1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、n型层和有源层，其特征在于，
所述发光二极管外延片还包括依次层叠在所述有源层上的多个周期交替生长的电子阻挡层和p型层，每个所述电子阻挡层均为algan层，沿所述外延片的层叠方向，每个周期的所述电子阻挡层中的al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，每个周期的所述p型层中的mg的掺杂浓度逐渐升高。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层中的al组分的变化范围为0.1～0.4。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层中的al组分的降低幅度为0.05～0.25。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层的厚度的变化范围为1～20nm。
5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层的厚度的降低幅度为5～15nm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述p型层中的mg的掺杂浓度的变化范围为5*1017cm-3～6*1020cm-3。
7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述p型层的厚度逐渐减小。
8.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、n型层和有源层；
在所述有源层上生长多个周期交替生长的电子阻挡层和p型层，每个所述电子阻挡层均为algan层，沿所述外延片的层叠方向，每个周期的所述电子阻挡层中的al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，每个周期的所述p型层中的mg的掺杂浓度逐渐升高。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，多个所述电子阻挡层的生长温度均为930～970℃，生长压力均为100～200torr。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，多个所述p型层的生长温度均为940～980℃，生长压力均为200～600torr。