显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法与流程

文档序号:23726340发布日期:2021-01-26 16:52阅读:57来源:国知局
显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法与流程

[0001]
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法。


背景技术:

[0002]
在不增加显示装置的整体尺寸的前提下,增大显示屏幕的尺寸,即显示装置的屏占比是行业内关注的一个重要参数。
[0003]
通常情况下,显示装置的正面需要安装诸如摄像头等各种光传感元件,为了不影响显示装置的屏占比,可以在显示装置中的显示面板内设置开孔,然后将摄像头安放至显示面板的背面。摄像头经开孔可获取图像。
[0004]
在显示面板内开孔后,会影响显示面板的显示效果,造成良率降低。


技术实现要素:

[0005]
本发明提供一种显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法,以解决相关技术中的不足。
[0006]
为实现上述目的,本发明实施例的第一方面提供一种显示面板,包括:
[0007]
基底,所述基底包括预定开孔区、围绕所述预定开孔区的第一过渡区、围绕所述第一过渡区的第二过渡区、围绕所述第二过渡区的第三过渡区以及围绕所述第三过渡区的显示区;
[0008]
堤坝,设置于所述第二过渡区;所述堤坝、所述第一过渡区以及所述第三过渡区覆盖有有机发光材料层;
[0009]
封装层,覆盖于所述有机发光材料层;
[0010]
保护层,覆盖于所述封装层;所述保护层内设置有凹槽和/或填充层,所述填充层的材料的热膨胀系数小于所述保护层的热膨胀系数;所述凹槽和/或所述填充层位于所述第一过渡区,和/或位于所述第三过渡区。
[0011]
可选地,所述凹槽贯穿所述保护层或部分贯穿所述保护层。
[0012]
可选地,所述堤坝包括第一堤坝与第二堤坝,所述第一堤坝靠近所述预定开孔区,所述第二堤坝靠近所述显示区;所述凹槽和/或所述填充层位于所述第一过渡区,和/或位于所述第三过渡区,和/或位于所述第一堤坝与所述第二堤坝之间。
[0013]
可选地,所述显示面板还包括:阵列式排布的像素结构,位于所述显示区;所述封装层还覆盖于所述像素结构;位于所述显示区的所述封装层上设置有触控层,所述触控层包括第一金属图案层、第二金属图案层以及位于所述第一金属图案层与所述第二金属图案层之间的绝缘层;所述第一金属图案层与所述第二金属图案层中的至少一层与所述填充层位于同层。
[0014]
可选地,所述凹槽为多个环状凹槽,所述多个环状凹槽与所述预定开孔区同心设置。
[0015]
可选地,所述预定开孔区呈圆形,多个所述凹槽沿所述预定开孔区的周向排布。
[0016]
可选地,在所述预定开孔区的径向上,所述凹槽的侧壁呈梳状、锯齿状或波浪状。
[0017]
可选地,所述凹槽包括多个子凹槽;所述多个子凹槽连接成多个环状凹槽,所述多个环状凹槽与所述预定开孔区同心设置,或所述多个子凹槽连接成多个条状凹槽。
[0018]
本发明实施例的第二方面提供一种显示装置,包括上述任一项所述的显示面板。
[0019]
本发明实施例的第三方面提供一种显示面板的制作方法,包括:
[0020]
提供承载于基板的基底,所述基底包括预定开孔区、围绕所述预定开孔区的第一过渡区、围绕所述第一过渡区的第二过渡区、围绕所述第二过渡区的第三过渡区以及围绕所述第三过渡区的显示区;
[0021]
在所述第二过渡区形成堤坝;形成覆盖所述堤坝、所述第一过渡区以及所述第三过渡区的有机发光材料层;
[0022]
形成覆盖所述有机发光材料层的封装层;
[0023]
在所述封装层远离所述基底一侧形成保护层,所述保护层内设置有凹槽和/或填充层,所述填充层的材料的热膨胀系数小于所述保护层的热膨胀系数;所述凹槽和/或所述填充层位于所述第一过渡区,和/或位于所述第三过渡区;
[0024]
激光剥离所述基板。
[0025]
可选地,所述堤坝包括第一堤坝与第二堤坝,所述第一堤坝靠近所述预定开孔区,所述第二堤坝靠近所述显示区;所述凹槽和/或所述填充层位于所述第一过渡区,和/或位于所述第三过渡区,和/或位于所述第一堤坝与所述第二堤坝之间。
[0026]
可选地,所述制作方法还包括:
[0027]
在所述第二过渡区形成堤坝步骤后,在所述显示区形成阵列式排布的像素结构,所述像素结构包括有机发光层,所述有机发光层与所述有机发光材料层在同一工序中形成;所述封装层还覆盖于所述像素结构;
[0028]
在所述显示区的封装层上形成触控层,所述触控层包括第一金属图案层、第二金属图案层以及位于所述第一金属图案层与所述第二金属图案层之间的绝缘层;所述第一金属图案层与所述第二金属图案层中的至少一层与所述填充层在同一工序中形成。
