发光组件的制作方法

本申请是中国发明专利申请(申请号：201610919891.x，申请日：2016年10月21日，发明名称：发光组件)的分案申请。

本发明涉及一种发光组件，且特别是涉及一种发光组件，其包含一电极垫及一延伸电极延伸自电极垫。

背景技术：

发光二极管(led)为一广泛使用的固态发光组件。发光二极管(led)包含一p型半导体层，一n型半导体层，以及一活性层位于p型半导体层及n型半导体层之间以发出一光线。led的原理为提供一电流予led以将电子及空穴注入于活性层中，使电能转为光能。电子及空穴于活性层中结合以发出光线。

技术实现要素：

一发光组件包含一半导体叠层；一电极垫包含一周界位于半导体叠层上；以及一延伸电极连接至电极垫，其中延伸电极包含一第一部分延伸自电极垫的周界以及一第二部分远离于电极垫，第一部分包含一第一边及一第二边，第一边与第二边相对，第一边包含一第一弧线具有一第一曲率半径，第一曲率半径大于10μm。

附图说明

图1a为本发明一实施例所揭示的一发光组件的上视图；

图1b为图1a的沿着a-a’线的发光组件剖视图；

图1c为图1a的沿着b-b’线的发光组件剖视图；

图2为本发明一实施例中，图1a所揭示的发光组件的部分放大图；

图3为具有不同曲率半径的发光组件的过度电性应力(electricaloverstress,eos)；

图4为本发明一实施例中，图1a所揭示的发光组件的部分放大图；

图5为本发明一实施例中，图1a所揭示的发光组件的部分放大图；

图6为本发明一实施例中所揭示的一灯泡。

符号说明

1发光组件

10基板

12半导体叠层

121第一半导体层

122第二半导体层

123活性层

14第一电极

141第一电极垫

1410周界

142第一延伸电极

1421第一部分

1422第二部分

1423第一边

1425第二边

16第二电极

16’电极

161第二电极垫

161’电极垫

1610周界

1610’周界

162第二延伸电极

162’延伸电极

162”延伸电极

1621第一部分

1621’第一部分

1621”第一部分

1622第二部分

1622’第二部分

1622”第二部分

1623第一边

1623”第一边

1625第二边

1625”第二边

20保护层

201开口

202开口

211电流局限区

2110周界

2120开口

2120s侧表面

211’电流局限区

212电流局限区

22透明导电层

220开口

220s侧表面

p1区域

p2区域

r1第一曲率半径

r1’第一曲率半径

r2第二曲率半径

r2’第二曲率半径

r3’第三曲率半径

600灯泡

602灯罩

604反射镜

606承载部

608发光单元

610发光模块

612灯座

614散热片

616连接部

618电连接组件

具体实施方式

为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关图示。但以下所示的实施例是用于例示本发明的发光组件，并非将本发明限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本发明的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图标所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。更且，在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。

图1a为本发明一实施例中所揭示的一发光组件1的结构示意图。图1b为图1a的沿着a-a’线的发光组件1的剖视图。图1c为图1a的沿着b-b’线的发光组件1的剖视图。如图1a所示，发光组件1为一水平式发光组件，包含一基板10；一半导体叠层12位于基板10上；多个电流局限区211，211’，212位于半导体叠层12上；一透明导电层22位于半导体叠层12上；一第一电极14；一第二电极16；以及一保护层20具有多个开口201，202以露出第一电极14及第二电极16。

