基板处理装置的制作方法

[0001]
本实用新型涉及一种基板处理装置。


背景技术：

[0002]
以往，在半导体制造工序中，对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行使用了化学溶液的湿蚀刻。
[0003]
在专利文献1中公开有一边对基板的周缘部进行加热一边进行湿蚀刻的技术。
[0004]
现有技术文献
[0005]
专利文献
[0006]
专利文献1：日本特开2011-54932号公报


技术实现要素：

[0007]
实用新型要解决的问题
[0008]
本实用新型提供一种能够效率良好地加热基板的下表面周缘部的技术。
[0009]
用于解决问题的方案
[0010]
本实用新型的一技术方案是基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备热源、流体导入部、流体喷出部、以及多个翅片。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。
[0011]
优选的是，所述多个翅片以在高度方向上隔开间隔的方式排列配置。
[0012]
优选的是，所述多个翅片以在所述周向上隔开间隔的方式排列配置。
[0013]
优选的是，所述热源具有在所述高度方向上延伸的发热体。
[0014]
优选的是，所述多个翅片配置于所述热源的外侧。
[0015]
优选的是，该基板处理装置还具备配置到所述保持部的外侧且是所述多个翅片和所述热源的内侧的绝热材料。
[0016]
优选的是，所述流体喷出部具备：流入口，其配置于比所述基板的周缘部靠内侧的位置，通过所述多个翅片而被加热了的所述流体流入该流入口；喷出口，其配置于比所述流入口靠外侧的位置，朝向所述基板的下表面开口；以及流路，其连通所述流入口和所述喷出口。
[0017]
优选的是，所述加热机构具备：第1主体部，其形成有所述多个翅片；和第2主体部，其与所述第1主体部是分体的，形成有所述流体喷出部，所述第1主体部由导热系数比所述第2主体部的导热系数高的材料形成，所述第2主体部由耐化学试剂性比所述第1主体部的耐化学试剂性高的材料形成。
[0018]
优选的是，所述加热机构的至少与所述基板的下表面相对的面被具有耐化学试剂性的材料涂敷。
[0019]
优选的是，该基板处理装置具备向所述基板的下表面周缘部喷出化学溶液的喷嘴。
[0020]
优选的是，所述保持部具备多个第1迷宫构件，该多个第1迷宫构件在所述周向上延伸，相互隔开间隔地配置，所述加热机构具备多个第2迷宫构件，该多个第2迷宫构件在所述周向上延伸，与所述多个第1迷宫构件交替地配置。
[0021]
实用新型的效果
[0022]
根据本实用新型，能够效率良好地加热基板的下表面周缘部。
附图说明
[0023]
图1是表示实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
[0024]
图2是表示实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
[0025]
图3是实施方式的加热机构的示意剖视图。
[0026]
图4是实施方式的加热机构的示意立体图。
[0027]
图5是实施方式的加热机构的示意侧视图。
[0028]
图6是实施方式的加热机构的示意俯视图。
[0029]
图7是实施方式的加热机构的示意仰视图。
[0030]
图8是第1变形例的加热机构的示意剖视图。
[0031]
图9是第2变形例的加热机构的示意俯视剖视图。
[0032]
图10是第2变形例的加热机构所具备的翅片的示意立体图。
具体实施方式
[0033]
以下，一边参照附图，一边详细地说明用于实施本实用新型的基板处理装置的方式(以下，记载为“实施方式”)。此外，本实用新型的基板处理装置并不被该实施方式限定。另外，各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0034]
另外，在以下参照的各附图中，为了容易理解说明，存在表示如下正交坐标系的情况：规定相互正交的x轴方向、y轴方向以及z轴方向，将z轴正方向设为铅垂朝上方向。另外，存在将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称为θ方向的情况。
