显示面板和包括该显示面板的显示设备的制作方法

显示面板和包括该显示面板的显示设备
1.本技术要求于2020年4月6日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
‑
0041613号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示设备，更具体地，涉及一种包括显示区域的显示面板以及包括该显示面板的显示设备，所述显示区域被延伸以即使在布置有以诸如电子元件为例的组件的区域中也显示图像。


背景技术：

3.近来，显示设备已被用于各种目的。此外，已经制造了薄并且轻重量的显示设备，因此，已经增大了显示设备的使用范围。
4.由于显示设备以各种方式使用，因此可以存在用于设计各种不同形式的显示设备的各种方法，并且可以添加到显示设备或与显示设备相关联的功能的数量已经增加。
5.在该背景技术部分中公开以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

6.本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种显示面板和一种包括该显示面板的显示设备，该显示面板包括显示区域，该显示区域延伸，以即使在布置有组件(以诸如电子元件为例)的区域处(例如，在布置有组件(以诸如电子元件为例)的区域中或在布置有组件(以诸如电子元件为例)的区域上)也显示图像。
7.然而，本公开不限于此，并且另外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践本公开的一个或更多个示例实施例来获知。
8.根据本公开的一个或更多个示例实施例，显示面板包括：主显示区域；组件区域，包括透射区域；外围区域，位于主显示区域外部；基底；主显示元件，位于基底上，以与主显示区域对应；主像素电路，分别连接到主显示元件；辅助显示元件，位于基底上，以与组件区域对应；辅助像素电路，分别连接到辅助显示元件；驱动电压线，被配置为将驱动电压施加到主像素电路；数据线，被配置为将数据信号施加到主像素电路；底部金属层，在组件区域处位于基底与辅助像素电路之间；以及偏置布线，连接到底部金属层，并且位于主显示区域处。
9.在示例实施例中，显示面板还可以包括：偏置电压供应线，位于外围区域处，并且偏置布线可以连接到偏置电压供应线。
10.在示例实施例中，偏置布线可以位于与驱动电压线的层不同的层处，并且可以与驱动电压线至少部分地叠置。
11.在示例实施例中，偏置布线的宽度可以比驱动电压线的宽度小。
12.在示例性实施例中，偏置布线可以位于驱动电压线之上，并且可以通过接触孔连接到底部金属层。
13.在示例实施例中，主显示区域的主显示元件可以实现包括红色像素、绿色像素和蓝色像素的主子像素，并且偏置布线可以包括与红色像素叠置的第一偏置布线和与蓝色像素叠置的第二偏置布线。
14.在示例实施例中，主子像素可以以pentile结构布置。
15.在示例实施例中，主显示区域的主显示元件可以实现包括红色像素、绿色像素和蓝色像素的主子像素，并且偏置布线可以与绿色像素叠置。
16.在示例实施例中，偏置布线可以与底部金属层一体地形成，并且可以与数据线叠置。
17.在示例实施例中，主显示区域的主显示元件可以实现包括红色像素、绿色像素和蓝色像素的主子像素，并且偏置布线可以包括：第一偏置布线，与主像素电路之中的被配置为驱动红色像素的像素电路叠置；以及第二偏置布线，与主像素电路之中的被配置为驱动蓝色像素的像素电路叠置。
18.在示例实施例中，底部金属层可以包括与透射区域对应的下孔。
19.在示例实施例中，穿过组件区域的至少一些布线可以弯曲，以绕过透射区域。
20.在示例实施例中，组件区域可以包括多个像素组，每个像素组包括多个辅助显示元件；透射区域可以包括与组件区域对应的多个透射区域；并且多个像素组和多个透射区域可以交替地布置在组件区域处。
21.根据本公开的一个或更多个示例实施例，显示设备包括：显示面板，包括包含主子像素的主显示区域以及包括辅助子像素和透射区域的组件区域；以及组件，位于显示面板下方，并且与组件区域对应。显示面板还包括：基底；驱动电压线，在主显示区域处位于基底之上；底部金属层，位于组件区域处，并且位于基底与被配置为驱动辅助子像素的辅助像素电路之间；以及偏置布线，连接到底部金属层，并且位于与驱动电压线的层不同的层处。
22.在示例实施例中，偏置布线可以与驱动电压线至少部分地叠置。
23.在示例实施例中，偏置布线的宽度可以比驱动电压线的宽度小。
24.在示例实施例中，主子像素可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且偏置布线可以与红色像素、绿色像素和蓝色像素中的至少一者叠置。
25.在示例实施例中，偏置布线可以包括多条偏置布线，并且可以与底部金属层一体地形成。
26.在示例实施例中，底部金属层可以包括与透射区域对应的下孔。
27.在示例实施例中，穿过组件区域的至少一些布线可以弯曲，以绕过透射区域。
附图说明
28.通过下面的参照附图对示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面和特征对于本领域技术人员将变得更明显，在附图中：
29.图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
30.图2是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
31.图3是可以包括在图1的显示设备中的显示面板的示意性平面图；
32.图4a和图4b是根据一个或更多个实施例的显示面板的一部分的示意性平面图；
