一种新型的LED芯片结构的制作方法

本实用新型涉及led芯片技术领域，具体为一种新型的led芯片结构。

背景技术：

led芯片在dbr蒸镀过程中因晶元片本身的翘曲等原因会造成有dbr溢镀到晶元正面的情况。该异常现有的做法是通过aoi光源进行卡控，然而由于受到led的pv覆盖层的影响，aoi的卡控精度往往不会很理想，为此，我们设计了一种新型的led芯片结构。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种新型的led芯片结构，解决不能有效地实现dbr溢镀的卡控，同时实现led背面颜色不均等异常的卡控的问题。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种新型的led芯片结构，包括晶圆片，所述晶圆片上包括mesa层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层和钝化层，所述钝化层由晶圆片从上到下依次由mesa层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层刻蚀而成，所述晶圆片上左右两侧对称设置有连接线，所述连接线还包括直线段和曲线段，所述直线段的上端和下端连接有曲线段，上端所述曲线段之间连接有圆形圈线，所述圆形圈线包括上外圈和上内圈，所述上外圈为透明导电层，所述上内圈为钝化层，所述晶圆片的中心部设置有直线槽，且直线槽位于两个连接线之间，所述直线槽包括内直线和椭圆线，所述内直线为金属电极层，所述椭圆线为电流阻挡层，所述金属电极层和电流阻挡层，所述直线槽的下端连接有圆形槽，所述圆形槽包括下内圈和下外圈，所述下内圈为电流阻挡层，所述下外圈为钝化层，所述晶圆片的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层。

前述的一种新型的led芯片结构，所述电流阻挡层膜厚在100-5000埃，所述电流阻挡层由mesa层经二氧化硅沉积而成。

前述的一种新型的led芯片结构，所述透明导电层由电流阻挡层经ito薄膜沉积而成。

前述的一种新型的led芯片结构，所述椭圆线设置有多个，且多个椭圆线沿着直线槽的内腔呈等间距分布。

前述的一种新型的led芯片结构，所述中间支撑装置包括连接杆，所述直线段的上端和下端连接有曲线段，上端两个所述曲线段向相对应的方向弯曲，下端两个所述曲线段向相反方向弯曲。

前述的一种新型的led芯片结构，上端两个所述曲线段与圆形圈线相连接，下端两个所述曲线段的弯曲弧度小于上端曲线段的弧度。

前述的一种新型的led芯片结构，所述钝化层的膜厚在300-2000埃。

前述的一种新型的led芯片结构，所述晶圆片的四个角或四个边任意区域设置的钝化层为任意一种几何形状。

前述的一种新型的led芯片结构，所述直线槽位于两个直线段之间。

前述的一种新型的led芯片结构，所述直线槽的底部连接有弧形轮廓线，所述弧形轮廓线的弧度与圆形槽的下外圈的弧度相同，且弧形轮廓线位于下外圈的外侧。

本实用新型的有益效果为：通过在切割道区域的pv（钝化层）开图，取消pv（钝化层）对切割道的全部覆盖。aoi再针pv未覆盖的区域进行参数优化调整，通过色阶的差异进行卡控。有dbr溢镀的芯粒，pv（钝化层）未覆盖的地方aoi色阶会较低，没有dbr溢镀的pv未覆盖区域aoi色阶会较高，通过这种aoi色阶的差异可以有效地实现dbr溢镀以及led背面颜色异常的卡控，能够精确的卡控dbr溢镀，可以避开pv层（钝化层）厚度不均造成的卡控干扰，同时由于该设计的局部是没有pv层（钝化层）的，这对于背面的颜色不均异常也能有效地卡控。从而解决led背面颜色异常漏卡的现象，以及解决因为dbr溢镀造成led焊线不良的情况，解决不能有效地实现dbr溢镀的卡控，同时实现led背面颜色不均等异常的卡控的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图。

图中：1、晶圆片，2、晶圆片，3、透明导电层，4、金属电极层，5、钝化层，6、连接线，7、圆形圈线，8、椭圆线，9、直线槽，10、圆形槽，11、mesa层。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参看图1-2：一种新型的led芯片结构，包括晶圆片1，晶圆片1上包括mesa层11、电流阻挡层2、透明导电层3、金属电极层4和钝化层5，钝化层5由晶圆片1从上到下依次由mesa层11、电流阻挡层2、透明导电层3和金属电极层4刻蚀而成，晶圆片1上左右两侧对称设置有连接线6，连接线6还包括直线段和曲线段，直线段的上端和下端连接有曲线段，上端两个曲线段与圆形圈线7相连接，下端两个曲线段的弯曲弧度小于上端曲线段的弧度，上端曲线段之间连接有圆形圈线7，圆形圈线7包括上外圈和上内圈，上外圈为透明导电层3，上内圈为钝化层5，晶圆片1的中心部设置有直线槽9，且直线槽9位于两个连接线6之间，直线槽9包括内直线和椭圆线8，内直线为金属电极层4，椭圆线8为电流阻挡层2，金属电极层4和电流阻挡层2，直线槽9的下端连接有圆形槽10，圆形槽10包括下内圈和下外圈，直线槽9的底部连接有弧形轮廓线，弧形轮廓线的弧度与圆形槽10的下外圈的弧度相同，且弧形轮廓线位于下外圈的外侧，下内圈为电流阻挡层2，下外圈为钝化层5，晶圆片1的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层5，晶圆片1的四个角或四个边任意区域设置的钝化层5为任意一种几何形状。

电流阻挡层2由mesa层11做完后，对晶圆进行二氧化硅沉积，电流阻挡层2的膜厚在2000-5000埃之间，然后通过涂布光刻胶通过曝光显影和湿法腐蚀出所需要的电流阻挡层2。

透明导电层3在做完电流阻挡层2后，再进行ito薄膜沉积，rta（快速退火）处理，得到高质量的ito膜层，然后进行涂布光刻胶通过曝光显影和湿法腐蚀出所需要的透明导电层3。

金属电极层4，在透明导电层3的基础上，通过对晶圆进行涂布光刻胶通过曝光显影和电子束蒸镀金属得到所需要的金属电极层4。

钝化层5（pv层），金属电极层4做完后，对晶圆进行二氧化硅沉积，钝化层5的膜厚在300到2000埃之间，然后通过涂布光刻胶通过曝光显影和湿法腐蚀出所需要的钝化层5。

综上，本实用新型在使用时，通过对晶圆片1的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层5，通过在切割道区域的pv（钝化层）开图，取消pv（钝化层）对切割道的全部覆盖。aoi再针对pv（钝化层）未覆盖的区域进行参数优化调整，通过色阶的差异进行卡控。有dbr溢镀的芯粒，pv（钝化层）未覆盖的地方aoi色阶会较低，没有dbr溢镀的pv（钝化层）未覆盖区域aoi色阶会较高，通过这种aoi色阶的差异可以有效地实现dbr溢镀以及led背面颜色异常的卡控，能够精确的卡控dbr溢镀，可以避开pv层（钝化层）厚度不均造成的卡控干扰，同时由于该设计的局部是没有pv层（钝化层）的，这对于背面的颜色不均异常也能有效地卡控。从而解决led背面颜色异常漏卡的现象，以及解决因为dbr溢镀造成led焊线不良的情况，解决不能有效地实现dbr溢镀的卡控，同时实现led背面颜色不均等异常的卡控的问题。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。