实现无缝高质量填隙的方法与流程

实现无缝高质量填隙的方法
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1.pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。


背景技术：

2.许多半导体器件制造工艺涉及形成包括诸如氧化硅之类的氧化物膜的膜。氧化硅膜的沉积可能涉及化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)以及等离子体增强沉积，但在某些情况下可能难以获得高质量的膜。在间隙中沉积膜可能是一种特别的挑战。
3.这里提供的背景技术是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。


技术实现要素：

4.本文公开了沉积氧化硅膜的方法和系统。在本文实施方案的一个方面，提出了一种方法，该方法包括：使用含氢氧化化学品将氧化物填隙材料沉积到衬底的层的图案化特征中，其中所沉积的所述氧化物填隙材料在所述图案化特征内具有多个接缝；以及在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理，从而减小所述接缝的范围。
5.在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过原子层沉积(ald)工艺来执行的。在一些实施方案中，所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使氧化物填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。在一些实施方案中，所述氧化化学品还包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，当使所述氧化化学品流动时，h2和o2之间的体积流率比介于约1:10和约1:1之间。在一些实施方案中，所述氧化物填隙前体包括氨基硅烷、卤代硅烷、烷基硅烷、硅烷或其组合。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过化学气相沉积工艺来执行的。在一些实施方案中，所述氧化物填隙材料是氧化硅。在一些实施方案中，所述图案化特征的深宽比介于约5:1和约80:1之间。
6.在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在至少约400℃的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在介于约400℃和约850℃之间的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在形成h2o的条件下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在h2和o2的存在下执行的。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理期间h2比o2的体积比介于约10:1和约1:1之间。在一些实施方案中，所述含氧化合物包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，所述含氢化合物包括质子酸。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理之前所沉积的所述氧化物填隙材料内的氢百分比为至少约0.1％。在一些实施方案中，所述层包括多晶
硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、geo2或其组合。
7.在本文实施方案的另一方面，提出了一种方法，该方法包括：在第一层内接收具有图案化特征的衬底；将氧化物填隙材料沉积到所述图案化特征中；以及在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过原子层沉积(ald)工艺来执行的。在一些实施方案中，所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使氧化物填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。在一些实施方案中，所述氧化化学品还包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，当使所述氧化化学品流动时，h2和o2之间的体积流率比介于约1:10和约1:1之间。在一些实施方案中，所述氧化物填隙前体包括氨基硅烷、卤代硅烷、烷基硅烷、硅烷或其组合。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过化学气相沉积工艺来执行的。在一些实施方案中，所述氧化物填隙材料是氧化硅。在一些实施方案中，所述图案化特征的深宽比介于约5:1和约80:1之间。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在至少约400℃的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在介于约400℃和约850℃之间的温度下执行的。
8.在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在形成h2o的条件下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在h2和o2的存在下执行的。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理期间h2比o2的体积比介于约10:1和约1:1之间。在一些实施方案中，所述含氧化合物包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，所述含氢化合物包括质子酸。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理之前所沉积的所述氧化物填隙材料内的氢百分比为至少约0.1％。在一些实施方案中，所述层包括多晶硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、geo2或其组合。
