有机发光二极管显示装置的制作方法

有机发光二极管显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请no.10
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2019
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0180150的优先权，为了所有目的将该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.本公开涉及一种有机发光二极管显示装置。


背景技术：

4.随着信息社会的发展，已经开发了各种类型的显示装置。近年来，已经使用了各种显示装置，例如液晶显示器(lcd)、等离子显示面板(pdp)和有机发光二极管(oled)显示装置。
5.构成有机发光二极管显示装置的有机发光元件是自发光的并且不需要单独的光源，从而减小了显示装置的厚度和重量。另外，有机发光二极管显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速率的高质量特性。
6.有机发光二极管显示装置包括像素，该像素包括晶体管、电容器和发光元件。随着显示装置的分辨率和尺寸的增大，许多像素密集地布置在显示装置中。为了确保显示装置的可靠性，需要一种能够降低工艺的复杂性并提高成品率的方法。
7.特别地，有机发光二极管显示装置包括多个接触孔，并且每个接触孔将一根导线电连接至另一根导线。为了减小显示装置的功耗和发热，需要具有减小的电阻的接触孔的结构。
8.前述内容仅旨在帮助理解本公开的背景，而并非旨在表示本公开落入本领域技术人员已知的相关技术的范围之内。


技术实现要素：

9.本公开旨在提供一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括具有减小的电阻的接触孔结构。
10.应当理解，本公开要解决的技术问题不限于上述技术问题，并且根据以下描述，对于本领域技术人员而言，未提及的其他技术问题将是显而易见的。
11.根据本公开的数个实施例，提供了一种有机发光二极管显示装置，其包括：基板，在所述基板中限定有发光区域和非发光区域；电源线，形成在所述基板上；至少一个绝缘膜，覆盖所述电源线；发光元件，形成在所述至少一个绝缘膜上方；连接电极，连接至所述电源线，并延伸至所述至少一个绝缘膜上；以及钝化膜，包括在所述非发光区域中的接触区域，在所述接触区域处，所述连接电极的一部分被暴露，其中，所述发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，并且所述第二电极在所述接触区域中与所述连接电极直接接触。
12.在本公开的数个实施例中，所述接触区域可以包括由所述钝化膜限定的一个侧
壁，并且所述一个侧壁可以具有倒锥形形状。
13.在本公开的数个实施例中，所述连接电极的上表面可以包括被所述一个侧壁垂直叠盖的阴影区域，并且所述第二电极可以与所述阴影区域直接接触。
14.在本公开的数个实施例中，所述发光层可以未形成在所述阴影区域上。
15.在本公开的数个实施例中，所述接触区域可以包括形成在由所述钝化膜暴露的所述连接电极的上表面的中央部分处的填充物，并且所述填充物的圆化下表面部分可以在所述连接电极上形成阴影区域。
16.在本公开的数个实施例中，所述第二电极可以与所述阴影区域直接接触。
17.在本公开的数个实施例中，所述第二电极可以与所述填充物的所述下表面部分接触。
18.根据本公开的另外数个实施例，提供了一种有机发光二极管显示装置，其包括：基板，在所述基板中限定有发光区域和非发光区域；电源线，形成在所述基板上；至少一个绝缘膜，覆盖所述电源线；发光元件，形成在所述至少一个绝缘膜上方；连接电极，连接至所述电源线，并延伸至所述至少一绝缘膜上；钝化膜，包括在所述非发光区域中的接触区域，在所述接触区域处，所述连接电极的一部分被暴露；以及导电填充物，覆盖被所述钝化膜暴露的所述连接电极的上表面的至少一部分；其中，所述发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，并且所述第二电极与所述导电填充物直接接触。
19.在本公开的数个实施例中，所述第二电极和所述连接电极之间的导电路径可以通过所述导电填充物形成。
20.在本公开的数个实施例中，所述导电填充物可以覆盖所述接触区域的相对侧壁的至少一部分。
21.在本公开的数个实施例中，所述导电填充物的圆化下表面部分可以在所述连接电极上形成阴影区域。
22.在本公开的数个实施例中，所述第二电极可以与所述导电填充物的所述下表面部分接触。
23.根据本公开的另外数个实施例，提供了一种有机发光二极管显示装置，其包括：基板，在所述基板中限定有发光区域和非发光区域；电源线，形成在所述基板上；至少一个绝缘膜，覆盖所述电源线；发光元件，形成在所述至少一个绝缘膜上方；连接电极，连接至所述电源线，并延伸至所述至少一绝缘膜上；钝化膜，包括在所述非发光区域中的接触区域，在所述接触区域处，所述连接电极的一部分被暴露；以及至少一个填充物，覆盖被所述钝化膜暴露的所述连接电极的上表面；其中，所述发光元件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，并且所述发光层延伸以覆盖所述连接电极和所述填充物，并且具有在所述连接电极上的第一部分和在所述填充物上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分的厚度不同。