第一电极14及第二电极16可位于基板10的相同侧或是基板10的相对侧。图1a至图1c揭示第一电极14及第二电极16位于基板10的相同侧的实施例。如图1b及图1c所示，半导体叠层12包含一第一半导体层121，一第二半导体层122，以及一活性层123位于第一半导体层121及第二半导体层122之间。第一半导体层121及第二半导体层122具有不同的导电型态、电性、极性，或掺杂的元素以提供电子或空穴。具体而言，第一半导体层121包含n型或p型半导体，当第一半导体层121为n型半导体时，第二半导体层122可为p型半导体，或是当第一半导体层121为p型半导体时，第二半导体层122可为n型半导体。活性层123形成于第一半导体层121及第二半导体层122之间。活性层123可将电能转换成光能。改变半导体叠层12的一层或多层的物理及化学组成以调整光线的波长。半导体叠层12的材料包含铝镓铟磷(algainp)或铝镓铟氮(algainn)。活性层123包含单异质结构(singleheterostructure,sh)，双异质结构(doubleheterostructure,dh)，双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure,ddh)，或多层量子阱结构(multi-quantumwell,mqw)。具体而言，活性层123的材料可为中性、p型或n型电性的半导体。当一电流通过半导体叠层12时，活性层123可发出一光线。当活性层123包含铝镓铟磷(algainp)系列的材料时，活性层123发出琥珀色系列的光线，例如红光、橘光、或黄光；当活性层123包含铝镓铟氮(algainn)系列的材料时，活性层123发出蓝光、绿光、或紫外光。本实施例以具有铝镓铟氮(algainn)系列的材料的半导体叠层12为例示。此叠层可通过多种方法形成，例如有机金属化学气相沉积法(mocvd)、分子束外延法(mbe)、氢化物气相沉积法(hvpe)。

通过蚀刻部分的半导体叠层12移除部分第二半导体层122及活性层123，以露出第一半导体层121的一表面。第一电极14形成于第一半导体层121露出的表面，并与第一半导体层121形成电连接。第二电极16形成于第二半导体层122的表面，并与第二半导体层122形成电连接。

多个电流局限区211，211’位于第一半导体层121上，以及一电流局限区212位于第二半导体层122上，以避免注入于第一电极14及第二电极16的电流聚集于第一电极14及第二电极16之下。电流局限区211，211’，212的材料包含绝缘材料，例如氧化硅，氮化硅，或氧化铝。电流局限区211，211’，212的结构可为单层或是多层交叠，例如布拉格反射层(dbr)。

透明导电层22位于电流局限区212上及/或第二半导体层122的表面上，以使注入于第一电极14及第二电极16的电流均匀地扩散至第二半导体层122的整层表面。由于透明导电层22位于发光组件1的光摘出面上，较佳地选择具有透光性的导电材料以做为透明导电层22。具体而言，透明导电层22较佳地选择一金属氧化物，其至少包含一元素选自于锌、铟、或锡，例如氧化锌(zno)、氧化铟(ino)、氧化锡(sno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、或镓锌氧化物(gzo)。一金属薄膜也可以做为透明导电层22。较佳地，透明导电层22对于活性层123所发出的光线具有高透光性，例如60％以上、70％以上、75％以上、80％以上，或更高，以及为具有高导电性的材料。

在本发明的一实施例中，电流局限区212位于第二电极16及半导体叠层12之间，其包含一开口2120以露出第二半导体层122的表面，覆盖于电流局限区212上的透明导电层22包含一开口220以露出第二半导体层122的表面，透明导电层22的开口220包含一宽度与电流局限区212的开口2120的宽度相同。换言之，如图1b所示，电流局限区212的一侧表面2120s与透明导电层22的一侧表面220s大致位于同一平面上。

在本发明的另一实施例中，电流局限区212位于第二电极16及半导体叠层12之间，其包含一开口2120以露出第二半导体层122的表面，覆盖于电流局限区212上的透明导电层22包含一开口220以露出第二半导体层122的表面，透明导电层22的开口220包含一宽度大于电流局限区212的开口2120的宽度。换言之，透明导电层22的侧表面220s位于电流局限区212的侧表面2120s以外之处。电流局限区212的侧表面2120s包含一斜率。侧表面2120s与第二半导体层122的表面之间的夹角为一锐角。

在本发明的另一实施例中，电流局限区212位于第二电极16及半导体叠层12之间，其包含一开口2120以露出第二半导体层122的表面，此实施例与上述实施例的差异为于一侧面图上，电流局限区212的侧表面2120s包含两个不同斜率的表面区，其中较接近第二半导体层122的表面的一表面区具有一斜率大于另一表面区。

如图1a至图1c所示，发光组件1在一上视图上包含一矩形，具有一长边及一短边。第一电极14包含一第一电极垫141；以及一或多个第一延伸电极142延伸自第一电极垫141，且以沿着平行于发光组件1的长边的方向上朝第二电极垫161延伸。第二电极16包含一第二电极垫161；以及一或多个第二延伸电极162延伸自第二电极垫161，且以沿着平行于发光组件1的长边的方向上朝第一电极垫141延伸。相对于通过发光组件1的中心点的水平线、垂直线、或是对角在线，第一电极14及第二电极16可以配置为一对称结构。