9.在本文的实施方案的另一方面中，提出了一种方法，该方法包括：在热处理衬底之前，通过原子层沉积(ald)工艺将氧化物填隙材料沉积到衬底的图案化特征中，其中ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过原子层沉积(ald)工艺来执行的。在一些实施方案中，所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使氧化物填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。在一些实施方案中，所述氧化化学品还包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，当使所述氧化化学品流动时，h2和o2之间的体积流率比介于约1:10和约1:1之间。在一些实施方案中，所述氧化物填隙前体包括氨基硅烷、卤代硅烷、烷基硅烷、硅烷或其组合。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过化学气相沉积工艺来执行的。在一些实施方案中，所述氧化物填隙材料是氧化硅。在一些实施方案中，所述图案化特征的深宽比介于约5:1和约80:1之间。
10.在一些实施方案中，该方法还包括对所沉积的氧化物填隙材料进行热处理。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在至少约400℃的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在介于约400℃和约850℃之间的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在形成h2o的条件下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进
行热处理是在h2和o2的存在下执行的。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理期间h2比o2的体积比介于约10:1和约1:1之间。在一些实施方案中，所述含氧化合物包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，所述含氢化合物包括质子酸。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理之前所沉积的所述氧化物填隙材料内的氢百分比为至少约0.1％。在一些实施方案中，所述层包括多晶硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、geo2、al2o3、tio2、nio、coo、co2o、moo3、hfo、tao或其组合。
11.在本文实施方案的另一方面中，提出了一种方法，该方法包括：接收具有图案化第一层的衬底，该图案化第一层填充有氧化物填隙材料，在该氧化物填隙材料内具有接缝；在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对该氧化物填隙材料进行热处理，从而减小接缝的范围。在一些实施方案中，使用含氢氧化物化学品沉积该氧化物填隙材料。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过原子层沉积(ald)工艺来执行的。在一些实施方案中，所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使氧化物填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。在一些实施方案中，所述氧化化学品还包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，当使所述氧化化学品流动时，h2和o2之间的体积流率比介于约1:10和约1:1之间。在一些实施方案中，所述氧化物填隙前体包括氨基硅烷、卤代硅烷、烷基硅烷、硅烷或其组合。在一些实施方案中，沉积所述氧化物填隙材料是通过化学气相沉积工艺来执行的。在一些实施方案中，所述氧化物填隙材料是氧化硅。在一些实施方案中，所述图案化特征的深宽比介于约5:1和约80:1之间。
12.在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在至少约400℃的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在介于约400℃和约850℃之间的温度下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在形成h2o的条件下执行的。在一些实施方案中，对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在h2和o2的存在下执行的。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理期间h2比o2的体积比介于约10:1和约1:1之间。在一些实施方案中，所述含氧化合物包括n2o、co2、h2o或其组合。在一些实施方案中，所述含氢化合物包括质子酸。在一些实施方案中，在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理之前所沉积的所述氧化物填隙材料内的氢百分比为至少约0.1％。在一些实施方案中，所述层包括多晶硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、geo2或其组合。
