1.一种电荷捕获型存储器，其特征在于，包括：
第一衬底；
所述第一衬底上包括：源区和漏区以及所述源区和所述漏区之间的应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力。
2.如权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其特征在于，所述源区和所述漏区均为sige结构。
3.如权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其特征在于，还包括：
sige层，所述sige层位于所述第一衬底和所述应变硅沟道之间。
4.如权利要求1所述的电荷捕获型存储器，其特征在于，还包括：
氧化层，所述氧化层位于所述第一衬底和所述应变硅沟道之间。
5.如权利要求1-4中任一所述的电荷捕获型存储器，其特征在于，还包括：
位于所述应变硅沟道上的由下至上排布的隧穿层、俘获层、阻挡层以及栅电极层。
6.如权利要求2所述的电荷捕获型存储器，其特征在于，还包括：
围绕在所述应变硅沟道四周且由内向外依次排布的隧穿圈层、俘获圈层、阻挡圈层以及栅电极圈层。
7.一种电荷捕获型存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底上形成源区和漏区，以及所述源区和所述漏区之间的应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成源区和漏区，以及所述源区和所述漏区之间的应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力，包括：
在所述第一衬底上形成第一sige层；
在所述第一sige层上形成应变硅层；
对所述应变硅层的两侧分别注入离子，形成所述源区和所述漏区，使得所述源区和所述漏区之间的区域形成所述应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成源区和漏区，以及所述源区和所述漏区之间的应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力，包括：
提供第二衬底；
在所述第二衬底上形成第二sige层；
在所述第二sige层上形成应变硅层；
在所述应变硅层上形成第一氧化层；
在所述第一衬底上形成第二氧化层；
将所述第一氧化层与所述第二氧化层键合，形成氧化层；
去除所述第二衬底和所述第二sige层；
对所述应变硅层的两侧分别注入离子，形成所述源区和所述漏区，使得所述源区和所述漏区之间的区域形成所述应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成源区和漏区，以及所述源区和所述漏区之间的应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力，具体包括：
对所述第一衬底两侧分别开槽，形成所述源区和所述漏区；
在所述源区和所述漏区均形成sige结构，使得所述源区和所述漏区之间形成所述应变硅沟道，所述应变硅沟道具备应力。
11.如权利要求7-10中任一所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述应变硅沟道上由下至上依次形成隧穿层、俘获层、阻挡层和栅电极层。
12.如权利要求7或10所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述应变硅沟道四周由内向外依次形成隧穿圈层、俘获圈层、阻挡圈层和栅电极圈层。