显示面板、显示设备、显示面板的制备方法与流程

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示面板、显示设备、显示面板的制备方法。

背景技术：

在显示设备领域，显示面板在使用时容易出现mura现象(亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)。本申请的发明人经过研究发现，导致上述缺陷的原因之一在于，在显示面板的有源层中，某些沟道区域之间的载流子浓度的差别较大，这就造成显示面板中薄膜晶体管的性能的差异化，进而导致显示面板易出现mura现象。

技术实现要素：

本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示面板、显示设备、显示面板的制备方法，用以因某些沟道区域之间的载流子浓度的差别较大，而导致的显示面板易出现mura现象的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括层叠设置的基板和薄膜晶体膜层组；

薄膜晶体膜层组包括层叠设置的有源层、绝缘层以及栅极层；

有源层包括多个沟道区域，多个沟道区域分为载流子浓度较高的第一沟道区域、以及载流子浓度较低的第二沟道区域；

绝缘层的第一部分设置在第一沟道区域，绝缘层的第二部分设置在第二沟道区域，绝缘层中第一部分的厚度大于第二部分的厚度；栅极层包括多个栅极，各栅极与各沟道区域一一对应。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括本申请实施例提供的显示面板。

第三方面，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，用于制备本申请实施例提供的显示面板，包括：

在基板上制备薄膜晶体膜层组，使得绝缘层中较厚的第一部分设置在有源层的第一沟道区域，绝缘层中较薄的第一部分设置在有源层的第二沟道区域。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

在制备本申请实施例提供的显示面板时，可以根据各沟道区域的载流子浓度预先确定沟道区域的类型，根据沟道区域的类型来制备具有不同厚度的绝缘层。若沟道区域的载流子浓度高于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层中较厚的第一部分，以抵消因载流子浓度较高而导致的阈值电压偏低的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值；若沟道区域的载流子浓度低于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层中较厚的第二部分，以抵消因载流子浓度较低而导致的阈值电压偏高的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值。最终使得绝缘层中较厚的第一部分设置在载流子浓度较高的第一沟道区域，绝缘层中较薄的第二部分设置在载流子浓度较低的第二沟道区域，较大程度地减小了因第一沟道区域和第二沟道区域的载流子浓度的差异而导致的不同薄膜晶体管之间的性能差异，提升了显示面板中各薄膜晶体管的均一性，从而有效地避免显示面板在使用时出现mura现象。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的第一种显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的第二种显示面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的针对第一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图5至图9为提供的针对第一种显示面板的制备方法的多个步骤的状态示意图；

图10为本申请实施例提供的针对第二种显示面板的制备方法的流程示意图；

图11至图15为提供的针对第二种显示面板的制备方法的多个步骤的状态示意图。

附图标号的说明如下：

1-基板；2-缓冲层；

3-有源层；

31-第一沟道区域；32-第二沟道区域；33-非沟道区域；

4-绝缘层；

41-栅极绝缘层；411-凹槽；42-第一材料膜；

400-第一材料；

5-栅极；6-阻挡层；7-第一光刻胶层；

8-光刻机；9-基台；10-掩膜版。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种显示面板，图1和图2都示出了该显示面板的部分结构，显示面板包括依次层叠的基板1(glass)和薄膜晶体膜层组。薄膜晶体膜层组包括层叠设置的有源层3(active)、绝缘层4以及栅极层。

有源层3包括多个沟道区域，多个沟道区域分为载流子浓度较高的第一沟道区域31、以及载流子浓度较低的第二沟道区域32。

绝缘层4的第一部分设置在第一沟道区域31，绝缘层4的第二部分设置在第二沟道区域32，绝缘层4中第一部分的厚度大于第二部分的厚度；栅极层包括多个栅极5，各栅极5与各沟道区域一一对应。

