成为能够获取所述调整液的氢离子浓度的氢离子浓度监视器；

构成为能够获取所述臭氧水的臭氧浓度的臭氧浓度监视器；和

控制部，其执行控制所述送液部的处理，使得在所述温度监视器所获取的温度为规定值以上，所述氢离子浓度监视器所获取的氢离子浓度为规定值以上，并且所述臭氧浓度监视器所获取的臭氧浓度为规定值以上时，将所述臭氧水从所述溶解部输送到所述至少一个处理腔室。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

还包括控制部，

所述至少一个处理腔室包括构成为能够用所述臭氧水来对基片进行清洗处理的多个处理腔室，

所述送液线路以从所述溶解部分别向所述多个处理腔室分支的方式延伸，

所述送液部构成为能够通过所述送液线路将所述臭氧水从所述溶解部分别输送到所述多个处理腔室，

所述控制部执行控制所述送液部的处理，使得在向所述多个处理腔室中的一个处理腔室输送所述臭氧水的情况下，不对所述多个处理腔室中的其余处理腔室输送所述臭氧水。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

排液部，其设置在所述送液线路上，构成为能够将所述臭氧水排出到系统外部；和

控制部，其执行控制所述排液部的处理，使得在没有向所述至少一个处理腔室输送所述臭氧水的情况下，将所述臭氧水排出到系统外部。

13.(修改后)一种基片处理方法，其特征在于，包括：

将臭氧气体和呈现出规定的氢离子浓度的调整液供给到溶解部，通过使所述臭氧气体溶解于所述调整液来生成臭氧水的步骤；

通过送液线路将所述臭氧水从所述溶解部输送到至少一个处理腔室的步骤，所述至少一个处理腔室构成为能够用所述臭氧水来对基片进行清洗处理；和

根据所生成的所述臭氧水的臭氧浓度，来调节所述调整液的氢离子浓度，将所述臭氧浓度维持为适当的值的步骤。

14.一种计算机可读存储介质，其特征在于：

存储有用于使基片处理装置执行权利要求13所述的基片处理方法的程序。