具有发光元件的单元像素、像素模组及显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置，尤其，涉及一种具有发光元件的单元像素、具有其的像素模组及具有其的显示装置。


背景技术：

2.发光元件作为利用无机光源的发光二极管的半导体元件，多样地利用于显示装置、车用灯、一般照明之类多个领域。发光二极管具有寿命长、消耗电力低、响应速度快的优点而快速代替现有光源。
3.另一方面，现有的发光二极管在显示装置中主要作为背光光源使用，但最近开发出利用发光二极管直接实现图像的显示装置。这样的显示装置也被称为微型led显示器。
4.显示装置一般利用蓝色、绿色和红色的混合色而实现多种色相。显示装置为了实现多种图像而包括多个像素，各像素具备蓝色、绿色和红色的子像素。通过这些子像素的色相确定特定像素的色相，通过这些像素的组合而实现图像。
5.在微型led显示器的情况下，对应于各子像素在二维平面上排列微型led，由此需要在一个基板上布置众多数量的微型led。但是，微型led的尺寸非常小，例如200微米以下甚至100微米以下，由于这样的小尺寸产生多种问题。尤其，难以处理小尺寸的发光二极管，从而不容易将发光二极管直接安装在显示器用面板上。


技术实现要素：

6.本公开的实施例提供一种适合于安装在电路板上的单元像素及具有其的显示装置。
7.本公开的实施例提供一种可靠性优异的单元像素及具有其的显示装置。
8.本公开还提供一种用于防止安装不良发光元件的单元像素及具有其的显示装置。
9.本公开的一实施例的单元像素包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
10.本公开的又一实施例的单元像素包括：透明基板；至少三个发光元件，排列在所述透明基板上，并发出彼此不同色相的光；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述至少三个发光元件排列为一列。
11.本公开的一实施例的像素模组包括：电路板；多个单元像素，布置在所述电路板上；以及覆盖层，覆盖所述多个单元像素，所述单元像素各自包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
12.本公开的一实施例的显示装置包括：面板基板；以及多个像素模组，排列在所述面板基板上，所述像素模组各自包括：电路板；多个单元像素，布置在所述电路板上；以及覆盖层，覆盖所述多个单元像素，所述单元像素各自包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
附图说明
13.图1是用于说明本公开的一实施例的显示装置的简要俯视图。
14.图2a是用于说明本公开的一实施例的发光元件的简要俯视图。
15.图2b是沿图2a的截取线a
‑
a截取的简要截面图。
16.图3a是用于说明本公开的一实施例的单元像素的简要俯视图。
17.图3b是沿图3a的截取线b
‑
b截取的简要截面图。
18.图4a是用于说明本公开的一实施例的像素模组的简要俯视图。
19.图4b是沿图4a的截取线c
‑
c截取的简要截面图。
20.图4c是用于说明本公开的一实施例的像素模组的简要后视图。
21.图4d是用于说明本公开的一实施例的像素模组的简要电路图。
22.图4e是用于说明本公开的又一实施例的像素模组的简要电路图。
23.图5a、图5b和图5c分别是用于说明单元像素的多种变形例的简要俯视图。
24.图6a至图6k是用于说明本公开的一实施例的转印发光元件的方法的简要截面图。
25.图7a至图7l是用于说明本公开的又一实施例的转印发光元件的方法的简要截面图。
26.图8a至图8k是用于说明本公开的又一实施例的转印发光元件的方法的简要截面图。
27.图9a至图9o是用于说明发光元件的多种变形例的简要俯视图。
28.图10是用于说明本公开的又一实施例的单元像素的简要截面图。
29.图11是用于说明本公开的又一实施例的像素模组的简要截面图。
具体实施方式
30.以下，参照所附的图详细说明本公开的实施例。为了使本公开的构思能够充分传达给本公开所属技术领域的通常技术人员，以下介绍的实施例示例性提供。因此，本公开不限于以下说明的实施例，也可以以其它方式具体化。而且，在附图中，为了方便起见，构成要件的宽度、长度、厚度等也可能夸张呈现。另外，当记载为一个构成要件在其它构成要件的“上方”或“上”时，不仅包括各部分“直接”在其它部分“上方”或“直接”在其它部分“上”的情况，还包括在各构成要件和其它构成要件之间还介有其它构成要件的情况。贯穿整个说明书，相同的附图标记表示相同的构成要件。
31.本公开的一实施例的单元像素包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述
台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
32.可以是，所述多个发光元件包括：至少三个发光元件，发出彼此不同色相的光，所述至少三个发光元件排列为一列。
33.进而，可以是，所述多个发光元件包括发出红色、绿色和蓝色的发光元件。
34.另一方面，可以是，所述发光元件各自包括：发光结构体，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；以及有源层，介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置在所述发光结构体上，所述台阶调节层具有使所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘暴露的开口部，所述接通层通过所述台阶调节层的开口部电接通于所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘。
35.另外，可以是，所述发光元件各自包括多个连接头。
36.另外，可以是，所述发光元件中任一个的连接头排列在与其它发光元件的连接头不同的位置。
37.进而，可以是，排列在各发光元件上的所述多个连接头布置为相对于至少一个排列方向非对称。
38.可以是，所述单元像素还包括：遮光层，布置在所述粘合层和所述透明基板之间，所述遮光层具有透过在所述发光元件产生的光的窗口。
39.在一实施例中，可以是，所述窗口的宽度比所述发光元件的宽度窄。在其它实施例中，可以是，所述窗口的宽度比所述发光元件的宽度宽。
40.可以是，所述单元像素还包括：保护层，覆盖所述台阶调节层和所述粘合层，所述保护层具有位于所述接通层上的开口部。
41.可以是，所述单元像素还包括：凸块，布置在所述保护层的开口部内，所述凸块分别电接通于所述接通层。
42.本公开的又一实施例的单元像素包括：透明基板；至少三个发光元件，排列在所述透明基板上，并发出彼此不同色相的光；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
43.可以是，所述透明基板是蓝宝石基板。
44.本公开的一实施例的像素模组包括：电路板；多个单元像素，布置在所述电路板上；以及覆盖层，覆盖所述多个单元像素，所述单元像素各自包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
45.可以是，所述单元像素还包括：保护层，覆盖所述台阶调节层和所述粘合层，所述保护层具有位于所述接通层上的开口部。
46.在一实施例中，可以是，所述像素模组还包括：焊接材料，焊接所述发光元件和所述电路板，所述焊接材料填充所述保护层的开口部的至少一部分。
47.在其它实施例中，可以是，所述像素模组还包括：焊接材料，焊接所述发光元件和所述电路板，所述单元像素还包括：凸块，布置在所述保护层的开口部内，所述电路板包括暴露于上面的焊盘，所述焊接材料焊接所述凸块和所述焊盘。
48.另一方面，可以是，所述电路板还包括：底部焊盘，布置于底部，所述底部焊盘的数量少于所述焊盘的数量。作为一例，可以是，所述底部焊盘的数量为所述焊盘的数量的1/2。
