技术总结
本发明涉及一种量子点器件的制备方法及量子点器件。顶层控制电极结构与底层控制电极结构直接接触，形成电学相连，且等电位。通过调节顶层控制电极结构与底层控制电极结构在横向方向上尺寸的不同，可以实现在不影响量子点控制电极的调控面积情况下，增加了平行排布的控制电极之间的距离，进而降低了相邻控制电极间的电容，从而削弱了电容引入的串扰，大大降低了低温下的噪声和信号干扰，可以得到性能更佳的量子点器件。多个注入电极结构与多个势垒电极结构间隔制备于电介质结构的表面，彼此之间相互独立，不存在纵向方向上电介质层相互重叠的问题，避免了电介质层相互重叠导致的问题。题。题。
技术研发人员：张钦彤 裴天 陈剑豪
受保护的技术使用者：北京量子信息科学研究院
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2021/4/20