微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

mled(micro、minilightemittingdiode，微发光二极管)是新一代显示技术，比现有的oled(organiclightemittingdiode，有机发光二极管)显示技术的亮度更高、发光效率更好、且功耗更低，因此受到广泛关注。大尺寸的微发光二极管显示面板主要是通过多个小尺寸的微发光二极管显示面板拼接形成，多个小尺寸的微发光二极管显示面板的外围走线区均设置有多个金属接线垫，使得大尺寸的微发光二极管显示面板存在多个拼接缝隙。

另外，现有技术的微发光二极管显示面板采用薄膜晶体管的源极和电源线的负极作为微发光二极管的绑定端，其中，所述源极、所述电源线的负极以及外围走线区内的多个金属接线垫对环境光的反射会造成微发光二极管显示面板的对比度降低，影响微发光二极管显示面板的显示品质。故，有必要改善这一缺陷。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板，用于解决由于现有技术的微发光二极管显示面板的源极、电源线的负极以及外围走线区内的多个金属接线垫反光造成的微发光二极管显示面板的对比度降低，影响微发光二极管显示面板的显示品质的技术问题。

本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板，包括微发光二极管绑定区、遮光区和外围走线区，所述微发光二极管显示面板还包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上的第一金属层、位于所述第一金属层之上的层间绝缘层以及位于所述层间绝缘层之上的第二金属层；其中，所述第二金属层之上且对应于所述微发光二极管绑定区和所述外围走线区设置有用于降低所述第二金属层的反射率的减反层。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述第二金属层包括位于所述微发光二极管绑定区的源极和电源线的负极、位于所述遮光区的漏极以及位于所述外围走线区的所述电源线。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述减反层设置于所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的表面。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，位于所述微发光二极管绑定区的所述源极和所述电源线的负极与所述减反层之间设有一绝缘层，所述源极和所述电源线的负极通过过孔与所述减反层电性连接，位于所述外围走线区的所述电源线与所述减反层层叠设置。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述减反层包括沿远离所述第二金属层的方向依次层叠设置的第一减反层和第二减反层，所述第一减反层的材料为钼、钼的合金或钼的氧化物，所述第二减反层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述第二金属层的材料包括铜或铜的合金。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述第一金属层包括位于所述遮光区的栅极和位于所述外围走线区的数据线。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述第一金属层包括依次层叠设置的第一子膜层、第二子膜层和第三子膜层，所述第一子膜层的材料为铜，所述第二子膜层的材料为钼、钼的合金或钼的氧化物，所述第三子膜层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板的制备方法，所述微发光二极管显示面板包括微发光二极管绑定区、遮光区和外围走线区，所述制备方法包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板之上制备第一金属层；在所述第一金属层之上制备层间绝缘层；在所述层间绝缘层之上制备第二金属层；在所述第二金属层之上制备绝缘层；以及在所述第二金属层之上且对应于所述微发光二极管绑定区和所述外围走线区制备用于降低所述第二金属层的反射率的减反层。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的微发光二极管显示面板。

有益效果：本发明实施例提供的一种微发光二极管显示面板，通过在第二金属层之上且对应于微发光二极管绑定区和外围走线区设置减反层，所述减反层可以降低所述第二金属层对环境光的反射，提高微发光二极管显示面板的对比度，提升微发光二极管显示面板的显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的基本结构示意图。

图2是本发明实施例提供的另一微发光二极管显示面板的基本结构示意图。

图3是本发明实施例提供的又一微发光二极管显示面板的基本结构示意图。

图4是本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的制备方法流程图。

图5a～图5i是本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的制备工艺流程中各部件的基本结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在附图中，为了清晰及便于理解和描述，附图中绘示的组件的尺寸和厚度并未按照比例。

如图1所示，为本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的基本结构示意图，所述微发光二极管显示面板包括微发光二极管绑定区a1、遮光区a2和外围走线区a3，还包括衬底基板101、第一金属层106、层间绝缘层107以及第二金属层108。

在一种实施例中，所述微发光二极管显示面板还包括遮光金属层102、缓冲层103、有源层104、栅绝缘层105以及绝缘层110，所述遮光金属层102位于所述衬底基板101之上，用于为所述有源层104遮光，所述遮光金属层102可以为钼、铝/钼、钼/铜、钼钛合金/铜、钼钛合金/铜/钼钛合金、钛/铝/钛、钛/铜/钛、钼/铜/氧化铟锌、氧化铟锌/铜/氧化铟锌、钼/铜/氧化铟锡、镍/铜/镍、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金、钼镍合金/铜/钼镍合金、镍铬合金/铜/镍铬合金、钛镍合金/铜/钛镍合金、钛铬合金/铜/钛铬合金、铜铌合金、钼/铜/钼的氧化物、钼钛合金/铜/钼的氧化物、钼钛镍合金/铜/钼的氧化物、钼/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌或钼钛合金/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌的其中一种膜层结构。需要说明的是，铝/钼指的是底层为铝、顶层为钼的叠层结构，其他类似表述方式不作过多解释。

