一种提高熔断时间精度的熔断器的制作方法

本实用新型属于电子器件技术领域，具体而言，是一种熔断器。

背景技术：

熔断器作为一种电路保护装置，在电路出现故障状况时，需在规定时间内，可熔元件通过熔化或其他方式完成分离动作，切断异常电流，以保证电路安全。

由于应用行业的不同，熔断器的电路应用环境也千差万别。对于精密仪器、设备，熔断器产品往往要做到对异常电流反应灵敏，迅速做出保护。如测量仪器、通讯基站、车载设备等应用，快速保护以防止进一步的人员、财产损失。但还有一些工作场景，则需要熔断器能够经受住一定时间的较大电流，支持设备在短时间过载运作，以保证设备适应恶劣的工作环境或是在不会有更大损失情况下牺牲设备使用寿命保证系统能够持续运行，如医疗设备、电动工具、航天设备等应用，它们对熔断器的低倍耐受能力及熔断时间精度往往会提出较为严苛的需求。

在现有技术中，熔断器处于2.5倍及以下低倍额定电流时，熔断时间精度较低，一般可实现熔断时间下限为0秒，上限为5～120秒，很难达到精确的下限不为0，动作时间范围在5秒以内的熔断时间精度。为满足该精度的熔断时间，目前技术需通过损失大部分熔断器的阻值良率来实现，从而增加了制造成本。

故，需要一种新的技术方案以解决上述问题。

技术实现要素：

发明目的：为解决上述问题，本实用新型提供了一种提高熔断时间精度的熔断器，能够控制熔断器的阻值精度范围而提高熔断时间精度。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种提高熔断时间精度的熔断器，包括基体、安装于基体两端的电极、承载于基体上并分别与两端电极连接的熔体、覆盖于熔体上方的保护层；所述熔体为扁平形状，且熔体的表面中间位置设有修阻部位，该修阻部位为在熔体表面凹陷的凹槽、凹坑或空洞。

有益效果：通过设置修阻部位而改变熔断器的阻值可控制熔断器的阻值精度范围，且修阻后的熔体由于具有固定的发热位置，使熔断器在2.5倍及以下额定电流的异常电流下，熔断时间范围得可达到5秒以内。同时，经过修阻后，熔体表面形成凹槽，在通电发热时熔体发热点集中于修阻位置，该位置最先熔断，因此可有效控制熔体的熔断位置。

附图说明

图1为本实用新型熔断器的立体分解图。

图2为实施例一中修阻部位示意图。

图3为实施例二中修阻部位示意图。

图4为实施例三中修阻部位示意图。

图5为实施例四中修阻部位示意图。

图6为实施例五中修阻部位示意图。

图7为实施例六中修阻部位示意图。

具体实施方式

实施例一

请结合图1及图2所示，本实施例公开了一种提高熔断时间精度的熔断器，包括基体1、安装于基体1两端的电极、承载于基体上并分别与两端电极连接的熔体2、覆盖于熔体上方的保护层3。保护层3可设置为一层或者多层。且当设置为多层时，保护层3内可设有散热层。所述电极包括与熔体2两端连接的内侧电极4、5覆盖熔体2与内侧电极4、5的中间电极6、覆盖中间电极6的外侧电极7。所述中间电极6与外侧电极7的横截面均为u形。

所述熔体2为扁平形状，且熔体2的表面中间位置设有修阻部位。本实施例中，所述修阻部位为在熔体2表面(上表面或者下表面均可)形成的一个直线形凹槽8，该直线形凹槽8自熔体2一个边缘向熔体中间位置延伸，且该直线形凹槽8延伸方向与熔体的边缘垂直。

实施例二

请再结合图3所示，本实施例二中的熔断器整体结构与实施例一相同，不同之处在于修阻部位。本实施例二中，所述修阻部位为在熔体2表面形成的一个直线形凹槽9，该直线形凹槽9自熔体2一个边缘向熔体2中间位置延伸，且该直线形凹槽9延伸方向与熔体2的边缘形成一个锐角的夹角。

实施例三

请再结合图4所示，本实施例三中的熔断器整体结构与实施例一相同，不同之处在于修阻部位。所述修阻部位为在熔体2表面形成的两个直线形凹槽10，该两个直线形凹槽10均自熔体2同一个边缘向熔体2中间位置平行延伸，且该两个直线形凹槽10延伸方向与熔体的边缘垂直。