24.在本公开的数个实施例中，所述第一部分的厚度可以小于所述第二部分的厚度。
25.在本公开的数个实施例中，所述接触区域穿过所述至少一个绝缘膜，从而可以暴露所述电源线。
26.根据本公开的实施例，在有机发光二极管显示装置中，通过利用侧壁、填充物等的形状，发光元件的连接电极和第二电极彼此直接接触。因此，可以减小接触区域的结构的接
触电阻，并且可以减小有机发光二极管显示装置的功耗和发热。
27.从本公开可获得的效果将不限于仅上述效果。另外，根据以下描述，本文中未描述的其他效果对于本领域技术人员将变得显而易见。
附图说明
28.当结合附图时，根据以下详细描述，将更加清楚地理解本公开的上述和其他目的、特征以及其他优点，其中：
29.图1是示出根据本公开的数个实施例的显示装置的配置的框图；
30.图2是示出图1所示的像素的数个实施例的电路图；
31.图3是根据图1所示的显示装置的数个实施例的透视图；
32.图4是根据本公开的数个实施例的显示面板的截面视图；
33.图5是与图4的接触区域对应的部分的放大视图；
34.图6是根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图；
35.图7是与图6的接触区域对应的部分的放大视图；
36.图8是根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图；
37.图9是与图8的接触区域对应的部分的放大视图；
38.图10是来自根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图的接触区域的放大视图；
39.图11是根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图；
40.图12是与图11的接触区域对应的部分的放大视图；
41.图13是来自根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图的接触区域的放大视图；以及
42.图14是根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图。
具体实施方式
43.在下文中，将参考附图描述各个实施例。在说明书中，当元件(区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“耦合到”另一元件或“与另一元件组合”时，它可以直接在该另一元件上/耦合到该另一元件/与该另一元件组合，或中间元件可以存在于它们之间。
44.相同的附图标记指代相同的元件。在附图中，为了有效地描述技术细节，夸大了元件的厚度、比率和尺寸。术语“和/或”包括相关联的元件可以限定的一个或多个组合。
45.术语“第一”、“第二”等可以用来描述各种元件，但是这些元件不应被解释为限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件与其他元件区分开。例如，在不脱离各个实施例的范围的情况下，“第一”元件可以被命名为“第二”元件，并且“第二”元件也可以类似地被命名为“第一”元件。如本文所使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
46.术语“在......之下”、“在......下方”、“在......上”、“在
…
...上方”等在本文中用于描述附图中所示的一个或多个元件之间的关系。这些术语是相对概念，并且根据附图中的方向进行描述。
47.应当理解，诸如“包括”、“具有”等的术语旨在指示说明书中所公开的特征、数字、
步骤、动作、元件、组件或其组合的存在，而并非旨在排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、元件、组件或其组合的可能性。
48.图1是示出根据实施例的显示装置的配置的框图。
49.参考图1，显示装置1包括定时控制器10、栅极驱动器20、数据驱动器30、电源40和显示面板50。
50.定时控制器10可以从外部接收图像信号rgb和控制信号cs。图像信号rgb可以包括灰度数据。控制信号cs可以包括例如水平同步信号、垂直同步信号和主时钟信号。
51.定时控制器10可以处理图像信号rgb和控制信号cs以使信号适合于显示面板50的操作条件，从而定时控制器10可以生成并输出图像数据data、栅极驱动控制信号cont1、数据驱动控制信号cont2和电源控制信号cont3。
52.栅极驱动器20可以通过多条栅极线gl1至gln连接至显示面板50的像素px。栅极驱动器20可以基于从定时控制器10输出的栅极驱动控制信号cont1来生成栅极信号。栅极驱动器20可以通过多条栅极线gl1至gln将生成的栅极信号提供给像素px。
53.数据驱动器30可以通过多条数据线dl1至dlm连接至显示面板50的像素px。数据驱动器30可以基于从定时控制器10输出的图像数据data和数据驱动控制信号cont2来生成数据信号。数据驱动器30可以通过多条数据线dl1至dlm将生成的数据信号提供给像素px。