49.另一方面，可以是，所述多个发光元件包括：至少三个发光元件，发出彼此不同色相的光，所述至少三个发光元件排列为一列。
50.本公开的一实施例的显示装置包括：面板基板；以及多个像素模组，排列在所述面板基板上，所述像素模组各自包括：电路板；多个单元像素，布置在所述电路板上；以及覆盖层，覆盖所述多个单元像素，所述单元像素各自包括：透明基板；多个发光元件，排列在所述透明基板上；粘合层，使所述发光元件粘合于所述透明基板；台阶调节层，覆盖所述发光元件并粘合于所述粘合层；以及接通层，布置在所述台阶调节层上，并电接通于所述发光元件，所述台阶调节层沿着边缘具有凹凸图案。
51.以下，参照所附的图更详细地说明本公开的实施例。
52.图1是用于说明本公开的一实施例的显示装置的简要俯视图。
53.参照图1，显示装置10000包括面板基板2100和多个像素模组1000。
54.面板基板2100可以包括用于手动矩阵驱动或自动矩阵驱动的电路。在一实施例中，面板基板2100可以在内部包括布线和电阻，在其它实施例中，面板基板2100可以包括布线、晶体管和电容器。面板基板2100可以还在上面具有能够与所布置的电路电接通的焊盘。
55.多个像素模组1000排列在面板基板2100上。各像素模组1000可以包括：电路板(图4a的1001)；以及多个单元像素100，布置在电路板1001上。
56.另外，各单元像素100包括多个发光元件10(10a、10b、10c)。发光元件10可以包括发出彼此不同色相的光的发光元件10a、10b、10c。各单元像素100内的发光元件10a、10b、10c可以如图1所示那样排列为一列。尤其，发光元件10a、10b、10c可以相对于实现图像的显示画面沿垂直方向排列。
57.以下，将按照布置在显示装置10000内的发光元件10、单元像素100和像素模组1000的顺序详细说明显示装置10000的各构成要件。
58.首先，图2a是用于说明本公开的一实施例的发光元件的简要俯视图，图2b是沿图2a的截取线a
‑
a截取的简要截面图。
59.参照图2a和图2b，发光元件10(10a、10b、10c)包括发光结构体，该发光结构体包括第一导电型半导体层21、有源层23以及第二导电型半导体层25。另外，发光元件10可以包括欧姆接触层27、绝缘层29、第一电极焊盘31和第二电极焊盘33。另一方面，连接头55b可以面对第一电极焊盘31和第二电极焊盘33而布置在第一导电型半导体层21侧。
60.发光结构体，即第一导电型半导体层21、有源层23和第二导电型半导体层25可以在基板上生长。所述基板可以是氮化镓基板、gaas基板、si基板、蓝宝石基板、尤其图案化的蓝宝石基板等能够用于半导体生长的各种基板。生长基板可以利用机械研磨、激光剥离、化学剥离等的技术而从半导体层分离。但是，本发明不限于此，也可以残留基板的一部分而构成第一导电型半导体层21的至少一部分。
61.在一实施例中，在发出红光的发光元件10a的情况下，半导体层可以包括砷化铝镓(aluminum gallium arsenide，algaas)、磷化砷化镓(gallium arsenide phosphide，gaasp)、磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide,algainp)或磷化镓(gallium phosphide，gap)。
62.在发出绿光的发光元件10b的情况下，半导体层可以包括氮化铟镓(ingan)、氮化镓(gan)、磷化镓(gap)、磷化铝镓铟(algainp)或磷化铝镓(algap)。
63.在一实施例中，在发出蓝光的发光元件10c的情况下，半导体层可以包括氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)或硒化锌(zinc selenide，znse)。
64.第一导电型和第二导电型是彼此相反极性，当第一导电型是n型时，第二导电型是p型，当第一导电型是p型时，第二导电型是n型。
65.第一导电型半导体层21、有源层23和第二导电型半导体层25可以利用金属有机化学气相生长法(mocvd)之类公知方法而在腔室内生长在基板上。另外，第一导电型半导体层21包括n型掺杂(例如，si、ge、sn)，第二导电型半导体层25包括p型掺杂(例如，mg、sr、ba)。在一实施例中，第一导电型半导体层21可以包括包含si作为掺杂剂的gan或algan，第二导电型半导体层25可以包括包含mg作为掺杂剂的gan或algan。
66.虽然在附图中图示了第一导电型半导体层21和第二导电型半导体层25各自为单层，但是这些层可以是多层，另外也可以包括超晶格层。有源层23可以包括单量子阱结构或多量子阱结构，调节氮化物半导体的组成比以发出期望的波长。例如，有源层23可以发出蓝光、绿光、红光或紫外线。
67.第二导电型半导体层25和有源层23可以具有台面(m)结构并布置在第一导电型半导体层21上。台面m可以包括第二导电型半导体层25和有源层23，如图2b所示，也可以包括第一导电型半导体层21的一部分。可以是，台面m位于第一导电型半导体层21的一部分区域上，在台面m周围暴露第一导电型半导体层21的上面。
68.另一方面，所述第一导电型半导体层21可以具有表面纹理化带来的凹凸。表面纹理化可以例如通过利用干式蚀刻工艺的图案化来执行。例如，可以形成圆锥形状的凸出部，可以是，圆锥的高度是2.5至3um，圆锥间隔是1.5至2um，圆锥的底部直径是约3um。通过在第一导电型半导体层21的表面形成凹凸，能够减少色差。可以对第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c所有第一导电型半导体层执行表面纹理化，但是本发明不限于此，也可以一部分发光元件不执行表面纹理化。
69.当在后述的单元像素100中第一至第三发光元件排列为一列时，能够通过采用如上表面纹理化的第一导电型半导体层来减小左右色差。
70.另外，所述台面m可以具有暴露第一导电型半导体层21的通孔25a。通孔25a可以布置为靠近台面m的一侧边缘，但是不限于此，也可以布置在台面m的中央。
71.欧姆接触层27布置在第二导电型半导体层25上而欧姆接触于第二导电型半导体层25。欧姆接触层27可以形成为单层或多层，可以由透明导电性氧化膜或金属膜形成。透明导电性氧化膜可以例如举出ito或zno等作为例子，作为金属膜可以举出al、ti、cr、ni、au等金属及它们的合金作为例子。
72.绝缘层29覆盖台面m和欧姆接触层27。进而，绝缘层29可以覆盖在台面m周围暴露的第一导电型半导体层21的上面和侧面。另一方面，绝缘层29可以具有：开口部29a，暴露欧姆接触层27；以及开口部29b，在通孔25a中暴露第一导电型半导体层21。绝缘层29可以由氧化硅膜或氮化硅膜的单层或多层形成。另外，绝缘层29也可以包括分布式布拉格反射器之类的绝缘反射器。
73.第一电极焊盘31和第二电极焊盘33布置在绝缘层29上。第二电极焊盘33可以通过
开口部29a电接通于欧姆接触层27，第一电极焊盘31可以通过开口部29b电接通于第一导电型半导体层21。
74.第一电极焊盘31和/或第二电极焊盘33可以由单层或多层金属形成。第一电极焊盘31和/或第二电极焊盘33的材料可以使用al、ti、cr、ni、au等金属和它们的合金等。
75.另一方面，连接头55b可以形成在发光元件10上。如图2a所示，四个连接头55b可以布置在发光结构体上。
76.例如，一个连接头55b布置在发光元件10的大致中心，两个连接头55b布置在与第二电极焊盘33重叠的位置，一个连接头55b布置在与第一电极焊盘31重叠的位置。可以是，三个连接头55b在外围布置为三角形形状，布置在发光元件10的中心的连接头55b位于由所述三个连接头55b形成的三角形内。
77.布置在与第二电极焊盘33重叠的位置处的两个连接头可以布置在第二电极焊盘33的一侧边缘附近，并可以布置为相对于经过中心的长直线彼此面对。
78.另一方面，布置在与第一电极焊盘31重叠的位置处的连接头可以布置在第一电极焊盘31的一侧边缘附近，并可以布置为远离经过中心的长直线。
