本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种具有非圆角氮化钛轮廓的连接件的鳍式场效应晶体管(finfield-effecttransistor，finfet)，以及该具有非圆角氮化钛轮廓的连接件的制备方法。
背景技术：
鳍式场效应晶体管是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管，是由于晶体管的形状与鱼鳍相似而得名。通过采用这种鱼鳍状的设计，可以改善电路控制、减少晶体管的漏电流，以及缩短晶体管的栅长。
在14nm鳍式场效应晶体管中，接触工艺改为采用金属硬掩模和自对准技术——切割金属介质(cutmetaldielectric，cmd)，m0a和m0p。这涉及严格的工艺控制，但是制造连接多晶硅(polysilicon，poly)的短窗口的能力更佳。
目前，m0a(导线m1与有源区aa之间的连接件)的干法刻蚀很难实现良好的x方向及y方向的关键参数(criticaldimension，cd)的加载。尤其是y方向的关键参数容易因氮化钛过度消耗导致的顶部圆角而出现大幅变化，从而导致半导体器件线宽发散并且线宽粗糙度(linewidthroughness，lwr)差等问题。
请参考图1a及图1b，图1a示出了采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a在y方向的剖面示意图，图1b示出了采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a的线宽粗糙度的示意图。
如图1a所示，采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a在y方向存在明显的顶部圆角化的现象。在一些实施例中，该圆角化的圆角角度可以达到78°。可以理解的是，该圆角化现象是由有机介质层(organicdielectriclayer，odl)移除等步骤导致的不可控的结果。因此，采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a普遍存在线宽粗糙度差等问题。如图1b所示，在一些实施例中，采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a的线宽粗糙度将达到5.9，会对鳍式场效应晶体管的性能和可靠度产生不利的影响。
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种鳍式场效应晶体管的制备技术，用于精确控制纵向连接件m0a在x方向及y方向的关键参数，从而提升纵向连接件m0a的性能，并提升鳍式场效应晶体管制备工艺的可靠度。
技术实现要素：
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种具有非圆角氮化钛轮廓的连接件的鳍式场效应晶体管，以及该具有非圆角氮化钛轮廓的连接件的制备方法，用于精确控制纵向连接件m0a在x方向及y方向的关键参数，从而提升纵向连接件m0a的性能，并提升鳍式场效应晶体管制备工艺的可靠度。
本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，包括步骤：在栅极上依次生成层间介质层、金属硬掩膜、氧化保护帽及三层掩膜层以构成待刻蚀器件；对所述三层掩膜层进行光刻蚀以去除非图案区域的光阻；对所述光刻蚀后的所述待刻蚀器件进行主刻蚀，以去除未被所述光阻覆盖且未被所述金属硬掩膜覆盖的区域的所述层间介质层，其中，所述金属硬掩膜带有所述氧化保护帽；对所述主刻蚀后的所述待刻蚀器件进行有机介质层移除，以去除所述三层掩膜层的剩余部分；对所述有机介质层移除后的所述待刻蚀器件进行氧化物刻蚀，以去除所述氧化保护帽；以及在所述氧化物刻蚀后的器件上生成所述连接件。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述三层掩膜层可以包括光阻层、中间层及下层，其中，所述光阻层可以包括图案区域，用于定义所述连接件在x方向的关键参数。
优选地，在本发明的一些实施例中，还可以包括步骤：在进行所述主刻蚀的步骤前先进行有机介质层刻蚀，去除未所述非图案区域的三层掩膜层以暴露下方的层间介质层。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述金属硬掩膜可以包括图案区域，用于定义所述连接件在y方向的关键参数。所述氧化保护帽可以覆盖所述金属硬掩膜，以避免所述有机介质层移除的步骤对所述金属硬掩膜的破坏。