在本发明的另一实施例中，如图1a所示，第一电极垫141和第二半导体层122的一侧边之间包含一第一最短距离，第一延伸电极142和第二半导体层122的一侧边之间包含一第二最短距离，第一最短距离大于或小于第二最短距离。在本发明的另一实施例中，第一最短距离与第二最短距离相同。

在本发明的另一实施例中，第一电极14可包含多个第一电极垫141；以及一或多个第一延伸电极142延伸自每一个第一电极垫141。第二电极16可包含多个第二电极垫161；以及一或多个第二延伸电极162延伸自每一个第二电极垫161。

在本发明的另一实施例中，保护层20覆盖于半导体叠层12、第一电极14及第二电极16的表面上。保护层20包含开口201，202以分别露出第一电极垫141及第二电极垫161的部分上表面。保护层20包含绝缘材料，例如氧化硅，氮化硅，或氧化铝。保护层20可为单层结构或是多层结构。在本发明的另一实施例中，保护层20包含开口201，202以完全露出第一电极垫141及第二电极垫161的上表面，且保护层20分别与第一电极垫141及第二电极垫161相隔一距离。

在本发明的另一实施例中，发光组件1包含一矩形，具有多个侧边，其包含一长边及一短边；以及由长边及短边相交形成的一角落。第一电极垫141位于第一角落，第二电极垫161位于第二角落。第一角落及第二角落位于发光组件1的一对角在线。一或多个第一延伸电极142延伸自第一电极垫141，且以沿着平行于发光组件1的长边及/或短边的方向上朝第二电极垫161延伸。一或多个第二延伸电极162延伸自第二电极垫161，且以沿着平行于发光组件1的长边及/或短边的方向上朝第一电极垫141延伸。具体而言，第二延伸电极162沿着长边延伸并包围第一电极14。

在本发明的一实施例中，电极垫141，161各包含一尺寸，例如宽度，其大于延伸电极142，162的宽度，以使得电极垫141，161可连接至一导线，焊料凸点或其他可替换的结构。电极垫141，161位于发光组件1的光摘出面的相对侧或角落。延伸电极142，162自电极垫141，161延伸以使注入的电流均匀地扩散至发光组件1的整体。

在本发明的一实施例中，电极垫141，161及延伸电极142，162于同一步骤或是不同步骤中形成于光摘出面上。电极垫141，161及/或延伸电极142，162包含一厚度位于0.5μm及5μm之间。

如图1a至图1c所示，第一电极14包含第一电极垫141；以及第一延伸电极142延伸自第一电极垫141。第一电极垫141可做为封装制作工艺的打线垫或焊垫，包含一周界1410。在发光组件1的上视图上，第一电极垫141的周界1410可为圆形、椭圆形、或矩形。第二电极16包含第二电极垫161；以及第二延伸电极162延伸自第二电极垫161。第二电极垫161包含一周界1610，在发光组件1的上视图上，第二电极垫161的周界1610可为圆形、椭圆形、或矩形。

如图1b所示，多个电流局限区211’不连续地形成于第一半导体层121的表面上。多个电流局限区211’及电流局限区211不连续地形成于第一半导体层121的表面上。第一电极垫141及第一延伸电极142覆盖电流局限区211及多个电流局限区211’。电流局限区211为一周界2110所环绕，第一电极垫141为一周界1410所环绕，第一电极垫141的周界1410形成于电流局限区211的周界2110的内侧。第一延伸电极142包含一第一部分1421延伸自第一电极垫141的周界1410，并延伸于电流局限区211的周界2110之外。换言之，第一延伸电极142的第一部分1421形成于电流局限区211的一区域p1上及第一半导体层121的一区域p2上。在发光组件1的上视图上或发光组件1的侧视图上，位于电流局限区211的区域p1上的第一部分1421的一部分具有一表面积大于位于第一半导体层121的区域p2上的第一部分1421的另一部分的表面积。第一部分1421的上表面完全地为保护层20所覆盖。第一电极垫141的上表面积部分地露出于保护层20的开口201。