79.连接头55b可以各自具有直角三角形形状，布置在发光元件10的中心的连接头可以如图所示那样沿与其它连接头相反的方向布置。
80.当利用连接头55b将发光元件10从连接部分离时，可以是首先形成与第一电极焊盘31重叠的连接头，接着形成中心附近的连接头，最后形成与第二电极焊盘33重叠的连接头。由此，能够容易地将发光元件10从连接部分离，能够防止在发光元件中可能产生的裂纹。
81.进而，当吸附或安装发光元件10时，根据连接头的位置，可能不稳定地吸附或安装发光元件10，由此可能产生裂纹。与此相反，通过在发光元件10的两侧边缘和发光元件10的中心附近分别布置连接头，能够稳定地吸附或安装发光元件10，从而能够防止在发光元件中产生裂纹。
82.此时，四个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的0.8％。
83.参照图2a和图2b，简要说明了连接头55b的位置，但是本公开不限于此，连接头55b可以以各种形状布置在各种位置。另外，发光元件10a、10b、10c可以包括全部相同地布置的连接头55b，但是本公开不限于此。例如，布置于第一发光元件10a的连接头55b可以布置在与布置于第二发光元件10b和第三发光元件10c的连接头55b不同的位置。针对连接头55b的位置和生成以及发光元件10的转印方法，在后面再次说明。
84.尽管已经与附图一起简要说明了本公开的一实施例的发光元件10，但是发光元件10可以除了上述的层之外还包括具有附加功能的层。例如，可以还包括反射光的反射层、用于使特定构成要件绝缘的附加绝缘层、防止焊料扩散的焊料防止层等多种层。
85.另外，在形成倒装芯片类型的发光元件时，可以以多种形式形成台面，第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的位置或形状可以也进行多种变形。另外，也可以省略欧姆接触层27，第二电极焊盘33也可以直接接触于第二导电型半导体层25。另外，尽管图示为第一电极焊盘31直接连接于第一导电型半导体层21，但是也可以是在暴露于通孔25a的第一导电型半导体层21上首先形成接触层，第一电极焊盘31连接于所述接触层。
86.图3a是用于说明本公开的一实施例的单元像素的简要俯视图，图3b是沿图3a的截
取线b
‑
b截取的简要截面图。
87.参照图3a和图3b，单元像素100可以包括：透明基板121、第一发光元件10a、第二发光元件10b、第三发光元件10c、遮光层123、粘合层125、台阶调节层127、接通层129a、129b、129c、129d、凸块133a、133b、133c、133d以及保护层131。
88.单元像素100包括第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c而提供一个像素。第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c发出彼此不同色相的光，它们对应于各个子像素。
89.透明基板121是pet、玻璃基板、石英、蓝宝石基板等透光基板。透明基板121布置于显示装置(图1的10000)的发光面，在发光元件10a、10b、10c发出的光通过透明基板121发出至外部。透明基板121可以在发光面上包括凹凸pr。通过凹凸pr能够提高发光效率，能够发出更加均匀的光。透明基板121可以还包括防反射涂层，或者可以包括防眩层或进行防眩处理。透明基板121可以具有例如50μm～500μm的厚度。
90.由于透明基板121布置于发光面，透明基板121不包括电路。但是本公开不限于此，也可以包括电路。
91.另一方面，尽管图示了在一个透明基板121形成有一个单元像素100，但是也可以在一个透明基板121形成有多个单元像素100。
92.遮光层123可以包括如炭黑那样吸收光的吸收物质。光吸收物质防止在发光元件10a、10b、10c产生的光从透明基板121与发光元件10a、10b、10c之间的区域泄漏到侧面侧，提高显示装置的对比度。
93.遮光层123可以具有用于光行进路径的窗口123a，以使在发光元件10a、10b、10c产生的光入射至透明基板121，为此可以进行图案化以在透明基板121上暴露透明基板121。窗口123a的宽度可以小于发光元件的宽度，但是不限于此，也可以大于或等于发光元件的宽度。
94.遮光层123的窗口123a还界定发光元件10a、10b、10c的排列位置。因此，可以省略用于界定发光元件10a、10b、10c的排列位置的额外的排列标记。但是本公开不限于此，也可以为了提供用于排列发光元件10a、10b、10c的位置而在透明基板121上或者遮光层123或粘合层125上提供排列标记。
95.粘合层125附着在透明基板121上。粘合层125可以覆盖遮光层123。粘合层125可以附着于透明基板121的整个面，但是不限于此，也可以附着于一部分区域以暴露透明基板121的边缘附近区域。为了将发光元件10a、10b、10c附着于透明基板121而使用粘合层125。粘合层125可以填充形成于遮光层123的窗口。
96.粘合层125可以由透光层形成，并透射在发光元件10a、10b、10c发出的光。粘合层125可以为了扩散光而包括sio2、tio2、zno等扩散物质(diffuser)。光扩散物质防止从发光面观察到发光元件10a、10b、10c。
97.另一方面，第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c布置在透明基板121上。第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c可以通过粘合层125附着于透明基板121。第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c可以对应于遮光层123的窗口123a而布置。在省略遮光层123的情况下，可以为了提供发光元件10a、10b、10c的排列位置而提供排列标记。
98.第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c可以是例如绿色发光元件、红色发光元件、蓝色发光元件。由于第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c各自的具体构成与前面参照图2a和图2b所说明的相同，因此省略详细说明。
99.如图3a所示，第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c可以排列为一列。尤其，在透明基板121是蓝宝石基板的情况下，蓝宝石基板可以包括沿着切割方向基于晶体面而干净的切割面(例如，m面)和不那样的切割面(例如，a面)。例如，在切割为四边形形状的情况下，两侧两个切割面(例如，m面)可以沿着晶体面干净地切割，垂直于这些切割面布置的其它两个切割面(例如，a面)可以不那样。在这种情况下，蓝宝石基板121的干净切割面可以平行于发光元件10a、10b、10c的排列方向。例如，在图3a中可以是干净的切割面(例如，m面)上下布置，其它两个切割面(例如，a面)左右布置。在图1的显示器上，干净的切割面布置在观看显示器的观看者的左右。
100.第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c可以是前面参照图2a和图2b所说明的，但是不限于此，可以使用水平型或倒装芯片结构的多种发光元件。
101.台阶调节层127覆盖第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c。台阶调节层127具有暴露发光元件10a、10b、10c的第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的开口部127a。为了形成接通层129a、129b、129c、129d以及凸块133a、133b、133c、133d而需要台阶调节层127。尤其，可以为了使形成凸块133a、133b、133c、133d的位置的高度均一化而形成台阶调节层127。台阶调节层127可以由例如光敏聚酰亚胺形成。
