显示面板、显示装置及显示面板的制造方法与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。


背景技术：

2.在有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称oled)显示装置的一些相关技术中，采用柔性多层表面式触控(flexible multi-layer on cell，简称fmloc)方式将触控元件设置在完成薄膜封装(thin film encapsulation，简称tfe)工艺的显示基板与盖板玻璃之间。该显示基板的集成电路芯片的接合区域(即ic bonding区域)的焊盘由有机材料膜层，例如平坦化层(planarization，简称pln)或像素定义层(pixel definition layer，简称pdl)进行包覆。


技术实现要素：

3.在本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
4.显示基板，具有显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示基板包括衬底和设置在衬底一侧且位于所述非显示区的集成电路(integrated circuit，简称ic)接合部，其中，所述ic接合部包括：
5.引脚；
6.第一钝化层，位于所述衬底邻近引脚的一侧，并覆盖在所述引脚的周边区域，并露出所述引脚的中心区域；
7.第一间隔层，位于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述第一钝化层和所述第一钝化层与所述引脚相接的边缘；和
8.第一金属层，位于所述第一间隔层远离所述衬底的一侧，至少覆盖所述引脚的中心部位，并与所述引脚电连接。
9.在一些实施例中，所述显示面板还包括：
10.ic芯片，具有芯片管脚，所述ic芯片位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；和
11.导电胶膜，位于所述ic芯片的芯片管脚与所述第一金属层之间，且与所述ic芯片的芯片管脚与所述第一金属层均电连接。
12.在一些实施例中，所述显示面板还包括：
13.触控结构，至少位于所述显示基板的显示区；
14.其中，所述显示基板还包括：
15.多个发光元件，设置在所述衬底邻近所述ic接合部的一侧，且位于所述显示区；和
16.封装层，位于所述多个发光元件与所述触控结构之间，被配置为对所述显示基板进行封装。
17.在一些实施例中，所述触控结构包括：
18.第二间隔层，位于所述封装层远离所述衬底的一侧，且覆盖在所述封装层的表面。
19.在一些实施例中，所述触控结构还包括：
20.第一触控电极层，具有第一触控电极图案，且位于所述第二间隔层远离所述衬底的一侧；
21.触控绝缘层，具有触控绝缘图案，且位于所述第一触控电极层远离所述衬底的一侧；和
22.第二触控电极层，具有第二触控电极图案，且位于所述触控绝缘层远离所述衬底的一侧，部分所述第二触控电极图案通过贯穿所述触控绝缘层的过孔与所述第一触控电极图案电连接。
23.在一些实施例中，所述触控结构还包括：
24.绝缘保护层，具有绝缘保护图案，且位于所述第二触控电极层远离所述衬底的一侧，被配置为对所述第二触控电极层进行绝缘保护。
25.在一些实施例中，所述第二间隔层与所述第一间隔层位于同层且材料相同。
26.在一些实施例中，所述触控绝缘层与所述第一间隔层位于同层且材料相同，所述第二触控电极层与所述第一金属层位于同层且材料相同。
27.在一些实施例中，所述显示基板还包括：
28.第一绝缘层，位于所述第一钝化层与所述衬底之间；和
29.第二绝缘层，位于所述第一绝缘层与所述第一钝化层之间，
30.其中，所述引脚包括：
31.第一引脚金属层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，且部分地由所述第二绝缘层覆盖。
32.在一些实施例中，所述显示基板还包括：
33.第三绝缘层，位于所述第二绝缘层与所述第一钝化层之间，
34.其中，所述引脚还包括：
35.第二引脚金属层，位于所述第三绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，通过贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔与所述第一引脚金属层电连接，所述第二引脚金属层还与所述第一金属层电连接。
36.在一些实施例中，所述显示基板还包括：
37.薄膜晶体管器件，包括有源层、栅极、源极和漏极，所述有源层位于所述第一绝缘层与所述衬底之间，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面，所述源极和所述漏极位于所述第三绝缘层远离所述衬底一侧的表面，并通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的过孔分别与所述有源层电连接；和