54.电源40可以通过多条电源线pl1和pl2连接至显示面板50的像素px。电源40可以基于电源控制信号cont3来生成要提供给显示面板50的驱动电压。驱动电压可以包括例如高电位驱动电压elvdd和低电位驱动电压elvss。电源40可以通过对应的电源线pl1和pl2将生成的驱动电压elvdd和elvss提供给像素px。
55.在显示面板50中，布置了多个像素px(或称为子像素)。像素px可以例如以矩阵形式布置在显示面板50上。
56.每个像素px可以电连接至对应的栅极线和对应的数据线。这样的像素px可以发射具有与分别通过栅极线gl1至gln和数据线dl1至dlm提供的栅极信号和数据信号相对应的亮度的光。
57.每个像素px可以显示第一至第三颜色中的任何一种。在实施例中，每个像素px可以显示红色、绿色和蓝色中的任何一种。在另一个实施例中，每个像素px可以显示青色、品红色和黄色中的任何一种。在各个实施例中，像素px可以被构造为显示四种或更多种颜色中的任何一种。例如，每个像素px可以显示红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种。
58.定时控制器10、栅极驱动器20、数据驱动器30和电源40可以被构造为单独的集成电路(ic)，或者其中集成了其至少一些的ic。例如，数据驱动器30和电源40中的至少一个可以被配置为与定时控制器10集成的集成电路。
59.另外，在图1中，栅极驱动器20和数据驱动器30被示为与显示面板50分离的元件，但是栅极驱动器20和数据驱动器30中的至少一个可以以形成为与显示面板50集成的面板内方式构造。例如，栅极驱动器20可以根据面板内栅极(gip)方式形成为与所述显示面板50集成。
60.图2是示出图1所示的像素的数个实施例的电路图。作为示例，图2示出了连接至第i栅极线gli和第j数据线dlj的像素pxij。
61.参考图2，像素px包括开关晶体管st、驱动晶体管dt、存储电容器cst和发光元件
ld。
62.开关晶体管st的第一电极(例如，源电极)电连接至第j数据线dlj，并且开关晶体管st的第二电极(例如，漏电极)电连接至第一节点n1。开关晶体管st的栅电极电连接至第i栅极线gli。当通过第i栅极线gli施加处于栅极导通电平的栅极信号时，开关晶体管st导通，并且将通过第j数据线dlj施加的数据信号传输至第一节点n1。
63.存储电容器cst的第一电极与第一节点n1电连接，存储电容器cst的第二电极与发光元件ld的阳极电极连接。根据存储在存储电容器cst中的数据电压，驱动晶体管dt操作，使得驱动电流在高电位驱动电压elvdd和低电位驱动电压elvss之间流动。
64.驱动晶体管dt的第一电极(例如，源电极)接收高电位驱动电压elvdd，并且驱动晶体管dt的第二电极(例如，漏电极)电连接至发光元件ld的第一电极(例如，阳极电极)。驱动晶体管dt的栅极电连接至第一节点n1。当通过第一节点n1施加处于栅极导通电平的电压时，驱动晶体管dt导通，并且可以根据施加至栅电极的电压来控制流向发光元件ld的驱动电流的量。
65.发光元件ld输出与驱动电流相对应的光。发光元件ld可以输出与红色、绿色和蓝色中的任何一种相对应的光。发光元件ld可以是有机发光二极管(oled)或具有在微米至纳米级范围内的尺寸的超小型无机发光二极管，但是本公开不限于此。在下文中，将描述其中发光元件ld是有机发光二极管(oled)的实施例。
66.在本公开的各个实施例中，像素px的结构不限于图2所示的结构。根据实施例，像素px还可以包括至少一个元件，用于补偿驱动晶体管dt的阈值电压，或者初始化驱动晶体管dt的栅电极的电压和/或发光元件ld的阳极电极的电压。
67.图2示出了其中开关晶体管st和驱动晶体管dt是nmos晶体管的示例，但是本公开不限于此。例如，构成每个像素px的晶体管中的至少一些或全部可以是pmos晶体管。在各个实施例中，开关晶体管st和驱动晶体管dt中的每一个可以被实现为低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅氧化物(ltpo)薄膜晶体管。
68.图3是根据图1所示的显示装置的数个实施例的透视图。结合图1和2参考图3，将更详细地描述显示装置1的元件。
69.显示装置1是用于显示图像的装置。显示装置1可以是：自发光显示装置，诸如有机发光二极管显示装置；或非自发光显示装置，诸如液晶显示装置、电泳显示器(epd)和电润湿显示器(ewd)。
70.显示装置1可以以各种形状实现。例如，显示装置1可以被实现为矩形板的形状。然而，本公开不限于此。显示装置1可以设置成各种形状，诸如正方形、圆形、椭圆形、多边形形状等。显示装置1可以具有如下形状：其中边缘的一部分被处理为弯曲表面，或者在至少一个区域中的厚度变化。另外，显示装置1的全部或一部分可以具有柔性。
71.显示面板50可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da是其中布置有像素px的区域，并且可以被称为有源区域。非显示区域nda可以被放置在显示区域da附近。例如，非显示区域nda可以沿着显示区域da的边界放置。非显示区域nda可以统称为显示面板50上的显示区域da以外的区域，并且可以称为非有源区域。