[0029]
激光剥离基板时,保护层与封装层受热产生远离基底方向的收缩应力,基板受热产生的应力也远离基底方向,上述两应力方向相反。加之堤坝处膜层凹凸不平,因而应力集中,容易造成堤坝上的有机发光层被拉断,出现裂纹或剥离,引起彩虹缺陷。根据上述实施例可知,在保护层内设置凹槽和/或填充层,凹槽和/或填充层位于堤坝靠近预定开孔区的第一过渡区,和/或位于堤坝靠近显示区的第三过渡区;凹槽可释放保护层内的收缩应力;填充层一方面吸热,另一方面其材料的热膨胀系数小于保护层的热膨胀系数,可降低保护层内的收缩应力,缓解彩虹缺陷。
[0030]
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
[0031]
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
[0032]
图1是本发明第一实施例的显示面板的俯视结构示意图;
[0033]
图2是沿着图1中的aa线的剖视图;
[0034]
图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图;
[0035]
图4是本发明第一实施例的显示面板的制作方法流程图;
[0036]
图5至图7是图4流程对应的中间结构图;
[0037]
图8是本发明第二实施例的显示面板的截面结构示意图;
[0038]
图9是本发明第三实施例的显示面板的俯视结构示意图;
[0039]
图10是沿着图9中的bb线的剖视图;
[0040]
图11是本发明第四实施例的显示面板的局部区域的俯视结构示意图;
[0041]
图12(a)至图12(d)是本发明第五实施例的显示面板的局部区域的俯视结构示意图;
[0042]
图13是本发明第六实施例的显示面板的局部区域的截面结构示意图;
[0043]
图14是本发明第七实施例的显示面板的局部区域的截面结构示意图。
[0044]
附图标记列表:
[0045]
基底10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
预定开孔区10a
[0046]
显示区10b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一过渡区10c
[0047]
第二过渡区10d
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第三过渡区10e
[0048]
堤坝11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
像素结构12
[0049]
第一电极12a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电极12b
[0050]
有机发光层12c
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
封装层13
[0051]
第一无机封装层133
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
有机封装层132
[0052]
第二无机封装层133
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
保护层14
[0053]
凹槽15
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
子凹槽15a
[0054]
填充层16
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
开关晶体管x1
[0055]
驱动晶体管x2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
存储电容cst
[0056]
扫描信号sn
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
数据信号vdata
[0057]
电源信号vdd
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
底栅171
[0058]
栅极绝缘层172
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
有源层173
[0059]
层间介质层ild
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
源极174a
[0060]
漏极174b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