[0035]
＜基板处理装置的整体结构＞
[0036]
首先，参照图1和图2而对实施方式的基板处理装置的结构进行说明。图1和图2是表示实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
[0037]
如图1和图2所示，实施方式的基板处理装置1具备处理容器10、保持部20、加热机构30、下表面供给部40、下方杯50、外侧杯60、以及上表面供给部70。
[0038]
处理容器10收纳保持部20、加热机构30、下表面供给部40、下方杯50、外侧杯60以及上表面供给部70。
[0039]
保持部20以晶圆w能够旋转的方式保持该晶圆w。具体而言，保持部20具备真空吸盘21、轴部22、以及驱动部23。真空吸盘21通过抽真空来吸附保持晶圆w。真空吸盘21相比晶圆w小径，吸附保持晶圆w的下表面中央部。轴部22在顶端部处水平地支承真空吸盘21。驱动部23与轴部22的基端部连接，使轴部22绕铅垂轴线旋转。
[0040]
加热机构30配置于晶圆w的下方且是保持部20的外侧。具体而言，加热机构30配置于保持部20与下方杯50之间。
[0041]
加热机构30向保持到保持部20的晶圆w的下表面供给加热后的流体，从而加热晶圆w的下表面周缘部。具体而言，加热机构30具备在晶圆w的周向上排列配置的多个喷出口35b，从这多个喷出口35b向晶圆w的下表面供给加热后的流体。
[0042]
此外，晶圆w的下表面周缘部是从晶圆w的端面起例如宽度1mm～5mm长度的环状的区域。
[0043]
下表面供给部40向晶圆w的下表面周缘部供给化学溶液，从而蚀刻晶圆w的下表面周缘部。由此，能够去除例如在晶圆w的下表面周缘部形成的膜，或清洗晶圆w的下表面周缘部。
[0044]
如图2所示，下表面供给部40具备下表面喷嘴41、配管42、阀43、流量调整器44、以及化学溶液供给源45。下表面喷嘴41配置于晶圆w的下方，朝向晶圆w的下表面周缘部朝上喷出化学溶液。配管42连接下表面喷嘴41和化学溶液供给源45。阀43设置于配管42的中途部，使配管42开闭。流量调整器44设置于配管42的中途部，调整在配管42流动的化学溶液的流量。化学溶液供给源45例如是积存化学溶液的罐。
[0045]
作为化学溶液，能够使用例如氢氟酸(hf)、稀氢氟酸(dhf)、氟硝酸等。氟硝酸是氢氟酸(hf)和硝酸(hno3)的混合液。
[0046]
此外，下表面供给部40也可以具备使下表面喷嘴41在水平方向上移动的移动机构。在该情况下，下表面供给部40能够使下表面喷嘴41在晶圆w的下方的处理位置与晶圆w的外侧的退避位置之间移动。
[0047]
下方杯50是在晶圆w的下方配置于加热机构30的外侧的圆环状的构件。下方杯50由例如ptfe(聚四氟乙烯)、pfa(全氟烷氧基树脂)等氟树脂等耐化学试剂性较高的构件形成。
[0048]
外侧杯60是以包围晶圆w的方式设置的环状的构件，接住从晶圆w飞散的化学溶液等。在外侧杯60的底部形成有排液口61。由外侧杯60接住了的化学溶液等在积存到由外侧杯60和下方杯50形成的空间之后，从排液口61向基板处理装置1的外部排出。
[0049]
上表面供给部70具备上表面喷嘴71、臂72、以及移动机构73。上表面喷嘴71在比晶圆w靠上方的位置以使喷出口朝下的状态配置，向晶圆w的上表面喷出化学溶液或冲洗液。作为冲洗液，使用例如diw(脱离子水)。臂72在水平方向上延伸，在顶端部处支承上表面喷嘴71。移动机构73与臂72的基端部连接，使臂72沿着例如水平方向(在此，x轴方向)移动。由此，能够使上表面喷嘴71在晶圆w的上方的处理位置与晶圆w的外侧的退避位置之间移动。
[0050]
另外，如图1所示，实施方式的基板处理装置1具备控制装置100。控制装置100是例如计算机，具备控制部101和存储部102。存储部102由例如ram、闪存(flash memory)等半导体存储器元件、或硬盘、光盘等存储装置实现，存储对在基板处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部101包括具有cpu(中央处理单元：central processing unit)、rom(只读存储器：read only memory)、ram(随机存取存储器：random access memory)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路，通过读出并执行被存储到存储部102的程序，控制基板处理装置1的动作。
