一种ET结构的波导合成网络的制作方法

本技术：
属于通信技术领域，尤其涉及一种et结构的波导合成网络。

背景技术：

传统et结构的波导合成网络无法调整两个分支波导之间的隔离度。在大功率合成应用时，较差的隔离度会造成连接各分支波导的功率模块间的串扰，影响电气性能指标。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请实施例提供了一种et结构的波导合成网络，以解决目前et结构的波导合成网络中各个分支波导难以有效隔离的问题。

本申请实施例提供了一种et结构的波导合成网络，包括：主波导、两路分支波导和四路末端分支波导，所述两路分支波导呈“l”字型，所述两路分支波导对称设置在所述主波导的一端，每一路所述分支波导上远离所述主波导的一端设置有两个所述末端分支波导；在所述主波导靠近所述两路分支波导的一端设置有第一微带金属探针，所述第一微带金属探针的一端探入所述主波导内，所述第一微带金属探针的另一端与负载电阻连接。

在每一路所述分支波导上靠近所述末端分支波导的一端设置有第二微带金属探针，所述第二微带金属探针的一端探入所述分支波导内，所述第二微带金属探针的另一端与负载电阻连接。

在本申请的一些实施例中，所述负载电阻上未与所述第一微带金属探针或所述第二微带金属探针连接的一端接地。

在本申请的一些实施例中，通过倒置的“t”字型印刷板将所述第一微带金属探针架设在所述主波导和所述两路分支波导的连接处；通过倒置的“t”字型印刷板将所述第二微带金属探针架设在每一路分支波导及其对应的末端分支波导的连接处。

在本申请的一些实施例中，所述两路分支波导的连接处设置有朝向所述主波导的两级凸台。

在本申请的一些实施例中，所述第一微带金属探针设置在所述两级凸台的中心轴线上。

在本申请的一些实施例中，在相连接的两路末级分支波导的连接处设置有朝向所述分支波导的单级凸台。

在本申请的一些实施例中，所述第二微带金属探针设置在所述单级凸台的中心轴线上。

在本申请的一些实施例中，所述四路末端分支波导均为半高波导。

在本申请的一些实施例中，每一路末级分支波导上均设置有波导-微带转换结构。

本申请实施例提供的et结构的波导合成网络，在主波导的et分支结构上加入了微带金属探针结构，将深入波导的探针后方与负载电阻焊接，负载电阻另一端接地，通过此结构能实现分支波导较高的隔离度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的et结构的波导合成网络的一个具体示例的俯视示意图。

其中，100—主波导，200—分支波导，300—末端分支波导，301—波导-微带转换结构，400—第一微带金属探针，500—负载电阻，600—第二微带金属探针，700—印刷板，800—两级凸台，900—单级凸台。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

为了说明本申请所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

图1所示为包含两级分支结构的et波导合成网络。如图1所示，该et结构的波导合成网络包括主波导100、两路分支波导200和四路末端分支波导300。两路分支波导200呈“l”字型，两路分支波导200对称设置在主波导100的一端。每一路分支波导200上远离主波导100的一端设置有两个末端分支波导300。

在主波导100靠近两路分支波导200的一端设置有第一微带金属探针400。可以使用倒置的“t”字型的印刷板700将第一微带金属探针400架设在主波导100和两路分支波导200的连接处。第一微带金属探针400的一端探入主波导100内，第一微带金属探针400的另一端与负载电阻500连接。

在每一路分支波导200上靠近末端分支波导300的一端设置有第二微带金属探针600。可以通过倒置的“t”字型的印刷板700将第二微带金属探针600架设在每一路分支波导200及其对应的末端分支波导300的连接处。第二微带金属探针600的一端探入分支波导200内，第二微带金属探针600的另一端与负载电阻500连接。负载电阻500上未与第一微带金属探针400或第二微带金属探针600连接的一端接地。

在两路分支波导200的连接处设置有朝向主波导100的两级凸台800，可以将第一微带金属探针400设置在两级凸台800及主波导100的中心轴线上。

在相连接的两路末级分支波导300的连接处设置有朝向分支波导300的单级凸台900，可以将第二微带金属探,600设置在单级凸台900及其对应的分支波导300的中心轴线上。

为了压缩波导合成网络的尺寸，可以将四路末端分支波导300均选用半高波导。此外，为了接收需要传入导合成网络的信号，可以在每一路末级分支波导300上均设置波导-微带转换结构301。

本申请实施例提供的et结构的波导合成网络，在主波导的et分支结构上加入了微带金属探针结构，将深入波导的探针后方与负载电阻焊接，负载电阻另一端接地，通过此结构能实现分支波导较高的隔离度。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

技术特征：

1.一种et结构的波导合成网络，包括主波导、两路分支波导和四路末端分支波导，所述两路分支波导呈“l”字型，所述两路分支波导对称设置在所述主波导的一端，每一路所述分支波导上远离所述主波导的一端设置有两个所述末端分支波导；其特征在于，在所述主波导靠近所述两路分支波导的一端设置有第一微带金属探针，所述第一微带金属探针的一端探入所述主波导内，所述第一微带金属探针的另一端与负载电阻连接；

在每一路所述分支波导上靠近所述末端分支波导的一端设置有第二微带金属探针，所述第二微带金属探针的一端探入所述分支波导内，所述第二微带金属探针的另一端与负载电阻连接。

2.如权利要求1所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，所述负载电阻上未与所述第一微带金属探针或所述第二微带金属探针连接的一端接地。

3.如权利要求2所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，通过倒置的“t”字型印刷板将所述第一微带金属探针架设在所述主波导和所述两路分支波导的连接处；通过倒置的“t”字型印刷板将所述第二微带金属探针架设在每一路分支波导及其对应的末端分支波导的连接处。

4.如权利要求3所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，所述两路分支波导的连接处设置有朝向所述主波导的两级凸台。

5.如权利要求4所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，所述第一微带金属探针设置在所述两级凸台的中心轴线上。

6.如权利要求3所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，在相连接的两路末级分支波导的连接处设置有朝向所述分支波导的单级凸台。

7.如权利要求6所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，所述第二微带金属探针设置在所述单级凸台的中心轴线上。

8.如权利要求1所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，所述四路末端分支波导均为半高波导。

9.如权利要求8所述的et结构的波导合成网络，其特征在于，每一路末级分支波导上均设置有波导-微带转换结构。

技术总结
本申请适用于通信技术领域，提供了一种ET结构的波导合成网络，包括主波导、两路分支波导和四路末端分支波导，两路分支波导对称设置在主波导的一端，每一路分支波导上远离主波导的一端设置有两个末端分支波导；在主波导靠近两路分支波导的一端设置有第一微带金属探针，第一微带金属探针的另一端与负载电阻连接；在每一路分支波导上靠近末端分支波导的一端设置有第二微带金属探针，第二微带金属探针的另一端与负载电阻连接。本申请实施例提供的ET结构的波导合成网络，在主波导的ET分支结构上加入了微带金属探针结构，将深入波导的探针后方与负载电阻焊接，负载电阻另一端接地，通过此结构能实现分支波导较高的隔离度。

技术研发人员：曲佳健;李永安;臧宁
受保护的技术使用者：河北东森电子科技有限公司
技术研发日：2020.09.23
技术公布日：2021.01.15