平坦化层pln
[0061]
像素定义层pdl
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基板20
[0062]
有机发光材料层121
具体实施方式
[0063]
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0064]
图1是本发明第一实施例的显示面板的俯视结构示意图,图2是沿着图1中的aa线
的剖视图。
[0065]
参照图1与图2所示,显示面板,包括:
[0066]
基底10,基底10包括:预定开孔区10a、围绕预定开孔区10a的第一过渡区10c、围绕第一过渡区10c的第二过渡区10d、围绕第二过渡区10d的第三过渡区10e以及围绕第三过渡区10e的显示区10b;
[0067]
堤坝11,设置于第二过渡区10d;堤坝11、第一过渡区10c以及第三过渡区10e覆盖有有机发光材料层121;
[0068]
封装层13,覆盖于有机发光材料层121;
[0069]
保护层14,覆盖于封装层13;保护层14内设置有凹槽15,凹槽15位于第一过渡区10c,和/或位于第三过渡区10e。
[0070]
参照图2所示,基底10可以为柔性基底,柔性基底的材料可以为聚酰亚胺。
[0071]
预定开孔区10a用于开设通孔或盲孔,使得光线可通过该通孔或盲孔到达摄像头等感光元件。
[0072]
显示区10b上具有平坦化层pln。平坦化层pln远离基底10的一侧具有第一电极12a。第一电极12a以及未覆盖第一电极12a的平坦化层pln上设置有像素定义层pdl。像素定义层pdl具有暴露第一电极12a的部分区域的开口,开口内设置有有机发光层12c。有机发光层12c以及像素定义层pdl上设置有第二电极12b。
[0073]
有机发光层12c可以为红、绿或蓝,也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的像素结构12交替分布。
[0074]
本实施例中,有机发光层12c采用整面蒸镀有机发光材料层121形成,因而,有机发光材料层121还覆盖于第一过渡区10c、堤坝11、第三过渡区10e与预定开孔区10a。
[0075]
平坦化层pln、像素定义层pdl的材料都可以为聚酰亚胺等透明材料。
[0076]
第一电极12a可以为阳极,材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为氧化铟锡(ito)、铟锌氧化物(izo)以及氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金,例如银(ag)、银和铅的合金(ag:pb)、铝和钕的合金(al:nd)、银铂铜的合金(ag:pt:cu)等。
[0077]
第二电极12b可以为阴极,材料为半透半反材料或为反光材料。半透半反材料为具有部分透光、部分反光功能的材料,例如镁、银、铝中的至少一种,具体可以为:镁与银的混合物或铝与银的混合物。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金,例如银(ag)、银和铅的合金(ag:pb)、铝和钕的合金(al:nd)、银铂铜的合金(ag:pt:cu)等。
[0078]
当第一电极12a的材料为透光材料,第二电极12b的材料为反光材料时,显示面板为底发光结构;当第一电极12a的材料为反光材料,第二电极12b的材料为半透半反材料时,显示面板为顶发光结构,本实施例对此不加以限定。
[0079]
本实施例中,各个第二电极12b可以连接成一面电极,以方便对各个第二电极12b施加电压。
[0080]
本实施例中,像素结构12的发光方式为主动驱动发光(active matrix,am)。因而,第一电极12a与基底10之间设置有像素驱动电路。
[0081]
图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图。参照图3所示,像素驱动电路包括开关晶体管x1、驱动晶体管x2以及存储电容cst。
[0082]
开关晶体管x1的栅极与一行扫描信号线电连接,该行扫描信号sn为开启电压时,开关晶体管x1将一列数据信号线上的数据信号vdata保持在存储电容cst的一个极板;扫描信号sn为关断电压时,存储电容cst上保持的数据信号保持驱动晶体管x2打开,使得一列电源信号线上的电源信号vdd对一像素结构12的第一电极12a持续供电。
[0083]
位于同一行的各色像素结构12的像素驱动电路可以连接至同一行扫描信号线,位于同一列的同色像素结构12的像素驱动电路可以连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。一些实施例中,存储电容cst可由电源信号线与驱动晶体管x2的栅极重叠区域构成。