[0051]
此外，也可以是，该程序记录到能够由计算机读取的存储介质，从该存储介质加载
到控制装置100的存储部102。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
[0052]
＜加热机构的结构＞
[0053]
接着，参照图3～图7而对加热机构30的结构进行说明。图3是实施方式的加热机构30的示意剖视图。另外，图4是实施方式的加热机构30的示意立体图，图5是实施方式的加热机构30的示意侧视图。另外，图6是实施方式的加热机构30的示意俯视图，图7是实施方式的加热机构30的示意仰视图。
[0054]
如图3所示，加热机构30具备主体部31、多个翅片32、热源33、流体导入部34、以及流体喷出部35。另外，加热机构30具备绝热材料36和多个第2迷宫构件37。
[0055]
(主体部31)
[0056]
主体部31由例如铝等导热系数较高的材料形成。主体部31具有圆环形状(参照图4)，配置于保持部20与下方杯50之间。
[0057]
在主体部31的上部形成有朝向主体部31的径向外侧延伸的圆环状的第1凸缘部31a。在第1凸缘部31a的上表面开口有多个喷出口35b(参照图4和图6)。另外，在第1凸缘部31a设置有从第1凸缘部31a的端部朝向径向内侧局部切除而成的缺口部31b。在缺口部31b配置有下表面喷嘴41(参照图1)。
[0058]
另外，在主体部31的内周部形成有朝向主体部31的径向内侧(即，保持部20)延伸的圆环状的第2凸缘部31c。在第2凸缘部31c的上表面形成有多个第2迷宫构件37。
[0059]
另外，如图3所示，主体部31在外周部具有多个密封构件31d，夹着多个密封构件31d与下方杯50抵接。多个密封构件31d是例如o形密封圈，分别逐个设置于比随后论述的多个翅片32靠上方和下方的位置。
[0060]
此外，在主体部31的至少上表面、换言之至少与晶圆w的下表面相对的面也可以例如被具有耐化学试剂性的材料涂敷。作为具有耐化学试剂性的材料，能够使用例如ptfe、pfa等氟树脂。如此，通过利用耐化学试剂性较高的材料涂敷可能附着化学溶液的部位，能够提高加热效率，同时抑制化学溶液对主体部31的腐蚀等。
[0061]
(翅片32)
[0062]
多个翅片32在晶圆w的下方且是保持部20的外侧沿着晶圆w的周向配置。具体而言，多个翅片32形成于主体部31的外周部。另外，多个翅片32配置于比晶圆w的周缘部靠径向内侧的位置。
[0063]
多个翅片32分别沿着主体部31的周向(即，晶圆w的周向)延伸(参照图4和图5)。另外，多个翅片32以在高度方向上隔开间隔的方式排列配置(参照图3和图5)。由此，在沿着高度方向相邻的翅片32彼此之间形成有沿着主体部31的周向延伸的流路部32a。另外，多个翅片32以在周向上相互隔开间隔的方式排列配置。由此，在沿着周向相邻的翅片32彼此之间形成有沿着铅垂方向延伸的流路部32b。
[0064]
(热源33)
[0065]
热源33配置于多个翅片32的附近，加热多个翅片32。热源33具有沿着多个翅片32的层叠方向(z轴方向)延伸的多个发热体33a。发热体33a是例如由金属制的管覆盖镍铬合金线而成的棒状的构件，从主体部31的下方插入主体部31的内部。
[0066]
如图3所示，在插入到主体部31内的状态下，发热体33a向比多个翅片32中的配置
到最上层的翅片32靠上方的位置延伸，且向比配置到最下层的翅片32靠下方的位置延伸。另外，如图7所示，多个发热体33a以沿着主体部31的周向相互隔开间隔的方式排列配置。
[0067]
如此，通过沿着主体部31的周向排列配置有沿着多个翅片32的层叠方向延伸的多个发热体33a，能够均等地加热多个翅片32。
[0068]