33.图5是根据实施例的被配置为驱动子像素的像素电路的等效电路图；
34.图6是根据实施例的像素的像素电路的平面图；
35.图7是根据实施例的主显示区域中的像素布置结构的示意性布局图；
36.图8a和图8b是根据实施例的组件区域中的像素布置结构的示意性布局图；
37.图9是根据实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图，并且示意性地示出了主显示区域和组件区域；
38.图10是根据实施例的显示面板的子像素、一些布线和底部金属层之间的布置关系的示意性平面图；
39.图11是根据实施例的图10的部分i的放大平面图；
40.图12是根据实施例的与图11的线ii
‑
ii'和iii
‑
iii'对应的示意性剖视图；
41.图13是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
42.图14是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
43.图15是根据实施例的沿着图14的线iv
‑
iv'截取的显示面板的剖视图；以及
44.图16示出了根据一个或更多个实施例的关于在不使用偏置布线时灰色的亮度变化的模拟结果。
具体实施方式
45.在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，同样的附图标记始终指同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，这些实施例作为示例被提供，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另外指出，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
46.在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。例如，为了便于说明，可以任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，但是本公开不限于此。为了易于解释，在这里可以使用空间相对术语(诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“在
……
上”等)，用来描述如图中示出的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
47.如这里所使用的并且如图中所示，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
48.将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限
制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分而不脱离本公开的精神和范围。
49.将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或中间层。
50.这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和“具有”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
51.如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和相似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”旨在指示例或说明。
52.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书中的意思一致的意思，并且不应当以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里明确地如此定义。
53.图1是根据实施例的显示设备1的示意性透视图。
54.参照图1，显示设备1包括显示区域da和显示区域da外部的外围区域dpa。显示区域da包括组件区域ca和至少部分地围绕组件区域ca(例如，在组件区域ca的外围周围)的主显示区域mda。换句话说，组件区域ca和主显示区域mda可以单独地显示图像或者可以一起显示图像。外围区域dpa可以是没有布置显示元件的非显示区域。显示区域da可以被外围区域dpa完全围绕(例如，在显示区域da的外围周围被外围区域dpa完全围绕)。
55.图1示出了在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)的一个组件区域ca。然而，本公开不限于此，在另一实施例中，显示设备1可以具有两个或更多个组件区域ca，并且多个组件区域ca的形状和尺寸可以彼此相同或基本上相同，或者可以彼此不同。当从与显示设备1的上表面垂直或基本上垂直的方向观察时(例如，当从平面图观察时)，组件区域ca可以具有各种合适的形状，以诸如四边形形状、星形形状、菱形形状或任何其他合适的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等为例。尽管图1示出了布置在主显
示区域mda(主显示区域mda在从与显示设备1的上表面基本上垂直的方向观察时(例如，当从平面图观察时)可以具有四边形形状或基本上四边形形状)的上(例如，在+y轴方向上)中心区域处(例如，上中心区域中或上中心区域上)的组件区域ca，但是本公开不限于此，组件区域ca可以布置在具有四边形形状的主显示区域mda的一侧(以诸如主显示区域mda的右上侧或左上侧为例)上。