沟道区域分为第一沟道区域31和第二沟道区域32这两种类型，在确定沟道区域的类型时，根据沟道区域中的载流子浓度而定。

可选地，可以预先设定一个正常载流子浓度，对于不同类型或批次的显示面板，该正常载流子浓度可以是不同的。正常载流子浓度可以是一个范围值，正常载流子浓度的具体范围需要根据显示面板所属类型或批次的实际设计需要而定。同样地，绝缘层4的第一部分的厚度和第二部分的厚度，也需要根据显示面板所属类型或批次的实际设计需要而定。

若一个沟道区域中的载流子浓度高于正常载流子浓度，则认为该沟道区域中的载流子浓度较高，该沟道区域为第一沟道区域31；若一个沟道区域中的载流子浓度低于正常载流子浓度，则认为该沟道区域中的载流子浓度较低，该沟道区域为第二沟道区域32。可选地，可以预先设定第一浓度范围和第二浓度范围，若一个沟道区域中的载流子浓度在第一浓度范围内，则认为该沟道区域中的载流子浓度较高，该沟道区域为第一沟道区域31；若一个沟道区域中的载流子浓度在第二浓度范围内，则认为该沟道区域中的载流子浓度较低，该沟道区域为第二沟道区域32。

虽然图1和图2中未示出源极和漏极，但是本领域的技术人员可以理解，有源层3中还包括多个源极和漏极。栅极层中的栅极5，与有源层3中对应的源极、漏极和沟道区域，基本上可以构成一个tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)。

在本申请实施中，显示面板中的薄膜晶体管可以分为顶栅式的薄膜晶体管或底栅式的薄膜晶体管。在本说明书后续的实施例中，将以具有顶栅式的薄膜晶体管的显示面板为例，介绍显示面板的具体结构。

当薄膜晶体管为顶栅式的薄膜晶体管时，如图1和图2所示，基板1、有源层3、绝缘层4和栅极层依次层叠设置，即薄膜晶体膜层组中的有源层3更靠近基板1。

当薄膜晶体管为底栅式的薄膜晶体管时，基板1、栅极层、绝缘层4和有源层3依次层叠设置，即薄膜晶体膜层组中的栅极层更靠近基板1。

应当说明的是，多个沟道区域应当都从属于显示面板中同一个功能部件，功能部件可以是具有像素电路的部件，或者具有goa电路的部件。多个沟道区域可以都属于像素电路中薄膜晶体管的沟道区域；或者，多个沟道区域可以都属于goa电路中薄膜晶体管的沟道区域。

可选地，本申请显示面板中的多个沟道区域，都属于像素电路中薄膜晶体管的沟道区域。

本申请的发明人发现，沟道区域的载流子浓度会影响薄膜晶体管的阈值电压：沟道区域的载流子浓度越高，薄膜晶体管的阈值电压的越低；沟道区域的载流子浓度越低，薄膜晶体管的阈值电压的越高。

本申请的发明人还发现，栅极与沟道区域之间绝缘层的厚度也会影响薄膜晶体管的阈值电压：绝缘层的厚度越厚，薄膜晶体管的阈值电压的越高；绝缘层的厚度越薄，薄膜晶体管的阈值电压的越低。

基于上述发现，在制备本申请实施例提供的显示面板时，可以根据各沟道区域的载流子浓度预先确定沟道区域的类型，根据沟道区域的类型来制备具有不同厚度的绝缘层4。若沟道区域的载流子浓度高于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层4中较厚的第一部分，以抵消因载流子浓度较高而导致的阈值电压偏低的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值；若沟道区域的载流子浓度低于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层4中较厚的第二部分，以抵消因载流子浓度较低而导致的阈值电压偏高的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值。最终使得绝缘层4中较厚的第一部分设置在载流子浓度较高的第一沟道区域31，绝缘层4中较薄的第二部分设置在载流子浓度较低的第二沟道区域32，较大程度地减小了因第一沟道区域31和第二沟道区域32的载流子浓度的差异而导致的不同薄膜晶体管之间的性能差异，提升了显示面板中各薄膜晶体管的均一性，从而有效地避免显示面板在使用时出现mura现象。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，绝缘层4包括栅极绝缘层41(gateinsulator)和至少一个第一材料膜42，栅极绝缘层41贴合于有源层3，至少一个第一材料膜42设置在于栅极绝缘层41中远离有源层3的一侧。

