1.一种功率模块，包括：
衬底，具有介电层；
第一功率半导体装置，设置在所述衬底的上部；以及
第二功率半导体装置，设置在所述衬底的下部。
2.根据权利要求1所述的功率模块，进一步包括：
第一引线部，设置在所述第一功率半导体装置的上部并且电连接到所述第一功率半导体装置；以及
第二引线部，设置在所述第二功率半导体装置的下部并且电连接到所述第二功率半导体装置。
3.根据权利要求2所述的功率模块，其中，
为了接收直流电压，所述第一引线部和所述第二引线部各自包括第一功率引线和第二功率引线，所述第一功率引线和所述第二功率引线在垂直方向上彼此重叠，并且在所述第一功率引线和所述第二功率引线之间插设绝缘层。
4.根据权利要求2所述的功率模块，其中，
所述第一引线部的一部分和所述第二引线部的一部分相互连接以实现所述第一功率半导体装置和所述第二功率半导体装置之间的电连接。
5.根据权利要求2所述的功率模块，其中，
所述衬底设置有所述介电层，第一金属层设置在所述介电层的上表面，并且第二金属层设置在所述介电层的下表面；
所述第一金属层和所述第一功率半导体装置之间的一部分、所述第一金属层和所述第一引线部之间的一部分以及所述第一功率半导体装置和所述第一引线部之间的一部分通过焊接彼此电连接；并且
所述第二金属层和所述第二功率半导体装置之间的一部分、所述第二金属层和所述第二引线部之间的一部分以及所述第二功率半导体装置和所述第二引线部之间的一部分通过焊接彼此电连接。
6.根据权利要求2所述的功率模块，其中，
所述第一引线部设置有向上突出的第一平面，并且所述第二引线部设置有向下突出的第二平面。
7.根据权利要求6所述的功率模块，进一步包括：
模具部，整体覆盖所述衬底、所述第一功率半导体装置、所述第二功率半导体装置、所述第一引线部的一部分和所述第二引线部的一部分，
其中所述第一平面和所述第二平面暴露在所述模具部的外部。
8.一种功率模块的制造方法，包括以下步骤：
设置具有上引线框架、下引线框架、第一功率半导体装置、第二功率半导体装置和介电层的衬底；
依次层压并接合所述上引线框架、所述第一功率半导体装置、所述衬底、所述第二功率半导体装置和所述下引线框架；
在所述上引线框架的第一信号连接引线和所述第一功率半导体装置的信号端子之间进行引线键合，并且在所述下引线框架的第二信号连接引线和所述第二功率半导体装置的信号端子之间进行引线键合；
形成模具部以覆盖通过所述接合形成的层压结构和通过所述引线键合形成的引线键合部；以及
分离和去除所述上引线框架和所述下引线框架的预定区域以完成所述功率模块。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，
在所述接合步骤中，包括在所述上引线框架中的第一功率引线和包括在所述下引线框架中的第二功率引线在垂直方向上彼此重叠，在所述第一功率引线和所述第二功率引线之间施加直流电压，并且将绝缘层插设在所述第一功率引线和所述第二功率引线之间。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，
在所述接合步骤中，焊接所述上引线框架的一部分和所述下引线框架的一部分以实现所述第一功率半导体装置和所述第二功率半导体装置之间的电连接。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，
在形成所述模具部步骤中，以暴露所述上引线框架的上表面的至少一部分和所述下引线框架的下表面的至少一部分的方式形成所述模具部。