72.在非显示区域nda中，例如，可以提供栅极驱动器20作为用于驱动像素px的驱动器。在非显示区域nda中，栅极驱动器20可以被放置在显示区域da的一侧或两侧附近。栅极
驱动器20可以以如图3所示以面板内栅极的方式形成在显示面板50的非显示区域nda中。然而，在另一实施例中，栅极驱动器20可以被制造为驱动器ic，并且因此可以被安装在柔性膜等上，并且可以以带自动结合(tab)方式附接到非显示区域nda。
73.在非显示区域nda中，可以设置多个焊盘(未示出)。焊盘可以不被绝缘层覆盖，而是可以暴露于显示面板50的外部，并且可以电连接至稍后将描述的数据驱动器30、电路板70等。
74.显示面板50可以包括用于将电信号供应给像素px的导线。导线可以包括例如栅极线gl1至gln、数据线dl1至dlm以及电源线pl1和pl2。
75.电源线pl1和pl2可以通过连接的焊盘电连接至电源40(或定时控制器10)，并且可以提供从电源40(或定时控制器10)提供的高电位驱动电力elvdd和低电位驱动电力elvss到像素px。
76.柔性膜60设置有附接到显示面板50的焊盘区域pa的第一端，并且设置有附接到电路板70的第二端，使得显示面板50和电路板70可以是电连接的。柔性膜60可以包括用于电连接形成在焊盘区域pa中的焊盘和电路板70的导线的多条导线。在实施例中，柔性膜60可以通过各向异性导电膜(acf)附接在焊盘上。
77.在数据驱动器30被制造为驱动器ic的情况下，数据驱动器30可以以膜上芯片(cof)方式或塑料上芯片(cop)方式安装在柔性膜60上。数据驱动器30可以基于从定时控制器10接收的图像数据data和数据驱动控制信号cont2来生成数据信号，并且可以通过所连接的焊盘将所生成的数据信号输出到数据线dl1至dlm。
78.在电路板70上，可以安装许多实现为驱动器ic的电路。电路板70可以是印刷电路板或柔性印刷电路板，但是电路板70的类型不限于此。
79.电路板70可以包括以集成电路形式安装的定时控制器10和电源40。图3示出了定时控制器10和电源40是分开的元件，但是本实施例不限于此。即，在各个实施例中，电源40可以形成为与定时控制器10集成在一起，或者定时控制器10可以被配置为执行电源40的功能。
80.图4是根据本公开的数个实施例的显示面板310的截面视图。图5是对应于图4的接触区域210的部分的放大视图。
81.参考图4，显示面板310可以包括像素区域pxa和非像素区域npxa。在像素区域pxa中，形成构成像素px的电路元件和发光元件ld，并且非像素区域npxa放置在像素区域pxa附近。非像素区域npxa可以包括相邻像素px之间的边界和/或非显示区域nda。
82.如图4所示，根据本公开的数个实施例，显示面板310可以包括顶部发光型的发光元件170。在发光元件ld是顶部发光型的情况下，来自有机发光层的光通过形成在有机发光层的顶表面上的阴极发射。
83.显示面板310可以包括基板110、缓冲膜120、晶体管t、第一钝化膜161、堤160、发光元件170、接触区域210等。
84.基板110是显示面板310的基础构件，并且可以是透光基板。基板110可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性基板，或者可以是由塑料材料制成的柔性基板。例如，基板110可以由诸如聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)等的塑料材料制成。然而，基板110的材料不限于此。
85.在基板110上，放置遮光层115和电源线116。遮光层115被放置为被晶体管t的有源图案140垂直叠盖，并且因此可以保护氧化物半导体装置免受外部光的影响。
86.电源线116可以连接至例如第一电源线pl1或第二电源线pl2，高电位驱动电压elvdd通过第一电源线pl1施加，低电位驱动电压elvss通过第二电源线pl2施加，但是本公开不限于此。
87.缓冲膜120以覆盖遮光层115和电源线116的方式放置在基板110上。缓冲膜120可以防止离子或杂质从基板110扩散并且可以阻止湿气渗透。另外，缓冲膜120可以增强基板110的表面的平坦度。
88.缓冲膜120可以包括诸如氧化物、氮化物等的无机材料、有机材料或有机
‑
无机化合物。缓冲膜120可以形成为单层或多层结构。例如，缓冲膜120可以具有三层或三层以上的氧化硅、氮化硅和氧化硅按照该顺序的结构。
89.有源图案140可以形成在缓冲膜120上。有源图案140可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料制成。作为基于硅的半导体材料，可以使用非晶硅或多晶硅。作为基于氧化物的半导体材料，可以使用：诸如铟锡镓锌氧化物(insngazno)的四元金属氧化物；诸如铟镓锌氧化物(ingazno)、铟锡锌氧化物(insnzno)、铟铝锌氧化物(inalzno)、锡镓锌氧化物(sngazno)、铝镓锌氧化物(algazno)或锡铝锌氧化物(snalzno)的三元金属氧化物；或诸如铟锌氧化物(inzno)、锡锌氧化物(snzno)、铝锌氧化物(alzno)、锌镁氧化物(znmgo)、锡镁氧化物(snmgo)、铟镁氧化物(inmgo)、铟镓氧化物(ingao)的二元金属氧化物；氧化铟(ino)、氧化锡(sno)或氧化锌(zno)。