如图1c所示，电流局限区212的开口2120为电流局限区212的侧表面2120s所环绕，透明导电层22的开口220为透明导电层22的侧表面220s所环绕，电流局限区212的侧表面2120s及透明导电层22的侧表面220s大致位于相同的水平面上。第二电极垫161为周界1610所环绕，周界1610位于电流局限区212的侧表面2120s的外侧及透明导电层22的侧表面220s的外侧。第二电极垫161形成于电流局限区212的开口2120中及/或透明导电层22的开口220中。第二延伸电极162包含一第一部分1621延伸自第二电极垫161的周界1610，且形成于电流局限区212及透明导电层22上。第一部分1621形成于电流局限区212的开口2120的外侧及/或透明导电层22的开口220的外侧。第一部分1621的一上表面完全地为保护层20所覆盖。第二电极垫161的一上表面部分地裸露于保护层20的开口202。

图2为本发明一实施例中所揭示的发光组件1的第一电极14的部分放大图。在本实施例中，第一电极垫141可为圆形或椭圆形，在发光组件1的上视图上，第一电极垫141的周界1410可由一连续的曲线所构成。当第一电极垫141的周界1410包含圆形时，电极垫的周界1410包含具有一曲率半径的一个曲线。当第一电极垫141为椭圆形时，电极垫的周界1410包含具有不同曲率半径的多个曲线。

在本发明的另一实施例中，当电极垫为矩形时，如图2所示，矩形的一角落可为一圆弧。具体而言，当电极垫为矩形时，周界1410的每一角落包含具有一曲率半径的一曲线。换言之，在发光组件1的上视图，第一电极垫141的周界1410可由多个曲线及多个直线所构成。如图2所示，每一曲线的一端连接于多个直线中的一个，每一曲线的另一端连接于多个直线中的另一个。

如图2所示，第一延伸电极142的第一部分1421延伸自第一电极垫141的周界1410，第一延伸电极142的第二部分1422远离于第一电极垫141，第一部分1421包含一第一边1423及一第二边1425。第一部分1421包含一特征不同于第二部分1422的一特征。此特征包含材料、形状、或尺寸，例如宽度或厚度。举例而言，第一部分1421包含连接至第一电极垫141的周界1410的一端，以及远离于第一电极垫141的周界1410的另一端。连接至第一电极垫141的周界1410的一端包含一宽度或一厚度大于远离于第一电极垫141的周界1410的另一端的一宽度或一厚度，其中第一延伸电极142的第一部分1421的宽度或厚度自连接于第一电极垫141的周界1410的一端往远离于第一电极垫141的周界1410的另一端逐渐变小。连接于第一延伸电极142的第一部分1421的第一延伸电极142的第二部分1422的一端，其包含一宽度与远离于第一延伸电极142的第一部分1421的另一端的宽度大致相同或不同。连接于周界1410的第一部分1421的一端的宽度大于第二部分1422的一端的宽度及/或第二部分1422的另一端的宽度。远离于周界1410的第一部分1421的另一端的宽度等于或大于第二部分1422的一端的宽度及/或第二部分1422的另一端的宽度。

在本发明的一实施例中，第一部分1421的第一边1423可为一直线或一弧线及/或第一部分1421的第二边1425可为一直线或一弧线。直线包含一长度位于0.5μm及30μm之间，较佳位于5μm及15μm之间，更佳位于6μm及10μm之间。

在本发明的一实施例中，第一部分1421的第一边1423或第二边1425由具有一曲率半径的一弧线所构成，其中弧线的一端与第一电极垫141的周界1410相接触，弧线的另一端与第二部分1422的一边相接触。

图2为本发明的一实施例，第一边1423包含一具有一第一曲率半径r1的第一弧线，第二边1425包含一具有一第二曲率半径r2的第二弧线，第一曲率半径r1及第二曲率半径r2分别大于10μm。较佳地，第一曲率半径r1及第二曲率半径r2分别大于15μm及小于50μm，更佳地，分别大于15μm及小于30μm。在本发明的一实施例，第一曲率半径r1与第二曲率半径r2相同，或是第一曲率半径r1与第二曲率半径r2不同。

在本发明的另一实施例中，第一电极垫141包含一宽度小于60μm，第一边1423及/或第二边1425包含一第一曲率半径r1大于10μm。

在本发明的另一实施例中，第一电极垫141包含一宽度等于或大于60μm，第一边1423及/或第二边1425包含一第一曲率半径r1大于15μm。

第一曲率半径r1或第二曲率半径r2为一虚拟圆的一半径所定义。绘制所述虚拟圆的一切线以接触第一边1423或第二边1425的一点，此点与所述虚拟圆的圆心之间的距离被定义为第一曲率半径r1或第二曲率半径r2。

