显示基板、显示装置及其补偿方法与流程

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置及其补偿方法。

背景技术：

有机电致发光(organiclight-emittingdiode，简称oled)显示面板凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流之一，oled显示面板可广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品中。

随着柔性显示技术的发展，oled显示面板从弯曲(bendable)、弯折(foldable)逐步过渡到可拉伸(stretchable)。柔性可拉伸的oled显示面板以其可以满足各种特殊结构的需求，逐渐成为oled显示领域的热点。

在一些柔性可拉伸的oled显示面板中，拉伸后的显示面板上不同区域的拉伸量不同，导致显示面板出现色偏、亮度不均一等显示问题。

技术实现要素：

本公开一些实施例的目的在于提供一种显示基板、显示装置及其补偿方法，可根据检测线电阻值变化量确定显示基板的拉伸量，并通过相应的算法确定显示基板各区域显示参数的补偿量，从而解决了显示基板拉伸后出现色偏、亮度不均一性等显示问题。

为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：

第一方面，提供了一种显示基板，包括衬底、子像素、封装层和检测线。其中，显示基板具有多个岛区和桥区，相邻两个岛区之间连接有所述桥区。多个子像素设置于所述衬底上，一个岛区内设置有至少一个子像素，一个桥区内设置有至少一条信号线，一个子像素与至少一条信号线耦接。封装层设置于所述多个子像素远离所述衬底的一侧。多条检测线设置于所述封装层远离所述衬底的一侧，且所述检测线能够在所述显示基板沿所述可拉伸方向被拉伸的情况下发生形变而产生电阻值变化。

本公开实施例所提供的显示基板，通过采用上述检测线，在显示基板沿可拉伸方向被拉伸的情况下，检测线产生电阻应变效应，即检测线随着显示基板表面的形变而发生机械变形，引起检测线电阻值的变化，例如显示基板表面的形变越大，检测线电阻值的变化越大。利用上述金属的电阻应变效应，可根据检测到的检测线电阻值变化量确定显示基板的拉伸量，并通过相应的算法确定对显示基板各区域显示参数的补偿量，从而解决了显示基板拉伸后出现色偏、亮度不均一等显示问题。

在一些实施例中，所述检测线的长度延伸方向与所述显示基板的可拉伸方向平行或呈锐角。

在一些实施例中，所述多个岛区呈阵列排布。所述可拉伸方向平行于所述多个岛区排列的行方向，一条所述检测线经过同一行的各岛区之间的桥区。和/或，所述可拉伸方向平行于所述多个岛区排列的列方向，一条所述检测线经过同一列的各岛区之间的桥区。

在一些实施例中，任意两条所述检测线的长度延伸方向相互平行。

在一些实施例中，所述检测线包括位于所述桥区的多个形变部，和位于所述岛区的多个连接部。所述多个形变部和所述多个连接部交替布置，且依次串接。

在一些实施例中，所述连接部沿所述岛区的边缘设置。

在一些实施例中，所述显示基板还包括导电层，多层导电层设置于所述衬底上，所述多层导电层用于形成所述多个子像素的至少一部分。至少一层导电层包括位于所述桥区的检测电极，所述检测电极在所述衬底上的正投影与所述检测线在所述衬底上的正投影至少部分重叠，以使所述检测电极与所述检测线形成电容。

在一些实施例中，所述显示基板还包括第一参考电阻、第二参考电阻和第三参考电阻，第一参考电阻、第二参考电阻和第三参考电阻设置于所述衬底上且位于所述显示基板的边缘区域。其中，所述第一参考电阻和所述第二参考电阻串联，所述第三参考电阻和所述检测线串联。串联的所述第一参考电阻和所述第二参考电阻与串联的所述第三参考电阻和所述检测线并联。

在一些实施例中，所述检测线包括由多层金属材料形成的叠层结构。或，所述检测线的材料包括碳纳米管和聚二甲基硅氧烷形成的导电复合材料。

第二方面，提供了一种显示装置，包括如上第一方面中所述的显示基板。

本公开实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述第一方面中所述的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