90.有源图案140可以包括包含p型或n型杂质的漏极区136和源极区137。可以在漏极区136和源极区137之间形成沟道ch。
91.可以分别对应于其中将要形成栅电极133和第一连接电极141的区域放置栅绝缘膜135和145，这将在后面描述。例如，栅极绝缘膜135可以形成在有源图案140上。另外，栅极绝缘膜145可以以与电源线116相邻或至少具有垂直叠盖电源线116的区域的方式形成在缓冲膜120上。栅极绝缘膜135和145中的每一个可以是氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或其多个膜。
92.在栅极绝缘膜135和145上，可以放置第一导电膜220。第一导电膜220可以包括栅电极133。栅电极133可以被放置为与有源图案140的漏极区136和源极区137之间的位置相对应。
93.栅电极133由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)构成的组中的任何一种或两种或两种以上的合金制成。另外，栅电极133可以是由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(a)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)构成的组中的任何一种或两种或两种以上的合金组成的多层。例如，栅电极133可以是钼和铝
‑
钕或钼和铝的两层。
94.第一导电膜220还可以包括第一连接电极141。第一连接电极141可以以与第二电源线pl2相邻或至少具有叠盖第二电源线pl2的区域的方式放置。第一连接电极141可以由与栅电极133相同的材料构成，并且可以通过与栅电极133相同的工艺形成。然而，本公开不限于此。
95.第一导电膜220还可以包括电路元件的电极和驱动线，例如，存储电容器cst的下电极、栅极线gl1至gln等。
96.在第一导电膜220上，可以形成层间绝缘膜150。层间绝缘膜150覆盖栅电极133和第一连接电极141，栅电极133和第一连接电极141构成第一导电膜220。层间绝缘膜150可以是氧化硅膜(sio
x
)、氮化硅膜(sin
x
)或其多层。
97.在各个实施例中，层间绝缘膜150可以被配置成多层，并且还可以在层间绝缘膜150的多层之间形成导电层。在层间绝缘膜150之间形成的导电层还可以包括电路元件的电极和驱动线，例如，晶体管t的辅助栅电极、存储电容器cst的上电极等。
98.在层间绝缘膜150上，可以形成第二导电膜230。第二导电膜230可以是源极
‑
漏极层。
99.第二导电膜230可以包括源电极134和漏电极131。源电极134和漏电极131可以放置在层间绝缘膜150上，彼此间隔预定距离。源电极134和漏电极131可以通过穿透层间绝缘膜150的接触区域分别连接至有源图案140的源极区137和漏极区136。
100.源电极134和漏电极131可以形成在由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)组成的组中的任意一种或两种或两种以上的合金构成的单层或多层中。在源电极134和漏电极131为多层的情况下，它们可以由两层钼和铝
‑
钕组成，或者由如下三层组成：钛和铝和钛；钼和铝和钼；或钼和铝
‑
钕和钼。
101.源电极134、漏电极131、栅电极133以及与那些相对应的有源图案140可以构成晶体管t。晶体管t可以是例如驱动晶体管dt或开关晶体管st。作为示例，图4示出了驱动晶体管dt，其漏电极131连接至发光元件170的第一电极171。
102.第二导电膜230还可以包括第二连接电极142。第二连接电极142可以通过穿透层间绝缘膜150和缓冲膜120的接触区域连接至电源线116。在数个实施例中，第二连接电极142可以连接至第一连接电极141。
103.第二连接电极142可以由与源电极134和漏电极131相同的材料构成，并且可以形成为单层或多层。
104.第二连接电极142和第一钝化膜161、162可以一起形成接触区域210。接触区域210可以由第一钝化膜161、162的侧壁和第二连接电极142的上表面限定。在接触区域210中，第二连接电极142和第二电极173可以彼此连接。
105.形成接触区域210的一侧的第一钝化膜162的侧壁163可以具有倒锥形形状。在第二连接电极142的上表面上，可以限定阴影区域165，该阴影区域165可以被限定为被具有倒锥形形状的侧壁163垂直地叠盖。
106.在发光元件170中，介于第一电极171和第二电极173之间的发光层172可以具有包括光生成层的多层薄膜结构。多层薄膜结构的至少一部分可以通过沉积工艺形成。具体地，可以通过沉积工艺来形成电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
107.在如所示地将发光层172沉积在接触区域210内的工艺中，因为侧壁163覆盖阴影区域，所以发光层172没有沉积在阴影区域165中，并且因此阴影区域165可以被暴露。之后，第二电极173沉积在发光层172上，并且第二电极173可以与包括阴影区域165的第二连接电极142的上表面直接接触。