所述缓冲层103位于所述衬底基板101之上且覆盖所述遮光金属层102，用于阻挡外界环境中的水氧，避免水氧入侵影响所述有源层104，所述缓冲层103的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构或硅的氮氧化物等。

所述有源层104位于所述缓冲层103之上，所述有源层104为半导体层，其材料可以为氧化物半导体如igzo(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)、igto(indiumgalliumtinoxide，铟镓锡氧化物)、igo(indiumgalliumoxide，铟镓氧化物)、izo(indiumzincoxide，铟锌氧化物)、aizo(aluminumindiumzincoxide，铝铟锌氧化物)或igzto(indiumgalliumzinctinoxide，铟镓锌锡氧化物)等，或其他类型的半导体如ltps(lowtemperaturepoly-silicon，低温多晶硅)或a-si(amorphoussilicon，非晶硅)。

所述栅绝缘层105位于所述有源层104和所述缓冲层103之上，所述栅绝缘层105的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、氧化铝/硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构或硅的氧化物/硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构等。

所述第一金属层106位于所述栅绝缘层105之上，包括位于所述遮光区a2的栅极1061和位于所述外围走线区a3的数据线1062，所述数据线1062用于提供灰阶电压。在一种实施例中，所述第一金属层106包括依次层叠设置的第一子膜层、第二子膜层和第三子膜层，所述第一子膜层的材料为铜，所述第二子膜层的材料为钼、钼的合金或钼的氧化物，所述第三子膜层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。具体的，例如为铜/钼/氧化铟锌、铜/钼钛合金/氧化铟锌、铜/钼钛镍合金/氧化铟锌、铜/钼/氧化铟锡或铜/钼钛镍合金/氧化铟锡的叠层结构。

所述层间绝缘层107位于所述缓冲层103之上且覆盖所述栅极1061和所述数据线1062，所述层间绝缘层107对应于所述有源层104的两端分别形成有第一过孔和第二过孔，所述层间绝缘层107对应于所述遮光金属层102的一端形成有第三过孔，所述层间绝缘层107的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物等。

所述第二金属层108位于所述层间绝缘层107之上，包括位于所述微发光二极管绑定区a1的源极1081和电源线的负极1084、位于所述遮光区a2的漏极1082以及位于所述外围走线区a3的所述电源线(正极1083或负极1084)，所述源极1081通过所述第一过孔与所述有源层104的一端电性连接，所述漏极1082通过所述第二过孔与所述有源层104的另一端电性连接，所述源极1081通过所述第三过孔与所述遮光金属层102的一端电性连接；另外，所述源极1081与微发光二极管112的其中之一绑定端电性连接，所述微发光二极管112的其中另一绑定端与所述电源线的负极1084电性连接。

在一种实施例中，所述第二金属层108的材料包括铜或铜的合金。具体的，所述第二金属层108可以为钼、铝/钼、钼/铜、钼钛合金/铜、钼钛合金/铜/钼钛合金、钛/铝/钛、钛/铜/钛、钼/铜/氧化铟锌、氧化铟锌/铜/氧化铟锌、钼/铜/氧化铟锡、镍/铜/镍、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金、钼镍合金/铜/钼镍合金、镍铬合金/铜/镍铬合金、钛镍合金/铜/钛镍合金、钛铬合金/铜/钛铬合金或铜铌合金的其中一种膜层结构。

所述绝缘层110位于所述源极1081、所述漏极1082以及所述层间绝缘层107之上，所述绝缘层110的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或硅的氧化物/硅的氮化物叠层结构等。

其中，所述第二金属层108之上且对应于所述微发光二极管绑定区a1和所述外围走线区a3设置有用于降低所述第二金属层108的反射率的减反层109，具体的，所述减反层109设置于所述第二金属层108远离所述衬底基板101一侧的表面。