[0084]
参照图2所示,本实施例中,像素驱动电路中的驱动晶体管x2包括:底栅171、栅极绝缘层172、有源层173、层间介质层ild、源极174a、漏极174b以及钝化层pvx。开关晶体管x1中的各层可与驱动晶体管x2中的同一功能层位于同一层。换言之,开关晶体管x1与驱动晶体管x2为底栅结构。
[0085]
开关晶体管x1的漏极174b与驱动晶体管x2的源极174a可通过导电插塞以及金属互连层连接。
[0086]
一些实施例中,开关晶体管x1与驱动晶体管x2中的一个为底栅结构,另一个为顶栅结构,或两者都为顶栅结构。
[0087]
一些实施例中,像素结构12的像素驱动电路还可以为3t1c、5t2c、6t1c、7t1c等相关技术中的电路结构,本实施例对此不加以限定。
[0088]
本实施例中,栅极绝缘层172、层间介质层ild以及钝化层pvx延伸至第一过渡区10c、第二过渡区10d、第三过渡区10e以及预定开孔区10a。
[0089]
一些实施例中,像素结构12的发光方式也可以为被动驱动方式。
[0090]
被动驱动发光方式(passive matrix,pm),也称无源驱动方式,由行列交叉的条状电极在交叉处对像素结构12施加电压,使其发光;因而,第一电极12a与基底10之间无像素驱动电路。
[0091]
参照图2所示,本实施例中,堤坝11与平坦化层pln位于同一层,两者材质可以相同。其它实施例中,堤坝11还可以由平坦化层pln与像素定义层pdl的堆叠结构构成。
[0092]
各个第二电极12b远离基底10的一侧还设置有封装层13。封装层13可以为封装薄膜(tfe)。封装薄膜可以包括靠近基底10的第一无机封装层131,远离基底10的第二无机封装层133,以及第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
[0093]
第一无机封装层131与第二无机封装层133的材料可以包括二氧化硅、氮化硅中的至少一种。
[0094]
有机封装层132可以包括聚合物,例如由聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种形成的单层或多种形成的叠层。
[0095]
沉积第一无机封装层131与第二无机封装层133时,同时整面形成在第一过渡区10c、堤坝11、第三过渡区10e与预定开孔区10a上。
[0096]
有机封装层132根据打印区域的大小,可以邻接堤坝11,也可以与堤坝11之间具有间距。
[0097]
一些实施例中,封装薄膜还可以为多层有机、无机材料交替的交叠结构,以提高封装效果。
[0098]
保护层14(over coatting layer,oc层)整面设置于封装层13上,以对封装层13的上表面平坦化。
[0099]
保护层14的成分例如但不限于为聚酰亚胺等光敏材料,丙烯酸类材料或环氧树脂类材料。
[0100]
参照图2所示,保护层14内具有凹槽15,本实施例中,凹槽15位于第三过渡区10e,即堤坝11靠近显示区10b的一侧。其它实施例中,保护层14在第一过渡区10c,即堤坝11靠近预定开孔区10a的一侧也可以开设凹槽15。
[0101]
本实施例中,凹槽15贯穿保护层14,且参照图1与图2所示,凹槽15为环状凹槽15,环状凹槽15与预定开孔区10a同心设置。
[0102]
显示面板在制作时,基底10承载在基板上。显示面板制作完后,采用激光剥离的方式剥离基板。激光剥离基板时,保护层14与封装层13受热产生远离基底10方向的收缩应力,基板受热产生的应力也远离基底10方向,上述两应力方向相反。加之堤坝11处膜层凹凸不平,因而应力集中,容易造成堤坝11上的有机发光层121被拉断,出现裂纹或剥离,引起彩虹缺陷,影响显示面板的良率。针对上述问题,本实施例在保护层14内设置凹槽15,凹槽15靠近堤坝11,激光剥离基板时,凹槽15可释放保护层14内的收缩应力,缓解彩虹缺陷,进而提高显示面板的良率。
[0103]
本实施例中,第一过渡区10c呈围绕预定开孔区10a的闭合环,第二过渡区10d呈围绕第一过渡区10c的闭合环,第三过渡区10e呈围绕第二过渡区10d的闭合环,显示区10b呈围绕第三过渡区10e的闭合环。
[0104]
一些实施例中,例如刘海屏中,预定开孔区10a呈刘海状,预定开孔区10a的一边位于显示区10b的边缘。此时,第一过渡区10c也可以呈围绕预定开孔区10a的非闭合环,第二过渡区10d呈围绕第一过渡区10c的非闭合环,第三过渡区10e呈围绕第二过渡区10d的非闭合环,显示区10b呈围绕第三过渡区10e的非闭合环。
[0105]
对于图1与图2中的显示面板,本发明一实施例还提供一种制作方法。图4是制作方法的流程图。图5至图7是图4流程对应的中间结构示意图。