108.如果接触区域210的一个侧壁162具有与相对侧相同的锥形形状，则发光层172均匀地沉积在接触区域210的下表面上，并且因此第二电极173不与第二连接电极142直接接触。这增大了接触区域210的结构的接触电阻，并且因此导致有机发光二极管显示装置的功
耗和发热的劣化。
109.在根据本公开的实施例的有机发光二极管显示装置中，通过使用上述倒锥形侧壁162的形状，第二连接电极142和第二电极173彼此直接接触。因此，可以减小接触区域210的结构的接触电阻，并且可以减小有机发光二极管显示装置的功耗和发热。
110.在各个实施例中，第二导电膜230还可以包括各种驱动线，例如，数据线dl1至dlm，以及电源线(例如，第一电源线pl1)。
111.在第二导电膜230上，可以形成第一钝化膜161。第一钝化膜161可以是用于保护下部元件的绝缘膜，并且可以是氧化硅膜(sio
x
)、氮化硅膜(sin
x
)或其多层。
112.在第一钝化膜161上，可以形成外覆膜155。外覆膜155可以是用于减小下部结构的水平差的平坦化膜，并且可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂(benzocyclobutene series resin)、丙烯酸酯等的有机材料构成。
113.发光元件170形成在外覆膜155上，并且包括第一电极171、发光层172和第二电极173。第一电极171可以是阳极电极，并且第二电极173可以是阴极电极。如图4所示，在发光元件170是顶部发光型的情况下，第一电极171可以是反射电极，并且第二电极173可以是透射电极。
114.第一电极171形成在外覆膜155上。第一电极171通过穿透外覆膜155和第一钝化膜161的过孔连接到晶体管t的漏电极131。第一电极171可以由透明导电材料构成，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等。在第一电极171是反射电极的情况下，第一电极171可以包括反射层。反射层可以由铝(al)、铜(cu)、银(ag)、镍(ni)或其合金制成。在实施例中，反射层可以由银、钯和铜的合金(apc)构成。
115.堤160可以形成在外覆膜155上。堤160可以是限定像素px的发光区域ea的像素限定膜。堤160可以形成为使得部分区域(例如，第一电极171的中央部分)暴露，但是其余区域(例如，第一电极171的边缘)被覆盖。优选地，第一电极171的暴露区域被设计为具有尽可能大的面积，以确保足够的开口率。未被堤160覆盖的第一电极171的暴露区域可以被限定为像素px的发光区域ea。在发光区域ea中，以彼此直接接触的方式堆叠第一电极171、发光层172和第二电极173。堤160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机膜制成。
116.在第一电极171和堤160上，形成发光层172。发光层172可以延伸到非像素区域npxa，可以填充接触区域210的下表面，并且可以部分地暴露第二连接电极142的上表面。
117.如上所述，发光层172可以具有包括光生成层的多层薄膜结构。在本公开的数个实施例中，可以通过喷墨方法在堤160和外覆膜155上形成发光层172的至少一部分。具体地，有机发光层以及发光层172的空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)可以通过喷墨方法形成，但是本公开不限于此。
118.例如，空穴传输层将从第一电极171注入的空穴平稳地传输到有机发光层。有机发光层可以由包括磷光或荧光材料的有机材料制成。电子传输层将从第二电极173注入的电子平稳地传输到有机发光层。
119.发光层172可以以两个或更多个堆叠体的串联结构形成。在这种情况下，每个堆叠体可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在以两个或更多个堆叠体的串联结构形成发光层172的情况下，在堆叠体之间形成电荷生成层。电荷生成层可以包括n型电荷生
成层和p型电荷生成层。n型电荷生成层位于下堆叠体附近。p型电荷生成层形成在n型电荷生成层上，并因此位于上堆叠体附近。n型电荷生成层将电子注入到下堆叠体中，而p型电荷生成层将空穴注入到上堆叠体中。n型电荷生成层可以是通过将诸如锂(li)、钠(na)、钾(k)或铯(cs)的碱金属或诸如镁(mg)、锶(sr)、钡(ba)或镭(ra)的碱土金属掺杂到具有电子传输能力的有机主体材料中而获得的有机层。p型电荷生成层可以是通过将掺杂剂掺杂到具有空穴传输能力的有机主体材料中而获得的有机层。
120.发光元件170生成的光的颜色可以是红色、绿色和蓝色中的一种，但是本公开不限于此。例如，由发光层172的光生成层生成的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种，或者可以是白色。
121.第二电极173形成在发光层172上。第二电极173可以以覆盖发光层172的方式形成。第二电极173可以与在接触区域210中暴露的第二连接电极142直接接触。
122.第二电极173可以由能够透射光的透明导电材料(tco)制成，或者由诸如钼(mo)、钨(w)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、及其合金的半透射导电材料制成。在第二电极173由半透射导电材料制成的情况下，由于微腔，可以提高发光效率。