优选地，在本发明的一些实施例中，生成所述金属硬掩膜及所述氧化保护帽的步骤可以包括：在所述层间介质层上沉积金属硬掩膜层、氧化保护层及另一组三层掩膜层以构成待生成器件；对所述另一组三层掩膜层执行光刻蚀，去除非图案区域的光阻以定义所述金属硬掩膜在所述y方向的关键尺寸；以及对光刻蚀后的所述待生成器件进行切割金属介质层刻蚀，以获得包括所述图案区域的所述金属硬掩膜及所述氧化保护帽。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述主刻蚀的步骤还可以包括：在去除所述层间介质层时，保留所述氧化保护帽及有源区上方的部分氧化层。
优选地，在本发明的一些实施例中，所述保留所述氧化保护帽及有源区上方的部分氧化层的步骤可以进一步包括：确保所述氧化保护帽的高度为50埃至100埃；以及确保所述部分氧化层的高度为50埃至100埃。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述氧化物刻蚀的步骤还可以包括：去除所述有源区上方保留的所述部分氧化层。
可选地，在本发明的一些实施例中，所述生成连接件的步骤可以包括：以导电材料将所述有源区沿竖直方向引出到导线层。
根据本发明的另一方面，本文还提供了一种鳍式场效应晶体管。
本发明提供的上述鳍式场效应晶体管，可以包括上述任意一个实施例所提供的连接件。该连接件具有非圆角氮化钛轮廓，可以具备更好的连接件性能及可靠度。
附图说明
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1a示出了采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a在y方向的剖面示意图。
图1b示出了采用现有的干法刻蚀工艺制备的纵向连接件m0a的线宽粗糙度的示意图。
图2示出了根据本发明的一些实施例提供的鳍式场效应晶体管的俯视示意图。
图3示出了根据本发明的一些实施例提供的制备鳍式场效应晶体管的连接件的流程示意图。
图4示出了根据本发明的一些实施例提供的待刻蚀器件的结构示意图。
图5a-5c示出了根据本发明的一些实施例提供的生成待刻蚀器件的各步骤后的待生成器件的结构示意图。
图6a示出了根据本发明的一些实施例提供的光刻蚀后待刻蚀器件在x方向的剖面示意图。
图6b示出了根据本发明的一些实施例提供的光刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
图7示出了根据本发明的一些实施例提供的有机介质层刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
图8a示出了根据本发明的一些实施例提供的主刻蚀后待刻蚀器件在x方向的剖面示意图。
图8b示出了根据本发明的一些实施例提供的主刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
图9a示出了根据本发明的一些实施例提供的纵向连接件m0a在y方向的剖面示意图。
图9b示出了根据本发明的一些实施例提供的纵向连接件m0a的线宽粗糙度的示意图。
图10示出了根据本发明的一些实施例提供的生成纵向连接件m0a的示意图。
附图标记：
20鳍式场效应晶体管；
21有源区；
22多晶硅；
23鳍；
24金属硬掩膜；
m0a、m0p纵向连接件；
v0、m0连接件；
m1导线；
40待刻蚀器件；
41栅极层；
421、422层间介质层；
43金属硬掩膜；
44氧化保护帽；
451-453三层掩膜层；
50待生成器件；
53金属硬掩膜层；
54氧化保护层；
551-553三层掩膜层；
56光阻。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本发明一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。
请参考图2，图2示出了根据本发明的一些实施例中提供的鳍式场效应晶体管(finfield-effecttransistor，finfet)的俯视示意图。
如图2所示，在本发明的一些实施例中，鳍式场效应晶体管20可以具备多层结构，从下到上依次包括有源区(activearea，aa)21、多晶硅22、鳍23、金属硬掩膜24及导线层。在一些实施例中，纵向连接件m0a可以在竖直方向上连接有源区21及导线层中的导线m1，从而引出有源区21及多晶硅22。
以下将结合x方向和y方向的刻蚀操作来描述鳍式场效应晶体管的纵向连接件m0a的制备过程。请参考图3，图3示出了根据本发明的一些实施例提供的制备鳍式场效应晶体管的连接件的流程示意图。
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，可以包括步骤：