38.电容器件，包括第一电容极板和第二电容极板，所述第一电容极板位于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面，所述第二电容极板位于所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的表面；
39.其中，所述栅极、所述第一电容极板和所述第一引脚金属层位于同层且材料相同，所述源极、所述漏极和所述第二引脚金属层位于同层且材料相同。
40.在一些实施例中，所述显示基板还包括：
41.第二钝化层，位于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述源极和所述漏极；和
42.平坦化层，位于所述第二钝化层远离所述衬底的一侧，
43.其中，所述多个发光元件位于所述平坦化层与所述封装层之间，所述第二钝化层与所述第一钝化层位于同层且材料相同。
44.在本公开的另一个方面，提供一种显示装置，包括前述的显示面板。
45.在本公开的又一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
46.形成具有显示区和围绕所述显示区的非显示区的显示基板，所述显示基板包括衬底和形成在衬底一侧且位于所述非显示区的ic接合部，
47.其中，形成所述ic接合部的步骤包括：
48.在所述衬底一侧形成引脚；
49.在所述衬底邻近引脚的一侧形成第一钝化层，并使所述第一钝化层覆盖在所述引脚的周边区域，并露出所述引脚的中心区域；
50.在所述第一钝化层远离所述衬底的一侧形成第一间隔层，并使所述第一间隔层覆盖所述第一钝化层和所述第一钝化层与所述引脚相接的边缘；和
51.在所述第一间隔层远离所述衬底的一侧形成第一金属层，并使所述第一金属层至少覆盖所述引脚的中心部位，并与所述引脚电连接。
52.在一些实施例中，在形成所述第一钝化层的步骤和形成所述第一间隔层的步骤之间，还包括：
53.在所述第一钝化层远离所述衬底的一侧形成平坦化层；
54.去除所述平坦化层至少对应于所述引脚的部分。
附图说明
55.构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
56.参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
57.图1是根据本公开显示面板的一实施例中显示基板的整体布局及ic接合部的局部示意图；
58.图2是根据本公开显示面板的一实施例中ic接合部所在区域的aa截面结构示意图；
59.图3是根据本公开显示面板的一实施例中显示区的截面结构示意图；
60.图4是根据本公开显示面板的制造方法的一实施例中形成ic接合部的流程示意图；
61.图5是根据本公开显示面板的制造方法的一实施例中形成发光元件、封装层和触控结构的流程示意图。
62.应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
63.现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同
的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
64.本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
65.在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。
66.本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
67.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
68.在有些相关技术中，显示基板的ic接合区域(ic bonding区域)的接合部引脚由有机材料膜层(例如平坦化层)进行包覆。经研究发现，在fmloc工艺中，在ic接合区域形成间隔层(即barrier层)时，间隔层与有机材料膜层的粘附力较差。而且，有机材料膜层未被间隔层包覆的边缘部分裸露。这都使得有机材料膜层容易在fmloc工艺中的水洗步骤中吸水。而当后续显示基板进行有关测试，例如高温高湿的信赖性测试时，有机材料膜层内吸收的水分受热膨胀，可能导致ic接合区域的间隔层以及金属层等剥落。