13.下面将参照相关附图详细描述所公开的实施方案的这些和其他特征。
附图说明
14.图1呈现了可能在沉积工艺期间形成的接缝。
15.图2呈现了一示例性实施方案的流程图。
16.图3呈现了示例性实施方案的原子层沉积(ald)工艺的另一流程图。
17.图4呈现了可以在如本文所述的沉积工艺期间使用的歧管的框图。
18.图5和图6是用于执行根据所公开的实施方案的方法的处理室的示例的示意图。
具体实施方式
19.半导体制造工艺通常包括使用化学气相沉积(cvd)和/或原子层沉积(ald)方法进行电介质间隙填充以填充特征。本文描述了包括但不限于氧化硅的介电材料填充特征的方法、以及相关的系统和装置。本文所述的方法可用于填充形成于衬底中的竖直定向特征。此类特征可称为间隙、凹陷特征、负特征、未填充特征或简称为特征。填充此类特征可称为填隙。在衬底中形成的特征可以通过窄的和/或内凹的开口、特征内的收缩和高深宽比中的一种或多种来表征。在一些实施方式中，特征可具有至少约2:1、至少约4:1、至少约6:1、至少约20:1、至少约100:1或更大的深宽比。衬底可以是硅晶片，例如200-mm晶片、300-mm晶片或450-mm晶片，包括上面沉积有一层或多层材料(例如电介质、导电或半导体材料)的晶片。
20.用于氧化物膜的填隙沉积工艺会在所沉积的膜中产生接缝。随着膜在特征内保形生长，当膜从特征的侧壁朝向彼此(each)生长时，接缝可能在膜之间的接合处形成。接缝可能是氧化膜的密度较低的区域，并且导致膜质量变差。接缝由于增加了所得半导体器件的故障机会，因此通常是不合乎需要的。
21.本文描述了解决接缝的两种技术，包括使用含氢氧化化学品沉积氧化物填隙材料，并且在含氢和含氧环境中对氧化膜进行热处理或退火。在一些实施方案中，可以使用两种技术，而在其他实施方案中，可以仅使用一种技术。氧化物填隙材料、氧化物膜和氧化物材料在本文中可以互换使用。
22.图1提供了可以如何形成和去除接缝的示图。在操作110中，衬底113具有下伏层111、图案化层112和图案化层112内的特征114。在操作120中，氧化物材料128沉积在衬底113上。可以看出，接缝126可以在特征114中形成。应当理解，虽然氧化物材料128被示为沉积在图案化层112之上，但在一些实施方案中，在图案化层112顶部没有沉积，并且氧化物材料128仅沉积在特征114内。此外，虽然接缝126显示在特征114内，但在一些实施方案中，接缝126可能在图案化层112的顶部上方延伸。此外，在一些实施方案中，下伏层111和图案化层112可以是不同的材料或相同的材料。在一些实施方案中，图案化层112可以包括具有两种或更多种材料的多层堆叠件，例如onon(氧化物-氮化物-氧化物-氮化物)堆叠件、opop(多晶硅上的氧化硅)堆叠件或omom堆叠件(氧化硅在诸如钨、钴或钼之类的金属上)，并且特征114可以形成在这样的多层衬底中，其中特征的侧壁包括两种或更多种成分。在一些实施方案中，图案化层112可以包括多晶硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、或geo2。在一些实施方案中，图案化层112可以是其他金属层。
23.在操作130中，衬底113已经被热处理以减少并且在一些实施方案中基本上或完全去除接缝126。在一些实施方案中，在热处理之后，氧化物材料138没有接缝。在其他实施方案中，热处理减少了接缝的程度，但并未完全去除它们。虽然接缝126在操作130中被示为被移除，但应当理解，在一些实施方案中，接缝126的尺寸已经减小，但仍以较小的程度存在。
24.图2呈现了本文描述的实施方案的工艺流程图200。在操作210中，具有待填充特征的衬底被接收在处理室中。在一些实施方案中，衬底可以保留在来自先前的操作的处理室中，而在其他实施方案中，可以将衬底提供给处理室。衬底具有要填充的图案化特征。在一些实施方案中，图案化特征可以具有介于约5:1和约100:1之间的宽度和深度之间的深宽比。
25.在操作220中，图案化特征通过使用含氢氧化化学品的沉积工艺用氧化物材料填充。在多种实施方案中，介电材料是氧化硅。可以通过ald、等离子体增强ald(peald)、cvd或等离子体增强cvd(pecvd)沉积氧化硅。ald是一种使用连续自限反应沉积薄层材料的技术。ald工艺使用表面介导的沉积反应在循环中逐层沉积膜。例如，ald循环可以包括以下操作：(i)输送/吸附前体，(ii)从室中清除前体，(iii)输送第二反应物和可选的等离子体点火，以及(iv)清除室中的副产品。第二反应物和被吸附的前体之间的在衬底表面形成膜的反应会影响薄膜的组成和性能，例如不均匀性、应力、湿法蚀刻速率、干法蚀刻速率、电气性能(例如击穿电压和漏电)。
26.在ald工艺的一个示例中，包括一组表面活性位点的衬底表面以提供到容纳衬底的室的剂量暴露于第一前体(例如含硅前体)的气相分布。该第一前体的分子被吸附到衬底表面上，从而包括第一前体的化学吸附物质和/或物理吸附分子。应当理解，当化合物如本文所述被吸附到衬底表面上时，吸附层可以包括该化合物以及该化合物的衍生物。例如，含硅前体的吸附层可以包括含硅前体以及含硅前体的衍生物。在第一前体剂量之后，室随后被抽空以去除大部分或全部保留在气相中的第一前体，使得主要地或仅被吸附的物质保留。在一些实现方式中，室可能没有被完全抽空。例如，可以将反应器抽空，使得气相中的第一前体的分压足够低以减轻反应。第二反应物(例如含氢和氧气的气体)被引入到室中，使得这些分子中的一些与吸附在表面上的第一前体反应。在一些工艺中，第二反应物立即与吸附的第一前体反应。在其他实施方案中，第二反应物仅在诸如等离子体之类的活化源被临时施加之后才反应。然后可以再次抽空室以去除未结合的第二反应物分子。如上所述，在一些实施方案中，室可能没有被完全抽空。额外的ald循环可用于构建膜厚度。
