封装方法与流程

1.本技术涉及封装技术领域，特别是涉及一种封装方法。


背景技术：

2.目前对于焊点在同一面的芯片而言，其常见的封装方式为先用绝缘胶将芯片在金属框架上固定，然后使用键合的方式将芯片上的焊点与金属框架上的焊盘连接，然后使用树脂整体塑封。
3.本技术的发明人发现，目前使用上述封装方式形成的封装产品尺寸大，不符合更小、更薄的市场需求，因此需要采用更先进的封装方式来实现。


技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种封装方法，能够提高生产效率，且能够减小形成的封装体的厚度。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种封装方法，所述方法包括：在载板的第一焊盘上涂布焊接材料；提供芯片，所述芯片的功能面上形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层设有开口区域以至少暴露所述芯片上的第二焊盘，其中，所述第一绝缘层凸出所述第二焊盘的第一高度大于所述焊接材料的第二高度，且所述第一高度与所述第二高度的差值在预设范围内；将所述芯片倒装在所述载板上，以使所述焊接材料容纳在所述第一绝缘层上的所述开口区域内；对倒装有所述芯片的所述载板进行回流焊处理，以使所述第一焊盘通过所述焊接材料与所述第二焊盘电连接。
6.其中，所述提供芯片的步骤，包括：在晶圆的正面上覆盖第二绝缘层；图案所述第二绝缘层，以裸露所述晶圆的正面上的第三焊盘；对所述晶圆进行切割处理，得到多个所述芯片。
7.其中，所述焊接材料包括导电胶、锡膏、焊片中的至少一种。
8.其中，在所述在载板的第一焊盘上涂布焊接材料之前，还包括：在第一导电层上依次设置介质层、与所述第一导电层的第二导电层；图案所述第二导电层以形成所述第一焊盘，从而得到所述载板。
9.其中，所述在第一导电层上依次设置介质层、与所述第一导电层的第二导电层的步骤，包括：在所述第一导电层上设置所述介质层；在所述介质层上形成暴露所述第一导电层的过孔；在所述过孔内填充导电材料；在所述介质层远离所述第一导电层一侧形成所述第二导电层，以使所述第二导电层通过所述过孔内的所述导电材料与所述第一导电层电连接。
10.其中，所述在第一导电层上依次设置介质层、与所述第一导电层的第二导电层的步骤，包括：将所述第一导电层固定在支撑板上；在所述第一导电层远离所述支撑板一侧依次形成所述介质层以及与所述第一导电层电连接的所述第二导电层。
11.其中，在所述对倒装有所述芯片的所述载板进行回流焊处理之后，还包括：去除所
述支撑板；图案所述载板的所述第二导电层以形成与所述第一焊盘电连接的第四焊盘。
12.其中，所述将所述第一导电层固定在支撑板上的步骤，包括：将所述第一导电层通过黏结材料固定在所述支撑板上。
13.其中，所述粘结材料为胶带。
14.其中，在所述对倒装有所述芯片的所述载板进行回流焊处理之后，还包括：在所述载板设置有所述芯片一侧形成包裹所述芯片的塑封层；对所述载板上相邻两个所述芯片之间进行切割，得到多个封装体。
15.本技术的有益效果是：本技术将焊接材料预先涂布在载板的第一焊盘上，相比预先涂布在芯片的第二焊盘上，可以降低抓取芯片的难度(若将焊接材料涂布在芯片上，在抓取芯片时要避免焊接材料发生位移、掉落等情况)，从而提高生产效率，同时第一绝缘层凸出第二焊盘的第一高度大于焊接材料的第二高度，且第一高度与第二高度的差值在预设范围内，既能避免在焊接过程中，焊接材料溢出开口区域造成漏电、短路等问题，也能避免因为焊接材料过少而造成虚焊、内部坍塌等现象，另外采用倒装的方式将芯片安装在基板上，能够降低最终封装产品的厚度以及使封装体具备更好的散热性能。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
17.图1是本技术封装方法一实施方式的流程示意图；
18.图2是对应图1的部分制备过程图；
19.图3是图2的后续过程图；