102.如图3a所示，台阶调节层127可以沿着边缘具有凹凸图案。凹凸图案的形状可能是多样的。另外，可以调节形成于凹凸图案的凹部的深度和宽度，或者凸部的深度和宽度。形成于台阶调节层127的凹凸图案能够减小台阶调节层127施加到粘合层125的按压应力，从而防止台阶调节层127和粘合层125的剥离。
103.如图3a所示，台阶调节层127也可以形成为局部性暴露粘合层125的边缘，但是不限于此。尤其，台阶调节层127可以布置在由粘合层125的边缘围绕的区域内。
104.接通层129a、129b、129c、129d形成在台阶调节层127上。接通层129a、129b、129c、129d可以通过台阶调节层127的开口部127a接通于第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c的第一电极焊盘31和第二电极焊盘33。
105.例如，可以是，接通层129a电接通于第一发光元件10a的第一导电型半导体层，接通层129b电接通于第二发光元件10b的第一导电型半导体层，接通层129c电接通于第三发光元件10c的第一导电型半导体层，接通层129d可以共同电接通于第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c的第二导电型半导体层。接通层129a、129b、129c、129d可以一起形成在台阶调节层127上，例如可以包括au。
106.凸块133a、133b、133c、133d分别形成在所述接通层129a、129b、129c、129d上。例如，第一凸块133a可以通过接通层129a电接通于第一发光元件10a的第一导电型半导体层，第二凸块133b可以通过接通层129b电接通于第二发光元件10b的第一导电型半导体层，第三凸块133c可以通过接通层129c电接通于第三发光元件10c的第一导电型半导体层。另一方面，第四凸块133d可以通过接通层129d共同电接通于第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c的第二导电型半导体层。凸块133a、133b、133c、133d可以例如由ausn、snag、sn、cusn、cun、cuag、sb、ni、zn、mo、co、焊料等金属和/或金属合金形成。
107.另一方面，保护层131可以覆盖凸块133a、133b、133c、133d的侧面，并覆盖台阶调节层127。另外，保护层131可以覆盖暴露在台阶调节层127周围的粘合层125。保护层131可以例如由感光性阻焊剂(psr)形成，因此，可以首先通过光刻和显影对保护层131进行图案化后，形成凸块133a、133b、133c、133d。为此，可以是，保护层131形成为具有暴露接通层129a、129b、129c、129d的开口部，凸块133a、133b、133c、133d形成在保护层131的开口部内。也可以省略凸块133a、133b、133c、133d。
108.保护层131可以为了防止光泄漏而由白色反射物质或黑色环氧树脂之类光吸收物质形成。
109.图4a是用于说明本公开的一实施例的像素模组1000的简要俯视图，图4b是沿图4a的截取线c
‑
c截取的简要截面图，图4c是像素模组1000的后视图，图4d是像素模组1000的电路图。
110.参照图4a和图4b，像素模组1000包括：电路板1001；以及单元像素100，布置在电路板1001上。进而，像素模组1000可以还包括覆盖单元像素100的覆盖层1010。
111.电路板1001可以具有用于将面板基板2100与发光元件10a、10b、10c电连接的电路。电路板1001中的电路可以形成为多层结构。电路板1001也可以还包括用于以手动矩阵驱动方式驱动发光元件10a、10b、10c的无源电路或用于以自动矩阵驱动方式驱动发光元件10a、10b、10c的有源电路。电路板1001可以包括暴露于表面的焊盘1003。焊盘1003可以对应于将安装在其上的单元像素100中的凸块而排列。
112.由于单元像素100的具体构成与参照图3a和图3b所说明的相同，因此为了避免重复而省略详细说明。单元像素100可以在电路板1001上排列。如图4a所示，单元像素100可以以2
×
2矩阵排列，但是不限于此，单元像素100可以以2
×
3、3
×
3、4
×
4、5
×
5等多种矩阵排列。
113.单元像素100通过焊接材料1005焊接于电路板1001。例如，焊接材料1005可以将凸块133a、133b、133c、133d焊接于焊盘1003。在凸块133a、133b、133c、133d由焊料形成的情况下，也可以省略焊接材料1005。
114.覆盖层1010覆盖多个单元像素100。覆盖层1010能够防止单元像素100之间的光干涉而提升显示装置的对比度。
115.覆盖层1010可以由例如干膜型阻焊剂(dfsr，dry
‑
film type solder resist)、光可成像阻焊剂(psr，photoimageable solder resist))、黑色材料(bm，black material)或者环氧模塑料(emc)等形成。覆盖层1010可以例如利用层压、旋涂、狭缝涂布、印刷等技术形成。
116.可以通过将图4a和图4b所示的像素模组1000安装在图1的面板基板2100上来提供显示装置10000。电路板1001具有连接于焊盘1003的底部焊盘。底部焊盘可以布置为一对一对应于焊盘1003，但是可以通过公共接通来减少底部焊盘的数量。对此，参考图4c和图4d举例说明具有以2
×
2矩阵排列的单元像素100的像素模组1000。
117.图4c示出像素模组1000的后视图，并图示电路板1001的底部焊盘c1、c2、r1、r2、g1、g2、b1、b2。由于像素模组1000以2
×
2矩阵排列，整体四个像素模组排列在电路板1001上。另外，在各像素模组1000上布置三个发光元件10a、10b、10c，并布置四个凸块133a、133b、133c、133d。因此，在电路板1001上提供与四个单元像素100的凸块即16个凸块相对应
的焊盘1003。与此相反，底部焊盘可以仅布置8个，这8个底部焊盘可以连接于面板基板2100而单独驱动各个发光元件10a、10b、10c。
118.图4d示出在一实施例中各发光元件10a、10b、10c连接于底部焊盘c1、c2、r1、r2、g1、g2、b1、b2的简要电路图。
119.参照图4d，底部焊盘c1共同接通于布置在左列的发光元件10a、10b、10c的阴极，底部焊盘c2共同接通于布置在右列的发光元件10a、10b、10c的阴极。
120.另一方面，可以是，在布置在上行的单元像素100中，底部焊盘b1接通于第一发光元件10a的阳极，底部焊盘g1接通于第二发光元件10b的阳极的底部，底部焊盘r1接通于第三发光元件10c的阳极。
121.另外，可以是，在布置在下行的单元像素100中，底部焊盘b2接通于第一发光元件10a的阳极，底部焊盘g2接通于第二发光元件10b的阳极，底部焊盘r2接通于第三发光元件10c的阳极。
122.在此，底部焊盘r1、g1、b1、r2、g2、b2用于表示分别连接于红色、绿色和蓝色发光元件的焊盘。但是，也可以改变红色、绿色和蓝色发光元件的排列，由此，也可以改变底部焊盘r1、g1、b1、r2、g2、b2连接的位置。例如，图4d的电路图设想第一发光元件10a是蓝色发光元件、第二发光元件10b是绿色发光元件、第三发光元件10c是红色发光元件而示出底部焊盘。与此不同，第一发光元件10a也可以是蓝色发光元件，第三发光元件10c也可以是红色发光元件，在这种情况下，底部焊盘r1、r2和底部焊盘b1、b2的位置可以彼此交换。
123.根据本实施例，底部焊盘c1、c2共同接通于各列中的发光元件的阴极，各个底部焊盘r1、g1、b1、r2、b2、g2共同接通于两个发光元件的阳极，从而能够在减少底部焊盘整体数量的同时独立地驱动各个发光元件10a、10b、10c。