在一种实施例中，所述减反层109包括沿远离所述第二金属层108的方向依次层叠设置的第一减反层和第二减反层，所述第一减反层的材料为钼、钼的合金或钼的氧化物，所述第二减反层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。例如为钼/氧化铟锡、钼/氧化铟锌、钼钛合金/氧化铟锡、钼钛合金/氧化铟锌、钼钛镍合金/氧化铟锡、钼钛镍合金/氧化铟锌、钼的氧化物/氧化铟锡或钼的氧化物/氧化铟锌的叠层结构。

可以理解的是，本发明实施例通过在所述第二金属层108之上且对应于所述微发光二极管绑定区a1和所述外围走线区a3设置减反层109，所述减反层109可以降低微发光二极管112的绑定端以及微发光二极管显示面板的外围走线区a3的金属接线垫(即电源线的正极1083或负极1084)对环境光的反射，提高微发光二极管显示面板的对比度，提升微发光二极管显示面板的显示品质，还可以降低金属接线垫的阻抗，改善电源线的电压降。

需要说明的是，不是所有的电源线的负极1084均与微发光二极管112绑定，即电源线的一部分负极与所述微发光二极管112绑定，电源线的另一部分负极与像素电路中的其他接线端电性连接，由于像素电路并非本发明重点，在此不进行过多描述。

在一种实施例中，所述微发光二极管显示面板还包括位于所述绝缘层110之上的遮光层111以及位于所述减反层109之上的所述微发光二极管112，具体的，所述遮光层111为黑色光阻层，用于避免相邻的微发光二极管之间相互串扰以及为所述有源层104遮光，所述微发光二极管112通过导电胶113与其下方的所述减反层109固定连接。

接下来，请参阅图2，为本发明实施例提供的另一微发光二极管显示面板的基本结构示意图，与图1提供的微发光二极管显示面板的基本结构不同的是，位于所述微发光二极管绑定区a1的所述源极1081和所述电源线的负极1084与所述减反层109之间设有一绝缘层110，所述源极1081和所述电源线的负极1084通过过孔与所述减反层109电性连接，位于所述外围走线区a3的所述电源线(正极1083或负极1084)与所述减反层109层叠设置，即所述绝缘层110对应于所述微发光二极管绑定区a1(如图1)和所述遮光区a2(如图1)设置，即位于所述源极1081之上的减反层109既可以充当像素电极给所述微发光二极管112供电，又具有降低反射率的功能。

接下来，请参阅图3，为本发明实施例提供的又一微发光二极管显示面板的基本结构示意图，与图1提供的微发光二极管显示面板的基本结构不同的是，所述漏极1082之上也设置有所述减反层109，具体的，图1中的减反层109是在所述绝缘层110之后制备的，而本实施例的减反层109是在所述绝缘层110之前制备的，可以与所述第二金属层108一同进行曝光、显影，节约一道光罩制程，降低生产成本，提高生产效率。

接下来，请参阅图4，为本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的制备方法流程图，所述制备方法包括步骤：

s201、提供一衬底基板；

s202、在所述衬底基板之上制备第一金属层；

s203、在所述第一金属层之上制备层间绝缘层；

s204、在所述层间绝缘层之上制备第二金属层；

s205、在所述第二金属层之上制备绝缘层；以及

s206、在所述第二金属层之上且对应于所述微发光二极管绑定区和所述外围走线区制备用于降低所述第二金属层的反射率的减反层。

接下来，请参阅图5a～图5i，为本发明实施例提供的微发光二极管显示面板的制备工艺流程中各部件的基本结构示意图，首先如图5a所示，提供一衬底基板101，所述衬底基板101可以为玻璃等无机物，也可以为聚酰亚胺等有机物；然后在所述衬底基板101之上进行金属膜层镀膜，所述金属膜层可以为钼、铝/钼、钼/铜、钼钛合金/铜、钼钛合金/铜/钼钛合金、钛/铝/钛、钛/铜/钛、钼/铜/氧化铟锌、氧化铟锌/铜/氧化铟锌、钼/铜/氧化铟锡、镍/铜/镍、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金、钼镍合金/铜/钼镍合金、镍铬合金/铜/镍铬合金、钛镍合金/铜/钛镍合金、钛铬合金/铜/钛铬合金、铜铌合金、钼/铜/钼的氧化物、钼钛合金/铜/钼的氧化物、钼钛镍合金/铜/钼的氧化物、钼/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌或钼钛合金/铜/钼钛镍合金/氧化铟锌的其中一种膜层结构，然后对其进行图案化，得到遮光金属层102。

接下来，如图5b所示，在所述衬底基板101之上进行缓冲层103镀膜，所述缓冲层103覆盖所述遮光金属层102，所述缓冲层103的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构或硅的氮氧化物等；然后进行半导体层镀膜，半导体材料可以为氧化物半导体或其他类型半导体，然后对半导体层进行图案化，得到有源层104。