20.图4是图3的后续过程图；
21.图5是图3中芯片的制备过程图。
具体实施方式
22.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
23.参阅图1至图4，本技术的封装方法包括：
24.s110：在载板1100的第一焊盘1101上涂布焊接材料1102。
25.具体地，以涂布的方式在第一焊盘1101上形成焊接材料1102。其中焊接材料1102包括导电胶、锡膏、焊片中的至少一种，也就是说，焊接材料1102可以是导电胶、锡膏、焊片中的一种，也可以是导电胶、锡膏、焊片中任意两种或三种的组合。
26.在一应用场景中，为了保证最终得到的封装产品更薄，载板1100的制备方法包括：在第一导电层1110上依次设置介质层1120、与第一导电层1110的第二导电层1130；图案第二导电层1130以形成第一焊盘1101，从而得到载板1100。
27.具体地，介质层1120主要起支撑作用，其材料可以是任何可以作为电路板基材的绝缘材料，例如：介质层1120的材料可以是增强材料(例如：纸、纺织品、玻璃布、玻璃无纺布，等等)浸以树脂(酚醛、环氧、聚酰亚胺，等等)而形成。
28.第一导电层1110与第二导电层1130的材料相同或不同，例如，第一导电层1110、第二导电层1130的材料均是铜，例如：铜箔。
29.同时可以采用激光烧蚀第二导电层1130的方式形成第一焊盘1101，也可以化学刻蚀的方式形成第一焊盘1101，在此不做限制。
30.可以理解的是，通过上述方式得到的载板1100区别于现有技术中的金属框架，其为超薄载板，从而能够降低最终得到的封装产品的厚度。
31.在一应用场景中，在第一导电层1110上依次设置介质层1120、与第一导电层1110的第二导电层1130的步骤具体包括：在第一导电层1110上设置介质层1120；在介质层1120上形成暴露第一导电层1110的过孔1121；在过孔1121内填充导电材料11211；在介质层1120远离第一导电层1110一侧形成第二导电层1130，以使第二导电层1130通过过孔1121内的导电材料11211与第一导电层1110电连接。
32.具体地，形成过孔1121的方式可以是激光烧蚀，也可以是化学蚀刻等。同时在过孔1121内填充的导电材料11211可以与第一导电层1110、第二导电层1130的材料相同，例如，第一导电层1110、过孔1121内填充的导电材料11211以及第二导电层1130的材料均为铜。
33.继续参阅图1，在一应用场景中，考虑到第一导电层1110的厚度较薄，其支撑能力不强，因此为了便于后续在第一导电层1110上依次形成介质层1120和第二导电层1130，在一应用场景中，将第一导电层1110固定在支撑板1140上，然后在第一导电层1110远离支撑板1140一侧依次形成介质层1120以及与第一导电层1110电连接的第二导电层1130。
34.具体地，支撑板1140可以是任何具有支撑能力的板件，例如，支撑板1140为钢板、木板等。
35.同时为了便于后续去除支撑板1140，可以将第一导电层1110通过黏结材料固定在支撑板1140上，例如，黏结材料为胶带，且该胶带未耐高温的高温胶带，或者黏结材料也可以为液态的黏结剂，通过对液态的黏结剂进行固化而将第一导电层1110固定在支撑板1140上。
36.s120：提供芯片1200，芯片1200的功能面上形成有第一绝缘层1210，第一绝缘层1210设有开口区域1211以至少暴露芯片1200上的第二焊盘1220，其中，第一绝缘层1210凸出第二焊盘1220的第一高度大于焊接材料1102的第二高度，且第一高度与第二高度的差值在预设范围内。
37.在一应用场景中，参阅图5，步骤s120具体包括：在晶圆1300的正面上覆盖第二绝缘层1310；图案第二绝缘层1310，以裸露晶圆1300的正面上的第三焊盘1320；对晶圆1300进行切割处理，得到多个芯片1200。