56.显示设备1可以通过使用布置在主显示区域mda处(例如，主显示区域mda中或主显示区域mda上)的多个主子像素pm和布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)的多个辅助子像素pa来提供图像。
57.如下面参照图2更详细地描述的，在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)，可以作为电子元件的组件40可以布置在显示面板下方以与组件区域ca对应。例如，在一些实施例中，组件40可以是使用红外线或可见光的相机，并且可以包括成像装置。在一些实施例中，组件40可以是太阳能电池、闪光灯、亮度传感器、接近传感器、虹膜传感器等。在一些实施例中，组件40可以具有接收声音的功能，以诸如麦克风等为例。
58.为了减少对组件40的功能的限制，组件区域ca可以包括透射区域ta，该透射区域ta能够将从组件40输出的光和/或声音透射到外部或者将光和/声音从外部朝向组件40传播。在根据实施例的显示面板和包括该显示面板的显示设备中，当光透射通过组件区域ca时，透光率可以为约10％或更大，更具体地，可以为25％或更大、40％或更大、50％或更大、85％或更大、或者90％或更大。
59.多个辅助子像素pa可以布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)。多个辅助子像素pa可以通过发射光来提供期望的图像(例如，特定图像)。在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)显示的图像可以被称为辅助图像，并且可以具有比在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)显示的图像的分辨率低的分辨率。换句话说，组件区域ca包括能够透射光和/或声音的透射区域ta，并且当没有子像素布置在透射区域ta处(例如，透射区域ta中或透射区域ta上)时，可以在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)每单位面积布置的辅助子像素pa的数量可以比在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)每单位面积布置的主子像素pm的数量少。
60.图2是根据实施例的显示设备1的一部分的示意性剖视图。
61.参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件40。在一些实施例中，用于保护显示面板10的覆盖窗还可以布置在显示面板10上。
62.显示面板10包括作为与组件40叠置的区域的组件区域ca和显示主图像的主显示区域mda。显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示层disl、触摸屏层tsl、光学功能层ofl和布置在基底100下方(例如，基底100之下)的面板保护构件pb。
63.显示层disl可以包括电路层pcl、显示元件层edl和密封构件encm，电路层pcl包括多个薄膜晶体管tft和tft'，显示元件层edl包括作为显示元件的多个发光元件ed和ed'，密封构件encm以密封基底或诸如图2中示出的薄膜封装层tfel为例。绝缘层il和il'可以布置在基底100与显示层disl之间，并且/或者布置在显示层disl中。
64.基底100可以包括绝缘材料，以诸如玻璃、石英、聚合物树脂等为例。基底100可以是刚性基底，或者可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
65.主薄膜晶体管tft和连接到其的主发光元件ed可以布置在显示面板10的主显示区域mda处(例如，主显示区域mda中或主显示区域mda上)，以实现主子像素pm。辅助薄膜晶体管tft'和连接到其的辅助发光元件ed'可以布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)，以实现辅助子像素pa。组件区域ca的布置辅助子像素pa的区域可以被称为辅助显示区域ada。
66.没有布置显示元件的透射区域ta可以布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)。透射区域ta可以是透射从与组件区域ca对应的组件40发射的光和/或信号的区域，并且/或者是透射入射在组件40上的光和/或信号的区域。辅助显示区域ada和透射区域ta可以交替地布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)。
67.底部金属层bml可以布置在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)。底部金属层bml可以与辅助薄膜晶体管tft'的下部对应。例如，底部金属层bml可以布置在辅助薄膜晶体管tft'与基底100之间。底部金属层bml可以防止或基本上防止外部光到达辅助薄膜晶体管tft'。在一些实施例中，可以将恒定电压或信号施加到底部金属层bml，因此可以防止或基本上防止由于静电放电而对像素电路的损坏。
68.显示元件层edl可以被薄膜封装层tfel覆盖，或者可以被密封基底覆盖。在一些实施例中，薄膜封装层tfel可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，在实施例中，如图2中所示，薄膜封装层tfel可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