[0106]
首先,参照图4中的步骤s1与图5所示,提供承载于基板20的基底10,基底10包括:预定开孔区10a、围绕预定开孔区10a的第一过渡区10c、围绕第一过渡区10c的第二过渡区10d、围绕第二过渡区10d的第三过渡区10e以及围绕第三过渡区10e的显示区10b。
[0107]
基底10可以为柔性基底,柔性基底的材料可以为聚酰亚胺。
[0108]
预定开孔区10a用于开设通孔或盲孔,使得光线可通过该通孔或盲孔到达摄像头等感光元件。
[0109]
显示区10b包括若干像素区,像素区在行方向与列方向上按阵列式分布。
[0110]
基板20的材料可以为玻璃。
[0111]
接着,参照图4中的步骤s2、图5至图8所示,在第二过渡区10d形成堤坝11;形成覆盖堤坝11、第一过渡区10c以及第三过渡区10e的有机发光材料层121。
[0112]
本实施例中,还在显示区10b形成像素结构12。像素结构12的发光方式为主动驱动发光。主动驱动发光方式,也称有源驱动方式,由像素驱动电路对像素结构12施加电压,使其发光。因而,先在像素区形成像素驱动电路。
[0113]
像素结构12为电流型器件,因而,像素驱动电路包括若干晶体管与存储电容。以下
仍以图3中的2t1c结构为例,介绍像素驱动电路的制作工序。步骤s2可包括步骤s21-s24。
[0114]
步骤s21:参照图5所示,在像素区的开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成底栅171;在显示区10b、第一过渡区10c、第二过渡区10d、第三过渡区10e以及预定开孔区10a形成覆盖底栅171与基底10的栅极绝缘层172;在开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成有源层173(包括源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道区);在显示区10b、第一过渡区10c、第二过渡区10d、第三过渡区10e以及预定开孔区10a形成覆盖有源层173与栅极绝缘层172的层间介质层ild;在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接源区的源极174a与连接漏区的漏极174b;在显示区10b、第一过渡区10c、第二过渡区10d、第三过渡区10e以及预定开孔区10a形成覆盖源极174a、漏极174b以及层间介质层ild的钝化层pvx;在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接开关晶体管x1的漏极174b与驱动晶体管x2的源极174a的导电插塞以及金属互连层。开关晶体管区为待形成开关晶体管的区域;驱动晶体管区为待形成驱动晶体管的区域。
[0115]
一些实施例中,开关晶体管x1与驱动晶体管x2中的一个为底栅结构,另一个为顶栅结构,或两者都为顶栅结构。顶栅结构是指栅极比有源层173远离基底10。
[0116]
位于同一行的子像素结构12的像素驱动电路连接至同一行扫描信号线,位于同一列的同色像素结构12的像素驱动电路连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。扫描信号线可与底栅171在同一工序中形成。数据信号线、电源信号线可与源极174a/漏极174b在同一工序中形成。存储电容cst可由电源信号线与驱动晶体管x2的栅极重叠区域构成。
[0117]
一些实施例中,像素结构12的像素驱动电路还可以为3t1c、5t2c、6t1c、7t1c等相关技术中的电路结构,本实施例对此不加以限定。
[0118]
步骤s22:继续参照图5所示,在金属互连层与钝化层pvx上形成平坦化层pln。
[0119]
平坦化层pln可以采用涂布法形成。平坦化层pln的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。
[0120]
步骤s23:参照图6所示,图形化平坦化层pln,在第二过渡区10d形成堤坝11以及去除第一过渡区10c、第三过渡区10e以及预定开孔区10a的平坦化层pln。
[0121]
图形化平坦化层pln可以采用干法刻蚀完成或先曝光、后显影的方式完成。
[0122]
步骤s24:继续参照图6所示,在位于显示区10b的平坦化层pln远离基底10的一侧形成若干第一电极12a,每一像素区具有一个第一电极12a;在各个第一电极12a以及平坦化层pln远离基底10的一侧形成像素定义层pdl;在像素定义层pdl内形成若干开口,每一像素区具有一个开口;在各个开口内形成有机发光层12c;在各个有机发光层12c以及像素定义层pdl远离基底10的一侧形成第二电极12b。
[0123]