第三方面，提供了一种显示装置的补偿方法，包括如下步骤：

检测所述显示装置在被拉伸的情况下所述检测线的电阻值变化量；

根据所述电阻值变化量与总拉伸量的对应关系，确定所述检测线的总拉伸量；

根据所述检测线的总拉伸量与所述检测线各区域的拉伸量的对应关系，确定所述检测线各区域的拉伸量；

根据所述检测线各区域的拉伸量，对所述显示装置中位于相应岛区的子像素进行补偿。

本公开实施例所提供的显示装置的补偿方法所能实现的有益效果，与上述第一方面中所述的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

在附图中：

图1为本公开一些实施例提供的一种显示基板的俯视图；

图2为图1中m处的局部放大图；

图3为图2中o-o处的局部剖视图；

图4为本公开一些实施例提供的另一种显示基板的局部剖视图；

图5为本公开一些实施例提供的另一种显示基板的俯视图；

图6为本公开一些实施例提供的一种显示装置的电桥电路的等效电路图；

图7为本公开一些实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图8为本公开一些实施例提供的一种补偿方法的流程图；

图9为本公开一些实施例提供的显示基板的一种制备工艺流程图；

图10为本公开一些实施例提供的一种方法中制备背板的步骤图；

图11为本公开一些实施例提供的一种方法中制备像素界定层的步骤图；

图12为本公开一些实施例提供的一种方法中制备发光层的步骤图；

图13为本公开一些实施例提供的一种方法中制备阴极的步骤图；

图14为本公开一些实施例提供的一种方法中制备封装层的步骤图；

图15～图16为本公开一些实施例提供的一种方法中制备检测线的各步骤图；

图17为本公开一些实施例提供的一种方法中制备参考电阻的步骤图。

具体实施方式

为便于理解，下面结合说明书附图，对本公开一些实施例提供的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是所提出的技术方案的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开的一些实施例，本领域技术人员所能获得的所有其他实施例，均属于本公开保护的范围。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicativelycoupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

本公开实施例提供一种显示基板100，如图1至图5所示，显示基板100具有多个岛区a、桥区b和空区c，相邻的两个岛区a之间连接有桥区b。图3示出了显示基板100的a-a处局部剖视图，在一些实施例中，显示基板100包括衬底10和设置于衬底10远离衬底10一侧的多个子像素p，一个岛区a内设置有至少一个子像素p。

在一些实施例中，一个桥区b内设置有至少一条信号线l，一个子像素p与至少一条信号线l耦接。此处，“耦接”是指电连接。

示例性的，所述至少一条信号线l包括用于向子像素p传输显示所需要的各种信号的导线。例如，以显示基板100为oled类型的显示基板为例，所述至少一条信号线l包括，用于传输栅扫描信号的栅线、用于传输数据信号的数据信号线、用于传输发光控制信号的em(emitting，简称em)信号线、用于传输电源电压信号的vdd线和vss线，等等。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板100还包括设置于衬底10一侧的缓冲层11。

在一些实施例中，每个子像素p包括设置于衬底10一侧的像素驱动电路，一个子像素p内设置有一个像素驱动电路。每个像素驱动电路包括多个薄膜晶体管12。在一些实施例中，每个薄膜晶体管12包括第一栅极121、第二栅极122、有源层123、源极124和漏极125。其中，第一栅极121和第二栅极122沿显示基板100的厚度方向t间隔设置；此处，显示基板100的厚度方向t是指，垂直于衬底10的主表面的方向。本公开实施例的附图以薄膜晶体管12包括两个栅极为例进行示意，在另一些实施例中，薄膜晶体管12也可以仅包括一个栅极。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板100还包括覆盖在多个像素驱动电路远离衬底10一侧的平坦层16，平坦层16中具有过孔。