27.在一些实施方式中，ald方法包括等离子体活化。如本文所述，本文所述的ald方法和装置可以是保形膜沉积(cfd)方法，其一般地描述于2011年4月11日提交的、名称为“plasma activated conformal film deposition”的美国专利申请no.13/084,399(现为美国专利no.8,728,956)中，其全部内容通过引用并入本文。
28.图3呈现了单个ald循环的工艺流程图。在操作321中，将衬底暴露于含硅前体，例如本文所述的那些中的任何一种，以将前体吸附到特征的表面上。在多种实施方案中，该操作是自限制的。在一些实施方案中，前体吸附到特征表面上的少于全部的活性位点。在操作322中，任选地清扫处理室以去除任何未吸附的含硅前体。在操作323中，将衬底暴露于含氢氧化化学品并且点燃等离子体以在特征中形成第一氧化硅层。在多种实施方案中，操作323将吸附的含硅前体层转化为氧化硅。在操作324中，任选地清扫处理室以去除来自含硅前体和氧化剂之间的反应的副产物。操作321至324可以根据需要任选地重复两个或更多个循环以在特征中沉积氧化硅至所需厚度。
29.应当注意，本文所述的工艺不限于特定的反应机理。因此，关于图3描述的工艺包括使用顺序暴露于含硅反应物和氧化等离子体的所有氧化物沉积工艺，包括不是严格自限制的那些工艺。该工艺包括序列，其中用于产生等离子体的一种或多种气体在整个工艺中连续流动，并伴随间断的等离子体点燃。此外，在一些实施方案中，可以采用使用所述化学品的热ald。
30.为了沉积氧化硅，可以使用一种或多种含硅前体。适用于根据所公开的实施方案使用的含硅前体包括聚硅烷(h3si-(sih2)
n-sih3)，其中n》0。硅烷的示例是硅烷(sih4)、乙硅
烷(si2h6)和有机硅烷，例如甲基硅烷、乙基硅烷、异丙基硅烷、叔丁基硅烷、二甲基硅烷、二乙基硅烷、二叔丁基硅烷、烯丙基硅烷、仲丁基硅烷、己基硅烷、异戊基硅烷、叔丁基二硅烷、二叔丁基二硅烷等。
31.卤代硅烷包括至少一个卤素基团并且可以包括或不包括氢和/或碳基团。卤代硅烷的示例是碘代硅烷、溴代硅烷、氯代硅烷和氟代硅烷。虽然卤代硅烷，特别是氟代硅烷，可能会形成可以在等离子体被激励时蚀刻硅材料的反应性卤化物物质，但在一些实施方案中，当等离子体被激励时，卤代硅烷可能不会被引入到室中，因此由卤代硅烷导致的反应性卤化物物质的形成会减少。具体的氯硅烷是四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷、氯烯丙基硅烷、氯甲基硅烷、二氯甲基硅烷、氯二甲基硅烷、氯乙基硅烷、叔丁基氯硅烷、二叔丁基氯硅烷、氯异丙基硅烷、氯仲丁基硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷、叔己基二甲基氯硅烷(thexyldimethylchlorosilane)等。
32.氨基硅烷包括至少一个与硅原子键合的氮原子，但也可以含有氢、氧、卤素和碳。氨基硅烷的示例是单、二、三和四氨基硅烷(分别为h3si(nh2)、h2si(nh2)2、hsi(nh2)3和si(nh2)4)，以及经取代的单、二-、三-和四-氨基硅烷，例如，叔丁基氨基硅烷、甲基氨基硅烷、叔丁基硅烷胺、双(叔丁基氨基)硅烷(sih2(nhc(ch3)3)2(btbas)、甲硅烷基氨基甲酸叔丁酯、sih(ch3)-(n(ch3)2)2,sihcl-(n(ch3)2)2,(si(ch3)2nh)3等。氨基硅烷的另一个示例是三甲硅烷基胺(n(sih3))。
33.示例性氧化化学品包括氧气、水、二氧化碳、一氧化二氮及其组合中的一种或多种。氢气可以包含在氧化化合物(例如水)中或作为单独的气体。在多种实施方案中，在点燃等离子体的同时将衬底暴露于含氢氧化化学品和惰性气体。例如，在一个实施方案中，在点燃等离子体的同时将氢、氧和氩的混合物引入衬底。示例性的惰性气体包括氦气和氩气。在一些实施方案中，惰性气体充当载气以将处理气体传送至衬底并转移至室的上游。对于通过ald或peald进行的沉积，含硅前体和反应物以脉冲顺序地引入，其可通过清扫操作分离。
34.在一些实施方案中，氢可以作为双原子氢(h2)或作为氧化化合物(例如，水)的一部分包含在氧化化学品中。在一些实施方案中，可以使用容易提供质子的化合物，例如质子酸，例如醇和/或羧酸。尽管在整个说明书中通常使用氢或双原子氢，但应当理解，除了双原子氢之外或代替双原子氢，还可以使用容易提供质子的其他化合物，例如质子酸，如醇和/或羧酸。
35.在操作220中使用ald、peald、cvd和pecvd的任意组合来沉积介电材料的实施方案中，可以在两种技术期间使用相同的反应物和前体。在一些实施方案中，可以根据技术选择不同的前体。例如，在一些实施方案中，ald可以使用卤代硅烷执行，然后使用硅烷作为含硅前体执行pecvd。在一些实施方案中，等离子体在用于沉积介电材料的一种或多种技术期间被点燃。
36.返回图2，在操作220中，使用含氢氧化物化学品将氧化物填隙材料(例如氧化硅)沉积到特征中。含氢氧化物化学品可以包括氢和氧，并且可能有惰性气体。在一些实施方案中，氧化物化学品还可以包括一氧化二氮、二氧化碳或水。除了一氧化二氮、二氧化碳和水之外或代替一氧化二氮、二氧化碳和水，还可以使用其他氧化剂，例如一氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫和含氧烃。在氧化化学品中包含氢可以提供两个好处。首先，氢可以与来自含硅前体的氧化的任何剩余反应物或副产物反应，并增加副产物的去除速率/
减少结合到膜中的副产物。例如，二乙胺可能会在bdeas氧化后残留在膜表面附近。沉积膜是酸性的，而胺是碱性的。氧化化学品中的氢可以与胺反应，将其还原，从而使其更容易被去除。
37.将氢添加到氧化化学品的第二个好处可以是增加后续热处理以去除所沉积的氧化物膜中的接缝的效率。将氢添加到氧化化学品中可能会增加膜的氢含量，可能以水或羟基封端的硅烷物质的形式出现，后者可能有助于接缝的形成。通过增加膜的水和/或h含量，将改进随后的热处理。加热膜内的水可能会导致水和/或h与未与氧共价连接的封端硅烷物质反应，从而减少接缝。在一些实施方案中，额外的氢可在接缝处与硅烷物质反应以引起化学反应，从而导致形成减小接缝尺寸的共价si-o键。