另外，多个发热体33a配置于比多个翅片32靠主体部31的径向内侧的位置。换言之，多个翅片32配置于比多个发热体33a靠主体部31的径向外侧的位置。如此，通过将多个翅片32配置于比主体部31的更外周侧，与将多个翅片32配置到主体部31的内周侧的情况相比，能够使多个翅片32的表面积更大。因而，例如不使主体部31大型化，就能够提高晶圆w的下表面周缘部的加热效率。
[0069]
(流体导入部34)
[0070]
流体导入部34具备多个导入口34a、配管34b、阀34c、流量调整器34d、以及流体供给源34e。
[0071]
如图7所示，多个导入口34a在主体部31的下表面开口，以沿着主体部31的周向相互隔开间隔的方式排列配置。其中，表示了形成有3个导入口34a的情况的例子，但导入口34a的数量并不限定于3个。流体导入部34具有至少1个导入口34a即可。
[0072]
配管34b连接多个导入口34a和流体供给源34e。阀34c设置于配管34b的中途部，使配管34b开闭。流量调整器34d设置于配管34b的中途部，调整在配管34b流动的流体的流量。流体供给源34e例如是积存流体的罐。在实施方式中，流体供给源34e积存常温的n2气体。
[0073]
流体导入部34如上述那样构成，积存到流体供给源34e的常温的n2气体经由配管34b向多个导入口34a供给，从多个导入口34a朝向最下层的翅片32的下表面喷出(参照图3)。
[0074]
(流体喷出部35)
[0075]
流体喷出部35具备多个流入口35a、多个喷出口35b、以及多个流路35c。
[0076]
多个流入口35a配置于比晶圆w的周缘部靠径向内侧的位置，通过多个翅片32而被加热了的流体流入向该多个流入口35a流入。
[0077]
具体而言，多个流入口35a在与多个翅片32中的配置到最上层的翅片32相对的面开口，以沿着主体部31的周向相互隔开间隔的方式排列配置。
[0078]
多个喷出口35b形成于主体部31的第1凸缘部31a的上表面，以沿着主体部31的周向相互隔开间隔的方式排列配置(参照图4和图6)。流路35c连通流入口35a和喷出口35b。
[0079]
如图3所示，多个喷出口35b形成于比多个导入口34a靠主体部31的径向外侧的位置。即，在晶圆w的径向上，多个喷出口35b配置于比多个流入口35a更接近晶圆w的下表面周缘部的位置。
[0080]
(绝热材料36)
[0081]
绝热材料36配置于比保持部20靠外侧且比多个翅片32和热源33靠内侧的位置。具体而言，绝热材料36设置于主体部31的内周面和第2凸缘部31c的下表面。此外，绝热材料36也可以设置于第2凸缘部31c内。通过如此设置绝热材料36，能够抑制从由热源33加热后的主体部31发出的热向保持部20传递。
[0082]
(第2迷宫构件37)
[0083]
多个第2迷宫构件37具有圆环形状，相互隔开间隔地配置成同心圆状(参照图4和
图6)。
[0084]
在真空吸盘21的下表面形成有多个第1迷宫构件25。多个第1迷宫构件25具有圆环形状，相互隔开间隔地配置成同心圆状。
[0085]
多个第2迷宫构件37在高度方向上与多个第1迷宫构件25重叠，且交替地配置。
[0086]
若保持部20和晶圆w旋转，则由于由旋转形成的回转流，冷的(未加热的)空气经由真空吸盘21与主体部31之间的间隙而进入晶圆w与主体部31之间的间隙，从而加热机构30的加热效率有可能降低。
[0087]
相对于此，实施方式的基板处理装置1在保持部20与主体部31之间的间隙设置有由多个第1迷宫构件25和多个第2迷宫构件37形成的迷宫构造。通过在该位置设置迷宫构造，冷的(未加热的)空气难以进入晶圆w与主体部31之间的间隙，因此，能够抑制加热机构30的加热效率降低。
[0088]
(加热机构30的动作)
[0089]
如图3所示，加热机构30和下方杯50夹着设置到加热机构30的外周部的环状的密封构件31d抵接。环状的密封构件31d分别设置于多个翅片32的上方和下方。因此，多个翅片32成为配置到由加热机构30、下方杯50以及上下的密封构件31d包围的空间(以下，记载为“加热空间”)内的状态。
[0090]
在加热机构30中，首先，主体部31被热源33加热。主体部31被加热，从而在主体部31形成的多个翅片32被加热。
[0091]