301：在栅极(gate)上依次生成层间介质层(interlayerdielectric，ild)、金属硬掩膜(metalhardmask)、氧化保护帽(capoxide)及三层掩膜层(tri-layermask)，以构成待刻蚀器件。
上述栅极可以生成于各有源区21上方，并连接相邻的有源区21以构成场效应晶体管的结构。在一些实施例中，鳍式场效应晶体管20可以包括多个栅极，用于连接多个有源区21。各栅极的最外侧可以覆盖有氧化层，用于向内部的栅极结构提供绝缘和保护。各栅极之间可以填充有氧化物，从而与各栅极共同构成平整的栅极层。
请参考图4，图4示出了根据本发明的一些实施例提供的待刻蚀器件的结构示意图。
如图4所示，在本发明的一些实施例中，在构成待刻蚀器件40时，可以首先在栅极层41上沉积一层高度为100埃
然后，可以在层间介质层422上生成带有氧化保护帽44的金属硬掩膜43。在一些实施例中，金属硬掩膜43可以包括图案区域，用于定义连接件m0a在y方向的关键参数(criticaldimension，cd)。在一些实施例中，氧化保护帽44可以完全覆盖于金属硬掩膜43之上，用于避免后续的有机介质层(organicdielectriclayer，odl)移除的步骤对金属硬掩膜43的破坏。
请结合参考图5a-5c。图5a示出了根据本发明的一些实施例提供的待生成器件的结构示意图。图5b示出了根据本发明的一些实施例提供的光刻蚀后的待生成器件的结构示意图。图5c示出了根据本发明的一些实施例提供的切割金属介质层刻蚀后的待生成器件的结构示意图。
如图5a所示，在本发明的一些实施例中，在生成金属硬掩膜43及氧化保护帽44时，可以首先在层间介质层422上沉积金属硬掩膜层53、氧化保护层54及另一组三层掩膜层551-553，以构成待生成器件50。在一些实施例中，该金属硬掩膜层53可以是高度为
在一些实施例中，该另一组三层掩膜层551-553可以包括光阻(photoresist)层551、中间层552及下层553。在一些实施例中，光阻层551可以包括图案区域，用于定义金属硬掩膜43在y方向的关键参数。在一些实施例中，中间层552可以选用旋涂玻璃(spinonglass，sog)层。下层553可以选用旋涂碳(spinoncarbon，soc)层。通过选用不同材质的中间层552和下层553，可以更好地控制刻蚀的程度与速率，从而实现更准确的工艺控制。
如图5b所示，在一些实施例中，可以向光阻层551进行显影以去除非图案区域的光阻，从而只保留图案区域的光阻56。该光阻56的图案可以定义金属硬掩膜43在y方向的关键尺寸。
如图5c所示，在一些实施例中，在进行光刻蚀之后，可以对待生成器件进行切割金属介质层刻蚀(cmdetch)，去除金属硬掩膜层53及氧化保护层54中非图案区域(即未被光阻56覆盖的区域)的部分，从而将光阻56的图案转移到金属硬掩膜层53以获得包括图案区域的金属硬掩膜43及氧化保护帽44。该金属硬掩膜层53的图案区域可以定义纵向连接件m0a在y方向的关键参数。在一些实施例中，还可以进一步去除三层掩膜层551-553的剩余部分，以获得图5c所示的切割金属介质层刻蚀后的待生成器件。
在本发明的一些实施例中，可以在切割金属介质层刻蚀后的待生成器件上重新沉积三层掩膜层451-453，以构成图4所示的待刻蚀器件40。
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，还可以包括步骤：
302：对三层掩膜层451-453进行光刻蚀(photoetch)，以去除非图案区域的光阻。
在一些实施例中，该三层掩膜层451-453可以包括光阻层451、中间层452及下层453。在一些实施例中，光阻层451可以包括图案区域，用于定义纵向连接件m0a在x方向的关键参数。
请结合参考图6a及图6b，图6a示出了根据本发明的一些实施例提供的光刻蚀后待刻蚀器件在x方向的剖面示意图，图6b示出了根据本发明的一些实施例提供的光刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
如图6a所示，在本发明的一些实施例中，光阻层451包括用于定义纵向连接件m0a在x方向的关键参数的图案区域。在光刻蚀后，光阻层451的非图案区域将被显影去除，从而暴露出下方的中间层452、下层453、层间介质层421-422及栅极层41。可以理解的是，金属硬掩膜43及氧化保护帽44包括定义纵向连接件m0a在y方向的关键参数的图案区域，因此在部分x方向的剖面示意图中可能出现金属硬掩膜43不带有氧化保护帽44的情况。
如图6b所示，在本发明的一些实施例中，光阻层451包括用于定义纵向连接件m0a在x方向的关键参数的图案区域。因此，在光刻蚀后，部分y方向的剖面示意图中的光阻层451将被完全显影去除，从而暴露出下方的中间层452、下层453、氧化保护帽44、金属硬掩膜43、层间介质层421-422及栅极层41。在一些实施例中，氧化保护帽44可以完全覆盖于金属硬掩膜43之上，用于避免后续的有机介质层移除的步骤对金属硬掩膜43的破坏。