69.第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机绝缘材料。有机封装层132可以包括聚合物类材料。合适的聚合物类材料的各种示例可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
70.在一些实施例中，当显示元件层edl由密封基底(例如，而不是由薄膜封装层tfel)密封时，密封基底可以面对基底100，且显示元件层edl位于其间。在这种情况下，可以在密封基底与显示元件层edl之间存在间隙。密封基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以布置在基底100与密封基底之间，并且密封剂可以布置在上述外围区域dpa处(例如，外围区域dpa中或外围区域dpa上)。布置在外围区域dpa处(例如，外围区域dpa中或外围区域dpa上)的密封剂可以在围绕显示区域da(例如，在显示区域da的外围周围围绕)的同时防止或基本上防止湿气的横向渗透。
71.触摸屏层tsl可以根据外部输入(以诸如触摸事件为例)获得坐标信息。触摸屏层tsl可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层tsl可以以自电容方式或互电容方式感测外部输入。
72.在一些实施例中，触摸屏层tsl可以形成在薄膜封装层tfel上(例如，直接形成在薄膜封装层tfel上)。在其他实施例中，触摸屏层tsl可以单独形成在触摸基底上，然后通过粘合层(以诸如光学透明粘合剂(oca)为例)结合在薄膜封装层tfel上。在实施例中，触摸屏层tsl可以直接形成在薄膜封装层tfel上，并且在这种情况下，在触摸屏层tsl与薄膜封装层tfel之间可以不布置(例如，可能不需要布置)粘合层。
73.光学功能层ofl可以包括抗反射层。抗反射层可以减少从外部朝向显示设备1入射的光(例如，外部光)的反射率。
74.在一些实施例中，光学功能层ofl可以包括(例如，可以是)偏振膜。光学功能层ofl可以包括与透射区域ta对应的开口ofl_op。因此，透射区域ta的透光率可以增大(例如，可以显著地增大)。开口ofl_op可以填充有透明材料，以诸如光学透明树脂(ocr)为例。
75.在一些实施例中，光学功能层ofl可以包括滤光器板，该滤光器板包括例如黑矩阵和滤色器。
76.在一些实施例中，覆盖窗可以布置在显示面板10上以保护显示面板10。光学功能层ofl可以用oca附着到覆盖窗，或者可以用oca附着到触摸屏层tsl。
77.面板保护构件pb可以附着到基底100的下部(例如，下表面)，因此可以支撑并保护基底100。面板保护构件pb可以包括与组件区域ca对应的开口pb_op。由于面板保护构件pb包括开口pb_op，因此可以增大组件区域ca的透光率。面板保护构件pb可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚酰亚胺(pi)。
78.组件区域ca的面积可以比布置组件40的区域的面积大。因此，包括在面板保护构件pb中的开口pb_op的面积可能与组件区域ca的面积不匹配(例如，可能不是与组件区域ca的尺寸相同的尺寸)。
79.虽然图2示出了布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)的一个组件40，但是本公开不限于此，多个组件40可以布置在组件区域ca处(例如，组件区域ca中或组件区域ca上)。在这种情况下，多个组件40中的至少两个可以具有彼此不同的功能。例如，在一些实施例中，多个组件40可以包括相机(例如，成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、亮度传感器和虹膜传感器之中的至少两种。
80.图3是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。
81.参照图3，构成显示面板10的各种元件布置在基底100上。基底100包括显示区域da和围绕显示区域da(例如，在显示区域da的外围周围)的外围区域dpa。显示区域da包括显示主图像的主显示区域mda以及包括透射区域ta并且显示辅助图像的组件区域ca。辅助图像可以与主图像一起形成一个完整的图像，或者辅助图像可以是独立于主图像(例如，与主图像分离)的图像。
82.多个主子像素pm布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)。多个主子像素pm可以均由显示元件(以诸如图9中的主有机发光二极管oled为例)来实现。每个主子像素pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域mda可以被密封构件encm覆盖并且被保护免受外部空气和/或湿气的影响。
83.如上所述，组件区域ca可以在主显示区域mda的一侧上，或者可以布置在显示区域da内部(例如，布置在显示区域da内)并且被主显示区域mda围绕(例如，在组件区域ca的至少部分外围周围被主显示区域mda围绕)。多个辅助子像素pa布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)。多个辅助子像素pa可以均由显示元件(以诸如图9中的辅助有机发光二极管oled'为例)来实现。每个辅助子像素pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域ca可以被密封构件encm覆盖并且被保护免受外部空气和/或湿气的影响。
84.组件区域ca可以具有透射区域ta。在一些实施例中，透射区域ta可以围绕多个辅助子像素pa(例如，围绕在多个辅助子像素pa的外围周围)。在其他实施例中，透射区域ta可以与多个辅助子像素pa以网格布置。
