本发明涉及显示技术领域，具体的，本发明涉及显示面板及其制作方法。
背景技术：
顶发射显示器件具有开口率大、分辨率高等优点，而广泛受到人们重视。为了减小电路上的电压降，需要在顶发射显示器件的阴极(cathode)上面制作辅助电极(metal)，来降低阴极的阻抗，以此来减小回路上的电压降并降低功耗。不过，现阶段制作辅助电极的流程大致为，先在阵列背板(tft背板)上形成辅助电极和反射阳极(anode)的图形，再形成发光层(el)并用激光(laser)打孔形成过孔，最后形成的透明阴极(cathode)通过过孔与辅助电极相连接。这种制作方法随着显示面板的像素密度(ppi)增加，激光打孔的时间(tacttime)会急剧地增加，从而导致生产效率明显降低；此外，激光在oled层上面形成过孔的时候还会形成大量的颗粒(particle)，还会严重地影响产品良品率。
技术实现要素：
本发明是基于发明人的下列发现而完成的：
本发明的发明人，为了解决辅助电极制作在tft背板上造成的打孔时间增加和打孔形成颗粒较多的技术问题，可以将辅助电极制作在阴极背离阵列基板的表面上，如此，可以在制作过程中省去在发光层上激光打孔的步骤，从而有效地解决激光打孔时间更长和打孔颗粒较多的问题，进而使显示面板的生产周期减短同时提升良品率。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例，所述显示面板包括：阵列基板；阳极层，所述阳极层位于所述阵列基板的一侧；发光层，所述发光层位于所述阳极层背离所述阵列基板的一侧；阴极层，所述阴极层位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧；辅助电极，所述辅助电极位于所述阴极层背离所述阵列基板的表面上。
本发明实施例的显示面板，将辅助电极制作在阴极背离阵列基板的表面上，如此，在制作过程中可以省去在发光层上激光打孔的步骤，从而有效地解决激光打孔时间更长和打孔颗粒较多的问题，进而使显示面板的生产周期减短同时提升良品率。
另外，根据本发明上述实施例的显示面板，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述阵列基板上限定有显示区和非显示区，所述非显示区环绕所述显示区设置，且所述发光层在所述阵列基板上的正投影完全覆盖所述显示区。
根据本发明的实施例，所述显示区由多个子像素单元组成，每个所述子像素单元限定有开口区和非开口区，且所述非开口区环绕所述开口区设置，并且，所述辅助电极设置在所述非开口区中。
根据本发明的实施例，所述阴极层的透过率大于所述阳极层的透过率。
根据本发明的实施例，形成所述辅助电极的材料为透明材料。
根据本发明的实施例，形成所述辅助电极的材料为不透明材料，且所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影与所述阳极层在所述阵列基板上的正投影不交叠。
根据本发明的实施例，所述显示面板进一步包括：封装盖板，所述封装盖板设置在所述辅助电极背离所述阵列基板的一侧；透明导电电极，所述透明导电电极设置在所述封装盖板靠近所述辅助电极的一侧，且与所述辅助电极电连接。
根据本发明的实施例，所述显示面板进一步包括：黑矩阵层，所述黑矩阵层设置在所述封装盖板与所述透明导电电极之间，且所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影落入所述黑矩阵层在所述阵列基板上的正投影之内；色阻层，所述色阻层填充在所述黑矩阵层的开口中，并覆盖所述黑矩阵层背离所述封装盖板的部分表面。
根据本发明的实施例，所述显示面板进一步包括：平坦化层，所述平坦化层覆盖所述黑矩阵层和所述色阻层背离所述封装盖板的表面。
根据本发明的实施例，所述显示面板进一步包括：柱状隔垫物，所述柱状隔垫物设置在所述平坦化层与所述透明导电电极之间，且所述柱状隔垫物在所述阵列基板上的正投影落入所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影之内。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种制作显示面板的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：在阵列基板的一侧，形成阳极层；在所述阳极层背离所述阵列基板的一侧，形成发光层；在所述发光层背离所述阵列基板的一侧，形成阴极层；在所述阴极层背离所述阵列基板的一侧，形成辅助电极。