一个子像素p内设置有一个发光器件d，每个发光器件d包括阳极d1、发光层d2以及阴极d3。其中，发光器件d的阳极d1通过平坦层16中的过孔与像素驱动电路所包括的多个薄膜晶体管12中作为驱动晶体管的薄膜晶体管12的源极124或漏极125电连接(图3中示出了阳极d1与薄膜晶体管12的源极124电连接的情况)，发光层d2和阴极d3依次设置于阳极d1远离衬底10的一侧。

在一些实施例中，发光器件d除包括发光层d2外，还包括电子传输层(electiontransportinglayer，简称etl)、电子注入层(electioninjectionlayer，简称eil)、空穴传输层(holetransportinglayer，简称htl)以及空穴注入层(holeinjectionlayer，简称hil)中的一层或多层。

利用像素驱动电路向发光器件d的阳极d1施加电压，并且向发光器件d的阴极d3施加电压，使阳极d1与阴极d3之间形成电压差，从而可驱动发光器件d中发光层d2发出光线，进而使显示装置实现画面的显示。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板1还包括设置于阳极d1远离衬底10一侧的像素界定层17，像素界定层17包括多个开口区域，一个子像素p对应一个开口区域。

在一些实施例中，如图3所示，像素界定层17还包括位于其远离衬底10一侧表面的间隔层171，间隔层171包括多个诸如为柱状的隔垫物，隔垫物向远离衬底10的方向凸出。采用高精度金属掩模版(finemetalmask，简称fmm)蒸镀发光层d2时，间隔层171可起到支撑高精度金属掩模版并对其限位的作用，可避免高精度金属掩模版接触并划伤所蒸镀的发光层d2。

一个发光器件d的发光层d2的至少一部分位于一个开口区域内。示例性的，发光层d2的一部分或全部位于一个开口区域内。例如，发光层d2覆盖开口区域，其边缘搭接在像素界定层17远离衬底10的一侧。

在一些实施例中，如图3所示，位于缓冲层11远离衬底10的一侧，有源层123与第一栅极121之间设置有第一栅极绝缘层13；位于第一栅极绝缘层13远离衬底10的一侧，第一栅极121与第二栅极122之间设置有第二栅极绝缘层14；位于第二栅极绝缘层14远离衬底10的一侧，第二栅极122与源极124和漏极125之间设置有层间绝缘层15。

在一些实施例中，显示基板100还包括设置于多个子像素p远离衬底10一侧的封装层18，用于封装显示基板100。封装层18可以为封装薄膜，也可以为封装基板。

示例性的，如图3所示，在封装层18为封装薄膜的情况下，封装层18至少包括第一无机阻隔层181、有机阻隔层182和第二无机阻隔层183，第一无机阻隔层181覆盖在发光器件d远离衬底10一侧的表面，有机阻隔层182形成于第一无机阻隔层181远离衬底10的一侧，第二无机阻隔层183形成于有机阻隔层182远离第一无机阻隔层181的一侧。

封装层18至少覆盖岛区a，封装层18可以覆盖桥区b，也可以不覆盖桥区b。请再次参见图3，图3示出了封装层覆盖桥区b的情形。在一些实施例中，在封装层18覆盖桥区b的情况下，请参见图4，封装层8中的第一无机阻隔层181和第二无机阻隔层183覆盖桥区b，封装层8中的有机阻隔层182并不覆盖桥区b。

第一无机阻隔层181和第二无机阻隔层183具有阻隔水汽和氧气的作用，而有机阻隔层182具有一定的柔性和吸收水汽的作用等，从而使所形成的封装层18可以使显示基板100达到良好的封装效果，不易出现封装失效现象。

在一些实施例中，如图1至图5所示，显示基板100还包括设置于封装层18远离衬底10一侧的多条检测线19。其中，请参见图1、2和5，每条检测线19的长度延伸方向q与显示基板100的可拉伸方向平行或呈锐角。