85.因为组件区域ca具有透射区域ta，所以组件区域ca的分辨率会比主显示区域mda的分辨率低。例如，组件区域ca的分辨率可以是主显示区域mda的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，主显示区域mda的分辨率可以是每英寸约400个像素(400ppi)或更大，并且组件区域ca的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
86.被配置为驱动主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路可以均电连接到布置在外围区域dpa处(例如，布置在外围区域dpa中或布置在外围区域dpa上)的外围电路。例如，第一扫描驱动电路sdrv1、第二扫描驱动电路sdrv2、端子部pad、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以布置在外围区域dpa处(例如，布置在外围区域dpa中或布置在外围区域dpa上)。被配置为将偏置电压施加到布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的底部金属层bml的偏置电压供应线15可以布置在外围区域dpa处(例如，布置在外围区域dpa中或布置在外围区域dpa上)。
87.第一扫描驱动电路sdrv1可以通过扫描线sl将扫描信号施加到被配置为驱动主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路中的至少一些(例如，施加到被配置为驱动主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路中的每个)。第一扫描驱动电路sdrv1可以通过发射控制线el将发射控制信号施加到像素电路中的至少一些(例如，施加到像素电路中的每个)。第二扫描驱动电路sdrv2可以相对于主显示区域mda与第一扫描驱动电路sdrv1相对地布置，并且可以与第一扫描驱动电路sdrv1平行或基本上平行。主显示区域mda的主子像素pm的像素电路中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路sdrv1，并且主子像素pm的像素电路中的其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路sdrv2。组件区域ca的辅助子像素pa的像素电路中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路sdrv1，并且辅助子像素pa的像素电路中的其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路sdrv2。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，可以省略第二扫描驱动电路sdrv2。
88.端子部pad可以布置在基底100的一侧上。端子部pad可以不被绝缘层覆盖，而是可以被暴露并连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。
89.显示驱动器32可以产生传输到第一扫描驱动电路sdrv1和第二扫描驱动电路sdrv2的控制信号。显示驱动器32可以产生数据信号，并且所产生的数据信号可以通过扇出布线fw和连接到扇出布线fw的数据线dl传输到主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路。
90.显示驱动器32可以将驱动电压elvdd(见图5)供应到驱动电压供应线11，并且可以将共电压elvss(见图5)供应到共电压供应线13。驱动电压elvdd可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线pl施加到主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路，并且共电压elvss可以通过共电压供应线13施加到显示元件的对电极。
91.显示驱动器32可以将偏置电压供应到偏置电压供应线15。偏置电压可以通过从偏置电压供应线15分支出的偏置布线bw施加到底部金属层bml(例如，参照图2)。在一些实施例中，偏置布线bw可以形成在与偏置电压供应线15的层相同的层中，并且可以与偏置电压供应线15一体地设置。然而，本公开不限于此，在一些实施例中，偏置布线bw可以形成在与偏置电压供应线15的层不同的层中，并且可以通过接触孔连接到偏置电压供应线15。在一些实施例中，偏置布线bw可以在与+y轴方向相反的
‑
y轴方向上延伸。
92.偏置电压供应线15可以与组件区域ca相邻。例如，当组件区域ca布置在显示区域da的上侧中时，偏置电压供应线15可以在与显示区域da的上侧相邻的外围区域dpa处(例
如，外围区域dpa中或外围区域dpa上)在x轴方向上延伸。偏置电压供应线15可以通过布置在外围区域dpa处(例如，外围区域dpa中或外围区域dpa上)的连接布线15a连接到端子部pad，并且可以接收从显示驱动器32供应的偏置电压。
93.驱动电压供应线11可以在主显示区域mda的下侧上在x轴方向上延伸。共电压供应线13可以具有呈环形的且一侧开口的形状，因此可以部分地围绕主显示区域mda(例如，围绕在主显示区域mda的外围周围)。
94.图4a和图4b是根据一个或更多个实施例的显示面板10的一部分的示意性平面图。