38.氧化化学品气体流中氢比氧的比率可以在约1:10至约1:1的h2:o2之间。在一些实施方案中，气流可以是约5slm h2、约5slm o2和约5slm n2o。过多的氢气可能导致放热、爆炸反应。在一些实施方案中，在操作230之前沉积的氧化物填隙材料中的氢百分比为至少约0.1％或至少约2％。
39.如上所述，氧化物沉积也可以通过cvd工艺来执行。在这样的实施方案中，可以在氧化硅沉积工艺中包括氢以增加膜中的氢含量。用于ald或cvd工艺的氧化物沉积可在约550℃，或在约400℃和约650℃之间进行。室压强可以介于约3托至约12托之间。沉积期间的rf功率可以介于约0.5-6kw之间，并且可以包括高频(13.56mhz)和低频(480khz)射频分量。
40.在操作230中，对衬底进行热处理以减少氧化膜内的接缝的存在或去除接缝。热处理可以在发生氧化物沉积的同一处理室中或在单独的室中进行。热处理也可以称为退火。热处理包括将衬底加热到退火温度，并将衬底暴露于氧气和氢气中。在多种实施方案中，退火温度为至少约200℃、约400℃、约500℃、约550℃或约600℃，至多约850℃或约650℃，或介于约200℃至约650℃之间，介于约400℃至约850℃之间，或介于约550℃至约850℃之间。在一些实施方案中，使用双原子氢和氧，而在其他实施方案中，可以使用含氢化合物和/或含氧化合物。在一些实施方案中，含氢化合物可包括质子酸，例如醇或羧酸。在一些实施方案中，含氧化合物可包括n2o、o2、co2和/或o3。在一些实施方案中，水可以用作含氢化合物和含氧化合物两者。
41.值得注意的是，本公开的一个优点是可以通过在沉积期间使用含氢氧化化学品的组合和在氢和氧存在下热处理衬底而在较低温度下去除接缝。在热处理期间不使用氢和氧，可以通过将衬底加热到约850℃来去除接缝。不使用氢和氧的600℃的热处理，包括使用ar的等离子体退火和惰性气体退火，没有像使用氢和氧那样去除接缝。在低于约850℃的温度下，例如在介于约550℃和约850℃之间的温度下，氢氧退火提供比等离子体退火或惰性气体退火更好的结果。不受特定理论的束缚，较低的允许热处理温度可以至少部分地归因于双原子氢和氧反应以形成水，使得允许水形成的工艺条件可以用于修复在所沉积的氧化物膜中的接缝。在一些实施方案中，可以将水而不是氢和氧用于热处理过程。
42.在一些实施方案中，可以使用含氢化合物而不使用含氧化合物来执行退火，反之亦然。在这类实施方案中，含氢或含氧化合物可与沉积膜内的氢和/或氧反应以驱动硅和氧之间的共价键合，如上所述。在一些实施方案中，含氢或含氧化合物可形成水，这可有助于驱动共价键合并减少接缝。包括没有含氢物质或没有含氧物质的退火的实施方案可以在与使用两者的实施方案相同或相似的工艺条件下进行。在一些实施方案中，可以使用氧自由
基执行退火。氧自由基可以由远程等离子体产生并输送到处理室，如上文关于图3所描述的那样。
43.在一些实施方案中，除了氧化硅膜之外，可以用其他金属氧化物膜执行本文所述的退火处理。例如，本文所述的在含氢和/或含氧化合物存在下的退火可用于减少接缝并改善各种金属氧化物膜中的me-o键。可以通过退火处理以减少接缝的金属氧化物膜包括：ta、hf、zr、ge、w、mo、co、ni、y、sn、ti或al氧化物膜。
44.在一些实施方案中，退火在执行氧化物沉积的处理室的异位进行。在其他实施方案中，退火在执行氧化物沉积的同一室中执行。用于热处理的氢比氧的比例可以介于约1:1和约10:1h2:o2之间，例如约5slm:5slm。处理室压强可以介于约15托和大气压之间。退火温度可以是至少约500℃、约600℃、约700℃或约800℃。热处理的持续时间为约90分钟，或介于约30至约180分钟之间。
45.在一些实施方案中，使用特定歧管来抑制反向爆燃。这允许使用更多的氢气，同时降低剧烈爆炸的风险。图4提供了可用于如本文所述的沉积和/或热处理工艺的歧管的框图。歧管403和404位于歧管406和405下方，歧管406和405分别流动惰性气体和氧气。惰性气体用于控制和抑制歧管内氢气和氧气的反应。在一些实施方案中，惰性气体还促进分别来自歧管404和405的氧气和氢气的混合。在一些实施方案中，惰性气体确保来自歧管403、404和405中的任一个的残余气体不会留在歧管内，留在歧管可能导致歧管内不期望的沉积。清洁气体403可以是nf3或f2。歧管403-406中的每一个通向处理室，在该处理室中执行如本文所述的工艺。装置
46.本文所述的方法可以通过任何合适的装置或装置的组合来执行。一种合适的装置包括根据本公开的用于完成工艺操作的硬件和具有用于控制过程操作的指令的系统控制器。例如，在一些实施方案中，硬件可以包括一个或多个包括在处理工具中的处理站。在本公开中，热ald/cvd和peald/pecvd可以在单个站/室中执行。
47.图5是根据一些实施方案的用于使用热ald沉积含硅膜的示例性等离子体处理装置的示意图。等离子体装置或处理站500a包括用于维持低压环境的等离子体处理室502。多个等离子体装置或处理站500a可以包括在共同的低压处理工具环境中。例如，图6描绘了多站处理工具600的实施方案。在一些实施方案中，等离子体装置或处理站500a的一个或多个硬件参数(包括以下详细讨论的那些)可以由一个或多个系统控制器550以编程方式调整。等离子体装置或处理站500a可以被配置为执行热ald和peald、热cvd和peald、热ald和pecvd、或热cvd和pecvd。在一些实施方案中，等离子体装置或处理站500a可以被配置成执行一个或多个peald循环和一个或多个热ald循环以在衬底56上沉积氧化硅膜。