在一些实施例中，检测线19与显示基板100的表面接触，这样，检测线19直接附着在显示基板100的表面上，有利于检测线19随着显示基板100表面的形变而发生形变。

本公开的实施例中，通过采用上述检测线19，在显示基板100沿可拉伸方向被拉伸的情况下，检测线19随着显示基板100表面的形变而发生机械变形，引起检测线19电阻值的变化，例如显示基板100表面的形变越大，检测线19电阻值的变化越大。利用上述金属的电阻应变效应，可根据检测到的检测线19的电阻值变化量确定显示基板100的拉伸量，并通过相应的算法确定对显示基板100各区域显示参数的补偿量，从而解决了显示基板100拉伸后出现色偏、亮度不均一等显示问题。

此处，检测线19的电阻值变化量是指，检测得到的检测线19的电阻值与检测线19在未发生形变或损伤的情况下的电阻值之间的差值。

在一些实施例中，检测线19也可以用于检测显示基板100的断裂(crack)情况。

示例性的，在显示基板100产生损伤的情况下，桥区b是最易断裂的区域，由于检测线19经过桥区b，因此可以通过检测检测线19的电阻值变化，来检测显示基板100的断裂(crack)情况。例如，当检测到检测线19的电阻值变化量超过设定阈值时，可判断该检测线19所经过的桥区b有断裂问题。并且，在此情况下，可以进一步根据检测线19的电阻值变化量与设定阈值之间的差值大小，来判断检测线19所经过的桥区b的断裂程度，差值越大，说明断裂程度越大；当检测线19完全开路时，检测线19的电阻值变化量达到最大，电阻值变化量与设定阈值之间的差值也达到最大，此时检测线19的断裂程度最大。

其中，设定阈值为，根据检测线19发生损伤或断裂时的电阻值与其未发生损伤或断裂时的电阻值之差，所设定的一个参考值；该设定阈值可以远大于检测线19被拉伸至产生最大形变时的电阻变化量。

利用检测线19来检测显示基板100的损伤情况，可以提高显示基板100的检出效率，避免对有损伤的显示基板100进行后继的工艺，降低工艺损失，节约产能。

示例性的，显示基板100制作完成之后，一般使用激光剥离工艺(laserliftoff，简称llo)将显示基板100从硬质基底上剥离。在激光剥离工艺和后继的切割工艺中，由于桥区b比较脆弱而较易发生损伤，进而导致水汽由破损处侵入导致岛区a的失效。通过检测相应的检测线19的电阻值变化，来检测显示基板100的断裂(crack)情况，以提高显示基板100的检出效率，避免对有损伤的显示基板100进行后继的模组工艺，降低工艺损失，节约产能。

在一些实施例中，显示基板100上的多个岛区a可以呈阵列排布，也可以设计其它排布方式。根据岛区a的排布方式确定适合显示基板100的可拉伸方向，以确保显示基板100沿可拉伸方向的拉伸效果。

示例性的，如图1和图2所示，多个岛区a呈阵列排布，显示基板100的可拉伸方向可以是平行于多个岛区a排列的行方向，每条检测线19经过同一行的各岛区a以及各岛区a之间的桥区b；如图4所示，显示基板100的可拉伸方向也可以是平行于多个岛区a排列的列方向，每条检测线19经过同一列的各岛区a以及各岛区a之间的桥区b；此外，显示基板100的可拉伸方向也可以是斜向，与之相应地，每条检测线19的长度延伸方向q布置为斜向(附图未示出)。

示例性的，如图1和图2所示，任意两条检测线19的长度延伸方向q相互平行，以使检测线19在显示基板100上排布均匀，进而随着显示基板100表面各区域的形变，检测线19的各区域发生与之相应的形变。