124.另一方面，在本实施例中，尽管图示并说明底部焊盘c1、c2连接于发光元件的阴极，底部焊盘r1、g1、b1、r2、b2、g2连接于发光元件的阳极，但是如图4e所示，也可以是底部焊盘c1、c2连接于发光元件的阳极，底部焊盘r1、g1、b1、r2、b2、g2连接于发光元件的阴极。
125.在此，尽管说明单元像素100以2
×
2矩阵排列的情况下的像素模组1000，但是在单元像素100以3
×
3或5
×
5等其它矩阵排列的情况下也能够利用公共接通电路而减少底部焊盘的数量。
126.像素模组1000中的发光元件10a、10b、10c可以由布置在面板基板2100上的驱动ic单独驱动，可以通过多个像素模组1000实现图像。
127.图5a、图5b和图5c分别是用于说明单元像素的多种变形例的简要俯视图。尤其，图5a、图5b和图5c示出台阶调节层127的凹凸图案的多种变形例。
128.即，如图5a所示，台阶调节层127a可以具有相对宽的凹凸图案。尤其，相对窄且细的部分布置于台阶调节层127a的角部，由此，能够防止应力集中在台阶调节层127a的角部。
129.另外，台阶调节层127a的凹部和凸部可以呈具有一定半径的圆弧形状，凹部和凸部的半径即可以彼此相同，也可以彼此不同。
130.另一方面，如图5b所示，台阶调节层127b的凹部的底部也可以是平坦的。进而，如图5c所示，台阶调节层127c的凹凸图案也可以是锯齿模样。
131.台阶调节层127的凹凸图案可以进行多种变形，尤其，可以形成为防止在台阶调节层127收缩期间应力集中在角部。
132.另一方面，尽管参照图2a和图2b说明的发光元件10在布置有第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的发光结构体的面的相对侧面具有连接头55b，但是连接头55b也可以布置于与布置有第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的面相同的面侧。形成连接头55b的位置与发光元件10的转印方法有关，通过后述的发光元件10的转印方法可以得到理解。
133.图6a至图6k是用于说明本公开的一实施例的发光元件转印方法的简要截面图。
134.参照图6a，在基板51上形成发光元件10。基板51可以是用于生长发光元件10的基板。基板51可以是例如用于生长alingan类半导体层的蓝宝石基板或gan基板或者用于生长alngap类半导体层的gaas基板。例如，当发光元件10是蓝色发光元件或绿色发光元件时，可以利用蓝宝石基板或gan基板，当发光元件10是红色发光元件时，可以利用gaas基板。
135.参照图6b，在基板51上形成第一掩模层53以覆盖多个发光元件10。第一掩模层53可以形成为完全覆盖多个发光元件10，并形成为在发光元件10的上面具有预定厚度。
136.参照图6c，在第一掩模层53形成多个孔h。多个孔h可以分别形成在多个发光元件10上方，可以在各发光元件10上形成至少一个孔h。在本实施例中，在各发光元件10上形成三个孔h，三个孔h布置成相对于发光元件10所排列的至少一个方向非对称。在此，三个孔h布置成相对于与附图中发光元件10所排列的方向垂直的方向非对称。
137.第一掩模层53可以由光敏物质形成，可以通过光刻(photo lithography)工艺形成多个孔h。多个孔h可以通过曝光和显影工艺来形成，但不是必须限于此，也可以使用蚀刻工艺。如图所示，多个孔h可以形成为三角形形状。但是，多个孔h不是必须限于三个。
138.参照图6d，在第一掩模层53上形成连接层55。连接层55在填充形成于第一掩模层53的多个孔h的同时形成在第一掩模层53上。由于至少一个孔h形成在各发光元件10上方，连接层55可以通过形成在发光元件10上方的至少一个孔h连接于发光元件10。在形成连接层55期间一起形成填充孔h而连接于发光元件10的连接部55a。
139.连接层55可以由聚二甲基聚硅氧烷(poly dimethylpolysiloxane，pdms)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide)之类有机物质形成，但不限于此。在此，连接层55的光透过率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
140.参照图6e，在连接层55上方结合第一临时基板57。第一临时基板57可以是pet、pen、pi片等之类的聚合物基板，也可以是玻璃(glass)、pc、pmma之类基板。若第一临时基板57结合于连接层55上方，则可以在真空状态下去除可能产生于连接层55的气泡，以低于第一掩模层53的熔点的温度完成连接层55的硬化过程。在该过程中，第一临时基板57可以结合于连接层55。
141.若第一临时基板57结合于连接层55，则如图6f所示，从发光元件10去除基板51。基板51可以通过激光剥离工艺或湿式蚀刻工艺来去除。例如，当基板51是蓝宝石基板时，可以通过激光剥离工艺或化学剥离工艺来去除基板51，当基板51是gaas基板时，可以通过湿式蚀刻工艺来去除gaas基板。
142.参照图6g，在去除基板51的状态下，从发光元件10去除第一掩模层53。第一掩模层53可以通过丙酮、专用剥离剂(striper)、蚀刻等方式来去除。随着去除第一掩模层53，如图所示，发光元件10通过至少一个连接部55a连接并保持于连接层55。
143.如此从发光元件10去除第一掩模层53之后，参照图6h，在发光元件10的下方结合第二临时基板59。第二临时基板59可以是橡胶(rubber)或uv片，或者也可以是pet、pen、pi
片之类的聚合物基板或者玻璃(glass)、pc、pmma等之类的基板。
144.若完成第二临时基板59结合于发光元件10，则如图6i所示，利用第二临时基板59而在连接层55分离发光元件10。通过沿与第一临时基板57的相反方向、即下方向对结合有发光元件10的第二临时基板59施加外力，切断连接于各发光元件10的至少一个连接部55a，从连接层55分离发光元件10。
145.如图所示，对第二临时基板59施加的外力可以在第二临时基板59的一侧沿垂直于连接层55的方向施加。因此，可以以连接于各发光元件10的至少一个连接部55a依次从第二临时基板59的一侧断开的方式从连接层55分离各发光元件10。
146.参照图6j，从连接层55分离的发光元件10在第二临时基板59上布置成具有预定间隔。另一方面，可以在各发光元件10上形成连接头55b，该连接头55b是在连接部55a断开的同时留下的残留物。因此，连接头55b是与连接层55相同的物质，由于在连接部55a因外力断开的同时形成，连接头55b的厚度可能不规则且彼此不同。
147.另外，参照图6j和图6k，利用吸附部70将布置在第二临时基板59上的发光元件10中的一部分转印于其它基板。吸附部70可以例如包括弹性体印模。
148.吸附部70吸附并转印多个发光元件10中的一部分，与要布置在透明基板121上的间隔相匹配地选择性吸附发光元件10。由此，如图所示，吸附部70不一起吸附相邻的发光元件10，而是一次性吸附间隔一定距离的发光元件10。被吸附的发光元件10的间隔可以根据发光元件10要转印到的透明基板121中像素间隔而不同。
149.可以在透明基板121上将发光元件10排列成对应于多个单元像素100之后，以各像素为单位切割透明基板121而形成单元像素100。因此，发光元件10在透明基板121上转印成对应于各单元像素100。
150.吸附部70以与单元像素100的间隔相匹配的方式吸附发光元件10，可以吸附成在一个单元像素100布置第一发光元件10a、第二发光元件10b和第三发光元件10c中的一个。