95.参照图4a，可以设置多个组件区域ca。组件区域ca可以包括可以在x轴方向上彼此平行或基本上平行的第一组件区域ca1和第二组件区域ca2。在这种情况下，第一组件区域ca1和第二组件区域ca2可以彼此间隔开，并且第一组件区域ca1和第二组件区域ca2可以均被主显示区域mda围绕(例如，在第一组件区域ca1和第二组件区域ca2的外围周围被主显示区域mda围绕)。在一些实施例中，第一相机可以与第一组件区域ca1对应，并且第二相机可以与第二组件区域ca2对应。在其他实施例中，相机可以与第一组件区域ca1对应，并且红外传感器可以与第二组件区域ca2对应。
96.在一些实施例中，第一组件区域ca1和第二组件区域ca2的尺寸可以彼此不同。在一些实施例中，第一组件区域ca1和第二组件区域ca2的形状可以彼此不同。
97.偏置电压供应线15可以布置在与第一组件区域ca1和第二组件区域ca2相邻的外围区域dpa处(例如，布置在与第一组件区域ca1和第二组件区域ca2相邻的外围区域dpa中或布置在与第一组件区域ca1和第二组件区域ca2相邻的外围区域dpa上)。偏置布线bw可以将偏置电压供应线15和布置在第一组件区域ca1和第二组件区域ca2处(例如，布置在第一组件区域ca1和第二组件区域ca2中或布置在第一组件区域ca1和第二组件区域ca2上)的底部金属层bml(见图2)彼此连接。
98.参照图4b，组件区域ca可以具有多边形形状。例如，组件区域ca可以具有如图4b中示出的八边形形状。然而，本公开不限于此，组件区域ca可以具有各种合适的多边形形状，以诸如四边形形状、六边形形状等为例。组件区域ca可以被主显示区域mda围绕(例如，在组件区域ca的外围周围被主显示区域mda围绕)。
99.偏置电压供应线15可以布置在与组件区域ca相邻的外围区域dpa处(例如，布置在与组件区域ca相邻的外围区域dpa中或布置在与组件区域ca相邻的外围区域dpa上)。偏置布线bw可以将偏置电压供应线15和布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的底部金属层bml(见图2)彼此连接。
100.图5是根据实施例的被配置为驱动子像素的像素电路pc的等效电路图。
101.参照图5，像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6、第二初始化薄膜晶体管t7和存储电容器cst。
102.尽管图5示出了包括初始化电压线vl、驱动电压线pl和各种信号线(以诸如扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、下一扫描线sl+1、发射控制线el和数据线dl为例)的每个像素电路pc，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，信号线(例如，扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、下一扫描线sl+1、发射控制线el和数据线dl)中的至少一条和/或初始化电压线vl可以由相邻的(例如，邻近的)像素电路共享。
103.驱动薄膜晶体管t1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到发光元件ed。驱动薄膜晶体管t1根据开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且将驱动电流提供到发光元件ed。
104.开关薄膜晶体管t2的栅电极连接到扫描线sl，开关薄膜晶体管t2的源电极连接到数据线dl。开关薄膜晶体管t2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极，并且还可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。
105.开关薄膜晶体管t2根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn导通，以执行用于将通过数据线dl传输的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的源电极的开关操作。
106.补偿薄膜晶体管t3的栅电极可以连接到扫描线sl。补偿薄膜晶体管t3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极，并且还可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到发光元件ed的像素电极。补偿薄膜晶体管t3的漏电极可以连接到存储电容器cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管t4的源电极和驱动薄膜晶体管t1的栅电极。补偿薄膜晶体管t3根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn导通，以通过将驱动薄膜晶体管t1的栅电极和漏电极彼此连接来二极管连接驱动薄膜晶体管t1。
107.第一初始化薄膜晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线sl
‑
1。第一初始化薄膜晶体管t4的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第一初始化薄膜晶体管t4的源电极可以连接到存储电容器cst的一个电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极和驱动薄膜晶体管t1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管t4可以根据通过前一扫描线sl
‑
