一种注入机离子源弧室的底板的制作方法

一种注入机离子源弧室的底板
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技术领域：本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地说就是一种注入机离子源弧室的底板。
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背景技术：
：离子注入机是半导体器件制程中精确控制杂质掺杂种类、深度以及浓度等指标的最为常用的设备，也是既扩散掺杂后半导体制造能力持续稳步推进的关键工艺手段。注入机由离子源电离杂质源产生等离子体，经由电场加速得到几百千伏至几千千伏的离子束流，注入到靶材，用来完成半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制模等。
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离子源弧室作为注入机离子束的“源头”组件，为杂质气体电离提供了必要的高真空、高温、束缚磁场、轰击电子、强电场等稳定持续的电离环境，并保证了离子束能源源不断的由离子源流出。弧室底板作为弧室中的衬套组件，采用特殊的钨制成，主要作用有保护弧室不被击穿，避免弧室附着物堵塞进气管道，同时也承担着气体散流的作用。
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目前，注入机使用的弧室底板存在的问题是：（1）散流能力差。常用的底板是一块表面光滑的矩形金属板，气体阻力小，导致气体在弧室内分布不均匀，影响电离效果；（2）粗糙度小。主要表现为高温下表面易皲裂起皮，产生附着物，引起弧室短路，进而使用寿命低；（3）体积大，成本高。
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技术实现要素：
：本发明就是为了克服现有技术中的不足，提供一种注入机离子源弧室的底板。
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本申请提供以下技术方案：一种注入机离子源弧室的底板，它包括注入机离子源弧室，在注入机离子源弧室内设有底板，其特征在于：在底板的上、下表面上分别设有网格状分布的凹槽，所述凹槽在底板的表面上分割出一组导流块。
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在上述技术方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：在所述底板两侧的长度端面上分别设有一组半圆槽。
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所述的一组导流块成矩阵状分布在底板的上、下表面上。
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发明优点：本发明结构简单、使用方便，增大了杂质气体与底板接触面积，能有效的提高底板对杂质气体的阻力，进而降低气体流速，能有效暂存弧室电离杂质气体所产生的附着物，减少弧室内部打火（即尖端放电），进而提升底板的使用寿命。
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附图说明：图1是本发明的结构示意图；图2是本发明工作时的示意图；图3是图2中的a向放大。
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具体实施方式：如图1-3所示，一种注入机离子源弧室的底板，它包括注入机离子源弧室3，在注入机离子源弧室3的底部水平放置有金属钨制成的矩形的底板1，在底板1的上、下表面上分别设有
网格状分布的凹槽2，所述凹槽2在底板1的表面上分割出一组导流块5。所述的一组导流块5成矩阵状分布在底板1的上、下表面上。
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在所述底板1两侧的长度端面上分别设有一组半圆槽4，所述的两组半圆槽4为对称分布。
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工作过程：如图2和3所示，杂质气体经由从注入机底部的特气管路6，经由注入机离子源弧室底部的在经过底板1底面上的凹槽2分散后，再进入弧室3。凹槽2和导流块5形成的凹凸障碍能有效的缓冲和分散气体，降低了气流的流速，进而能在弧室3内部分布均匀，为下一步杂质电离提供均匀稳定的气团。而产生的附着物7会落入凹槽2内，从而减少弧室内部打火的情况。
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图中的箭头为杂质气体的流向。为方便视图，所以图2中底板1与注入机离子源弧室底部之间的间隙距离做出了一些夸大。