在本发明的另一实施例中，第一弧线为具有第一曲率半径r1的虚拟圆的周界的一部分，第二弧线为具有第二曲率半径r2的虚拟圆的周界的一部分。在本发明的另一实施例中，第一边1423仅包含一个具有一第一曲率半径r1的第一弧线，第二边1425仅包含一个具有一第二曲率半径r2的第二弧线。

发光组件的故障可为静电放电(esd)或过度电性应力(eos)的电流过载所导致。电流过载，例如突波(surge)或高电流注入，所导致的局部电流集中，容易聚集在传统发光组件的电极尖角。电流聚集会降低发光组件对于静电放电(esd)或过度电性应力(eos)的耐受力，并且对发光组件造成损害，例如电极的金属迁移或扩散，以及外延的击穿(breakdown)。在本发明的一实施例中，具有圆形或椭圆形的电极垫形状，或是具有圆弧角的矩形电极垫形状使得自第一电极14和第二电极16注入的电流均匀地流至半导体层的整个表面，并提高发光组件对于静电放电(esd)的耐受力。

延伸电极的第一部分的第一边及/或第二边具有圆弧的形状，其可改善发光组件对于静电放电(esd)的耐受力及过度电性应力(eos)的承受力，以避免电流局部聚集于电极。在静电放电测试(esdtest)中，将一电源以反向串联的方式连接至一发光组件，并施以一突波电压(反向电压)至发光组件，具有上述设计的发光组件的静电击穿电压(静电放电esd的耐受力)可被提升。

在发光组件的应用领域上，发光组件的静电破坏特性是非常重要的课题。具体而言，具有耐受源自于封装组件的静电的组件设计是用于改善终端产品良率及可靠度的一项重要指标。尤其，近来发光组件被应用于恶劣的环境中，例如户外显示屏及车灯，使得静电特性日趋重要。因此，发光组件的合适的电极设计是用以改善静电放电(esd)耐受力的方法之一。在本发明的一实施例中，当施予一静电于发光组件的第一电极及第二电极的电极垫时，一局部电流密度可能超过延伸电极的第二部分的载体能力。发光组件的延伸电极的静电放电(esd)耐受力取决于延伸电极的尺寸，例如宽度或面积。延伸电极的宽度越宽，延伸电极的静电放电(esd)耐受力越佳。但是延伸电极的金属材料对于发光组件所发出的光线具有吸旋光性。延伸电极的宽度越宽，光摘出效率越低。改善静电放电(esd)耐受力的需求与改善光摘出效率的需求是互相违背的。本发明提出一电极具有一结构，例如延伸电极的第一部分，其具有一截面积介于电极垫的截面积及延伸电极的第二部分的截面积之间，及具有一特定的曲率半径以改善发光组件的静电放电(esd)耐受力。

图3为具有不同曲率半径的发光组件的过度电性应力(electricaloverstress,eos)测试图。多个发光组件于一电流注入下被测试。当注入的电流超过发光组件的耐受力时，观察量测得到的电压急遽上升，代表此发光组件失效。如图3所示，具有较大曲率半径的发光组件，其具有较高的过度电性应力(eos)的承受力。发光组件的过度电性应力(eos)承受力和曲率半径具有正比例关系。例如，相较于具有10μm的曲率半径的发光组件，具有30μm的曲率半径的发光组件在过度电性应力(electricaloverstress,eos)测试中，其可承受较高的电流，因此可避免组件被击穿。具有本发明的电极结构的发光组件可达到良好的电流扩散效果。本发明的一发光组件可以减少光损失，并提供一较高的过度电性应力(eos)承受力及一较佳的静电放电(esd)耐受力。

图4为本发明一实施例中所揭示的发光组件1的第二电极16的部分放大图。如图4所示，第二电极16包含第二电极垫161；以及一或多个第二延伸电极162延伸自第二电极垫161。第二电极垫161可为圆形、椭圆形、或具有圆弧角的矩形，包含一周界1610。第二延伸电极162包含一第一部分1621延伸自第二电极垫161的周界1610，及一第二部分1622远离于第二电极垫161。