1接收的前一扫描信号sn
‑
1导通，以执行用于通过将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的栅电极来使驱动薄膜晶体管t1的栅电极的电压初始化的初始化操作。
108.操作控制薄膜晶体管t5的栅电极可以连接到发射控制线el。操作控制薄膜晶体管t5的源电极可以连接到驱动电压线pl。操作控制薄膜晶体管t5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极和开关薄膜晶体管t2的漏电极。
109.发射控制薄膜晶体管t6的栅电极可以连接到发射控制线el。发射控制薄膜晶体管t6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极和补偿薄膜晶体管t3的源电极。发射控制薄膜晶体管t6的漏电极可以电连接到发光元件ed的像素电极。当操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6根据通过发射控制线el接收的发射控制信号en导通(例如，并发地或同时导通)时，驱动电压elvdd传输到发光元件ed，因此，驱动电流可以流过发光元件ed。
110.第二初始化薄膜晶体管t7的栅电极可以连接到下一扫描线sl+1。第二初始化薄膜晶体管t7的源电极可以连接到发光元件ed的像素电极。第二初始化薄膜晶体管t7的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7可以根据通过下一扫描线sl+1接收的下一扫描信号sn+1导通，以使发光元件ed的像素电极初始化。
111.尽管图5示出了第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7分别连接到前一扫描线sl
‑
1和下一扫描线sl+1，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7都可以连接到前一扫描线sl
‑
1，并且可以均根据前一扫描信号sn
‑
1而被驱动。
112.存储电容器cst的另一电极可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst的一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的栅电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极和第一初始化薄膜晶
体管t4的源电极。
113.发光元件ed的对电极(例如，阴极)接收共电压elvss。发光元件ed接收来自驱动薄膜晶体管t1的驱动电流并发光。
114.然而，本公开不限于图5中示出的像素电路pc。例如，像素电路pc不限于参照图5示出和描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计，并且可以对所述数量和电路设计进行各种修改。被配置为驱动主子像素pm的像素电路pc可以与被配置为驱动辅助子像素pa的像素电路pc相同或基本上相同(例如，可以具有相同或基本上相同的电路结构)，或者可以与被配置为驱动辅助子像素pa的像素电路pc不同。
115.图6是根据实施例的像素的像素电路的平面图。
116.参照图6，驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7沿着半导体层1130布置。半导体层1130布置在其上形成有包括无机绝缘材料的缓冲层的基底之上。
117.半导体层1130的一些区域与驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7的半导体层对应。换句话说，驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7的半导体层可以彼此连接，并且可以弯曲成各种形状。
118.半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的相对侧上的源区和漏区。源区和漏区可以被理解为分别与对应的薄膜晶体管的源电极和漏电极对应。为方便起见，源区和漏区在下文中分别被称为源电极和漏电极。
119.驱动薄膜晶体管t1包括与驱动沟道区叠置的驱动栅电极g1(或称为第一栅电极g1)以及在驱动沟道区的相对侧上的驱动源电极s1(或称为第一源电极s1)和驱动漏电极d1(或称为第一漏电极d1)。与驱动栅电极g1叠置的驱动沟道区可以具有弯曲形状(以诸如ω形状为例)，从而在窄空间中形成长沟道长度。当驱动沟道区长时，可以使栅极电压的驱动范围变宽，因此，可以更精确地控制从发光元件ed发射的光的灰度，并且可以改善显示质量。
120.开关薄膜晶体管t2包括与开关沟道区叠置的开关栅电极g2(或称为第二栅电极g2)以及在开关沟道区的相对侧上的开关源电极s2(或称为第二源电极s2)和开关漏电极d2。开关漏电极d2(或称为第二漏电极d2)可以连接到驱动源电极s1。
121.可以作为双薄膜晶体管的补偿薄膜晶体管t3可以包括分别与两个补偿沟道区叠置的多个补偿栅电极g3，并且可以包括布置在补偿沟道区的相对侧上的补偿源电极s3和补偿漏电极d3。补偿薄膜晶体管t3可以通过下面更详细地描述的节点连接线1174连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。
122.可以作为双薄膜晶体管的第一初始化薄膜晶体管t4可以包括分别与两个第一初始化沟道区叠置的多个第一初始化栅电极g4，并且可以包括布置在第一初始化沟道区的相对侧上的第一初始化源电极s4和第一初始化漏电极d4。
