显示屏和显示设备的制作方法

[0001]
本实用新型涉及显示设备领域，特别是涉及显示屏、显示设备。


背景技术：

[0002]
随着信息传输速率的几何式增长，显示设备的需求也随着手机、平板电脑等电子设备的普及而增加。传统显示设备的制作中，tft及其电路直接制作于基板上，这就导致在生产/搬送/检查/使用过程，受环境/设备/材料/人员等接触/非接触影响，如贴合，触摸，搬送摩擦产生静电等，容易发生静电击伤，同时在使用过程显示屏可能受电磁干扰，影响显示质量。


技术实现要素：

[0003]
本实用新型提供一种显示屏，在显示屏的tft阵列层和基板底衬之间设有屏蔽层，该屏蔽层对tft阵列层起到电磁保护的作用。
[0004]
本实用新型提供一种显示屏，包括基板底衬和依次层叠设置在所述基板底衬上的屏蔽层、tft阵列层和显示层，所述屏蔽层用于屏蔽所述基板底衬上的静电荷对所述tft阵列层的影响。屏蔽层的设计避免了tft阵列层直接与基板底衬直接设置，防止其被静电击伤。
[0005]
在一个实施例中，所述屏蔽层与所述tft阵列层中的共通电极电连接。通过将屏蔽层与tft阵列层中的共通电极电连接，一方面使得屏蔽层内聚集的电荷向外传输，防止由于静电荷集聚造成对tft阵列层的静电击伤，另一方面还可以改善共通电极的电压降。
[0006]
在一个实施例中，所述屏蔽层与所述显示层的阴极电连接，用于调节所述阴极的电压降。通过屏蔽层与显示层的阴极电连接，从而调整显示层阴极的电压降，从而确保显示层中载流子的注入传导。
[0007]
在一个实施例中，所述显示屏还包括封装层，所述封装层盖设于所述显示层上方与所述基板底衬形成一个封装空间，所述封装空间用于容置所述屏蔽层、所述tft阵列层和所述显示层。封装层的设计在于对其封装空间内部的部件进行保护，避免外部水汽等其他异物进入到封装空间内部。
[0008]
在一个实施例中，所述基板底衬包括显示区，所述封装层盖设于所述显示区上方，所述tft阵列层位于所述显示区内，所述屏蔽层覆盖所述显示区。屏蔽层对显示区进行覆盖，隔绝基板底衬对tft阵列层之间的接触，避免静电荷的产生和击伤。
[0009]
在一个实施例中，所述基板底衬还包括接线区，所述tft阵列层的电路和所述屏蔽层延伸至所述接线区。tft阵列层的电路和外部控制电路连接，在接线区处同样设置屏蔽层在于降低基本底衬上电荷对接线区处的电路的影响。
[0010]
在一个实施例中，所述屏蔽层为一整层连续面。屏蔽层采用整层连续面结构，形成对显示区的全覆盖，彻底隔绝基板底衬对tft阵列层之间的接触，避免静电荷的产生和击伤。
[0011]
在一个实施例中，所述屏蔽层设有多个镂空孔。屏蔽层为带有镂空孔的结构层，此时的屏蔽层的更容易发生弯折，便于柔性基板的设计制作。
[0012]
在一个实施例中，所述显示屏还包括触控层，触控层包括多个触控电极，屏蔽层包括多个相互绝缘的屏蔽区域，每一屏蔽区域与一相应的触控电极电连接。每个屏蔽区域均与相应的触控电极电连接，并与相邻的屏蔽区域保持绝缘。
[0013]
第二方面，本申请提供一种显示设备，包括柔性线路板和上述的显示屏、所述柔性线路板通过覆晶薄膜与所述tft阵列层的电路连接。柔性线路板通过覆晶薄膜实现对tft阵列层中电路的连接，实现对tft阵列层中电极的控制。
[0014]
本申请所提供的显示屏，通过在其tft阵列层和基板底衬之间设置能够静电保护的屏蔽层，从而对对tft阵列层起到电磁保护的作用，避免基板底衬上的静电对tft阵列层造成影响。
附图说明
[0015]
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]
图1是本申请一种实施例中显示屏的结构示意图；
[0017]
图2是本申请另一种实施例中显示屏的结构示意图；
[0018]
图3是本申请一种实施例中屏蔽层的俯视图；
[0019]
图4是本申请另一种实施例中屏蔽层的俯视图；
[0020]
图5是本申请一种实施例中显示设备的结构示意图；
[0021]
图6是本申请一种实施例中显示设备的俯视图。
具体实施方式
[0022]
下面将结合本实用新型的具体实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0023]
如图1所示，本申请提供一种显示屏100，该显示屏100包括基板底衬10和自下而上层叠设置在基板底衬10上的tft阵列层40、显示层30。在tft阵列层40和基板底衬10之间还设有屏蔽层20，屏蔽层20对tft阵列层起到电磁保护的作用。在传统的显示屏的制作过程中，通常是在基板底衬上直接设置tft阵列层，这就会导致基板底衬上产生的静电荷会对tft阵列层造成影响。本实施例中屏蔽层20的设计避免了静电传导至tft阵列层，防止其被静电击伤。因此，本申请在tft阵列层40和基板底衬10之间设有屏蔽层20，其为一种具有良好导电性能的材质层，优选的i to(氧化铟锡)、i zo(氧化铟锌)或纳米银等材质。当基板底衬10上因摩擦碰撞等情形产生静电荷时，静电荷容易传导到tft阵列层中，此时在基板底衬10上设置一个具有良好导电性能的屏蔽层20，就能够屏蔽基板底衬10上静电荷，从而使实现对tft阵列层40的静电保护。