第二延伸电极162的第一部分1621包含一第一边1623及一第二边1625。第一部分1621包含一特征不同于第二部分1622。此特征包含材料、形状、或尺寸，例如宽度或厚度。举例而言，第一部分1621包含连接至第二电极垫161的周界1610的一端，以及远离于第二电极垫161的周界1610的另一端。连接至第二电极垫161的周界1610的一端包含一宽度或一厚度大于远离于第二电极垫161的周界1610的另一端的一宽度或一厚度。第二延伸电极162的第二部分1622的一端连接于第二延伸电极162的第一部分1621，其包含一宽度与第二部分1622的另一端的宽度大致相同，另一端远离于第二延伸电极162的第一部分1621。连接于周界1610的第一部分1621的一端的宽度大于第二部分1622的一端的宽度及/或第二部分1622的另一端的宽度。远离于周界1610的第一部分1621的另一端的宽度等于或大于第二部分1622的一端的宽度及/或第二部分1622的另一端的宽度。

在本发明的一实施例中，第二延伸电极162的第一部分1621的第一边1623可为一直线或一弧线，及/或第二延伸电极162的第一部分1621的第二边1625可为一直线或一弧线。

在本发明的一实施例中，第一边1623包含一具有一第一曲率半径r1’的第一弧线，第二边1625包含一具有一第二曲率半径r2’的第二弧线，第一曲率半径r1’或第二曲率半径r2’大于10μm。较佳地，第一曲率半径r1’或第二曲率半径r2’大于15μm及小于50μm，更佳地，大于15μm及小于30μm。在本发明的一实施例中，第一曲率半径r1’与第二曲率半径r2’相同，或是第一曲率半径r1’与第二曲率半径r2’不同。图4例示第一曲率半径r1’大于第二曲率半径r2’。

第一曲率半径r1’或第二曲率半径r2’通过一虚拟圆的一半径来定义。绘制所述虚拟圆的一切线以接触第一边1623或第二边1625的一点，此点与所述虚拟圆的圆心之间的距离被定义为第一曲率半径r1’或第二曲率半径r2’。

在本发明的一实施例中，第一边1623的第一弧线为具有第一曲率半径r1’的虚拟圆的周界的一部分，第二边1625的第二弧线为具有第二曲率半径r2’的虚拟圆的周界的一部分。在本发明的另一实施例中，第一边1623仅包括一个第一弧线，其具有单一个第一曲率半径r1’，第二边1625仅包括一个第二弧线，其具有单一个第二曲率半径r2’。

图5为本发明另一实施例中所揭示的一发光组件的电极16’的部分放大图。电极16’可位于半导体层上，例如n型半导体层或p型半导体层，以使注入的电流通过半导体层。在此实施例中，电极16’包含电极垫161’以及多个延伸自电极垫161’的一周界1610’的延伸电极162’，162”，多个延伸电极162’，162”的每一个包含一第一部分1621’，1621”直接连接于电极垫161’的周界1610’，以及一第二部分1622’，1622”远离于电极垫161’的周界1610’。延伸电极162’，162”的第一部分1621’，1621”包含相同或不同的曲率半径。例如，延伸电极162’的第一部分1621’包含一曲率半径与延伸电极162”的第一部分1621”的一曲率半径不同，或与延伸电极162”的第一部分1621”的一曲率半径相同，其中延伸电极162”弯折且以远离于电极垫161’的方向延伸，延伸电极162”的第二部分1622’包含一直线且以远离于电极垫161’的方向延伸。

如图5所示，电极垫161’的周界1610’包含一第三曲率半径r3’大于延伸电极162”的第一部分1621”的第二边1625”的曲率半径，第三曲率半径r3’不同于延伸电极162”的第一部分1621”的第一边1623”的曲率半径，例如第三曲率半径r3’大于延伸电极162”的第一部分1621”的第一边1623”的曲率半径。延伸电极162”的第一部分1621”的第二边1625”的曲率半径中心点不与电极垫161’的第三曲率半径中心点重合。

图6为依本发明另一实施例的一灯泡600的结构示意图。灯泡600包括一灯罩602、一反射镜604、一发光模块610、一灯座612、一散热片614、一连接部616以及一电连接组件618。发光模块610包含一承载部606，以及一或多个发光单元608位于承载部606上，其中一或多个发光单元608可为前述实施例中的发光组件1。

本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。