采用本发明实施例的制作方法，可以将辅助电极制作在阴极背离阵列基板的表面上，如此，可以取消在发光层上激光打孔的步骤，从而有效地解决激光打孔导致制作周期更长和打孔颗粒较多的问题，进而使显示面板制作方法的生产效率更高且良品率更高。
另外，根据本发明上述实施例的制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述阵列基板上限定有显示区和非显示区，所述非显示区环绕所述显示区设置，且形成的所述发光层在所述阵列基板上的正投影完全覆盖所述显示区。
根据本发明的实施例，通过精细金属掩膜板形成所述辅助电极的形状。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在封装盖板的一侧，形成透明导电电极；将所述封装盖板与所述阵列基板进行对盒，并对所述显示面板进行封装，其中，所述透明导电电极与所述辅助电极直接接触。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在所述封装盖板与所述透明导电电极之间形成黑矩阵层；在所述黑矩阵层的开口中形成色阻层，且所述色阻层覆盖所述黑矩阵层背离所述封装盖板的部分表面；并且，在所述对盒之后，所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影落入所述黑矩阵层在所述阵列基板上的正投影之内。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在所述黑矩阵层和所述色阻层背离所述封装盖板的表面，形成平坦化层。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在所述平坦化层与所述透明导电电极之间形成柱状隔垫物，并且，在所述对盒之后，所述柱状隔垫物在所述阵列基板上的正投影落入所述辅助电极在所述阵列基板上的正投影之内。
阵列基板阵列基板阵列基板阵列基板本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述的方面结合下面附图对实施例的描述进行解释，其中：
图1是本发明一个实施例的显示面板的截面结构示意图；
图2是现有设计的显示面板的截面结构示意图；
图3是本发明一个实施例的发光层的俯视结构示意图；
图4是本发明一个实施例的单个子像素单元中显示面板的截面结构示意图；
图5是本发明一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图；
图6是本发明一个实施例的制作显示面板的方法的步骤示意图；
图7是本发明一个实施例的显示面板的截面结构示意图。
附图标记
100阵列基板
110薄膜晶体管
120层间介质层
200阳极层
300发光层
400阴极层
500辅助电极
600柱状隔垫物
710填充层
720平坦化层
800黑矩阵层
810色阻层
820封装盖板
900透明导电电极
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例，参考图1，显示面板包括阵列基板100、阳极层200、发光层300、阴极层400和辅助电极500；其中，阳极层200位于阵列基板100的一侧，发光层300位于阳极层200背离阵列基板100的一侧，阴极层400位于发光层300背离阵列基板100的一侧，而辅助电极500位于阴极层400背离阵列基板100的表面上。如此，辅助电极500与阴极层400直接接触，而无需通过在发光层300上激光打孔实现电连接。
本发明的发明人经过研究发现，现阶段的显示面板结构设计可以参考图2，辅助电极500与阳极层200是同层设置的，且阴极层301通过发光层300上的过孔301与辅助电极500直接接触。这种现有结构设计需要在制作过程中，在发光层300上的每个子像素单元分别进行激光打孔，如此，随着像素密度地增加，激光打孔的时间也会急剧地增加，并且激光打孔还会形成大量的颗粒。所以，为了避免在发光层300上激光打孔带来的上述问题，发明人将辅助电极500设置到阴极层400远离阵列基板100的表面，从而使显示面板的制作效率和良品率都更高。