48.装置或处理站500a与反应物输送系统501a流体连通，以用于将处理气体输送到分配喷头506。反应物输送系统501a包括混合容器504，其用于共混和/或调节处理气体，例如气相的含硅前体，以输送至喷头506。在一些实施方案中，反应物输送系统501a包括混合容器504，其用于共混和/或调节含氧反应物(例如，氧气)以输送至喷头506。在一些实施方案中，反应物输送系统501a包括混合容器504，其用于共混和/或调节氢气和含氧反应物(例如，氧气)，以输送到喷头506。一个或多个混合容器入口阀520可以控制引入处理气体到混合容器504。含氧反应物的等离子体也可以被输送到喷头506或者可以在等离子体装置或处
理站500a中产生。喷头506可以流体耦合到等离子体处理室502，以将含硅前体和反应物输送到等离子体处理室502中。
49.作为示例，图5的实施方案包括汽化点503，其用于汽化待供应到混合容器504的液体反应物。在一些实施方案中，汽化点503可以是加热汽化器。在一些实施方案中，汽化点503下游的输送管道可以被热追踪。在一些示例中，混合容器504也可以被热追踪。在一个非限制性示例中，汽化点503下游的管道在混合容器504处具有从大约100℃延伸到大约150℃的增加的温度分布。在一些实施方案中，液体前体或液体反应物可在液体注射器处被汽化。例如，液体注射器可将液体反应物的脉冲注入到混合容器504上游的载气流中。在一实施方案中，液体注射器可通过使液体从较高压力闪蒸至较低压力而使反应物汽化。在另一示例中，液体注射器可以将液体雾化成分散的微滴，随后在加热的输送管中汽化。较小的液滴会比较大的液滴蒸发得快，从而减少了液体注入和完全汽化之间的延迟。更快的蒸发可以减少汽化点503下游的管道的长度。在一种情况下，液体注射器可以直接安装到混合容器504。在另一种情况下，液体注射器可以直接安装到喷头506。
50.在一些实施方案中，可以提供汽化点503上游的液体流量控制器(lfc)，用于控制液体的质量流量以用于汽化和递送至等离子体装置或者处理站500a。例如，lfc可以包括位于lfc下游的热质量流量计(mfm)。lfc的柱塞阀然后可以响应于与mfm电通信的比例-积分-微分(pid)控制器提供的反馈控制信号进行调节。但是，使用反馈控制可能需要一秒或更长时间来稳定液体流量。这可能会延长液体反应物的投配时间。因此，在一些实施方案中，lfc可以在反馈控制模式和直接控制模式之间动态地切换。在一些实施方案中，这可以通过禁用lfc的感测管和pid控制器来执行。
51.喷头506将处理气体朝衬底512分配。在图5所示的实施方案中，衬底56位于喷头506下方，并且显示为搁置在衬底支撑件508上，其中衬底支撑件508被配置为支撑衬底56。衬底支撑件508可以包括卡盘、叉子或升降销(未示出)，以在沉积操作期间和沉积操作之间保持和转移衬底56。卡盘可以是静电卡盘、机械卡盘或可用于工业和/或研究的各种其他类型的卡盘。喷头506可以具有任何合适的形状，并且可以具有用于将处理气体分配到衬底56的任何合适数量和布置的端口。
52.在一些实施方案中，衬底支撑件508可以升高或降低以将衬底56暴露于衬底56和喷头506之间的体积。应当理解，在一些实施方案中，衬底支撑件高度可以通过合适的系统控制器550程序化地调整。
53.在另一种情况下，调整衬底支撑件508的高度可以使得能在处理中包括的等离子体激活循环期间改变等离子体密度。在处理阶段结束时，衬底支撑件508可在另一衬底转移阶段期间降低以使得能从衬底支撑件508移除衬底56。
54.在一些实施方案中，衬底支撑件508可以被配置为经由加热器510被加热到升高的温度。在一些实施方案中，在如所公开的实施方案中描述的氧化硅膜的沉积期间，衬底支撑件508可以被加热到小于约850℃的温度，例如约介于约500℃和约750℃之间或介于约500℃和约650℃之间的温度。此外，在一些实施方案中，装置或处理站700a的压强控制可以由蝶阀518提供。如图5的实施方案所示，蝶阀518节流由下游真空泵(未示出)提供的真空。然而，在一些实施方案中，等离子体处理室502的压强控制也可以通过改变引入等离子体处理室502的一种或多种气体的流率来调节。在一些实施方案中，等离子体处理室502中的压强
可以是如在所公开的实施方案中所描述的，在氧化硅膜的沉积过程中，被控制为等于或大于约3托、或介于约3托和约10托之间。
55.在一些实施方案中，喷头506的位置可以相对于衬底支撑件508进行调整，以改变衬底56和喷头506之间的体积。此外，应当理解，衬底支撑件508和/或喷头506的竖直位置可以通过本公开范围内的任何合适的机构来改变。在一些实施方案中，衬底支撑件508可以包括用于旋转衬底56的方位的旋转轴。应当理解，在一些实施方案中，这些示例性调整中的一个或多个可以由一个或多个合适的系统控制器550以编程方式执行。
56.在如上所述可以使用等离子体的一些实施方案中，喷头506和衬底支撑件508电连通射频(rf)电源514和匹配网络516，以在等离子体处理室502中为等离子体供电。在一些实施方案中，可以通过控制处理站压强、气体浓度、rf源功率、rf源频率和等离子体功率脉冲时序中的一项或多项来控制等离子体能量。例如，rf电源514和匹配网络516可以在任何合适的功率下操作以形成具有所需自由基物质组成的等离子体。在一些实施方案中，rf电源514和匹配网络516可以被操作以将等离子体功率施加到等离子体处理室502以点燃由等离子体处理室502中的氢气和含氧反应物产生的等离子体。rf电源514供应的示例性等离子体功率可以是至少约500w，等于或小于约6kw，或介于约500w和约6kw之间。同样，rf电源514可以提供任何合适频率的rf功率。在一些实施方案中，rf电源514可以被配置为相互独立地控制高频和低频rf电源。示例性低频rf频率可以包括但不限于0khz和500khz之间的频率。示例性高频rf频率可以包括但不限于介于1.8mhz和2.45ghz之间的频率，或至少约13.56mhz，或至少约27mhz，或至少约40mhz，或至少约60mhz的频率。应当理解，可以离散地或连续地调制任何合适的参数以提供用于表面反应的等离子体能量。在一些实施方案中，可以使用其他电极配置来为喷头506提供电力。