69.在另一些相关技术中，在形成间隔层时，使间隔层包覆有机材料膜层的边缘部分，不使其裸露。经研究发现，在采用这种结构时，ic接合区域的接合部引脚上覆盖的金属层也会覆盖在包覆有机材料膜层的间隔层上，因此其边缘区域与未覆盖间隔层和有机材料膜层的中心区域可达到1.2μm的高度差。这样在通过异向导电胶膜(anisotropic conductive film，简称acf)实现金属层与ic芯片的管脚之间的电连接时，acf对应于金属层的边缘区域的导电粒子受力较大，容易压裂间隔层，这使得有机材料膜层容易在fmloc工艺中的水洗步骤中经过间隔层的裂缝吸水。而当后续显示基板进行有关测试，例如高温高湿的信赖性测试时，有机材料膜层内吸收的水分受热膨胀，可能导致ic接合区域的间隔层以及金属层等剥落。
70.有鉴于此，本公开实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，能够改善ic接合区域的间隔层以及金属层剥落等不良情形。
71.图1是根据本公开显示面板的一实施例中显示基板的整体布局及ic接合部的局部示意图。图2是根据本公开显示面板的一实施例中ic接合部所在区域的aa截面结构示意图。
72.参考图1，在一些实施例中，显示面板包括显示基板1。显示基板1具有显示区10a和
围绕所述显示区10a的非显示区10b。显示区10a用于显示图像，非显示区10b用于布置相关电路和相关电子元件，以支持显示区10a的显示。
73.显示区10a的具体形状不限，例如呈圆形、椭圆形或者多边形等等。参考图1，在一些实施例中，显示区10a大致呈多边形，例如大致呈图1所示的矩形。这里显示区10a大致呈多边形可以理解为：在忽略显示区域的圆倒角、斜倒角或者工艺误差后，显示区10a的形状为多边形。
74.在图1中，所述显示基板1包括衬底10和设置在衬底10一侧且位于所述非显示区10b的ic接合部20。ic接合部20被配置为连接可向显示基板中的显示像素提供驱动信号、数据信号和时钟信号等，以及向显示基板提供检测信号等的ic芯片的管脚。
75.在一些实施例中，显示基板1为主动矩阵有机发光二极管(active matrix organic light-emitting diode，amoled)显示基板或被动矩阵有机发光二极管(passive matrix organic light-emitting diode，pmoled)显示基板。例如，在显示基板10为amoled显示基板时，其衬底10可以为柔性衬底(例如聚酰亚胺材料)或者硬质衬底(例如玻璃或树脂材料)。
76.在图2中，ic接合部20包括：引脚21、第一钝化层(pvx)22、第一间隔层23和第一金属层24。第一钝化层22位于所述衬底10邻近引脚21的一侧，并覆盖在所述引脚21的周边区域，并露出所述引脚21的中心区域。第一钝化层22可采用无机材料形成，例如氧化硅siox、氮化硅sinx或氮氧化硅sino等硅的化合物。
77.第一间隔层23位于所述第一钝化层22远离所述衬底10的一侧，并覆盖所述钝化层22和所述第一钝化层22与所述引脚21相接的边缘。第一间隔层23可采用绝缘材料制成，例如氮化硅sinx。第一金属层24位于所述第一间隔层23远离所述衬底10的一侧，至少覆盖所述引脚21的中心部位，并与所述引脚21电连接。
78.相比于相关技术中ic接合区域采用通过平坦化层等有机材料膜层包覆引脚的周边区域的结构，本实施例通过第一钝化层22包覆引脚21的周边区域，其与第一间隔层23之间粘附力优于相关技术中有机材料膜层与间隔层的粘附力，不容易从第一钝化层22上剥落，而且还可避免有机材料膜层吸收水汽并受热膨胀，而导致间隔层和金属层剥落的情形，进一步使得ic接合部中的第一间隔层23和第一金属层24更不容易剥落。
79.参考图2，在一些实施例中，显示面板还包括：ic芯片4和导电胶膜41。ic芯片4具有芯片管脚42，所述ic芯片4位于所述第一金属层24远离所述衬底10的一侧。导电胶膜41位于所述ic芯片4的芯片管脚42与所述第一金属层24之间，且与所述ic芯片4的芯片管脚42与所述第一金属层24均电连接。导电胶膜41可采用acf。
80.相比于相关技术中采用间隔层包覆有机材料膜层的边缘部分，并采用acf连接金属层与ic芯片的管脚的结构，本实施例中第一间隔层23直接包覆在第一钝化层22，因此形成在第一间隔层23和ic芯片4上的第一金属层24的边缘和中心的高度差相对较小，这使得导电胶膜41对应于边缘位置的导电粒子受力相对较小，不容易压裂第一间隔层23。另一方面，也可避免有机材料膜层经间隔层的裂缝吸收水汽并受热膨胀，而导致间隔层和金属层剥落的情形，进一步使得ic接合部中的第一间隔层23和第一金属层24更不容易剥落。
81.在图2中，显示基板还包括：第一绝缘层12a和第二绝缘层12b。第一绝缘层12a位于所述第一钝化层22与所述衬底10之间。第二绝缘层12b位于所述第一绝缘层12a与所述第一
钝化层22之间。
82.第一绝缘层(例如第一栅绝缘层gi1)12a和第二绝缘层(例如第二栅绝缘层gi2)12b的材料均可包括硅化合物或金属氧化物，例如，氮氧化硅sino、氧化硅siox、氮化硅sinx、碳氧化硅sicxoy、碳化氮硅sicxny、氧化铝alox、氮化铝alnx、氧化钽taox、氧化铪hfox、氧化锆zrox、氧化钛tiox等。第一绝缘层12a和第二绝缘层12b可以为单层或多层。
