一种黑色显示面板的制作方法

1.本实用新型涉及发光模组镀膜技术领域，尤其涉及一种发光模组的黑色显示面板。


背景技术：

2.通过黑色遮光层将显示面板的非显示区域遮盖，可以提高发光模组的显示对比度，并防止相邻色素串光，有效提升发光模组的显示性能。目前主要通过丝网印刷、光刻等工艺制备发光模组(如led发光模组)的黑色显示面板。然后，当制作尺寸小、精度高的图形化显示面板时，丝网印刷工艺很难实现；同时，光刻等微加工工艺工序多，良品率有限，成本较高。因此，有必要通过技术革新或其它技术来改进显示面板的制备。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种黑色显示面板，本实用新型的黑色显示面板工艺性能优良，生产良品率高，且遮光、吸光效果良好，能显著提高对比度。
4.为实现上述的目的，本实用新型采用如下的技术方案：
5.一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板、过渡层、黑色膜层和保护层。所述过渡层设置于衬底基板与黑色膜层之间，所述过渡层为金属膜层或合金膜层；所述保护层设置于黑色膜层的外表面。
6.所述过渡层为金属膜层(ti、al、cr、zr等)或合金膜层(tial、ticr、tisi 等)。
7.所述黑色膜层为石墨膜层(dlc、me
‑
dlc)、氮化物膜层(tin+aln、tialn)、碳氮化物膜层(ticn、crcn、zrcn、tialcn)中的任一种或组合。
8.所述保护层为环氧树脂、聚二甲基硅氧烷(pdms)、硅胶、聚氯乙烯(pvc)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚氨酯(pu)、聚碳酸酯(pc)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、三醋酸纤维薄膜(tac)、二氧化硅 (sio2)、二氧化钛(tio2)中的任何一种或组合。
9.所述过渡层的厚度为10～100nm，所述黑色膜层的厚度为0.5～10μm，所述保护层的厚度为1～100μm。
10.所述黑色膜层的制备方法包括化学气相沉积cvd，如金属有机化学气相沉积mocvd、等离子体增强化学气相沉积pecvd等；物理气相沉积技术pvd，如溅射法、蒸发法、离子镀膜等。
11.本发明还公开了上述的黑色显示面板在led发光模组等领域中的应用。
12.与现有技术相比，本实用新型提出的一种黑色显示面板，在衬底基板上设有黑色膜层，不仅工艺简单，良品率高，且遮光、吸光效果良好，有效提高对比度。
附图说明
13.图1为本实用新型显示面板实施例1的结构示意图；
14.图2为本实用新型显示面板实施例3的结构示意图；
具体实施方式
15.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，但不构成对本实用新型保护范围的限制。
16.实施例1：
17.参考附图1，本实施例提供了一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射分别溅射tial靶与c靶，通过复合沉积在衬底基板上形成黑色膜层tialcn。
18.具体制备工艺按照以下流程：
19.(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，预抽本底真空至5.0
×
10
‑3pa；
20.(2)同时打开ar、n2气流量阀，调节ar、n2流量分别为3、1sccm，分子泵转速45000rpm，调节总气压至0.9pa；
21.(3)同时开启直流磁控溅射靶tial和射频磁控溅射靶c，直流电源功率调节至400w，射频电源功率调节至270w，占空比80％，频率10khz，复合沉积 600min，得到厚度约9.3μm的黑色膜层tialcn；
22.(4)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭ar和n2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成黑色膜层的镀膜制备。
23.(5)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚度约10μm。
24.图1为本实施例中显示面板的结构示意图。
25.实施例2：
26.参考附图1，本实施例提供了一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射先后溅射tial靶与c靶，在衬底基板上沉积形成黑色膜层tialn/c。
27.具体制备工艺按照以下流程：
28.(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，预抽本底真空至5.0
×
10
‑3pa；
29.(2)同时打开ar、n2气流量阀，调节ar、n2流量分别为3、1sccm，分子泵转速45000rpm，调节总气压至0.9pa；
30.(3)开启直流磁控溅射靶tial，调节靶功率至400w，沉积380min，得到厚度约4.4μm的黑色膜层tialn；
31.(4)关闭直流溅射靶，关闭n2气流量阀，调节ar流量至10sccm，调节气压至0.7pa；
32.(5)开启射频磁控溅射靶c，调节靶功率至260w，占空比80％，频率10khz，沉积690min，得到厚度约1.0μm的黑色膜层c；
33.(6)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭ar和n2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成镀膜。
34.(7)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚
度约10μm。
35.实施例3：
36.参考附图2，本实施例提供了一种显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、过渡层13、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射先后溅射tial靶与c靶，在衬底基板上沉积形成黑色膜层tial/c。
37.具体制备工艺按照以下流程：
38.(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，打开加热器升温至200℃，预抽本底真空至5.0
×
10
‑3pa；
39.(2)打开ar气流量阀，调节流量至5sccm，分子泵转速36000rpm，调节气压至0.6pa；
40.(3)开启直流磁控溅射靶tial，调节靶功率至200w，沉积10min，得到厚度约87nm的过渡层tial，提高膜基结合力，且降低透光率；
41.(4)关闭直流溅射靶，调节ar流量至6sccm，调节气压至0.6pa；
42.(5)开启射频磁控溅射靶c，调节靶功率至250w，占空比80％，频率10khz，沉积360min，得到厚度约650nm的黑色膜层c；
43.(6)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭ar和n2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成镀膜。
44.(7)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚度约10μm。
45.以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。