技术特征：
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：硅基底、氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；所述氮化钛层设置在所述硅基底的一面，所述低功函数金属层设置在所述氮化钛层远离所述硅基底的一面，所述金属电极层设置在所述低功函数金属层远离所述氮化钛层的一面；其中，所述低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述低功函数金属包括：钙、镁、铝、钡、铯、锶、镱、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥和镧中的任意一种。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：氧化钛层和氧化硅层；所述氧化硅层设置在所述硅基底和所述氮化钛层之间，所述氧化钛层设置在所述氮化钛层和所述低功函数金属层之间；其中，所述氧化钛层和所述氧化硅层是在对所述氮化钛层进行氧化处理的过程中生成。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：硅化物层；所述硅化物层设置在所述硅基底与所述氮化钛层之间；所述硅化物层包括：二硅化钴、硅化铂和二硅化钛中的任意一种。5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底为n型硅基底。6.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属电极层包括：铝、铝/银、镍/铜、镍/铜/锡、铬/钯/银和镍/铜/银中的任意一种。7.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化钛层的厚度小于20纳米。8.一种太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述方法包括：在硅基底的一面制备氮化钛层；在所述氮化钛层远离所述硅基底的一面制备低功函数金属层；在所述低功函数金属层远离所述氮化钛层的一面制备金属电极层；其中，所述低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在硅基底的一面制备氮化钛层的步骤之后，所述方法还包括：对所述氮化钛层进行氧化处理，在所述氮化钛层与所述硅基底的中间生成氧化硅层，在所述氮化钛层远离所述硅基底的一面生成氧化钛层。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在硅基底的一面制备氮化钛层的步骤之前，所述方法还包括：在所述硅基底的一面制备金属层；对所述金属层进行退火处理，所述金属层与所述硅基底反应生成硅化物层；其中，所述金属层包括：钴、铂和钛中的任意一种。11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化处理包括：干式氧
化、湿式氧化和等离子体氧化中的任意一种。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述氧化处理为干式氧化的情况下，所述氧化处理的热处理温度为300-600摄氏度，所述氧化处理的氧化气氛包括氮气和氧气；在所述氧化处理为湿式氧化的情况下，所述氧化处理的热处理温度为300-600摄氏度，所述氧化处理的氧化气氛包括氮气和水；在所述氧化处理为等离子体氧化的情况下，所述氧化处理的热处理温度为25-300摄氏度。13.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求1-7中任一所述的太阳能电池。
技术总结
本发明提供一种太阳能电池及生产方法、光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底、氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离氮化钛层的一面；其中，低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性。本申请中，若作为载流子选择传输层的氮化钛层被氧化而生成氧化钛层，则低功函数金属层可以还原氧化钛层，从而提高氮化钛层的导电性，使得电子传输效率得到提升，降低了金属电极与氮化钛层之间的势垒高度，从而可以降低太阳能电池的接触电阻，提高太阳能电池的效率。高太阳能电池的效率。高太阳能电池的效率。
技术研发人员：刘继宇 李华
受保护的技术使用者：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
技术研发日：2020.12.23
技术公布日：2022/7/12