在一些实施例中，如图2所示，检测线19包括位于桥区b的多个形变部191，和位于岛区a的多个连接部192，多个形变部与多个连接部交替布置，且依次串联。

其中，拉伸后的显示基板100的主要形变区域位于桥区b，桥区b形变导致检测线19的形变部发生形变。岛区a的结构包括上述各膜层，各膜层的刚性相对于桥区的刚性较大，拉伸显示基板100后各个岛区a产生的形变可以忽略不计(即连接部产生的形变可以忽略不计)。

在一些实施例中，如图2所示，相邻的两个岛区a之间连接有多个桥区b，相应地，检测线19的形变部包括多条形变线段191a，一个桥区b内设置有至少一条形变线段191a，以使每个桥区b产生形变都有位于其内的形变线段191a随之发生形变。

示例性的，如图2所示，连接部192可沿岛区a的边缘设置，相比于连接部192覆盖岛区a，可节省检测线19的材料使用量；连接部192连接相邻的两个形变部191，起到传输电信号的作用。例如，连接部192围绕岛区a一圈设置，这样既不会使用过多材料，又能够保证良好的电信号传输效果。

在一些实施例中，至少两条形变线段191a分别位于检测线19沿其长度延伸方向q的中轴线e两侧，检测线19被拉伸时两侧的形变线段191a均产生形变，以使检测线19产生均匀的形变，避免检测线19局部区域形变过大导致其断裂失效。

示例性的，如图2所示，两条形变线段191a分别位于检测线19沿其长度延伸方向q的中轴线e两侧，且两条形变线段191a以检测线19沿其长度延伸方向q的中轴线e为对称轴线对称排布，以使两条形变线段191a产生均匀的形变。

在一些实施例中，如图1和图5所示，显示基板100还包括设置于衬底10上且位于显示基板100的边缘区域的多组参考电阻，每组参考电阻包括第一参考电阻21、第二参考电阻22和第三参考电阻23。

其中，第一参考电阻21和第二参考电阻22串联，第三参考电阻23和检测线19串联。串联的第一参考电阻21和第二参考电阻22与串联的第三参考电阻23和一条检测线19并联，组成如图5所示的电桥电路的等效电路图中的四个桥臂。

本公开的实施例，采用第一参考电阻21、第二参考电阻22和第三参考电阻23与检测线19连接形成电桥电路。电桥电路中任一参考电阻的电阻值发生变化，会导致电桥电路输出电压值的变化，根据这一原理，通过检测电桥电路输出电压值的变化量来确定检测线19电阻值的变化量。

需要说明的是，桥区b可以有封装层18覆盖，也可以没有封装层18覆盖。

在一些实施例中，显示基板100还包括设置于衬底10上的多层导电层，多层导电层用于形成多个子像素p的至少一部分。多层导电层可包括栅极所在的栅导电层、源极124和漏极125所在的源漏导电层等。如图4所示，在桥区b有封装层18覆盖的情况下，上述至少一层导电层包括位于桥区b的检测电极20。示例性的，检测电极20位于源极124和漏极125所在的源漏导电层，且检测电极20设置于缓冲层11和封装层18之间。

检测电极20在衬底10上的正投影与检测线19在衬底10上的正投影至少部分重叠，以使检测电极20与检测线19形成电容。

本公开的实施例中，通过采用上述检测电极20与检测线19形成的电容，在显示基板100沿可拉伸方向被拉伸的情况下桥区b产生形变，检测线19的各区域随着桥区b形变发生与之相应的机械形变，导致检测线19在衬底10上的正投影面积的变化，进而导致检测线19与检测电极20重叠部分的面积变化，电容的电容值产生变化。利用上述原理，可根据检测到的电容的电容值变化量确定显示基板100的拉伸量，并通过相应的算法确定对显示基板100各区域显示参数的补偿量，从而解决了显示基板100拉伸后出现色偏、亮度不均一等显示问题。