接下来，如图5c所示，在所述缓冲层103之上进行绝缘层镀膜，绝缘层材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、氧化铝/硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构或硅的氧化物/硅的氮化物/硅的氧化物叠层结构等；然后在所述绝缘层之上进行第一金属层106镀膜，第一金属层106为钼的氧化物/铜、氧化铟锌/钼/铜、氧化铟锌/钼钛合金/铜、氧化铟锌/钼钛镍合金/铜、氧化铟锡/钼/铜、氧化铟锡/钼钛镍合金/铜、钼、铝/钼、钼/铜、钼钛合金/铜、钼钛合金/铜/钼钛合金、钛/铝/钛、钛/铜/钛、钼/铜/氧化铟锌、氧化铟锌/铜/氧化铟锌、钼/铜/氧化铟锡、镍/铜/镍、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金、钼镍合金/铜/钼镍合金、镍铬合金/铜/镍铬合金、钛镍合金/铜/钛镍合金、钛铬合金/铜/钛铬合金或铜铌合金的其中一种膜层结构；然后对所述第一金属层106进行图案化，得到栅极1061和数据线1062，利用栅极自对准工艺对所述绝缘层进行图案化，得到栅绝缘层105。

接下来，如图5d所示，在所述缓冲层103之上进行层间绝缘层107镀膜，所述层间绝缘层107的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物等，然后对其进行图案化，形成分别对应于所述有源层104两端的第一过孔和第二过孔、对应于所述遮光金属层102一端的第三过孔。

接下来，如图5e所示，在所述层间绝缘层107之上进行第二金属层108镀膜，所述第二金属层膜层为钼、铝/钼、钼/铜、钼钛合金/铜、钼钛合金/铜/钼钛合金、钛/铝/钛、钛/铜/钛、钼/铜/氧化铟锌、氧化铟锌/铜/氧化铟锌、钼/铜/氧化铟锡、镍/铜/镍、钼钛镍合金/铜/钼钛镍合金、钼镍合金/铜/钼镍合金、镍铬合金/铜/镍铬合金、钛镍合金/铜/钛镍合金、钛铬合金/铜/钛铬合金或铜铌合金的其中一种膜层结构，然后对其进行图案化处理，得到源极1081、漏极1082以及电源线的正极1083和负极1084，其中，所述源极1081通过所述第一过孔与所述有源层104的一端电性连接，所述漏极1082通过所述第二过孔与所述有源层104的另一端电性连接，所述源极1081通过所述第三过孔与所述遮光金属层102的一端电性连接。

接下来，如图5f所示，在所述层间绝缘层107之上进行绝缘层镀膜并进行图案化，图案化后的所述绝缘层110位于所述源极1081、所述漏极1082以及所述层间绝缘层107之上，所述绝缘层110的材料可以为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或硅的氧化物/硅的氮化物叠层结构等。

接下来，如图5g所示，在所述层间绝缘层107之上进行减反层镀膜并图案化，图案化后的所述减反层109位于所述源极1081、所述电源线的正极1083和负极1084之上，所述减反层109为钼/氧化铟锡、钼/氧化铟锌、钼钛合金/氧化铟锡、钼钛合金/氧化铟锌、钼钛镍合金/氧化铟锡、钼钛镍合金/氧化铟锌、钼的氧化物/氧化铟锡或钼的氧化物/氧化铟锌的其中一种膜层结构。

接下来，如图5h和5i所示，在所述绝缘层110之上进行遮光层111的制作以及在所述减反层109之上绑定微发光二极管112，完成所述微发光二极管显示面板的制备。具体的，所述源极1081与所述微发光二极管112的其中之一绑定端电性连接，所述微发光二极管112的其中另一绑定端与所述电源线的负极1084电性连接。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的微发光二极管显示面板，所述微发光二极管显示面板的结构及制备方法请参见图1至图5i及相关描述，在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或部件。

综上所述，本发明实施例提供的一种微发光二极管显示面板，通过在第二金属层之上且对应于微发光二极管绑定区和外围走线区设置减反层，所述减反层可以降低所述第二金属层对环境光的反射，提高微发光二极管显示面板的对比度，提升微发光二极管显示面板的显示品质，解决了由于现有技术的微发光二极管显示面板的源极、电源线的负极以及外围走线区内的多个金属接线垫反光造成的微发光二极管显示面板的对比度降低，影响微发光二极管显示面板的显示品质的技术问题。

以上对本发明实施例所提供的一种微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。