151.在本公开中，可以以第一电极焊盘31和第二电极焊盘33布置在上方的状态吸附发光元件10，另外，以该状态转印于透明基板121上。由此，在发光结构体产生的光可以通过透明基板121发出至外部。在其它实施例中，发光元件10也可以安装于电路板，在这种情况下，第一电极焊盘31和第二电极焊盘33可以向下围绕电路板安装。为此，在利用吸附部70将发光元件10安装于电路板的过程中，可以利用附加的临时基板。即，可以将通过吸附部70吸附的发光元件10以单元像素100的间隔布置在附加的临时基板上。之后，可以将布置于所述附加的临时基板的发光元件10一次性转印于电路板。由此，可以转印发光元件10，以使第一电极焊盘31和第二电极焊盘33接合于电路板。
152.图7a至图7l是用于说明本公开的又一实施例的转印发光元件的方法的简要截面图。
153.参照图7a，在基板51上生长发光元件10。基板51可以是用于生长发光元件10的半导体层的基板。当发光元件10是蓝色发光元件或绿色发光元件时，可以利用蓝宝石基板或gan基板，当发光元件10是红色发光元件时，可以利用gaas基板。
154.参照图7b，在基板51上形成第一掩模层53以覆盖多个发光元件10。第一掩模层53可以形成为将多个发光元件10全部覆盖，并形成为在发光元件10的上面具有预定厚度。
155.接着，参照图7c，在第一掩模层53形成多个孔h。可以在各发光元件10上形成至少
一个孔h。在本公开中，在各发光元件10上形成三个孔h，三个孔h布置成相对于发光元件10排列的至少一个方向非对称。在此，三个孔h布置成相对于与附图中发光元件10排列的方向垂直的方向非对称。
156.第一掩模层53可以由光敏物质形成，可以通过光刻(photo lithography)工艺形成多个孔h。例如，孔h可以通过曝光和显影工艺来形成，但是不限于此，也可以使用蚀刻工艺。如图所示，多个孔h可以形成为三角形形状。
157.参照图7d，在第一掩模层53上形成连接层55。连接层55在填充形成于第一掩模层53的多个孔h的同时形成在第一掩模层53上。由于多个孔h形成在各个发光元件10上方，连接层55可以通过形成在发光元件10上方的至少一个孔h连接于发光元件10。连接层55的一部分填充形成在发光元件10上方的至少一个孔h而形成连接部55a。
158.连接层55可以由聚二甲基聚硅氧烷(poly dimethylpolysiloxane，pdms)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide)之类有机物质形成，但不限于此。在此，连接层55的光透过率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
159.参照图7e，在连接层55上方结合第一临时基板57。第一临时基板57可以是pet、pen、pi片等之类聚合物基板，也可以是玻璃(glass)、pc、pmma之类基板。在第一临时基板57和连接层55之间分别布置膜部61和缓冲部63。例如，可以是，膜部61布置在连接层55上方，缓冲部63布置在膜部61上方，第一临时基板57布置在缓冲部63上方。缓冲部63可以由在uv照射下熔化的物质形成。
160.若第一临时基板57结合于连接层55上方，则可以在真空状态下去除可能产生于连接层55的气泡，以低于第一掩模层53的熔点的温度完成连接层55的硬化过程。在该过程中，第一临时基板57可以结合于连接层55。
161.然后，参照图7f，从发光元件10去除基板51。基板51可以通过激光剥离工艺或湿式蚀刻工艺来去除。例如，当基板51是蓝宝石基板时，可以通过激光剥离工艺或化学剥离工艺等来去除基板51，gaas基板可以通过湿式蚀刻工艺来去除。
162.参照图7g，在去除基板51的状态下，从发光元件10去除第一掩模层53。第一掩模层53可以通过丙酮、专用剥离剂(striper)、干式蚀刻等方式来去除。由此，如图所示，发光元件10通过连接于各发光元件10的至少一个连接部55a连接并保持于连接层55。
163.参照图7h，去除结合于上方的第一临时基板57。第一临时基板57可以通过热量或照射uv来去除。由于缓冲部63由在热量或uv照射下熔化的物质形成，由此能够在不损坏膜部61的情况下去除第一临时基板57。
164.参照图7i图7i，在发光元件10的下方结合第二临时基板59。第二临时基板59可以是橡胶(rubber)或uv片，或者也可以是pet、pen、pi片之类的聚合物基板或者玻璃(glass)、pc、pmma等之类的基板。
165.若第二临时基板59结合于发光元件10，则如图7j所示，利用第二临时基板59而将发光元件10从连接层55分离。通过沿下方向对结合有发光元件10的第二临时基板59施加外力，在切断连接于各发光元件10的至少一个连接部55a的同时，从连接层55分离发光元件10。
166.如图所示，对第二临时基板59施加的外力可以对第二临时基板59的一侧沿垂直于连接层55的方向施加。因此，可以以连接于各发光元件10的连接部55a依次断开的方式从连
接层55分离各发光元件10。
167.参照图7k，从连接层55分离的发光元件10在第二临时基板59上布置成具有预定间隔。可以在各发光元件10上形成至少一个连接头55b，该连接头55b是在连接部55a断开的同时留下的残留物。连接头55b是与连接层55相同的物质，由于在连接部55a因外力断开的同时形成，连接头55b的厚度可能彼此不同。另外，如图所示，连接头55b的厚度可以小于第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的厚度。
168.然后，参照图7k和图7l，利用吸附部70将布置在第二临时基板59上的发光元件10中的一部分转印于其它基板。转印的基板可以是透明基板121，但不限于此。可以以单元像素100为单位将发光元件10转印于透明基板121后，以单元像素100为单位切割透明基板121。
169.图8a至图8k是用于说明本公开的又一实施例的转印发光元件的方法的简要截面图。
170.参照图8a，在基板51上形成发光元件10。基板51用于生长发光元件10的半导体层的基板，可以是蓝宝石基板、gan基板或者gaas基板。例如，当发光元件10是蓝色发光元件或绿色发光元件时，基板51可以是蓝宝石基板，当发光元件10是红色发光元件时，基板51可以是gaas基板。
171.参照图8b，在基板51上形成第一掩模层53以覆盖多个发光元件10。第一掩模层53可以形成为将多个发光元件10全部覆盖，并形成为在发光元件10的上面具有预定厚度。第一掩模层53可以例如由光敏物质形成。
172.参照图8c，在第一掩模层53上结合第一临时基板57。第一临时基板57可以是pet、pen、pi片等之类聚合物基板，也可以是玻璃(glass)、pc、pmma之类基板。在第一临时基板57和第一掩模层53之间布置缓冲部63。因此，可以是，缓冲部63布置在第一掩模层53上方，第一临时基板57布置在缓冲部63上方。
173.参照图8d，从发光元件10去除基板51。基板51可以通过激光剥离工艺或湿式蚀刻工艺等来去除。例如，当基板51是蓝宝石基板时，可以通过激光剥离工艺或化学剥离工艺等来去除基板51，当基板51是gaas基板时，可以通过湿式蚀刻工艺来去除基板51。
174.参照图8e，随着基板51的去除，可以暴露发光元件10的底面和第一掩膜层53的底面。在如此暴露的发光元件10和第一掩膜层53下方形成第二掩膜层63。第二掩膜层63可以覆盖发光元件10的底面，并形成为比第一掩膜层53薄的厚度。
175.参照图8f，在第二掩膜层63形成多个孔h。可以在各发光元件10下方形成至少一个孔h。在本公开中，在各发光元件10下方形成三个孔h，三个孔h布置成相对于发光元件10排列的至少一个方向非对称。在此，三个孔h布置成相对于与附图中发光元件10的排列方向垂直的方向非对称。
176.第二掩膜层63可以由与第一掩膜层53相同的光敏物质形成，可以通过光刻(photo lithography)工艺形成多个孔h。如图所示，多个孔h可以形成为三角形形状。
177.参照图8g，在第二掩膜层63下方形成连接层55。连接层55在填充形成于第二掩膜层65的多个孔h的同时形成在第二掩膜层63下方。由于多个孔h形成在各个发光元件10下方，因此连接层55可以通过形成在发光元件10下方的至少一个孔h与发光元件10连接。填充孔h的连接部55a与连接层55一起形成，连接部55a可以直接接触于第一导电型半导体层23。