栅极绝缘层41与第一材料膜42叠置的区域为绝缘层4的第一部分，栅极绝缘层41中未被第一材料膜42设置在的区域为绝缘层4的第二部分。第一沟道区域31具有第一浓度的载流子，第二沟道区域32具有正常浓度的载流子，第一浓度高于正常浓度。

可选地，正常浓度可以是一个浓度范围，该浓度范围可以根据实际的设计需要而定，高于该浓度范围上限值的浓度均为第一浓度。

本领域的技术人员可以理解，第一材料膜42的数量与第一沟道区域31的数量时一致的。绝缘层4中第一部分的厚度，为栅极绝缘层41的厚度与第一材料膜42的厚度相加后的和值；绝缘层4中第二部分的厚度为栅极绝缘层41的厚度，因此绝缘层4中第一部分的厚度大于第二部分的厚度。

第一材料膜42的厚度直接影响绝缘层4中第一部分的厚度，对于不同类型或批次的显示面板，第一材料膜42的厚度可以是不同的。第一材料膜42厚度深度的具体数值需要根据显示面板所述类型或批次的实际设计需要而定。

在本申请的一个实施例中，第一材料膜42采用的材料包括温变材料。在显示面板的工作过程中，随着薄膜晶体管温度的升高，温变材料的温度达到其相变温度，从而使得第一材料膜42从半导体转换为导体，这有助于减少薄膜晶体管的能耗，实现节能。

可选地，温变材料可以为vo2(二氧化钒)。当然，温变材料也可以为其它的具有相变特性的物质，此处不再一一列举。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，有源层3包括位于沟道区域之外的非沟道区域33，绝缘层4的第二部分设置在非沟道区域33。也就是说，第二沟道区域32所对应的绝缘层4部分的厚度，与非沟道区域33所对应的绝缘层4部分的厚度可以是相等的。

在本申请的一个实施例中，如图2所示，绝缘层4为栅极绝缘层41，栅极绝缘层41中远离有源层3的一侧设置有至少一个凹槽411。

栅极绝缘层41中未开设凹槽411的区域为绝缘层4的第一部分，栅极绝缘层41中设置有凹槽411的区域为绝缘层4的第二部分。第一沟道区域31具有正常浓度的载流子，第二沟道区域32具有第二浓度的载流子，第二浓度低于正常浓度。

可选地，正常浓度可以是一个浓度范围，该浓度范围可以根据实际的设计需要而定，低于该浓度范围下限值的浓度均为第二浓度。

本领域的技术人员可以理解，凹槽411的数量与第二沟道区域32的数量时一致的绝缘层4中第一部分的厚度为栅极绝缘层41的厚度；绝缘层4中第二部分的厚度，为栅极绝缘层41的厚度与凹槽411的深度相减后的差值。

凹槽411的深度直接影响绝缘层4中第二部分的厚度，对于不同类型或批次的显示面板，凹槽411的深度可以是不同的。凹槽411深度的具体数值需要根据显示面板所述类型或批次的实际设计需要而定。

在本申请的一个实施例中，如图2所示，有源层3包括位于沟道区域之外的非沟道区域33，绝缘层4的第二部分设置在非沟道区域33。也就是说，第一沟道区域31所对应的绝缘层4部分的厚度，与非沟道区域33所对应的绝缘层4部分的厚度可以是相等的。

可选地，图1和图2所示，显示面板还包括缓冲层(buffer)2。缓冲层2设置在基板1和有源层3之间。

可选地，图1和图2所示，显示面板还包括阻挡层6(shield)，阻挡层6设置在基板1和缓冲层2之间。

本领域的技术人员可以理解，图1和图2示出的是显示面板的部分结构，显示面板还可以包括其他膜层或部件，本发明的内容不涉及膜层或部件的改进，因此其他膜层或部件在此处不做进一步的介绍。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示设备，包括本申请上述各实施例提供的显示面板。