接下来，常温的n2气体从导入口34a朝向多个翅片32中的最下层的翅片32的下表面喷出。如此，在加热机构30中，从加热空间的下方供给常温的n2气体。
[0092]
供给到加热空间的常温的n2气体被配置到加热空间的多个翅片32加热。此时，n2气体在作为沿着高度方向相邻的翅片32之间的间隙的流路部32a和作为沿着周向相邻的翅片32之间的间隙的流路部32b通过，从而向加热空间没有遗漏地扩散。如此，通过使n2气体向加热空间没有遗漏地扩散，能够效率良好地进行多个翅片32对n2气体的加热。
[0093]
另外，作为加热空间的入口的导入口34a形成于加热空间的下方，作为加热空间的出口的流入口35a形成于加热空间的上方。因此，在加热空间中形成有从下方朝向上方的n2气体的流动。由此，能够使导入到加热空间的n2气体更可靠地接触沿着高度方向排列起来的多个翅片32。由此，也能够效率良好地进行多个翅片32对n2气体的加热。
[0094]
另外，如上所述，加热空间被下方杯50和密封构件31d密闭，因此，抑制加热后的n2气体从除了流入口35a以外的部位漏出。由此，能够效率良好地进行多个翅片32对n2气体的加热。
[0095]
另外，下方杯50由氟树脂等耐化学试剂性较高的构件形成，因此，与主体部31比较，导热系数较低。因而，下方杯50也作为加热空间的绝热材料发挥功能。因而，不另外设置绝热材料，就能够抑制来自加热空间的散热。
[0096]
流入到流入口35a的加热后的n2气体(以下，记载为“热n2气体”。)经由流路35c从喷出口35b朝向晶圆w的下表面喷出。由此，通过向晶圆w的下表面周缘部供给热n2气体，晶圆w的下表面周缘部被加热。加热晶圆w的下表面周缘部，同时从下表面喷嘴41向晶圆w的下表面周缘部供给化学溶液，从而能够以短时间完成化学溶液对晶圆w的下表面周缘部的蚀刻处理。
[0097]
喷出口35b配置于比流入口35a靠晶圆w的径向外侧的位置。如此，通过在晶圆w的径向上将喷出口35b配置于比流入口35a更靠近晶圆w的下表面周缘部的位置，能够尽可能减少加热后的n2气体到达晶圆w的下表面周缘部之前的热损失。因而，能够更高效地加热晶圆w的下表面周缘部。
[0098]
如此，根据实施方式的加热机构30，能够效率良好地加热晶圆w的下表面周缘部。
[0099]
近年来，随着基板的薄型化、大径化，易于在基板产生翘曲，为了矫正该基板的翘曲而成为平坦的状态，进行真空吸盘的大径化。另外，近年来，存在欲在更大的范围内蚀刻基板的下表面周缘部这样的要求，与此相伴，存在下表面喷嘴与以往相比配置于基板的更内侧的倾向。根据这样的状况，存在配置于保持部与下表面喷嘴之间的加热机构的设置空间狭小化的倾向。
[0100]
相对于此，根据实施方式的加热机构30，能够效率良好地加热晶圆w的下表面周缘部，因此，能够使主体部31小型化，能够容易地将主体部31设置于狭小空间。
[0101]
(变形例)
[0102]
图8是第1变形例的加热机构的示意剖视图。如图8所示，第1变形例的加热机构30a具备主体部31a。主体部31a具有与上述实施方式的主体部31的形状同样的形状。
[0103]
第1变形例的主体部31a被分割成形成有多个翅片32的第1主体部31a1和形成有流体喷出部35a的第2主体部31a2。第1主体部31a1具有圆筒形状，在外周部形成有多个翅片32。另外，第2主体部31a2具有相比第1主体部31a1大径且薄型的圆筒形状，通过第2主体部31a2安装于第1主体部31a1的上部，形成与主体部31的形状相同的形状的主体部31a。
[0104]
第1变形例的流体喷出部35a具有在第1主体部31a1形成的第1流路35c1和在第2主体部31a2形成的第2流路35c2。第1流路35c1是沿着铅垂方向延伸的直线状的流路。第1流路35c1和第2流路35c2通过第2主体部31a2被组装于第1主体部31a1而相互连接，成为与上述实施方式的流路35c的形状相同的形状的流路。
[0105]
如此，主体部31a构成为，能够分割成形成有多个翅片32的第1主体部31a1和形成有流体喷出部35a的第2主体部31a2。通过构成为能够分割，例如在第1主体部31a1仅形成有第1流路35c1和第2流路35c2中的直线状的第1流路35c1即可，因此，第1主体部31a1的制造变得容易。