178.连接层55可以包括聚二甲基聚硅氧烷(poly dimethylpolysiloxane，pdms)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide)之类有机物质，但不限于此。在此，连接层55的光透过率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
179.而且，在连接层55下方结合第二临时基板59。第二临时基板59可以是与第一临时基板57相同的pet、pen、pi片等之类聚合物基板，也可以是玻璃(glass)、pc、pmma之类基板。
180.参照图8h，去除结合于上方的第一临时基板57。第一临时基板57可以通过热量或照射uv来去除。由于缓冲部63由在热量或uv照射下熔化的物质形成，由此能够从第一掩膜层53去除第一临时基板57。
181.参照图8i，从发光元件10去除第一掩膜层53和第二掩膜层65。第一掩膜层53和第二掩膜层65可以通过丙酮、专用剥离剂(striper)、干式蚀刻等方式来去除。如图所示，发光元件10通过连接于各发光元件10的至少一个连接部55a连接并保持于连接层55。
182.若如此去除第一掩膜层53和第二掩膜层65，则如图8j所示，发光元件10以通过连接层55和连接部55a连接于第二临时基板59上方的状态布置。可以利用吸附部70将布置于第二临时基板59上方的发光元件10中的一部分转印于其它基板。
183.参照图8k，被吸附部70吸附的发光元件分别在连接层55中连接部55a断开的同时从连接层55分离。吸附部70在发光元件10的上方吸附发光元件10，连接部55a布置在发光元件10的下方。由此，可以在各发光元件10的下方形成至少一个连接头55b。
184.之后，可以将，被吸附部70吸附的发光元件10转印至透明基板121，可以以单个单元像素100为单位切割透明基板121而提供单元像素100。
185.通过前面所说明的发光元件转印方法将发光元件10转印于透明基板121。可以在透明基板121上预先形成粘合层125，发光元件100可以通过粘合层125附着于透明基板121上。之后，形成台阶调节层127、接通层129a、129b、129c、129d、保护层131以及凸块133a、133b、133c、133d，接着通过切割透明基板121，制造参照图3a和图3b说明的单元像素100。可以将这样的单元像素100在电路板1001上排列而制造像素模组1000，通过将像素模组1000在面板基板2100上排列，可以提供显示装置10000。
186.图9a至图9o是用于说明发光元件10的变形例的简要俯视图。
187.图9a至图9o所示的变形例的发光元件10是示出连接头55b面对于第一电极焊盘31和第二电极焊盘33而布置在相反面。以下，为了方便起见，说明为连接头55b的位置是相对于第一电极焊盘31和第二电极焊盘33相对的位置。但是，连接头55b与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33彼此布置于发光元件1的相反面，它们彼此不接触。
188.参照图9a，在第一变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。即，三个连接头55b形成在发光元件10的上面。第一电极焊盘31和第二电极焊盘33形成在发光元件10的底面。三个连接头55b的形状可以形成为三角形形状。三个连接头55b的整体面积可以为发光元件10的平面面积的例如约1.26％。
189.参照图9b，在第二变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的外侧。两个连接头55b布置在第一电极焊盘31附近，布置在第一电极焊盘31的外侧两个角附近，而且剩余一个连接头55b布置在第二电极焊盘33的外侧。此时，布置在第一电极焊盘31侧的两个连接头55b可以沿与布置第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的方向不同的方向布置。
190.另外，三个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约0.65％。
191.参照图9c，在第三变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个，在发光元件10的平面上广阔扩展布置。即，四个连接头55b中的两个布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置，其它两个布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。此时，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置的两个连接头55b可以分别布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的中央。
192.在此，连接头55b可以形成为菱形形状，四个连接头55b可以布置在菱形形状的各角。此时，四个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.22％。
193.参照图9d，在第四变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个，四个连接头55b中的两个布置为与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33局部重叠，其它两个布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。第四变形例的连接头55b可以以相比于第三变形例的连接头55b相对小的间隔布置。
194.连接头55b可以分别形成为菱形形状，四个连接头55b可以布置在菱形形状的各角。此时，四个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.22％。
195.参照图9e，在第五变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个，第五变形例的连接头55b可以与第三变形例的连接头55b相同地布置。此时，可以是，第五变形例的连接头55b的整体面积形成为大于第三变形例的连接头55b，是发光元件10的平面面积的例如约2.71％。
196.参照图9f，在第六变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个，第六变形例的连接头55b可以与第四变形例的连接头55b相同地布置。此时，可以是，第六变形例的连接头55b的整体面积形成为大于第四变形例的连接头55b，是发光元件10的平面面积的例如约2.71％。
197.参照图9g，在第七变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置。即，两个连接头55b布置在与第一电极焊盘31重叠的位置，剩余一个连接头55b布置在与第二电极焊盘33重叠的位置。另外，布置在第一电极焊盘31侧的两个连接头55b可以沿与布置第一电极焊盘和第二电极焊盘的方向不同的方向布置。
198.三个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约0.58％。
199.参照图9h，在第八变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33局部重叠的位置。三个连接头55b中的一个布置在与第一电极焊盘31局部重叠的位置，其它两个连接头55b布置在与第二电极焊盘33局部重叠的位置。此时，三个连接头55b可以形成为三角形形状，三个连接头55b可以布置在三角形形状的各角。另外，可以是，第八变形例的连接头55b形成为大于第一变形例的连接头55b，是发光元件10的平面面积的例如约2.76％。