实施例四

请再结合图5所示，本实施例四中的熔断器整体结构与实施例一相同，不同之处在于修阻部位。所述修阻部位为在熔体2表面形成的四个直线形凹槽，其中两个直线形凹槽11自熔体同一个边缘向熔体2中间位置平行延伸，另外两个直线形凹槽12自熔体另一个边缘向熔体2中间位置平行延伸。位于同一边缘的两个直线形凹槽11与位于另一个边缘的两个直线形凹槽12交错设置，且该四个直线形凹槽延伸方向与熔体2的边缘垂直。

实施例五

请再结合图6所示，本实施例五中的熔断器整体结构与实施例一相同，不同之处在于修阻部位。所述修阻部位为在熔体2表面形成的两个直线形凹槽13及连接两个直线形凹槽13的横向凹槽14。该两个直线形凹槽13均自熔体同一个边缘向熔体2中间位置平行延伸，且该两个直线形凹槽13延伸方向与熔体2的边缘垂直，横向凹槽14的两端分别与两个直线形凹槽13的内端连接。

实施例六

请再结合图6所示，本实施例六中的熔断器整体结构与实施例一相同，不同之处在于修阻部位。所述修阻部位为在熔体2表面形成的矩形空洞15，该矩形空洞15自熔体2一个边缘向内凹成矩形。

另外，本实用新型的具体实现方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

技术特征：

1.一种提高熔断时间精度的熔断器，包括基体、安装于基体两端的电极、承载于基体上并分别与两端电极连接的熔体、覆盖于熔体上方的保护层；其特征在于，所述熔体为扁平形状，且熔体的表面中间位置设有修阻部位，该修阻部位为在熔体表面凹陷的凹槽、凹坑或空洞。

2.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的一个直线形凹槽，该直线形凹槽自熔体一个边缘向熔体中间位置延伸，且该直线形凹槽延伸方向与熔体的边缘垂直。

3.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的一个直线形凹槽，该直线形凹槽自熔体一个边缘向熔体中间位置延伸，且该直线形凹槽延伸方向与熔体的边缘形成一个锐角的夹角。

4.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的两个直线形凹槽，该两个直线形凹槽均自熔体同一个边缘向熔体中间位置平行延伸，且该两个直线形凹槽延伸方向与熔体的边缘垂直。

5.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的四个直线形凹槽，其中两个直线形凹槽自熔体同一个边缘向熔体中间位置平行延伸，另外两个直线形凹槽自熔体另一个边缘向熔体中间位置平行延伸，位于同一边缘的两个直线形凹槽与位于另一个边缘的两个直线形凹槽交错设置，且该四个直线形凹槽延伸方向与熔体的边缘垂直。

6.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的两个直线形凹槽及连接两个直线形凹槽的横向凹槽，该两个直线形凹槽均自熔体同一个边缘向熔体中间位置平行延伸，且该两个直线形凹槽延伸方向与熔体的边缘垂直，横向凹槽的两端分别与两个直线形凹槽的内端连接。

7.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述修阻部位为在熔体表面形成的矩形空洞，该矩形空洞自熔体一个边缘向内凹成矩形。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的熔断器，其特征在于，保护层设置有多层。

9.根据权利要求8所述的熔断器，其特征在于，保护层内设有散热层。

10.根据权利要求9所述的熔断器，其特征在于，所述电极包括与熔体两端连接的内侧电极、覆盖熔体与内侧电极的中间电极、覆盖中间电极的外侧电极；所述中间电极与外侧电极的横截面均为u形。

技术总结
本实用新型涉及一种提高熔断时间精度的熔断器，包括基体、电极、熔体、覆盖于熔体上方的保护层；所述熔体为扁平形状，且熔体的表面中间位置设有修阻部位，通过设置修阻部位而改变熔断器的阻值可控制熔断器的阻值精度范围，且修阻后的熔体由于具有固定的发热位置，使熔断器在2.5倍及以下额定电流的异常电流下，熔断时间范围得可达到5秒以内。同时，经过修阻后，熔体表面形成凹槽，在通电发热时熔体发热点集中于修阻位置，该位置最先熔断，因此可有效控制熔体的熔断位置。

技术研发人员：杨漫雪;邓琪
受保护的技术使用者：南京萨特科技发展有限公司
技术研发日：2020.09.09
技术公布日：2021.04.30