57.在一些实施方案中，等离子体可以由一个或多个等离子体监控器原位监测。在一种情况下，等离子体功率可以由一个或多个电压传感器、电流传感器(例如，vi探头)来监测。在另一种情况下，可以通过一个或多个光发射光谱传感器(oes)来测量等离子体密度和/或处理气体浓度。在一些实施方案中，一个或多个等离子体参数可以基于来自这种原位等离子体监控器的测量而被以编程方式调整。例如，oes传感器可以用在反馈回路中以提供对等离子体功率的编程控制。应该理解的是，在一些实施方案中，可以使用其他监控器来监控等离子体和其他工艺特性。这种监控器可以包括但不限于红外(ir)监控器、声音监控器和压力传感器。
58.在一些实施方案中，可以经由输入/输出控制(ioc)排序指令来提供用于控制器550的指令。在一个示例中，用于设置工艺阶段的条件的指令可以被包括在工艺配方的对应配方阶段中。在某些情况下，工艺配方阶段可以被顺序排列，使得工艺阶段的所有指令与该工艺阶段同时执行。在一些实施方案中，用于设置一个或多个反应器参数的指令可以被包括在配方阶段中。例如，第一配方阶段可以包括用于设定惰性气体和/或前体气体(例如，含硅前体)的流率的指令、用于设定载气(例如氩)的流率的指令和用于第一配方阶段的时间延迟指令。随后的第二配方阶段可包括用于调节或停止惰性气体和/或前体气体的流率的指令以及用于调节载气或清扫气体的流率的指令以及用于第二配方阶段的时间延迟指令。第三配方阶段可以包括用于调节诸如氧气之类的含氧气体的流率的指令、用于调节氢气流率的指令、用于调节载气或清扫气体的流率的指令以及用于第三配方阶段的时间延迟指
令。随后的第四配方阶段可包括用于调节或停止惰性气体和/或反应物气体的流率的指令，以及用于调节载气或清扫气体的流率的指令以及用于第四配方阶段的时间延迟指令。在一些实施方案中，第四配方可以包括用于点燃含氧反应物的等离子体的指令。应当理解，这些配方阶段可以在所公开的实施方案的范围内以任何合适的方式进一步细分和/或重复。
59.在某些实施方案中，控制器550具有用于执行本公开中描述的操作的指令。例如，控制器550可以配置有指令以执行以下操作：在等离子体处理室502中将衬底56暴露于含硅前体以使其吸附到衬底56的表面上，使氢气和含氧反应物流向在等离子体处理室502中的衬底56，并将衬底56加热到升高的温度，其中氢气和含氧反应物在等离子体处理室502中相互反应，其中在衬底56上形成氧化硅膜层。在一些实施方案中，升高的温度介于约500℃和约650℃之间，并且含氧反应物是氧。在一些实施方案中，控制器550进一步配置有指令以执行以下操作：在等离子体处理室502中通过peald在衬底56上沉积一或多个额外的氧化硅膜层。在一些实施方案中，配置为具有用于使氢气和含氧反应物流动的指令的控制器550被配置有用于执行以下操作的指令：使含氧反应物连续流入等离子体处理室502，并且以规则的间隔使氢气脉冲化进入等离子体处理室502。在一些实施方案中，控制器550可以包括以下参考图6的系统控制器650描述的任何特征。
60.图6是用于执行所公开的实施方案的示例性处理工具的示意图。多站处理工具600可以包括传送模块603。传送模块603提供清洁的加压环境，以最小化正在处理的衬底在各个反应器模块之间移动时受到污染的风险。安装在转移模块603上的是多站反应器607、608和609，在本文中其称为处理室或反应器或工具模块或模块。每个反应器都能够执行沉积工艺，例如peald、热ald、pecvd或热cvd。反应器607、608和609中的一个或多个可以能够执行浸泡/清洁、等离子体处理、蚀刻、退火或其他操作。根据所公开的实施方案，反应器607、608和609可以包括多个站611、613、615和617，其可以顺序地或非顺序地执行操作。虽然所描绘的反应器607、608或609被描绘为具有四个站，但是应当理解，根据本公开的反应器可以具有任何合适数量的站。例如，在一些实施方案中，反应器可以具有五个或更多站，而在其他实施方案中，反应器可以具有三个或更少的站。每个站可配置用于通过peald、热ald、pecvd或热cvd进行沉积，或配置用于沉积工艺的不同阶段。每个站可以包括被配置为被加热到升高的温度的衬底支撑件以及用于输送气体的喷头或气体入口。
61.多站处理工具600还包括一个或多个衬底源模块601，衬底在处理之前和之后存储在其中。大气传送室619中的大气机械手604首先将衬底从一个或多个衬底源模块601移至装载锁621。虽然所描绘的实施方案包括装载锁621，但是应当理解，在一些实施方案中，可以使衬底直接进入处理站。传送模块603中的衬底传送设备605(例如机械手臂单元)将衬底从装载锁621移动到反应器607、608和609以及在反应器607、608和609之间移动。这可以在加压(例如，真空)环境中进行。多站处理工具600可以执行本公开中描述的一种或多种工艺以及诸如浸泡/清洁、等离子体处理、退火等其他操作。这样的工艺可以在多站处理工具中执行600，而没有导致真空破坏。
62.图6还可以包括系统控制器650，其用于控制多站处理工具600的工艺条件和硬件状态。系统控制器650可以包括一个或多个存储器设备、一个或多个海量存储设备以及一个或多个处理器。处理器可以包括cpu或计算机、模拟和/或数字输入/输出连接、步进电机控制器板等。
63.在一些实施方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
64.概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个工艺操作。
65.在一些实施方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置工艺操作以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个工艺操作的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
66.示例性系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