在本发明的一些实施例中，参考图3，阵列基板100上可以限定有显示区aa和非显示区u，非显示区u环绕显示区设置aa，且发光层300在阵列基板100上的正投影可以完全覆盖显示区aa，如此，整层结构的发光层300无需进行激光打孔而没有激光形成的过孔。在本发明的一些实施例中，参考图3，显示区aa可以由多个子像素单元p组成，参考图4，每个子像素单元p限定有开口区o和非开口区h，且非开口区h环绕开口区o设置，并且，辅助电极400可以设置在非开口区h中，如此，辅助电极400在降低阴极层400阻抗的同时，还不会影响到开口区o的发光。
在本发明的一些实施例中，阴极层400的透过率可以大于阳极层200的透过率，具体例如阴极层400可以由透明材料形成而阳极层200可以由反射材料形成。如此，采用顶发射模式的oled发光结构，可以使显示面板的开口率更高。在一些具体事例中，形成辅助电极500的材料可以为透明材料，具体例如氧化铟锡(ito)等透明的氧化物材料，如此，可以使显示面板的开口率进一步更高。在另一些具体事例中，形成辅助电极500的材料也可以为不透明材料，具体例如铝、铜等导电金属材料，且辅助电极500在阵列基板100上的正投影可以与阳极层200在阵列基板上的正投影不交叠，如此，采用电阻更小的不透明导电金属，可以使显示面板的功耗更低。
根据本发明的实施例，参考图4，显示面板可以进一步包括薄膜晶体管(tft)110和层间介质层120，其中，薄膜晶体管110可以设置在阵列基板100的一侧，层间介质层120在非开口区h内可以设置在薄膜晶体管110与发光层300之间且在开口区o内可以设置在阵列基板100与阳极层200之间。如此，可以使显示面板具有更完善的结构和功能。
根据本发明的实施例，参考图7，显示面板可以进一步包括封装盖板820和透明导电电极900，其中，封装盖板820设置在辅助电极500背离阵列基板100的一侧，透明导电电极900设置在封装盖板820靠近辅助电极500的一侧，形成透明导电电极900可以为氧化铟锡(ito)等透明的氧化物材料，且透明导电电极900与辅助电极500是电连接的，具体例如透明导电电极900覆盖柱状隔垫物600远离封装盖板820的表面并与辅助电极500直接接触。如此，将辅助电极500连接成网状结构，可以更好地降低阴极的电阻。
在本发明的一些实施例中，参考图7，封装盖板820靠近透明导电电极900的一侧可以设置有黑矩阵层800，且色阻层810填充在黑矩阵层800的开口中并覆盖黑矩阵层800背离封装盖板820的部分表面，并且，辅助电极500在阵列基板100上的正投影可以落入黑矩阵层800在阵列基板100上的正投影之内。如此，黑矩阵层800可以充分地遮盖住非透明导电材料的辅助电极500，从而使显示面板的显示效果更佳。
在本发明的一些实施例中，参考图7，黑矩阵层800和色阻层810背离封装盖板820的表面还可以覆盖有平坦化层720，如此，平坦化层720可以将高低起伏不平的黑矩阵层800和色阻层810的表面平坦化，从而有利于其他结构的继续制作。
在本发明的一些实施例中，参考图7，平坦化层720与透明导电电极900之间还可以设置有柱状隔垫物600，且柱状隔垫物600在阵列基板100上的正投影可以落入辅助电极500在阵列基板100上的正投影之内。如此，透明导电电极900覆盖柱状隔垫物600之后的宽度与辅助电极500的宽度一致，从而使透明导电电极与辅助电极500的电连接效果更佳。
根据本发明的实施例，显示面板可以进一步包括填充层和封框胶，其中，填充层填充在封装盖板与显示面板之间的显示区内，而封框胶设置在封装盖板与显示面板之间的非显示区内。如此，可以对oled结构进行封装保护，从而使显示面板具有隔氧防水的功能而使用寿命更长。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示面板，将辅助电极制作在阴极背离阵列基板的表面上，如此，在制作过程中可以省去在发光层上激光打孔的步骤，从而有效地解决激光打孔时间更长和打孔颗粒较多的问题，进而使显示面板的生产周期减短同时提升良品率。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制作显示面板的方法。根据本发明的实施例，参考图5，该制作方法包括：