[0106]
另外，通过将主体部31a构成为能够分割成第1主体部31a1和第2主体部31a2，第1主体部31a1和第2主体部31a2能够由不同的材料形成。
[0107]
例如，也可以是，第1主体部31a1由导热系数比第2主体部31a2的导热系数高的材料形成，第2主体部31a2由耐化学试剂性比第1主体部31a1的耐化学试剂性高的材料形成。在该情况下，第1主体部31a1由例如铝等金属形成，第2主体部31a2由例如ptfe、pfa等氟树脂形成。
[0108]
通过如此构成，例如，能够提高加热效率，同时抑制化学溶液对主体部31a的腐蚀等。
[0109]
另外，通过第2主体部31a2由导热系数比第1主体部31a1的导热系数低的材料形成，能够使热n2气体在第1流路35c1流通之际的热损失减少。因而，能够提高晶圆w的下表面周缘部的加热效率。
[0110]
在上述实施方式中，对各翅片32具有沿着周向延伸的形状的情况的例子进行了说
明，各翅片32也可以沿着高度方向延伸。
[0111]
图9是第2变形例的加热机构的示意俯视图。另外，图10是第2变形例的加热机构所具备的翅片的示意立体图。
[0112]
如图9和图10所示，第2变形例的加热机构30b具备沿着高度方向延伸的多个翅片32b。多个翅片32b形成于加热机构30b的主体部31b的外周部，以在周向上隔开间隔的方式排列配置。
[0113]
如图10所示，在各翅片32b以在高度方向上隔开间隔的方式排列配置有多个流路部321，该流路部321是使翅片32b从外缘部朝向内侧凹陷而成的。如此，通过针对翅片32b形成有多个流路部321，能够使n2气体向加热空间没有遗漏地扩散。
[0114]
在上述实施方式中，对如下情况的例子进行了说明：基板处理装置1具备圆环状的主体部31，多个翅片32配置成圆环状。不过，主体部31和多个翅片32沿着晶圆w的周向配置即可，未必需要呈圆环状。例如加热机构的主体部也可以形成为俯视圆弧状，在该情况下，多个翅片也可以呈圆弧状配置于圆弧状的主体部的外周部或内周部。
[0115]
在上述实施方式中，对如下情况的例子进行了说明：基板处理装置1具备下表面喷嘴41，通过从下表面喷嘴41向晶圆w的下表面周缘部供给化学溶液，蚀刻晶圆w的下表面周缘部。但并不限于此，基板处理装置1也可以使用例如加热机构30、30a、30b加热晶圆w的下表面周缘部，同时使用上表面喷嘴71向晶圆w的上表面周缘部供给化学溶液，从而蚀刻晶圆w上表面的周缘部。另外，基板处理装置1也可以使用加热机构30、30a、30b加热晶圆w的下表面周缘部，同时使用上表面喷嘴71向晶圆w的上表面中央部供给化学溶液。由此，能够抑制晶圆w的外周部处的化学溶液的温度降低，因此，能够抑制蚀刻处理的面内均匀性的降低。
[0116]
在上述实施方式中，对从流体导入部34供给常温的n2气体的情况的例子进行了说明，但从流体导入部34供给的流体也可以是除了n2气体以外的非活性气体(例如氩气)。另外，从流体导入部34供给的流体并不限于非活性气体，也可以是干燥空气等空气、其他气体。另外，从流体导入部34供给的流体既可以是水蒸气等蒸气，也可以是水等液体。
[0117]
如上述这样，实施方式的基板处理装置(作为一个例子，基板处理装置1)具备保持部(作为一个例子，保持部20)和加热机构(作为一个例子，加热机构30、30a、30b)。保持部以基板(作为一个例子，晶圆w)能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向保持到保持部的基板的下表面供给加热后的流体(作为一个例子，热n2气体)。另外，加热机构具备多个翅片(作为一个例子，多个翅片32)、热源(作为一个例子，热源33)、流体导入部(作为一个例子，流体导入部34)、以及流体喷出部(作为一个例子，流体喷出部35、35a)。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体(作为一个例子，常温的n2气体)。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。
[0118]