示例性的，检测线19包括由多层金属材料形成的叠层结构，例如由钛、铝、钛依次沉积形成的叠层结构；检测线19的材料也可以包括碳纳米管和聚二甲基硅氧烷形成的导电复合材料，相对于由多层金属材料形成的叠层结构，采用上述导电复合材料所形成的检测线19拉伸性能较好，且可以对可拉伸的显示基板100起到一定的保护作用。本公开的实施例不限于此。

本公开实施例还提供一种显示装置200，该显示装置200可以为电致发光显示装置，该电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(organiclight-emittingdiode，简称oled)或量子点电致发光显示装置(quantumdotlightemittingdiodes，简称qled)。

在一些实施例中，如图6和图7所示，该电致发光显示装置包括显示基板100、驱动电路板300和柔性电路板(flexibleprintedcircuit简称fpc)400，显示基板100与驱动电路板300之间通过柔性电路板400连接。

其中，在显示基板100中设置有电桥电路的四个桥臂的情况下，驱动电路板300还包括与四个桥臂连接的电源u、开关k和检流计g。上述电桥电路的四个桥臂中，第一参考电阻21和第三参考电阻23的公共端a与第二参考电阻22和检测线19的公共端c之间连接电源u；第一参考电阻21和第二参考电阻22的公共端b与第三参考电阻23和检测线19的公共端d之间连接检流计g，用于检测检测线19电阻值的变化引发的电压值变化。

本文中的显示基板100可根据检测到的检测线19电阻值变化量确定显示基板100的拉伸量，并通过相应的算法确定显示基板100各区域显示参数的补偿量，从而解决了显示基板100拉伸后出现色偏、亮度不均一性等显示问题。

在一些实施例中，上述显示装置200可以是顶发射型显示装置，在此情况下，靠近衬底10的阳极d1不透明，远离衬底10的阴极d3透明或半透明。光线从发光层d2射出，经阴极d3向远离衬底10的方向射出。

上述显示装置200可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(pda)、手持式或便携式计算机、gps接收器/导航器、相机、mp4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。

本公开实施例还提供一种显示装置的补偿方法，如图8所示，该补偿方法包括下列s1～s4：

s1：检测显示装置200在被拉伸的情况下检测线19的电阻值变化量。

示例性的，在显示装置200在被拉伸的情况下，检测线19随着显示基板100表面的形变发生形变，进而产生电阻值变化。通过电桥电路中位于驱动电路板上的检流计，检测由检测线19电阻值变化引发的电压值的变化。根据电压值变化量与电阻值变化量的对应关系，得到检测线19的电阻值变化量。

s2：根据电阻值变化量与总拉伸量的对应关系，确定检测线19的总拉伸量。

示例性的，根据电阻值变化量与总拉伸量的对应关系，确定检测线19的总拉伸量，也即检测线19在显示基板100上相应区域的总拉伸量。

s3：根据检测线19的总拉伸量与检测线19各区域的拉伸量的对应关系，确定检测线19各区域的拉伸量。

其中，采用ansys有限元分析软件对显示基板100进行拉伸量的模拟，得到检测线19的总拉伸量与检测线19各区域的拉伸量的对应关系。通过检测线19的总拉伸量与模拟的结果对比，进而确定检测线19各区域的拉伸量。

s4：根据检测线19各区域的拉伸量，对显示装置200中位于相应岛区a的子像素p进行补偿。

示例性的，如图1和图2所示，显示基板100的边缘部分不具有空区c，因此边缘部分的结构强度高于中间部分的结构强度，从而拉伸后的显示基板100各部分的拉伸量不相同(即检测线19各区域的拉伸量不相同)。例如，第n行的检测线19电阻值变化量最大，相应地，其前一行的检测线19以及其后一行的检测线19的电阻值变化量均会小于第n行检测线19的电阻值变化量。对应的，第n行的检测线19所在显示基板100的区域为拉伸量最大的区域，从而根据第n行的检测线19各区域的拉伸量，对显示基板100中位于相应岛区a的子像素p进行相应的亮度和色度、或二者中任一项参数补偿。