123.在第二电极173上形成第二钝化膜175。第二钝化膜175防止氧或湿气渗透到发光元件170中。
124.第二钝化膜175可以由例如无机材料中的至少一种制成，诸如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝和氧化钛。
125.第二钝化膜175可以形成为在基板110的显示区域aa内宽。第二钝化膜175可以以覆盖形成在接触区域210内部的第二电极173和侧壁163的方式形成。可以以覆盖阴影区域165的至少一部分的方式形成第二钝化膜175。
126.覆盖层182用作异物覆盖层(也称为颗粒覆盖层)。覆盖层182可以形成为具有足够的厚度，以防止异物(颗粒)渗透到发光层172和第二电极173中。覆盖层182可以由透明材料制成以便透射从发光层172发射的光。覆盖层182可以由能够透射从发光层172发射的99％或更多的光的有机材料制成，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、苯并环丁烯树脂或聚酰亚胺树脂，但不限于此。
127.第三钝化膜183是无机膜，并且可以由与第二钝化膜175相同的材料制成。例如，第三钝化膜183可以由无机材料中的至少一种制成，诸如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝和氧化钛。
128.图6是根据本公开的另外数个实施例的显示面板320的截面视图。图7是对应于图6的接触区域210的部分的放大视图。
129.参考图6和图7，可以看出与接触区域210相对应的部分被配置为与上述实施例的不同。在下文中，将省略对共同部分的描述，并且将主要描述差异。
130.可以以覆盖接触区域210中的侧壁166和第二连接电极142的上表面的至少一部分的方式形成填充物201。例如，可以通过以喷墨方法施加包含金属颗粒的液滴来制作填充物201，金属颗粒是诸如钼(mo)、钨(w)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)等。因此，填充物201可以具有导电性。
131.在以覆盖接触区域210中的侧壁166和第二连接电极142的上表面的至少一部分的
方式形成填充物201之后，可以形成发光元件170。因此，由于填充物201的存在，发光层172可以具有彼此断开的在第一钝化膜161上的部分和在接触区域210内部的部分。
132.同时，形成在发光层172上的第二电极173可以与填充物201直接接触。可以通过在发光层172上沉积导电材料来形成第二电极173。
133.如上所述，由于填充物201的导电性，可以在第二电极173和第二连接电极142之间形成导电路径。因此，可以降低接触区域210的连接电阻。
134.图8是根据本公开的另外数个实施例的显示面板330的截面视图。图9是对应于图8的接触区域210的部分的放大视图。
135.参考图8和图9，可以看出与接触区域210相对应的部分被配置为与上述实施例的不同。在下文中，将省略对共同部分的描述，并且将主要描述差异。
136.填充物205可以形成在接触区域210的下表面处，即，在第二连接电极142的上表面上。填充物205可以覆盖第二连接电极142的上表面的至少一部分。
137.例如，可以通过使用喷墨方法施加包含金属颗粒的液滴来制作填充物205，金属颗粒是诸如钼(mo)、钨(w)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)等。因此，填充物205可以具有导电性。
138.由于表面能等，形成在第二连接电极142上的填充物205可以具有圆化表面206。因此，形成为堆叠在填充物205上的发光层176、第二电极173和第二钝化膜175也可以具有圆化形状。
139.在以覆盖第二连接电极142的上表面的至少一部分的方式形成填充物205之后，可以形成发光元件170。发光层172可以覆盖填充物205的上表面206的一部分并且可以暴露其一部分。这是因为当通过沉积形成发光层172时，由于发光层172的材料的差的台阶覆盖性，发光层172没有均匀地形成在填充物205上。因此，由于存在填充物205，发光层172可以具有彼此分离的在第一钝化膜161上的部分和在填充物205上的部分176。
140.在发光层172上，可以形成第二电极173。第二电极173可以通过在发光层172上沉积导电材料来形成。第二电极173可以覆盖发光层172的表面，并且可以覆盖由发光层172暴露的填充物的上表面207。填充物的上表面207和第二电极173可以彼此直接接触。经由填充物205，可以在第二电极173和第二连接电极142之间形成导电路径。因此，可以降低接触区域210的连接电阻。
141.图10是来自根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图的接触区域210的放大视图。在下文中，将省略对共同部分的描述，并且将主要描述差异。
142.参考图10，填充物215可形成为朝向接触区域210的上表面突出。在数个实施例中，填充物的上表面216可以比第二钝化膜175的上表面上形成得高。为了形成呈图10所示形状的填充物215，可以通过使用喷墨方法在第二连接电极142上施加具有高粘度的导电材料。