显示设备可以是手机、平板电脑、可穿戴设备、车载设备、增强现实(augmentedreality，ar)/虚拟现实(virtualreality，vr)设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobilepersonalcomputer，umpc)、上网本、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)等电子设备，本申请实施例对显示设备的具体类型不作任何限制。

本申请实施例提供的显示设备，与前面的各实施例具有相同的发明构思及相同的有益效果，该显示设备中未详细示出的内容可参考前面的各实施例，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该制备方法用于制备本申请上述各实施例提供的显示面板，包括：

在基板1上制备薄膜晶体膜层组，使得绝缘层4中较厚的第一部分设置在有源层3的第一沟道区域31，绝缘层4中较薄的第一部分设置在有源层3的第二沟道区域32。

在本申请实施中，显示面板中的薄膜晶体管可以分为顶栅式的薄膜晶体管和底栅式的薄膜晶体管。

当薄膜晶体管为顶栅式的薄膜晶体管时，在基板1上按顺序依次制备有源层3、绝缘层4和栅极层。

当薄膜晶体管为底栅式的薄膜晶体管时，在基板1上按顺序依次制备栅极层、绝缘层4和有源层3依次层叠设置。

下面将以将以具有顶栅式的薄膜晶体管的显示面板为例，进一步介绍显示面板的制备方法的具体步骤。

本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该制备方法用于制备本申请上述各实施例提供的显示面板，该制备方法流程示意图如图3所示，包括：

s101：在基板1上制备初始态有源层3，对初始态有源层3中各沟道区域进行掺杂，形成有源层3。

可选地，如图5或图11所示，基板1可以为玻璃板(glass)，在玻璃板上制备初始有源层3，初始有源层3的材料可以包括铟镓锌氧化物(igzo)、izo(氧化铟锌)和itzo(铟锡锌氧化物)等。在初始态有源层3的各沟道区域中掺杂载流子，形成有源层3。

可选地，若显示面板还包括缓冲层2。则先在玻璃板上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，在缓冲层2上制备初始有源层3。

可选地，若显示面板还包括阻挡层6，则先在玻璃板上制备阻挡层6，之后在阻挡层6上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，然后在缓冲层2上制备初始有源层3。

s102：在有源层3上制备初始态绝缘层4。

可选地，若制备图1所示的显示面板，如图5所示，步骤s102具体包括：在有源层3上制备栅极绝缘层41，在栅极绝缘层41上涂覆一层第一材料400，将层叠的栅极绝缘层41和第一材料400共同作为初始态绝缘层4。

在图1所示的显示面板中，第一沟道区域31具有第一浓度的载流子，第二沟道区域32具有正常浓度的载流子，第一浓度高于正常浓度。

可选地，若制备图2所示的显示面板，如图11所示，步骤s102具体包括：在有源层3上制备栅极绝缘层41，将栅极绝缘层41作为初始态绝缘层4。

在图2所示的显示面板中，第一沟道区域31具有正常浓度的载流子，第二沟道区域32具有第二浓度的载流子，第二浓度低于正常浓度，则在有源层3上制备初始态绝缘层4。

s103：在初始态绝缘层4上制备第一光刻胶层7，之后执行步骤s104或步骤s105。

可选地，若制备图1所示的显示面板，则执行步骤s104；若制备图2所示的显示面板，则执行步骤s105。

s104：根据有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息，保留第一光刻胶层7中对应有源层3中各第一沟道区域31的部分，并去除第一光刻胶层7的其它部分，之后执行步骤s106。

可选地，可以将有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息发送至光刻机8，光刻机8根据上述信息对有源层3的不同区域执行不同光强的曝光，之后再对曝光后的第一光刻胶层7进行清除，实现第一光刻胶层7的一部分被保留，一部分被去除。具体的曝光和清除步骤可以参见后续内容。

s105：根据有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息，去除第一光刻胶层7中对应有源层3中各第二沟道区域32的部分，并保留第一光刻胶层7的其它部分。