83.ic接合部20中的引脚21可在形成显示基板1中的显示像素过程中同步形成。参考图2，在一些实施例中，引脚21包括第一引脚金属层21a。第一引脚金属层21a位于所述第一绝缘层12a远离所述衬底10一侧的表面上，且部分地由所述第二绝缘层12b覆盖。
84.参考图2，在一些实施例中，显示基板还包括第三绝缘层12c。第三绝缘层12c位于所述第二绝缘层12b与所述第一钝化层22之间。第三绝缘层(例如层间绝缘层ild)12c的材料可包括硅化合物、金属氧化物等。具体可以选择上文所列举的硅化合物和金属氧化物，这里不再赘述。
85.在图2中，引脚21还包括第二引脚金属层21b。第二引脚金属层21b位于所述第三绝缘层12c远离所述衬底10一侧的表面上，通过贯穿所述第二绝缘层12b和第三绝缘层12c的过孔与所述第一引脚金属层21a电连接，所述第二引脚金属层21b还与所述第一金属层24电连接。
86.图3是根据本公开显示面板的一实施例中显示区的截面结构示意图。
87.参考图3，在一些实施例中，显示面板还包括触控结构30。触控结构30采用前述的fmloc工艺形成在显示基板1上。触控结构30至少位于所述显示基板1的显示区10a。在一些实施例中，触控结构30位于显示区10a。在另一些实施例中，触控结构30位于显示区10a和非显示区10b。
88.对于采用fmloc工艺形成的触控结构30来说，由于其工艺中的每道光掩模(photo mask)工艺之前需要对显示基板进行水洗，相关技术中ic接合区域中的有机材料膜层容易在水洗过程中吸水，而本实施例中的ic接合部由于采用第一钝化层22包覆引脚21的周边区域，避免了采用有机材料膜层包覆引脚时有机材料容易吸水的问题。
89.在图3中，显示基板1还包括：多个发光元件15和封装层19。多个发光元件15设置在所述衬底10邻近所述ic接合部20的一侧，且位于所述显示区10a。对于amoled显示基板来说，显示基板1还可包括薄膜晶体管器件13和电容器件14。薄膜晶体管器件13与发光元件15电连接，以便向控制发光元件15，以使各个发光元件15独立发光。
90.薄膜晶体管器件13可包括有源层13a、栅极13b、源极13c和漏极13d。所述有源层13a位于所述第一绝缘层12a与所述衬底10之间，所述栅极13b位于所述第一绝缘层12a远离所述衬底10一侧的表面，所述源极13c和所述漏极13d位于所述第三绝缘层12c远离所述衬底10一侧的表面，并通过贯穿所述第一绝缘层12a、所述第二绝缘层12b和所述第三绝缘层12c的过孔分别与所述有源层13a电连接。
91.有源层13a的材料可包括无机半导体材料(例如多晶硅或非晶硅等)、有机半导体材料或氧化物半导体材料。栅极13b的材料可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等，例如银、铜、铝合金、氮化铝、氧化锡、氧化铟锡等。源极13c和漏极13d的材料可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等，例如，多层金属mo-al-mo或ti-al-ti。
92.电容器件14可包括第一电容极板14a和第二电容极板14b，所述第一电容极板14a位于所述第一绝缘层12a远离所述衬底10一侧的表面，所述第二电容极板14b位于所述第二绝缘层12b远离所述衬底10一侧的表面。
93.在一些实施例中，栅极13b、第一电容极板14a和第一引脚金属层21a位于同层且材料相同，这样有利于栅极13b、第一电容极板14a和第一引脚金属层21a通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。在一些实施例中，源极13c、漏极13d和第二引脚金属层21b位于同层且材料相同，这样有利于源极13c、漏极13d和第二引脚金属层21b通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。
94.这里和后面提到的同层同材料的结构可以为采用同一成膜工艺形成具有特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
95.在图2和图3中，在第一绝缘层12a与衬底10之间还可设置缓冲层11。缓冲层11用于防止或减少金属原子或杂质从衬底扩散到晶体管的有源层中。缓冲层11可包括氧化硅siox、氮化硅sinx或氮氧化硅sino等无机材料，并可形成为单层或多层。
96.参考图3，在一些实施例中，显示基板1还包括：第二钝化层16和平坦化层17。第二钝化层16位于所述第三绝缘层12c远离所述衬底10的一侧，且覆盖所述源极13c和所述漏极13d。在一些实施例中，第二钝化层16与所述第一钝化层22位于同层且材料相同，有利于通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。