143.由于整个圆化填充物215的形状，填充物的下表面217可以在第二连接电极142的上表面上形成阴影区域。这里，填充物的下表面217是指填充物215的宽度随着其下降而减小的部分的表面。
144.这与图4和图5的上述实施例中的类似，由于倒锥形接触孔的侧壁163的形状，在第二连接电极142的上表面上形成有阴影区域165。
145.因此，发光层172可以不形成在第二连接电极142的上表面的被填充物的下表面
217垂直叠盖的区域上，即，在阴影区域上。因此，由于填充物215，发光层172可以具有彼此分离的在第一钝化膜161上的部分和在填充物205上的部分177。
146.可以以覆盖发光层172的方式形成第二电极173。第二电极173可以覆盖被发光层172暴露的第二连接电极142的上表面。由此，第二电极173和发光层172可以彼此直接接触。可以在第二电极173和发光层172之间的接触表面上形成导电路径，并且可以降低接触区域210的电阻。
147.另外，第二电极173可以以与填充物的下表面217接触的延伸方式形成。如果填充物216包含导电材料，则可以在第二电极173和填充物的下表面217之间形成导电路径，并且可以降低接触区域210的电阻。
148.在数个实施例中，第二电极173可能没有完全填充在填充物的下表面217和第二连接电极142的上表面之间的空间，并且可能保留有空隙218。
149.总之，由于填充物215的形状，第二连接电极142和第二电极173可以彼此直接接触。替代地，第二电极173和填充物的下表面217彼此接触，并且通过接触表面，可以在第二电极173和第二连接电极142之间形成导电路径。
150.图11是根据本公开的另外数个实施例的显示面板340的截面视图。图12是对应于图11的接触区域210的部分的放大视图。
151.参考图11和图12，可以看出与接触区域210相对应的部分被配置为与上述实施例的不同。在下文中，将省略对共同部分的描述，并且将主要描述差异。
152.接触区域210可以包括第一孔h1和第二孔h2。具体地，以覆盖暴露在接触区域210内的第二连接电极142的中央部分的方式形成填充物221。填充物221用作堤的类型，并且可以将接触区域210划分为第一孔h1和第二孔h2。
153.填充物221可以包括与第一钝化膜161相同的材料。在形成第一钝化膜以覆盖第二连接电极142之后，形成穿透第一钝化膜的第一孔h1和第二孔h2，从而形成填充物221。
154.第二连接电极142上的发光层222、223的厚度t1可以与填充物221的上表面上的发光层的厚度t2不同。具体地，第二连接电极142上的发光层222、223的厚度t1可以小于填充物221的上表面上的发光层的厚度t2。
155.如上所述，由于用作堤的类型的填充物221，所以当通过沉积形成发光层172和第二电极173时，在第一孔h1和第二孔h2内部的发光层172的厚度和第二电极173的厚度小于在第一孔h1和第二孔h2外部的发光层172的厚度和第二电极173的厚度。即，填充物221用作遮盖膜。
156.在第一孔h1和第二孔h2中，第二电极173经由发光层172形成接触区域。这里，发光层172形成为比通常的厚度薄，使得可以降低第二电极173和第二连接电极142之间的发光层222、223的电阻。因此，可以降低接触区域210的电阻。
157.图13是来自根据本公开的另外数个实施例的显示面板的截面视图的接触区域210的放大视图。
158.参考图13，两个或更多个填充物231和232可以形成在接触区域210内部。接触区域210可以被填充物231和232划分为第一至第三孔h1至h3。
159.由于接触区域210被划分为第一至第三孔h1至h3，因此第一至第三孔h1至h3的下表面的面积可以小于图12所示的上述实施例中的第一和第二孔h1和h2的面积。
160.因此，当形成发光层172时，形成在第一至第三孔h1至h3的下表面处的发光层233、234、235具有小于发光层172的通常厚度的厚度。发光层172形成为比通常的厚度薄，使得可以降低第二电极173和第二连接电极142之间的发光层233、234、235的电阻。因此，可以降低接触区域210的电阻。
161.图14是根据本公开的另外数个实施例的显示面板350的截面视图。
162.参考图14，与上述实施例不同，接触区域210的下表面可以由电源线116的上表面限定。也就是说，当接触区域210形成为穿透第一钝化膜162、层间绝缘膜150和缓冲膜120时，电源线116的上表面被暴露，从而形成接触区域210。显然，可以在由连接至高电平电源电压elvdd或低电平电源电压elvss的电源线116的上表面限定的接触区域210内施加用于减小第二电极172和电源线116之间的电阻的图4至图13所示的配置。
163.本领域技术人员将理解，在不改变本公开的技术思想或基本特性的情况下，本公开可以以其他特定形式来体现。因此，应当理解，上述实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。本公开的范围的特征在于所附权利要求而不是上述的具体实施方式，并且应当解释为，从所附权利要求及其等同物的含义和范围得到的所有改变或修改都落入本公开的范围内。