38.具体地，首先在晶圆1300的正面上涂布液态的绝缘材料(例如树脂)，然后固化液态的绝缘材料形成第二绝缘层1310(也可以在晶圆1300的正面上直接覆盖膜状的第二绝缘层1310)，接着通过诸如曝光、显影的方式在第二绝缘层1310上形成开口区域1211(也可以通过激光烧蚀或者机械切割的方式形成开口区域1211)，其中，形成的开口区域1211裸露晶圆1300上第三焊盘1320的部分或全部，最后沿着晶圆1300上的切割道(图未示)切割，得到
多个芯片1200。
39.在其他应用场景中，也可以先将晶圆1300进行切割，然后再形成第二绝缘层1310以及在第二绝缘层1310上形成开口区域1211。
40.s130：将芯片1200倒装在载板1100上，以使焊接材料1102容纳在第一绝缘层1210上的开口区域1211内。
41.具体地，第一绝缘层1210的设置一方面用于保护芯片1200的功能面，避免将芯片1200倒装在载板1100的过程中划伤芯片1200的功能面，另一方面可以将焊接材料1102限制在开口区域1211内，避免后续焊接材料1102溢出而造成漏电、短路等问题。
42.同时，第一绝缘层1210凸出第二焊盘1220的第一高度大于焊接材料1102的第二高度，且第一高度与第二高度的差值在预设范围内，既能避免焊接材料1102溢出开口区域1211而造成漏电、短路等问题，也能避免因为焊接材料1102过少而造成虚焊、内部坍塌等现象。
43.s140：对倒装有芯片1200的载板1100进行回流焊处理，以使第一焊盘1101通过焊接材料1102与第二焊盘1220电连接。
44.具体地，将倒装有芯片1200的载板1100放入回流炉进行回流焊处理，使芯片1200固定在载板1100上，并使第一焊盘1101通过焊接材料1102与第二焊盘1220电连接。
45.s150：在载板1100设置有芯片1200一侧形成包裹芯片1200的塑封层1400。
46.具体地，形成的塑封层1400用于保护芯片1200的各个表面，其中，塑封层1400的材料可以是环氧树脂、陶瓷等材料，在此不做限制。
47.在一应用场景中，当使用支撑板1140固定第一导电层1110时，在形成塑封层1400之后，还会去除支撑板1140，并图案载板1100的第二导电层1130以形成与第一焊盘1101电连接的第四焊盘1111。
48.其中，当使用黏结材料将第一导电层1110固定在支撑板1140上时，可以直接将支撑板1140、黏结材料与第一导电层1110分离，也可以先通过光照等方式降低黏结材料的粘性，然后再将支撑板1140、黏结材料与第一导电层1110分离。
49.同时图案第二导电层1130的方式与上述图案第一导电层1110的方式相同，详见可参见上述实施方式，在此不再赘述。
50.s160：对载板1100上相邻两个芯片1200之间进行切割，得到多个封装体1500。
51.具体地，对载板1100进行切割的方式不限于机械切割、激光切割等方式。
52.同时通过上述封装方法制备得到的封装体1500可以应用于消费类电子领域。
53.上述实施方式在封装的过程中，将焊接材料1102预先涂布在载板1100的第一焊盘1101上，相比预先涂布在芯片1200的第二焊盘1220上，可以降低抓取芯片1200的难度(若将焊接材料1102涂布在芯片1200上，在抓取芯片1200时要避免焊接材料1102发生位移、掉落等情况)，从而提高生产效率，同时第一绝缘层1210凸出第二焊盘1220的第一高度大于焊接材料1102的第二高度，且第一高度与第二高度的差值在预设范围内，既能避免在焊接过程中，焊接材料1102溢出开口区域1211造成漏电、短路等问题，也能避免因为焊接材料1102过少而造成虚焊、内部坍塌等现象，另外采用倒装的方式将芯片安装在基板上，能够降低最终封装产品的厚度以及使封装体具备更好的散热性能。
54.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术
说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。