离子阱及离子束缚方法

文档序号:25986777发布日期:2021-07-23 20:55阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种离子阱,其特征在于,包括:

磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置;

磁场发生装置,用于产生约束磁场;

光场发生装置,用于产生形状可变的光场;

可变电场发生装置,用于通过所述光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,所述可变约束电场的电势分布与所述光场分布一致,以通过所述约束磁场和所述可变约束电场分别操控每个离子。

2.根据权利要求1所述的离子阱,其特征在于,所述可变电场发生装置包括:

基板、导电层、电荷传输层和光伏层;

所述基板上依次镀有所述导电层、电荷传输层和光伏层;

所述导电层,用于使所述可变电场发生装置通过所述导电层接地,导出所述光伏层所产生的电荷;

所述电荷传输层,用于传输所述光伏层产生的电子或空穴;

所述光伏层,用于当所述光场的光照射到所述光伏层时,产生所述可变约束电场。

3.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括:

恒定电场发生装置,用于产生与所述可变约束电场方向相反的恒定约束电场,以通过所述约束磁场、所述恒定约束电场以及所述可变约束电场分别操控每个离子。

4.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括成像装置,所述成像装置的视窗朝向离子束缚区域。

5.根据权利要求4所述的离子阱,其特征在于,所述光场通过所述成像装置的视窗照射到所述可变电场发生装置上。

6.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括真空腔体,所述成像装置、磁场发生装置、所述可变电场发生装置、所述恒定电场发生装置均固定于所述真空腔体内。

7.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,当所述磁场发生装置为两个永磁铁时,则所述离子阱还包括支架,所述两个永磁铁固定于所述支架内。

8.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,所述光场发生装置为空间光调制器或数字微反射镜阵列或可变性反射镜或电控振镜。

9.一种离子束缚方法,其特征在于,包括:

产生约束磁场;

产生形状可变的光场;

通过所述光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,所述可变约束电场的形状与所述光场的形状一致,以通过所述约束磁场和所述可变约束电场分别操控每个离子。

10.根据权利要求9所述的离子束缚方法,其特征在于,所述方法还包括:

产生与所述可变约束电场方向相反的恒定约束电场,以通过所述约束磁场、所述恒定约束电场以及所述可变约束电场分别操控每个离子。


技术总结
一种离子阱,应用于离子阱技术领域,包括:磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置,磁场发生装置,用于产生离子所需的约束磁场,光场发生装置,用于产生形状可变的光场,可变电场发生装置,用于通过该光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致,以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子。本申请还公开了一种离子束缚方法,可任意束缚和操控每个离子。

技术研发人员:林毅恒;李岳;肖正国;杜江峰
受保护的技术使用者:中国科学技术大学
技术研发日:2020.01.23
技术公布日:2021.07.23
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