67.如上所述，根据将由工具执行的一个或多个工艺操作，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于
整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。
68.回到图6的实施方案，在一些实施方案中，系统控制器650控制多站处理工具600的所有活动。系统控制器650执行存储在海量存储设备、载入存储器设备、并在处理器上执行的系统控制软件。替代地，控制逻辑可以在控制器650中硬编码。专用集成电路、可编程逻辑设备(例如，现场可编程栅极阵列、或者fpga)等可以用于这些目的。在下面的讨论中，无论使用“软件”还是“代码”，可以使用功能上相当的硬编码的逻辑来取代。系统控制软件658可以包含用于控制时序、气体的混合、室和/或站压强、室和/或站温度、晶片温度、目标功率电平、rf功率电平、rf暴露时间、衬底基座、卡盘和/或基座位置、以及由多站处理工具600进行的特定工艺的其它参数的指令。系统控制软件可以以任何适当的方式配置。例如，各种处理工具部件子程序或者控制对象可以写入以控制执行各种处理工具处理所必要的处理工具部件的操作。系统控制软件可以以任何适当的计算机可读编程语言来编码。
69.在一些实施方案中，系统控制软件可以包括用于控制上述各种参数的输入/输出控制(ioc)排序指令。例如，热ald循环的每个阶段或peald循环的每个阶段可以包括一个或多个用于由系统控制器650执行的指令。用于设置ald工艺阶段的工艺条件的指令可以包括在相应的ald配方阶段中。在一些实施方案中，ald配方阶段可以顺序排列，使得用于ald工艺阶段的所有指令与该处理阶段同时执行。
70.在一些实施方案中可以采用与系统控制器650关联的、存储在海量存储设备和/或存储器设备的其它计算机软件和/或程序。用于该目的的程序或者程序段的示例包含衬底定位程序、处理气体控制程序、压力控制程序、加热器控制程序、以及等离子体控制程序。
71.衬底定位程序可以包含用于处理工具组件的程序代码，该处理工具组件用于将衬底装载到基座，并且控制衬底和多站处理工具600的其它部分之间的间隔。
72.处理气体控制程序可以包括用于控制气体组成和流率以及任选地用于在沉积之前使气体流入一个或多个处理站以便稳定处理站中的压强的代码。在一些实施方案中，控制器包括用于在等离子体处理室中通过热ald沉积第一氧化硅层以及在同一等离子体处理室中通过peald沉积第二氧化硅层的指令。在一些实施方案中，控制器包括用于通过在配料阶段将含硅前体递送至衬底并且在热氧化阶段使氢和氧共同流向衬底来沉积氧化硅层的指令。
73.压强控制程序可以包含用于通过调节例如在处理站的排放系统中的节流阀、进入处理站内的气体流量等等来控制处理站内的压强的代码。在一些实施方案中，该控制器包括用于在执行氧化硅层的热ald之前将等离子体处理室中的室压强提供为至少约3托的指令。
74.加热器控制程序可包含用于控制流向用于加热衬底的加热单元的电流的代码。替代地，加热器控制程序可控制传热气体(如氦气)朝向衬底的传送。在某些实施方案中，控制器包括用于在热ald循环的热氧化阶段期间将衬底加热到升高的温度的指令，其中升高的温度介于约400℃和约650℃之间。
75.等离子体控制程序可以包括用于根据本文的实施方案在一个或多个处理站中设置rf功率电平和暴露时间的代码。在一些实施方案中，控制器包括用于在氢和氧并流时在热ald循环的热氧化阶段期间以介于约10w和约200w之间的rf功率电平点燃等离子体的指
令。
76.在一些实施方案中，可以存在与系统控制器650相关联的用户界面。用户界面可以包含显示屏、装置和/或处理条件的图形软件显示器、以及诸如定点设备、键盘、触摸屏、麦克风等用户输入设备。
77.在一些实施方案中，由系统控制器650调整的参数可能与处理条件有关。非限制性示例包括处理气体组成和流率、温度、压强、等离子体条件(例如rf功率电平和暴露时间)等。这些参数可以以配方的形式提供给用户，该配方可以利用用户界面输入。
78.用于监控工艺的信号可以由系统控制器650的模拟和/或数字输入连接件从各种处理工具传感器提供。用于控制处理的信号可以通过多站处理工具600的模拟和数字输出连接件输出。可被监控的处理工具传感器的非限制性示例包含质量流量控制器、压力传感器(例如压力计)、热电偶等等。经适当编程的反馈和控制算法可以与来自这些传感器的数据一起使用，以保持处理条件。
79.系统控制器650可以提供用于实施上述沉积工艺的程序指令。所述程序指令可以控制多种处理参数，如dc功率电平、rf偏置功率电平、压强、温度、气流组成、流率等。所述指令可以根据本文所述的各种实施方案控制参数以操作氧化硅膜的热ald或热cvd。
80.系统控制器650将通常包含一个或多个存储器设备和被配置成进行指令的一个或多个处理器以使该装置将进行根据所公开的实施方案所述的方法。包含用于控制根据所公开的实施方案的工艺操作的指令的机器可读的非暂时性介质可以耦合到系统控制器。
81.上述的各种硬件和方法实施方案可以与光刻图案化工具或处理结合使用，例如，用于制备或制造半导体器件、显示器、led、光伏电池板等。通常，虽然不是必要地，这些工具/处理将在共同的制造设施中一起使用或进行。结论
82.虽然上述实施方案已经为了清楚理解的目的在一些细节方面进行了描述，但显而易见的是，某些变化和修改方案可在所附权利要求的范围内实施。可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践所公开的实施方案。在其他情况下，没有详细描述众所周知的工艺操作，以免不必要地使所公开的实施方案难以理解。此外，尽管结合具体实施方案描述了所公开的实施方案，但应当理解，具体实施方案并非意在限制所公开的实施方案。应当注意的是，具有实施本发明的实施方案的过程、系统和装置的许多替代方式。因此，本发明的实施方案应被视为是说明性的而不是限制性的，并且所述实施方案并不限于本文所给出的细节。