第一电极12a可以先采用沉积法形成一整面第一电极材料层,后经干法刻蚀或湿法刻蚀形成若干个第一电极块。第一电极12a可以为阳极,材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为ito、izo以及igzo中的至少一种。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金,例如银(ag)、银和铅的合金(ag:pb)、铝和钕的合金(al:nd)、银铂铜的合金(ag:pt:cu)等。
[0124]
像素定义层pdl的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。制作时,可以先整面涂布像素定义材料层,第一过渡区10c、第二过渡区10d、第三过渡区10e与预定开孔区10a的像素定义材料层可以采用先曝光后显影的方式去除,保留的显示区10b的像素定义层pdl内的开口可
以采用刻蚀法形成。
[0125]
一些实施例中,还保留第二过渡区10d的像素定义材料层,平坦化层pln与像素定义材料层的堆叠结构构成堤坝11。
[0126]
有机发光层12c可以采用整面蒸镀有机发光材料层121形成。本实施例中,第一过渡区10c、第三过渡区10e与预定开孔区10a也形成了有机发光材料层121。
[0127]
各个第二电极12b可以连接成一面电极。第二电极12b可以为阴极,材料为半透半反材料或为反光材料。半透半反材料为具有部分透光、部分反光功能的材料,例如镁、银、铝中的至少一种,具体可以为:镁与银的混合物或铝与银的混合物。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金,例如银(ag)、银和铅的合金(ag:pb)、铝和钕的合金(al:nd)、银铂铜的合金(ag:pt:cu)等。
[0128]
一些实施例中,像素结构12的发光方式也可以为被动驱动方式。对于被动驱动方式的像素结构12,无需在第一电极12a与基底10之间形成像素驱动电路。
[0129]
之后,参照图4中的步骤s3与图6所示,形成覆盖于有机发光材料层121的封装层13。
[0130]
封装层13可以为封装薄膜(tfe)。封装薄膜可以包括靠近基底10的第一无机封装层131,远离基底10的第二无机封装层133,以及第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
[0131]
第一无机封装层131与第二无机封装层133可以采用物理气相沉积或化学气相沉积法形成。沉积第一无机封装层131与第二无机封装层133时,同时形成在显示区10b上。有机封装层132可以采用喷墨打印法形成。
[0132]
一些实施例中,封装薄膜还可以为多层有机、无机材料交替的交叠结构,以提高封装效果。
[0133]
再接着,参照图4中的步骤s4与图7所示,在封装层13上形成保护层14,保护层14内设置有凹槽15,凹槽15位于第一过渡区10c,和/或位于第三过渡区10e。
[0134]
一些实施例中,保护层14通过液态封装胶进行固化过程得到。保护层14的成分例如但不限于为聚酰亚胺等光敏材料,丙烯酸类材料或环氧树脂类材料。凹槽15可以采用先曝光后显影的方式,或干法刻蚀法形成,或激光烧灼法形成。
[0135]
之后,参照图4中的步骤s5与图7所示,激光剥离基板20。
[0136]
激光剥离基板20时,保护层14与封装层13受热产生远离基底10方向的收缩应力,基板20受热产生的应力也远离基底10方向,上述两应力方向相反。加之堤坝11处膜层凹凸不平,因而应力集中,容易造成堤坝11上的有机发光层121被拉断,出现裂纹或剥离,引起彩虹缺陷,影响显示面板的良率。
[0137]
针对上述问题,本实施例在保护层14内设置凹槽15,凹槽15靠近堤坝11,激光剥离基板20时,凹槽15可释放保护层14内的收缩应力,缓解彩虹缺陷,进而提高显示面板的良率。
[0138]
图8是本发明第二实施例的显示面板的截面结构示意图。参照图8所示,本实施例的显示面板及其制作方法与图1至图7中的显示面板及其制作方法大致相同,区别仅在于:凹槽15部分贯穿保护层14。
[0139]
图9是本发明第三实施例的显示面板的俯视结构示意图,图10是沿着图9中的bb线
的剖视图。
[0140]
参照图9与图10所示,本实施例的显示面板与图1至图2、图8中的显示面板的结构大致相同,区别仅在于:凹槽15为多个环状凹槽15,多个环状凹槽15与预定开孔区10a同心设置。
[0141]
此外,部分数目的环状凹槽15贯穿保护层14,部分数目的环状凹槽15部分贯穿保护层14。部分贯穿保护层14的多个环状凹槽15中,还可以深度各个不同,可通过灰阶掩模版(graytone mask)实现。灰阶掩膜技术,即掩模版中的开口灰度设置为渐变的,灰度越大光的透过率越低,灰度越小光的透过率越高。具体地,掩模版中的开口具有多个,利用光的衍射效应,通过开口大小不同,使对应开口狭缝处光的透过率介于0%-100%,同时实现多种透过率0%、x%、100%。