[0024]
在一个具体的实施例中，如图1所示，屏蔽层20与显示层30的阴极电连接，用于调节显示层30阴极的电压降。实施例中，显示层30包括由i to制成的阳极、包含镁、铝、银等金属材质的阴极以及夹设在阳极和阴极之间的发光层，发光层能够正常工作关键在于阴极上电子的传输和阳极上空穴传输。对于显示层30的阴极而言，通过将其与屏蔽层20连接，能够改善阴极的导电能力，调节显示层30阴极的电压降。并且，由于阴极的面积较大，无尖端或细小的线路，即使静电荷自屏蔽层传导过来，也不易发生击伤现象。
[0025]
在另一个具体的实施例中，如图2所示，屏蔽层20与tft阵列层40中的共通电极(图中未示出)电连接。实施例中，将屏蔽层20与tft阵列层40中的共通电极电连接。屏蔽层20避免了基板底衬10上静电荷集聚对其他部件的影响，尤其是确保了tft阵列层40不会被静电击伤；同时这样设计还能够改善共通电极的电压降。
[0026]
可以理解地，屏蔽层也可以接地，以将产生的静电荷导出。
[0027]
在一个具体的实施例中，如图1和图2所示，显示屏100还包括封装层50，封装层50盖设于显示层30上方，且与基板底衬10形成一个封装空间，封装空间用于容置屏蔽层20、tft阵列层40和显示层30。封装层50的设计在于对其封装空间内部的部件进行保护，避免外部水汽等其他异物进入到封装空间内部。
[0028]
具体的，如图1和图2所示，基板底衬10包括显示区11，封装层50盖设于显示区11上方，tft阵列层40位于显示区11内，屏蔽层20覆盖显示区11。屏蔽层20对显示区11进行覆盖，隔绝基板底衬10对tft阵列层40之间的接触，避免静电荷击伤tft阵列层40。
[0029]
具体的，如图1和图2所示，基板底衬10还包括接线区12，tft阵列层40的电路41和部分屏蔽层20穿过封装层50设于接线区12。电路41一端和tft阵列层40连接，一端和外部控制电路连接，在接线区12处同样设置屏蔽层20在于降低基板底衬10上电荷对接线区12上的电路41的影响。
[0030]
在一个具体的实施例中，如图3所示，屏蔽层20为整层的连续面结构层。屏蔽层20采用整层连续结构能够对其工作区进行全面覆盖，降低玻璃基板底衬10上电荷对其他器件的影响。
[0031]
在另一个具体的实施例，如图4所示，屏蔽层20为带有多个镂空孔22的结构层。在具体的制作过程，基板底衬10采用柔性基板材质制作，例如基酰亚胺材质，采用聚酰亚胺膜层结构的基板底衬10其柔韧性较好，可以用于柔性面板的制作。在屏蔽层上设置多个镂空孔22，一方面可以提升屏蔽层20的柔韧性，使其更易发生弯折；另一方面镂空孔22的设计可以根据tft阵列基板40共通电极或者显示层30阴极的分布需要进行排布，便于屏蔽层20和tft阵列基板共通电极40或者显示层30阴极的电连接。
[0032]
具体的，如图4所示的屏蔽层20，其镂空孔22为方形且阵列分布。阵列分布的方形镂空孔22能够很好应对柔性基板弯折过程中出现的应力，避免屏蔽层局部断裂的现象发生。
[0033]
可选地，显示层上还可以设置触控层。触控层包括多个触控电极。屏蔽层可经由镂空孔分隔为多个屏蔽区域，每个屏蔽区域与显示层的触控层的相应的一个触控电极对应设置。每个屏蔽区域的形状及尺寸与相应的触控电极相同，且与该触控电极通过导线电连接。即每个屏蔽区域均与相应的触控电极电连接，并与相邻的屏蔽区域保持绝缘。
[0034]
在一个具体的实施例中，如图5所示，tft阵列层40的电路41和屏蔽层20穿过封装
层50，外露的部分电路41和外露的部分屏蔽层21之间设有保护膜层60。位于封装层外部的电路41和外露的部分屏蔽层21之间设置保护膜层60，减小当电路41与外部控制电路对接时的影响。
[0035]
需要说明的是，上述实施例中的显示层30可以为oled显示层。
[0036]
另一方面，如图6所示，本申请提供一种显示设备200，包括柔性线路板120和上述的显示屏100。柔性线路板120通过覆晶薄膜110与tft阵列层40的外露电路41连接。柔性线路板120通过覆晶薄膜110实现对tft阵列层40中电路41的连接，实现对tft阵列层40的控制。
[0037]
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。