s100：在阵列基板的一侧，形成阳极层。
在该步骤中，在阵列基板100的一侧形成阳极层200。在本发明的一些实施例中，可以先在阵列基板100的一侧制作出薄膜晶体管110和层间介质层120，再继续形成阳极层200，其中，阳极层200形成在像素界定层200的凹槽内。并且，该步骤的产品可以参考图6的(a)。
s200：在阳极层背离阵列基板的一侧，形成发光层。
在该步骤中，在阳极层200背离阵列基板100的一侧，形成发光层300。具体的，形成的发光层300可以覆盖阳极层200和像素界定层200，并且，该步骤的产品可以参考图6的(b)。在本发明的一些实施例中，阵列基板100上还可以限定有显示区aa和非显示区u，非显示区u环绕显示区aa设置，且形成的发光层300在阵列基板100上的正投影可以完全覆盖显示区aa。
s300：在发光层背离阵列基板的一侧，形成阴极层。
在该步骤中，在发光层300背离阵列基板100的一侧，继续形成阴极层400，并且，阴极层400可以是整层蒸镀形成的阴极材料层经过图案化处理形成的。并且，该步骤的产品可以参考图6的(c)。
s400：在阴极层背离阵列基板的一侧，形成辅助电极。
在该步骤中，在阴极层400背离阵列基板100的一侧，再形成辅助电极500。如此，将辅助电极500直接制作在阴极层400背离阵列基板100的一侧，可以避免在发光层300上激光打孔带来的打孔时间增加和打孔形成颗粒较多的技术问题，从而使制作显示面板的方法耗费时间更短且良品率更高。
在本发明的一些实施例中，参考图6的(d)，可以通过精细金属掩膜板(fmm)形成辅助电极的形状，如此，可以使制作出的辅助电极500图案更精细，从而使制作出的显示面板的开口率更大。
在本发明的一些实施例中，该制作方法在步骤s400之后还可以进一步包括：
s500：在封装盖板的一侧，形成黑矩阵层和色阻层。
在该步骤中，在封装盖板的一侧可以先形成黑矩阵层和色阻层，具体例如在封装盖板与透明导电电极之间形成黑矩阵层，并在显示区的每个子像素单元的黑矩阵层中形成开口，再在黑矩阵层的开口中形成色阻层，且色阻层覆盖黑矩阵层背离封装盖板的部分表面。如此，封装盖板同时可以实现彩膜功能，同时通过黑矩阵层遮挡住不透明的辅助电极等结构，从而使制作出的显示面板的显示效果更佳。
s600：在黑矩阵层和色阻层背离封装盖板的表面，形成平坦化层。
在该步骤中，在步骤s700形成的黑矩阵层和色阻层背离封装盖板的表面，继续形成平坦化层，如此，平坦化层背离封装盖板的表面是平整的，从而有利于后续步骤制作出其他层结构。
s700：在平坦化层背离封装盖板的一侧，形成柱状隔垫物
在该步骤中，在步骤s600形成的平坦化层背离封装盖板的一侧，继续形成柱状隔垫物，具体例如可以在平坦化层与透明导电电极之间形成柱状隔垫物，如此，柱状隔垫物可以保持阵列基板与封装盖板之间的盒距，从而使显示面板的抗冲击性能更好。
s800：在封装盖板的一侧，形成透明导电电极。
在该步骤中，在封装盖板的一侧可以形成透明导电电极，具体例如可以在平坦化层和柱状隔垫物背离封装盖板的表面形成透明导电电极，如此，可以通过透明导电电极将阵列基板上的辅助电极连成网状结构，从而更好地降低阴极的电阻。
s900：将封装盖板与阵列基板进行对盒，并对显示面板进行封装。
在该步骤中，最后将制作好的封装盖板与阵列基板进行对盒，并对显示面板进行封装，具体例如通过填充层和封框胶的封装结构实现显示面板的阻氧隔水功能。
在本发明的一些实施例中，在对盒之后，透明导电电极与辅助电极是直接接触实现电连接的，且辅助电极在阵列基板上的正投影落入黑矩阵层在阵列基板上的正投影之内，并且，柱状隔垫物在阵列基板上的正投影落入辅助电极在阵列基板上的正投影之内。如此，可以使制作出的显示面板的显示效果更佳的同时能耗更低。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种制作方法，可以将辅助电极制作在阴极背离阵列基板的表面上，如此，可以取消在发光层上激光打孔的步骤，从而有效地解决激光打孔导致制作周期更长和打孔颗粒较多的问题，进而使显示面板制作方法的生产效率更高且良品率更高。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。