可选地，可以将有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息发送至光刻机8，光刻机8根据上述信息对有源层3的不同区域执行不同光强的曝光，之后再对曝光后的第一光刻胶层7进行清除，实现第一光刻胶层7的一部分被保留，一部分被去除。具体的曝光和清除步骤可以参见后续内容。

s106：以被保留的第一光刻胶层7为掩膜，对初始态绝缘层4未被第一光刻胶层7覆盖的区域进行刻蚀减薄，形成绝缘层4。

s107：清除残余的第一光刻胶层7，在绝缘层4上制备栅极层，使得各栅极5与各沟道区域一一对应，得到图1或图2所示的显示面板。

在上述制备过程中，可以根据各沟道区域的载流子浓度预先确定沟道区域的类型，根据沟道区域的类型来制备具有不同厚度的绝缘层4，使得绝缘层4中较厚的第一部分设置在载流子浓度较高的第一沟道区域31，绝缘层4中较薄的第二部分设置在载流子浓度较低的第二沟道区域32，较大程度地减小了因第一沟道区域31和第二沟道区域32的载流子浓度的差异而导致的不同薄膜晶体管之间的性能差异，提升了显示面板中各薄膜晶体管的均一性，从而有效地避免显示面板在使用时出现mura现象。

本申请实施例还提供了针对第一种显示面板的制备方法，该制备方法用于制备图1所示显示面板，该制备方法流程示意图如图4所示，包括：

s201：在基板1上制备初始态有源层3，对初始态有源层3中各沟道区域进行掺杂，形成有源层3。

可选地，如图5所示，基板1可以为玻璃板(glass)，在玻璃板上制备初始有源层3，初始有源层3的材料可以包括铟镓锌氧化物(igzo)、izo(氧化铟锌)和itzo(铟锡锌氧化物)等。在初始态有源层3的各沟道区域中掺杂载流子，形成有源层3。

可选地，若显示面板还包括缓冲层2，则先在玻璃板上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，在缓冲层2上制备初始有源层3。

可选地，若显示面板还包括阻挡层6，则先在玻璃板上制备阻挡层6，之后在阻挡层6上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，然后在缓冲层2上制备初始有源层3。

在初始态有源层3的各沟道区域中掺杂载流子后，一部分的沟道区域具有第一浓度的载流子，该一部分的沟道区域为第一沟道区域31；另一部分的沟道区域具有正常浓度的载流子，该另一部分的沟道区域为第二沟道区域32。

s202：在有源层3上制备栅极绝缘层41，在栅极绝缘层41上涂覆一层第一材料400，将层叠的栅极绝缘层41和第一材料400共同作为初始态绝缘层4。

在本申请的一个实施例中，如图5所示，在有源层3上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为栅极绝缘层41，在栅极绝缘层41上涂覆一层温变材料作为第一材料400。栅极绝缘层41和第一材料400的厚度可以根据实际的设计需要而定。

可选地，温变材料可以为vo2(二氧化钒)。当然，温变材料也可以为其它的具有相变特性的物质，此处不再一一列举。

s203：在初始态绝缘层4上制备第一光刻胶层7。

可选地，第一光刻胶层7的厚度可以根据实际的设计需要而定。

在执行完步骤s203后，得到如图5所示的第一中间态面板。

s204：以第一光强对第一光刻胶层7中对应各第一沟道区域31的部分进行曝光，以第二光强对第一光刻胶层7中其它部分进行曝光；第一光强小于第二光强。

可选地，可以将有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息发送至光刻机8，光刻机8根据上述信息对有源层3的不同区域执行不同光强的曝光。

应该说明的是，对于同一批次的显示面板，可以预先制作至少一个显示面板作为该批次显示面板的样品，测试样品的有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息，将测得的结果作为该批次的每个显示面板的各沟道区域的载流子浓度和位置信息。

可选地，利用霍尔迁移率检测设备对样品进行测试，获得有源层3和cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)薄膜匹配后的电学特性分布图(peakmap)，该电学特性分布图即可表征样品的有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息。