通过在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置多个翅片，能够向基板的下表面周缘部效率良好地供给由多个翅片加热后的流体。因而，能够使基板的下表面周缘部的加热效率提高。另外，能够效率良好地加热基板的下表面周缘部，因此，能够使加热机构小型化，能够容易地将加热机构设置于狭小空间。
[0119]
多个翅片也可以以在高度方向上隔开间隔的方式排列配置。由此，与例如沿着基板的径向排列配置有多个翅片的情况相比较，能够将加热机构的在基板的径向上的尺寸抑
制得较小。因而，即使在加热机构的设置空间在基板的径向上狭小的情况下，也能够容易地将加热机构设置于该狭小空间。
[0120]
多个翅片也可以以在周向上隔开间隔的方式排列配置。通过如此配置，能够在沿着周向相邻的翅片之间形成沿着高度方向的流路(作为一个例子，流路部32b)。通过流体沿着该流路部32b流动，流体没有遗漏地与沿着周向排列起来的多个翅片接触。因此，能够效率良好地加热流体，能够使基板的下表面周缘部的加热效率进一步提高。
[0121]
热源也可以具有在高度方向上延伸的发热体(作为一个例子，发热体33a)。由此，能够均等地加热沿着高度方向排列起来的多个翅片。
[0122]
多个翅片也可以配置于比热源靠外侧的位置。通过将多个翅片配置于比热源靠外侧的位置，与将多个翅片配置到比热源靠内侧的位置的情况相比，能够增大多个翅片的表面积。因而，不使例如加热机构大型化，就能够使基板的下表面周缘部的加热效率提高。
[0123]
也可以是，实施方式的基板处理装置还具备配置到比保持部靠外侧且比多个翅片和热源靠内侧的位置的绝热材料(作为一个例子，绝热材料36)。由此，能够抑制从加热机构发出的热向保持部传递。
[0124]
流体喷出部也可以具备流入口(作为一个例子，流入口35a)、喷出口(作为一个例子，喷出口35b)、以及流路(作为一个例子，流路35c)。流入口配置于比基板的周缘部靠内侧的位置，通过多个翅片而被加热了的流体向该流入口流入。喷出口配置于比流入口靠外侧的位置，朝向基板的下表面开口。流路连通流入口和喷出口。
[0125]
如此，通过在基板的径向上将喷出口配置于比流入口更靠近基板的下表面周缘部的位置，能够尽可能减少加热后的流体到达基板的下表面周缘部之前的热损失。因而，能够更高效地加热基板的下表面周缘部。
[0126]
加热机构(作为一个例子，主体部31a)也可以具备：第1主体部(作为一个例子，第1主体部31a1)，其形成有多个翅片；和第2主体部(作为一个例子，第2主体部31a2)，其与第1主体部是分体的，形成有流体喷出部(作为一个例子，流体喷出部35a)。在该情况下，第1主体部也可以由导热系数比第2主体部的导热系数高的材料形成，第2主体部也可以由耐化学试剂性比第1主体部的耐化学试剂性高的材料形成。由此，能够提高加热效率，同时抑制化学溶液对加热机构的腐蚀等。
[0127]
也可以是，加热机构(作为一个例子，主体部31)的至少与基板的下表面相对的面被具有耐化学试剂性的材料涂敷。通过以耐化学试剂性的较高的材料涂敷有可能附着化学溶液的部位，从而能够提高加热效率，同时抑制化学溶液对加热机构的腐蚀等。
[0128]
实施方式的基板处理装置也可以具备向基板的下表面周缘部喷出化学溶液的喷嘴(作为一个例子，下表面喷嘴41)。利用加热机构加热基板的下表面周缘部，同时从喷嘴向基板的下表面周缘部供给化学溶液，从而能够以短时间完成化学溶液对基板的下表面周缘部的蚀刻处理。
[0129]
保持部也可以具备多个第1迷宫构件(作为一个例子，第1迷宫构件25)，该多个第1迷宫构件在周向上延伸，相互隔开间隔地配置。在该情况下，加热机构也可以具备多个第2迷宫构件(作为一个例子，第2迷宫构件37)，该第2迷宫构件在周向上延伸，与多个第1迷宫构件交替地配置。
[0130]
通过在保持部与加热机构之间的间隙设置迷宫构造，冷的(未加热的)空气难以进
入基板与加热机构之间的间隙，因此，能够抑制加热机构的加热效率降低。
[0131]
应该认为此次所公开的实施方式在全部的点都是例示，并非限制性的。实际上，上述实施方式能以多样的方式具体化。另外，上述实施方式也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨，而以各种方式进行省略、置换、变更。