97.平坦化层17位于所述第二钝化层16远离所述衬底10的一侧。多个发光元件15位于所述平坦化层17与所述封装层19之间。平坦化层的材料可以包括有机绝缘材料制成，例如聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等或氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯等弹性材料。
98.在形成平坦化层17时，平坦化层17也可形成在ic接合区域，例如形成在第一钝化层22远离衬底10一侧的表面上。为了避免相关技术中包括有机材料的平坦化层容易吸水的问题，可通过刻蚀等工艺将平坦化层17至少对应于所述引脚21的部分去除。
99.参考图3，发光元件15可以为oled发光元件。该发光元件可包括第一电极层15a、有机发光层15b和第二电极层15c。第一电极层15a位于平坦化层17和像素定义层18之间，有机发光层15b位于像素定义层18所界定的像素开口内，第二电极层15c位于有机发光层15b远离衬底10的一侧。第一电极层15a可通过贯穿平坦化层17和第二钝化层16的过孔与漏极13d电连接。
100.在一些实施例中，第一电极层15a作为发光元件15的阳极层，第二电极层15c作为发光元件15的阴极。第一电极层15a和第二电极层15b均可以采用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等材料制成。有机发光层15b可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，例如荧光发光材料或磷光发光材料，可以发出红光、绿光、蓝光或白光。
101.参考图3，在一些实施例中，触控结构30包括第二间隔层31。第二间隔层31位于所述封装层19远离所述衬底10的一侧，且覆盖在所述封装层19的表面。在一些实施例中，第二
间隔层31与所述第一间隔层23位于同层且材料相同，这样有利于第二间隔层31与第一间隔层23通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。
102.参考图3，在一些实施例中，触控结构30包括第一触控电极层32。第一触控电极层32具有第一触控电极图案(tsp metal a，简称tma)，且位于所述第二间隔层31远离所述衬底10的一侧。第一触控电极层32的材料可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等，例如，多层金属mo-al-mo或ti-al-ti。
103.第一触控电极图案可用于形成桥接区域的下层通道，还可用于位于周边的触控驱动电极tx的上下接入与触控感应电极rx信号走线的左右接入。在另一些实施例中，触控驱动电极tx和触控感应电极rx可分别横向和纵向，或者根据需要采用其他布置方式。
104.在图3中，触控结构30还包括：触控绝缘层33和第二触控电极层34。触控绝缘层33具有触控绝缘图案，且位于所述第一触控电极层32远离所述衬底10的一侧。触控绝缘层33的材料可包括无机材料，例如氧化硅siox、氮化硅sinx或氮氧化硅sino，可作为层间介质层起到绝缘作用。在一些实施例中，触控绝缘层33与所述第一间隔层23位于同层且材料相同，这样有利于触控绝缘层33与第一间隔层23通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。
105.第二触控电极层34具有第二触控电极图案(tsp metal b，简称tmb)，且位于所述触控绝缘层33远离所述衬底10的一侧，部分所述第二触控电极图案通过贯穿所述触控绝缘层33的过孔与所述第一触控电极图案电连接。第二触控电极图案可用于形成桥接区域的上层通道，还可用于形成桥接区域之外的金属网电极以及位于周边的信号走线。在一些实施例中，第二触控电极层34与所述第一金属层24位于同层且材料相同，这样有利于第二触控电极层34与所述第一金属层24通过同一构图工艺形成，从而简化工艺。
106.参考图3，在一些实施例中，触控结构30还包括绝缘保护层35。绝缘保护层35具有绝缘保护图案，且位于所述第二触控电极层34远离所述衬底10的一侧，被配置为对所述第二触控电极层34进行绝缘保护。绝缘保护层35的材料可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料，例如聚酰亚胺。
107.本公开的上述显示面板实施例可适用于各类显示装置。因此，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
108.图4是根据本公开显示面板的制造方法的一实施例中形成ic接合部的流程示意图。