具体地，如图6所示，将步骤s203中制备得到的第一中间态面板放置在基台9上，图6中的标号m1即表示第一中间态面板。利用掩膜版10对第一中间态面板进行掩膜，光刻机8向第一中间态面板发射光线，以较弱的第一光强对第一光刻胶层7中对应各第一沟道区域31的部分进行曝光，以较强的第二光强对第一光刻胶层7中其它部分进行曝光。

可选地，第一光强的强度可以为零，也可以是光刻机8的最小光强值。

可选地，第二光强的强度应当满足如下条件：第一光刻胶层7中被第二光强的光线照射后，可以在后续的显影步骤中被完全清除掉。

s205：对第一光刻胶层7进行显影，保留第一光刻胶层7中对应各第一沟道区域31的部分，清除掉第一光刻胶层7的其它部分。

本领域的技术人员可以理解，在执行完步骤s205后，得到如图7所示的第二中间态面板。在第二中间态面板中，第一材料400的一部分被第一光刻胶层7覆盖，第一材料400的另一部分未被第一光刻胶层7覆盖。

s206：以被保留的第一光刻胶层7为掩膜，将第一材料400中未被第一光刻胶层7覆盖的部分全部刻蚀，形成至少一个第一材料膜42，将栅极绝缘层41和至少一个第一材料膜42共同作为绝缘层4。在执行完步骤s206后，得到如图8所示的第三中间态面板。

在本申请的一个实施例中，利用光刻机8对第二中间态面板的第一材料400进行曝光，第一材料400中未被第一光刻胶层7覆盖的部分被照射到，使得该部分可以被刻蚀去除；第一材料400中被第一光刻胶层7覆盖的部分未被照射到而被保留，形成多个第一材料膜42。

s207：清除残余的第一光刻胶层7，在绝缘层4上制备栅极层，使得栅极层中的各栅极5与各沟道区域一一对应，得到图1所示的显示面板。

采用剥离工艺清除残余的第一光刻胶层7，在清除残余的第一光刻胶层7之后，得到如图9所示的第四中间态面板。在第四中间态面板的绝缘层4上制备栅极层，得到图1所示的显示面板。

本申请实施例还提供了针对第二种显示面板的制备方法，该制备方法用于制备图2所示显示面板，该制备方法流程示意图如图10所示，包括：

s301：在基板1上制备初始态有源层3，对初始态有源层3中各沟道区域进行掺杂，形成有源层3。

可选地，如图11所示，基板1可以为玻璃板(glass)，在玻璃板上制备初始有源层3，初始有源层3的材料可以包括铟镓锌氧化物(igzo)、izo(氧化铟锌)和itzo(铟锡锌氧化物)等。在初始态有源层3的各沟道区域中掺杂载流子，形成有源层3。

可选地，若显示面板还包括缓冲层2，则先在玻璃板上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，在缓冲层2上制备初始有源层3。

可选地，若显示面板还包括阻挡层6，则先在玻璃板上制备阻挡层6，之后在阻挡层6上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为缓冲层2，然后在缓冲层2上制备初始有源层3。

在初始态有源层3的各沟道区域中掺杂载流子后，一部分的沟道区域具有正常浓度的载流子，该一部分的沟道区域为第一沟道区域31；另一部分的沟道区域具有第二浓度的载流子，该另一部分的沟道区域为第二沟道区域32。

s302：在有源层3上制备栅极绝缘层41，将栅极绝缘层41作为初始态绝缘层4。

在本申请的一个实施例中，如图11所示，在有源层3上沉积一层氧化硅(siox)膜质作为栅极绝缘层41，栅极绝缘层41的厚度可以根据实际的设计需要而定。

s303：在初始态绝缘层4上制备第一光刻胶层7。

可选地，第一光刻胶层7的厚度可以根据实际的设计需要而定。

在执行完步骤s203后，得到如图11所示的第一中间态面板。

s304：以第二光强对第一光刻胶层7中对应各第二沟道区域32的部分进行曝光，以第一光强对第一光刻胶层7中其它部分进行曝光；第一光强小于第二光强。

可选地，可以将有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息发送至光刻机8，光刻机8根据上述信息对有源层3的不同区域执行不同光强的曝光。