[0142]
图11是本发明第四实施例的显示面板的局部区域的俯视结构示意图。
[0143]
参照图11所示,本实施例的显示面板与图1至图2、图8、图9与图10中的显示面板的结构大致相同,区别仅在于:预定开孔区10a呈圆形,多个凹槽15沿预定开孔区10a的周向排布。
[0144]
图12(a)至图12(d)是本发明第五实施例的显示面板的局部区域的俯视结构示意图。本实施例的显示面板与图1至图2、图8、图9与图10、图11中的显示面板的结构大致相同,区别仅在于:如图12(a)所示,在预定开孔区10a的径向上,凹槽15的侧壁呈波浪状;如图12(b)所示,在预定开孔区10a的径向上,凹槽15的侧壁呈锯齿状。一些实施例中,在预定开孔区10a的径向上,凹槽15的侧壁呈梳状,即具有突出的齿部。
[0145]
如图12(c)所示,凹槽15还可以包括多个子凹槽15a,多个子凹槽15a连接成多个环状凹槽15,所述多个环状凹槽15与预定开孔区10a同心设置,或如图12(d)所示,多个子凹槽15a连接成多个条状凹槽15。
[0146]
相应地,对于制作方法,凹槽15的形状可通过掩模版的开口的形状控制。
[0147]
图13是本发明第六实施例的显示面板的局部区域的截面结构示意图。本实施例的显示面板与图1至图2中的显示面板的结构大致相同,区别仅在于:保护层14内设置有填充层16,填充层16的材料的热膨胀系数小于保护层14的热膨胀系数,填充层16位于第一过渡区10c,和/或位于第三过渡区10e。
[0148]
填充层16的材料可以为金属,例如铜或铝等。激光剥离基板20时,填充层16一方面吸热,另一方面其材料的热膨胀系数小于保护层14的热膨胀系数,可降低保护14层内的收缩应力,缓解彩虹缺陷。
[0149]
填充层16的形成方法可以包括:先通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在封装层13上沉积一层金属层,后通过干法刻蚀图形化。
[0150]
覆盖于阵列式排布的像素结构12的封装层13上可以设置有触控层(未图示),触控层包括第一金属图案层、第二金属图案层以及位于第一金属图案层与第二金属图案层之间的绝缘层;第一金属图案层与第二金属图案层中的至少一层与填充层16位于同层。
[0151]
相应地,对于制作方法,第一金属图案层与第二金属图案层都可以通过沉积整面金属层,后干法刻蚀图形化;第一金属图案层与第二金属图案层中的至少一层可以与填充层16在同一工序中形成。
[0152]
形成触控层前,还可以在封装层13上形成黏附层(未图示)。
[0153]
图14是本发明第七实施例的显示面板的局部区域的截面结构示意图。本实施例的显示面板与图13中的显示面板的结构大致相同,区别仅在于:堤坝11包括第一堤坝111与第二堤坝112,第一堤坝111靠近预定开孔区10a,第二堤坝112靠近显示区10b,填充层16位于第一堤坝111与第二堤坝112之间。
[0154]
一些实施例中,填充层16还可以位于第一过渡区10c,和/或位于第三过渡区10e。
[0155]
一些实施例中,凹槽15与填充层16还可以结合使用,例如凹槽15位于第一过渡区10c,和/或位于第三过渡区10e;填充层16位于第一堤坝111与第二堤坝112之间。
[0156]
基于上述显示面板,本发明一实施例还提供一种显示装置。显示装置包括:
[0157]
上述任一种显示面板;
[0158]
感光元件,设置在显示面板的背面,且与预定开孔区10a对准。
[0159]
感光元件可以为摄像头或指纹识别传感器等。
[0160]
显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0161]
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间唯一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0162]
在本发明中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“若干”指一个、两个或两个以上,除非另有明确的限定。
[0163]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后,将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
[0164]
应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1