在本发明的一些实施例中，在进行主刻蚀(mainetch)的步骤之前，可以首先对暴露的中间层452及下层453进行有机介质层刻蚀(organicdielectriclayeretch，odletch)，以进一步暴露既未被光阻56覆盖又未被金属硬掩膜43覆盖区域的层间介质层422。在一些实施例中，中间层452可以选用旋涂玻璃(spinonglass，sog)层。下层453可以选用旋涂碳(spinoncarbon，soc)层。氧化保护帽44可以选用二氧化硅(sio2)。有机介质层刻蚀可以选择性地刻蚀中间层452及下层453，而无法刻蚀二氧化硅材质的氧化保护帽44。因此，通过选用合适材质的中间层452、下层453和氧化保护帽44，可以更好地控制有机介质层刻蚀的刻蚀区域与刻蚀速率，从而实现更准确的工艺控制。
请参考图7，图7示出了根据本发明的一些实施例提供的有机介质层刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
如图7所示，由于有机介质层刻蚀无法在y方向上对氧化保护帽44进行刻蚀，氧化保护帽44可以向下方的金属硬掩膜43提供有效的保护。因此，有机介质层刻蚀将不会在y方向上对金属硬掩膜43造成氮化钛(tin)损耗。金属硬掩膜43也就不会出现圆角化现象。
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，还可以包括步骤：
303：对光刻蚀后的待刻蚀器件进行主刻蚀，以去除未被金属硬掩膜43覆盖的区域的层间介质层421-422。
在本发明的一些实施例中，主刻蚀可以选择性地对暴露的层间介质层421-422及栅极层41的填充氧化物进行刻蚀，以暴露栅极层41下方的有源区。纵向连接件m0a可以从主刻蚀打开的凹槽接触有源区，从而在竖直方向上引出有源区及多晶硅。
请结合参考图8a及图8b，图8a示出了根据本发明的一些实施例提供的主刻蚀后待刻蚀器件在x方向的剖面示意图，图8b示出了根据本发明的一些实施例提供的主刻蚀后待刻蚀器件在y方向的剖面示意图。
如图8a及图8b所示，在一些优选的实施例中，可以在进行主刻蚀步骤以去除层间介质层421-422时，保留适当高度的氧化保护帽44及有源区aa上方的部分填充氧化物811。在一些实施例中，可以在进行主刻蚀步骤以去除层间介质层421-422时，确保氧化保护帽44的高度在
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，还可以包括步骤：
304：对主刻蚀后的待刻蚀器件进行有机介质层移除，以去除三层掩膜层的剩余部分。
在一些实施例中，三层掩膜层的剩余部分包括但不限于x方向上剩余的下层453。因此，可以采用氧化的手段对三层掩膜层的剩余部分453进行有机介质层移除。由于仍有高度在
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，还可以包括步骤：
305：对有机介质层移除后的待刻蚀器件进行氧化物刻蚀，以去除氧化保护帽44。
在完成上述氧化性的有机介质层移除的步骤之后，制备纵向连接件m0a的剩余步骤将不会再对金属硬掩膜43造成明显的氮化钛(tin)损耗。因此，可以对待刻蚀器件进行氧化物刻蚀，去除覆盖在金属硬掩膜43上的氧化保护帽44以准备进行后续的连接件生成的步骤。在一些实施例中，在进行氧化物刻蚀步骤时，可以一并去除有源区aa上方剩余的部分氧化物811及氧化层812，以便纵向连接件m0a直接接触有源区aa以将其引出到导线层。
请参考图9a及图9b，图9a示出了根据本发明的一些实施例提供的完成全部刻蚀后纵向连接件m0a在y方向的剖面示意图，图9b示出了根据本发明的一些实施例提供的完成全部刻蚀后纵向连接件m0a的线宽粗糙度的示意图。
如图9a所示，在本发明的一些实施例中，完成全部刻蚀后的金属硬掩膜43没有出现圆角化现象，而是具备明显的非圆角氮化钛轮廓。也就是说，本发明提供的上述纵向连接件m0a的制备方法大幅地降低了圆角化现象的不可控结果，从而提升了整个制备工艺的控制度。相应地，如图9b所示，完成全部刻蚀后的金属硬掩膜43的线宽粗糙度显著地降低到3.3，大幅提升纵向连接件m0a的性能。
综上可以发现，通过在进行刻蚀之前预先为金属硬掩膜43制备抗氧化的氧化保护帽44，金属硬掩膜43将不会在上述有机介质层刻蚀(odletch)及有机介质层移除(odlremove)的步骤中被氧化，从而也不会在y方向上产生圆角化的现象。因此，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法可以精确控制纵向连接件m0a在x方向及y方向的关键参数，从而提升纵向连接件m0a的性能，并提升鳍式场效应晶体管制备工艺的可靠度。