示例性的，可将检测线19的电阻值变化率(亦即r变化后为r(1+△))确定为亮度和/或色度的补偿倍数。也可以依据检测线19各区域的拉伸量来进行相应的补偿。

本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，如图9所示，该制备方法包括下列s1～s3：

s1：制备背板，并在背板上形成多个子像素p。

示例性的，如图10所示，制备背板包括如下步骤：提供一衬底10，在衬底10的一侧形成缓冲层11，在缓冲层11上划分多个岛区a、桥区b以及空区c的设置区域；在缓冲层11远离衬底10的一侧形成多个子像素p，一个岛区a内设置有至少一个子像素p，一个桥区b内设置有至少一条信号线l，一个子像素p与至少一条信号线l耦接；每个子像素p包括设置于缓冲层11远离衬底10一侧的像素驱动电路，每个像素驱动电路包括多个薄膜晶体管12，每个薄膜晶体管12包括第一栅极121、第二栅极122、有源层123、源极124和漏极125。然后在多个像素驱动电路远离衬底10的一侧形成平坦层16，平坦层16中开设有过孔。

示例性的，在桥区b设置有检测电极20的情况下，如图10所示，可采用一次构图工艺，同时形成上述源极124、漏极125和检测电极20，即检测电极20位于源极124和漏极125所在的源漏导电层。

示例性的，如图10所示，在平坦层16远离衬底10的一侧形成多个发光器件d的阳极d1；一个子像素p内设置有一个阳极d1，阳极d1通过平坦层16中的过孔与像素驱动电路所包括的多个薄膜晶体管12中作为驱动晶体管的薄膜晶体管12的源极124或漏极125电连接。

示例性的，如图11所示，采用构图工艺，在阳极d1远离衬底10的一侧形成像素界定层17，像素界定层17包括多个开口区域，一个子像素p对应一个开口区域。在像素界定层17远离衬底10一侧的表面形成间隔层171，间隔层171向远离衬底10的方向凸出。

示例性的，如图12所示，采用蒸镀工艺，在像素界定层17远离衬底10的一侧形成发光层d2。发光层d2的至少一部分位于一个开口区域内，即发光层d2的一部分或全部位于一个开口区域内。例如，发光层d2覆盖开口区域，其边缘搭接在像素界定层17远离衬底10的一侧。

示例性的，如图13所示，采用蒸镀工艺，在发光层d2远离衬底10的一侧形成阴极d3。

s2：在多个子像素p远离衬底10的一侧形成封装层18。

示例性的，如图14所示，在像素界定层17远离衬底10的一侧形成封装层18，封装层18至少包括第一无机阻隔层181、有机阻隔层182和第二无机阻隔层183，第一无机阻隔层181与待形成的显示基板100表面接触，有机阻隔层182形成于第一无机阻隔层181远离衬底10的一侧，第二无机阻隔层183形成于有机阻隔层182远离第一无机阻隔层181的一侧。

s3：在封装层18远离衬底10的一侧形成多条检测线19。

在一些实施例中，如图15所示，采用薄膜沉积工艺，在封装层18远离衬底10的一侧形成检测薄膜190，检测薄膜190附着在封装层18远离衬底10一侧的表面。示例性的，可在低温环境下，采用钛、铝、钛金属材料依次沉积形成检测薄膜190。

在一些实施例中，如图16所示，采用构图工艺，图案化检测薄膜190形成检测线19。

在显示基板100还包括参考电阻的情况下，上述s3还包括，在显示基板100的边缘区域形成多组参考电阻。即，采用薄膜沉积工艺，同步形成检测线19和多组参考电阻。

示例性的，如图17所示，采用与检测线19相同的薄膜沉积工艺，通过金属材料沉积在显示基板100的边缘区域形成多组呈线型的参考电阻，每组参考电阻包括第一参考电阻21、第二参考电阻22和第三参考电阻23。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。