应该说明的是，对于同一批次的显示面板，可以预先制作至少一个显示面板作为该批次显示面板的样品，测试样品的有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息，将测得的结果作为该批次的每个显示面板的各沟道区域的载流子浓度和位置信息。

可选地，利用霍尔迁移率检测设备对样品进行测试，获得有源层3和cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)薄膜匹配后的电学特性分布图(peakmap)，该电学特性分布图即可表征样品的有源层3中各沟道区域的载流子浓度和位置信息。

具体地，如图12所示，将步骤s303中制备得到的第一中间态面板放置在基台9上，图12中的标号m2即表示第一中间态面板。利用掩膜版10对第一中间态面板进行掩膜，光刻机8向第一中间态面板发射光线，以较强的第二光强对第一光刻胶层7中对应各第二沟道区域32的部分进行曝光，以较弱的第一光强对第一光刻胶层7中其它部分进行曝光；第一光强小于第二光强。

可选地，第一光强的强度可以为零，也可以是光刻机8的最小光强值。

可选地，第二光强的强度应当满足如下条件：第一光刻胶层7中被第二光强的光线照射后，可以在后续的显影步骤中被完全清除掉。

s305：对第一光刻胶层7进行显影，清除掉第一光刻胶层7中对应各第一沟道区域31的部分，并保留第一光刻胶层7的其它部分。

本领域的技术人员可以理解，在执行完步骤s305后，得到如图13所示的第二中间态面板。在第二中间态面板中，栅极绝缘层41的一部分被第一光刻胶层7覆盖，栅极绝缘层41的另一部分未被第一光刻胶层7覆盖。

s306：以被保留的第一光刻胶层7为掩膜，将栅极绝缘层41中未被第一光刻胶层7覆盖的部分进行刻蚀减薄，形成至少一个凹槽411，将设置有至少一个凹槽411的栅极绝缘层41作为绝缘层4。在执行完步骤s306后，得到如图14所示的第三中间态面板。

在本申请的一个实施例中，利用干刻的工艺对栅极绝缘层41中未被第一光刻胶层7覆盖的部分进行刻蚀减薄，栅极绝缘层41中被干刻的部分形成凹槽411，凹槽411的深度可以根据实际的设计需要而定。

s307：清除残余的第一光刻胶层7，在绝缘层4上制备栅极层，使得栅极层中的各栅极5与各沟道区域一一对应，得到图2所示的显示面板。

采用剥离工艺清除残余的第一光刻胶层7，在清除残余的第一光刻胶层7之后，得到如图15所示的第四中间态面板。在第四中间态面板的绝缘层4上制备栅极层，得到图2所示的显示面板。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

在制备本申请实施例提供的显示面板时，可以根据各沟道区域的载流子浓度预先确定沟道区域的类型，根据沟道区域的类型来制备具有不同厚度的绝缘层。若沟道区域的载流子浓度高于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层中较厚的第一部分，以抵消因载流子浓度较高而导致的阈值电压偏低的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值；若沟道区域的载流子浓度低于正常载流子浓度，则在对应于该沟道区域的位置制备绝缘层中较厚的第二部分，以抵消因载流子浓度较低而导致的阈值电压偏高的影响，使得该部分的薄膜晶体管的阈值电压尽可能接近正常值。最终使得绝缘层中较厚的第一部分设置在载流子浓度较高的第一沟道区域，绝缘层中较薄的第二部分设置在载流子浓度较低的第二沟道区域，较大程度地减小了因第一沟道区域和第二沟道区域的载流子浓度的差异而导致的不同薄膜晶体管之间的性能差异，提升了显示面板中各薄膜晶体管的均一性，从而有效地避免显示面板在使用时出现mura现象。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。