109.参考图4和本公开的前述显示面板实施例，在一些实施例中，显示面板的制造方法包括：形成具有显示区10a和围绕所述显示区10a的非显示区10b的显示基板1，所述显示基板1包括衬底10和形成在衬底10一侧且位于所述非显示区10b的ic接合部20。在形成显示基板1的过程中，形成所述ic接合部20的步骤可包括步骤110到步骤140。
110.在步骤110之前，先形成衬底10。在步骤110中，在所述衬底10一侧形成引脚21。在步骤120中，在所述衬底10邻近引脚21的一侧形成第一钝化层22，并使所述第一钝化层22覆盖在所述引脚21的周边区域，并露出所述引脚21的中心区域。
111.在步骤130中，在所述第一钝化层22远离所述衬底10的一侧形成第一间隔层23，并使所述第一间隔层23覆盖所述第一钝化层22和所述第一钝化层22与所述引脚21相接的边缘。在步骤140中，在所述第一间隔层23远离所述衬底10的一侧形成第一金属层24，并使所
述第一金属层24至少覆盖所述引脚21的中心部位，并与所述引脚21电连接。
112.相比于相关技术中ic接合区域采用通过平坦化层等有机材料膜层包覆引脚的周边区域的结构，本实施例通过第一钝化层22包覆引脚21的周边区域，其与第一间隔层23之间粘附力优于相关技术中有机材料膜层与间隔层的粘附力，不容易从第一钝化层22上剥落，而且还可避免有机材料膜层吸收水汽并受热膨胀，而导致间隔层和金属层剥落的情形，进一步使得ic接合部中的第一间隔层23和第一金属层24更不容易剥落。
113.在一些实施例中，在图4中形成所述第一钝化层22的步骤120和形成所述第一间隔层23的步骤130之间，还可包括：在所述第一钝化层22远离所述衬底10的一侧形成平坦化层17；去除所述平坦化层17至少对应于所述引脚21的部分。在去除平坦化层时，可通过激光或化学刻蚀的方式去除平坦化层材料。在另一些实施例中，还可在步骤120之后，通过设置平坦化层的掩膜版的开口位置使得平坦化层不覆盖ic接合区域中的第一钝化层22和引脚21。
114.图5是根据本公开显示面板的制造方法的一实施例中形成发光元件、封装层和触控结构的流程示意图。
115.参考图5，在一些实施例中，形成所述显示基板1的步骤还包括步骤210和步骤220。在步骤210中，在所述衬底10邻近所述ic接合部20的一侧且对应于所述显示区10a的位置形成多个发光元件15。在步骤220中，在所述多个发光元件15远离所述衬底10的一侧形成封装层19，以对所述显示基板1进行封装。
116.在一些实施例中，显示面板的制造方法还包括：在所述封装层19远离所述衬底10的一侧形成触控结构30。触控结构30可通过fmloc工艺形成。参考图5，形成所述触控结构30的步骤可包括步骤230到步骤270。在步骤230中，在所述封装层19远离所述衬底10的一侧形成第二间隔层31，并使所述第二间隔层31覆盖在所述封装层19的表面。
117.在步骤240中，在所述第二间隔层31远离所述衬底10的一侧形成具有第一触控电极图案的第一触控电极层32。在步骤250中，在所述第一触控电极层32远离所述衬底10的一侧形成具有触控绝缘图案的触控绝缘层33。
118.在步骤260中，在所述触控绝缘层33远离所述衬底10的一侧形成具有第二触控电极图案的第二触控电极层34，并使部分所述第二触控电极图案通过贯穿所述触控绝缘层33的过孔与所述第一触控电极图案电连接。在步骤270中，在所述第二触控电极层34远离所述衬底10的一侧形成具有绝缘保护图案的绝缘保护层35，以便对所述第二触控电极层34进行绝缘保护。
119.在上述实施例中，所述第二间隔层31与所述第一间隔层23通过同一构图工艺形成，所述第二触控电极层34与所述第一金属层24通过同一构图工艺形成。这样有利于简化工艺。在另一些实施例中，触控绝缘层33与所述第一间隔层23通过同一构图工艺形成，这样有利于简化工艺。
120.上述步骤240到步骤270中均可采用光掩模(photo mask)工艺分别形成第一触控电极图案、第二触控电极图案、触控绝缘图案和绝缘保护图案。在另一些实施例中，这些图案也可采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)工艺形成。
121.本说明书中多个实施例采用递进的方式描述，各实施例的重点有所不同，而各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。对于方法实施例而言，由于其整体以及涉及的步骤与显示面板实施例中的内容存在对应关系，因此描述的比较简单，相关之处参见显
示面板实施例的部分说明即可。
122.至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
123.虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。