如图3所示，本发明提供的上述鳍式场效应晶体管的连接件的制备方法，还可以包括步骤：
306：在氧化物刻蚀后的器件上生成纵向连接件m0a。
在一些实施例中，可以利用导电材料将有源区aa沿竖直方向引出到导线层，从而完成纵向连接件m0a的生成步骤。
请参考图10，图10示出了根据本发明的一些实施例提供的生成纵向连接件m0a的示意图。
在本发明的一些实施例中，上述纵向连接件m0a可以生成于上述刻蚀步骤打开的凹槽，从栅极层41下方的有源区aa经由多晶硅22连接到导线层的导线m1，从而经由导线m1实现引出有源区21及多晶硅22的效果。
尽管为使解释简单化将上述方法图示并描述为一系列动作，但是应理解并领会，这些方法不受动作的次序所限，因为根据一个或多个实施例，一些动作可按不同次序发生和/或与来自本文中图示和描述或本文中未图示和描述但本领域技术人员可以理解的其他动作并发地发生。
本领域的技术人员可以理解，在一些实施例中，上述纵向连接件m0a的制备方法可以由操作人员手动实施。而在另一些实施例中，上述纵向连接件m0a的制备方法也可以由处理器控制机械臂等执行模块自动实施。
根据本发明的另一方面，本文还提供了一种鳍式场效应晶体管。
本发明提供的上述鳍式场效应晶体管，可以包括上述任意一个实施例所提供的纵向连接件m0a。如图9a及图9b所示，该纵向连接件m0a具有非圆角氮化钛轮廓及较低的线性粗糙度，因此可以具备更好的连接件性能及可靠度。
本领域技术人员将可理解，信息、信号和数据可使用各种不同技术和技艺中的任何技术和技艺来表示。例如，以上描述通篇引述的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光学粒子、或其任何组合来表示。
本领域技术人员将进一步领会，结合本文中所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑板块、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、计算机软件、或这两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、框、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。
结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑模块、和电路可用通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或其设计成执行本文所描述功能的任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替换方案中，该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如dsp与微处理器的组合、多个微处理器、与dsp核心协作的一个或多个微处理器、或任何其他此类配置。
结合本文中公开的实施例描述的方法或算法的步骤可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在ram存储器、闪存、rom存储器、eprom存储器、eeprom存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、cd-rom、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读取和写入信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在asic中。asic可驻留在用户终端中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性实施例中，所描述的功能可在硬件、软件、固件或其任何组合中实现。如果在软件中实现为计算机程序产品，则各功能可以作为一条或更多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，其包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的合意程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(cd)、激光碟、光碟、数字多用碟(dvd)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合也应被包括在计算机可读介质的范围内。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。