200.参照图9i图9i，在第九变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置。四个连接头55b中的两个布置在与第一电极焊盘31重叠的位置，其它两个布置在与第二电极焊盘33重叠的位置。在此，第九变形例的连接头55b可以形成为三角形形状。另外，连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.68％。
201.参照图9j，在第十变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置。三个连接头55b中的一个布置在与第一电极焊盘31重叠的位置，其它两个布置在与第二电极焊盘33重叠的位置。另外，连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.26％。
202.参照图9k，在第十一变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备三个，布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置。三个连接头55b中的两个布置在与第一电极焊盘31重叠的位置，其它一个布置在与第二电极焊盘33重叠的位置。另外，连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.26％。
203.参照图9l，在第十二变形例中，形成于发光元件10的连接头55b布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。连接头55b形成为具有：基部55ba，具有与布置第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的方向垂直方向的长度；第一延伸部55bb，布置在基部55ba的长度方向一侧末端，沿第一电极焊盘31方向延伸；以及第二延伸部55bc，布置在基部55ba的长度方向的另一侧末端，沿第二电极焊盘33方向延伸。此时，第一延伸部55bb和第二延伸分55bc可以分别形成为宽度越远离基部55ba越窄的形状。
204.此时，连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约1.92％。
205.参照图9m，在第十三变形例中，形成于发光元件10的连接头55b布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。连接头55b形成为具有：基部55ba，具有与布置第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的方向垂直方向的长度；第一延伸部55bb，从基部55ba的中央部分沿第一电极焊盘31方向延伸；以及第二延伸部55bc，从基部55ba的中央部分沿第二电极焊盘33方向延伸。此时，第一延伸部55bb和第二延伸分55bc可以分别形成为宽度越远离基部55ba越窄的形状。
206.此时，连接头55b的整体面积可以例如是发光元件10的平面面积的约1.161％。
207.参照图9n，在第十四变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个。四个连接头55b中的两个布置在与第一电极焊盘31和第二电极焊盘33重叠的位置，其它两个布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33之间。此时，布置于第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的连接头55b可以分别布置在第一电极焊盘31和第二电极焊盘33的边缘。此时，与第一电极焊盘31重叠布置的连接头55b可以在第一电极焊盘31中布置于靠近第二电极焊盘33的位置，与第二电极焊盘33重叠布置的连接头55b可以在第二电极焊盘33中布置于靠近第一电极焊盘31的位置。此时，连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约0.49％。
208.参照图9o，在第十五变形例中，形成于发光元件10的连接头55b具备四个。一个连接头布置在发光元件10的大致中心，两个连接头布置在与第二电极焊盘33重叠的位置，一个连接头布置在与第一电极焊盘31重叠的位置。可以是，三个连接头55b在外围以三角形形状布置，布置在发光元件10的中央的连接头55b位于由所述三个连接头55b形成的三角形内。
209.布置在与第二电极焊盘33重叠位置的两个连接头55b可以布置在第二电极焊盘33的一侧边缘附近，布置为相对于经过中心的长直线彼此面对。
210.另一方面，布置在与第一电极焊盘31重叠位置的连接头可以布置在第一电极焊盘31的一侧边缘附近，布置为远离经过中心的长直线。
211.连接头可以具有直角三角形形状，如图所示，布置在发光元件10中心的连接头可以向与其它连接头相反的方向布置。
212.当利用连接头将发光元件从连接部分离时，可以是首先形成与第一电极焊盘31重叠的连接头，接着形成中心附件的连接头，最后形成与第二电极焊盘33重叠的连接头。由此，能够容易地将发光元件从连接部分离，能够防止在发光元件可能产生的裂纹。
213.进而，当吸附或安装发光元件10时，根据连接头的位置，发光元件10可能不稳定地吸附或安装，由此可能产生裂纹。与此相反，通过在发光元件10的两侧边缘和发光元件10的中心附近分别布置连接头，能够稳定地吸附或安装发光元件10，从而能够防止在发光元件产生裂纹。
214.此时，四个连接头55b的整体面积可以是发光元件10的平面面积的例如约0.8％。
215.如上所述，当将形成于发光元件10的连接头55b的面积形成为各不相同，比较连接头55b的面积比和吸附发光元件10时的成功概率时，如表1所示。
216.[表1]
[0217][0218]
[0219]
通过第一变形例至第十五变形例，可确认，当连接头55b相对于发光元件10的平面面积的面积比为例如约1.2％以下时，发光元件10的吸附成功率显示为良好。
[0220]
图10是用于说明本公开的又一实施例的单元像素100a的简要截面图。
[0221]
参照图10，本实施例的单元像素100a与参照图3a和图3b说明的单元像素100大体上相似，区别在于省略了凸块133a、133b、133c、133d。
[0222]
保护层131具有暴露接通层129a、129b、129c、129d的开口部131a。开口部131a对应于参照图3a和图3b说明的单元像素100的凸块133a、133b、133c、133d的位置而布置。
[0223]
另一方面，由于省略了凸块，在本实施例中，保护层131的厚度可以是单元像素100中的保护层131的厚度的约1/2以下，甚至约1/3以下。例如，单元像素100中的保护层131的厚度可以为约45μm，在本实施例中，保护层131的厚度可以为15μm。
[0224]
图11是用于说明本公开的又一实施例的像素模组1000a的简要截面图。在此说明安装图10的单元像素100a的像素模组1000a。
[0225]
参照图11，本实施例的像素模组1000a与参照图4a和图4b说明的像素模组1000大体上相似，区别在于由于单元像素100a不具有凸块，焊接材料1005填充保护层131的开口部131a。焊接材料1005既可以将保护层131的开口部131a完全填充，也可以局部填充保护层131的开口部131a。当焊接材料1005局部填充保护层131的开口部131a时，可以在开口部131a中形成空洞。
[0226]
多个像素模组1000a可以排列在面板基板2100上而提供显示装置10000。
[0227]
以上，说明了本公开的各种实施例，但是本公开不限于这些实施例。另外，针对一个实施例说明的内容或构成要件在不脱离本公开的技术构思的范围内也可以应用于其它实施例。