123.操作控制薄膜晶体管t5可以包括与操作控制沟道区叠置的操作控制栅电极g5以及布置在操作控制沟道区的相对侧上的操作控制源电极s5和操作控制漏电极d5。操作控制
漏电极d5可以连接到驱动源电极s1。
124.发射控制薄膜晶体管t6可以包括与发射控制沟道区叠置的发射控制栅电极g6以及布置在发射控制沟道区的相对侧上的发射控制源电极s6和发射控制漏电极d6。发射控制源电极s6可以连接到驱动漏电极d1。
125.第二初始化薄膜晶体管t7可以包括与第二初始化沟道区叠置的第二初始化栅电极g7以及布置在第二初始化沟道区的相对侧上的第二初始化源电极s7和第二初始化漏电极d7。
126.上述薄膜晶体管可以连接到初始化电压线vl、驱动电压线pl和各种信号线(例如，扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、发射控制线el和数据线dl)。
127.扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、发射控制线el和驱动栅电极g1可以布置在上述半导体层1130之上，且绝缘层(例如，一个或更多个绝缘层)位于其间。
128.扫描线sl可以在x轴方向上延伸。扫描线sl的一些区域可以分别与开关栅电极g2和补偿栅电极g3对应。例如，扫描线sl的与开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3的沟道区叠置的区域可以分别与开关栅电极g2和补偿栅电极g3对应(例如，可以分别是开关栅电极g2和补偿栅电极g3)。
129.前一扫描线sl
‑
1可以在x轴方向上延伸，并且其一些区域可以分别与第一初始化栅电极g4和第二初始化栅电极g7对应。例如，前一扫描线sl
‑
1的与第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7的沟道区叠置的区域可以分别与第一初始化栅电极g4和第二初始化栅电极g7对应(例如，可以分别是第一初始化栅电极g4和第二初始化栅电极g7)。
130.发射控制线el在x轴方向上延伸。发射控制线el的一些区域可以分别与操作控制栅电极g5和发射控制栅电极g6对应。例如，发射控制线el的与操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的沟道区叠置的区域可以分别与操作控制栅电极g5和发射控制栅电极g6对应(例如，可以分别是操作控制栅电极g5和发射控制栅电极g6)。
131.作为浮置电极的驱动栅电极g1可以通过下面更详细地描述的节点连接线1174连接到补偿薄膜晶体管t3。
132.电极电压线hl可以布置在上述扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、发射控制线el和驱动栅电极g1之上，且绝缘层(例如，一个或更多个绝缘层)位于其间。
133.电极电压线hl可以在x轴方向上延伸以与数据线dl和驱动电压线pl交叉。电极电压线hl的一部分可以覆盖驱动栅电极g1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极g1一起构成存储电容器cst。例如，驱动栅电极g1可以与存储电容器cst的下电极ce1对应(例如，可以是存储电容器cst的下电极ce1)，并且电极电压线hl的一部分可以与存储电容器cst的上电极ce2对应(例如，可以是存储电容器cst的上电极ce2)。
134.存储电容器cst的上电极ce2电连接到驱动电压线pl。就这一点而言，电极电压线hl可以通过接触孔cnt连接到布置在电极电压线hl之上的驱动电压线pl。因此，电极电压线hl可以具有与驱动电压线pl的电压电平相同或基本上相同的电压电平(例如，恒定电压)。例如，电极电压线hl可以具有+5v的恒定电压。电极电压线hl可以被理解为横向驱动电压线。
135.因为驱动电压线pl在y轴方向上延伸，并且电连接到驱动电压线pl的电极电压线hl在与y轴方向交叉的x轴方向上延伸，所以多条驱动电压线pl和电极电压线hl可以在显示
区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)构成网格结构。
136.数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174可以布置在电极电压线hl之上，且绝缘层(例如，一个或更多个绝缘层)位于其间。
137.数据线dl在y轴方向上延伸，并且可以通过接触孔1154连接到开关薄膜晶体管t2的开关源电极s2。数据线dl的一部分可以被理解为开关源电极s2(例如，可以与开关源电极s2对应)。
138.驱动电压线pl在y轴方向上延伸，并且如上所述，通过接触孔cnt连接到电极电压线hl。此外，驱动电压线pl可以通过接触孔1155连接到操作控制薄膜晶体管t5。例如，驱动电压线pl可以通过接触孔1155连接到操作控制源电极s5。
139.初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7，并且另一端可以通过接触孔1151连接到下面更详细地描述的初始化电压线vl。
140.节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏电极d3，并且另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅电极g1。
141.初始化电压线vl可以布置在数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174之上，且绝缘层(例如，一个或更多个绝缘层)位于其间。
142.初始化电压线vl在x轴方向上延伸。初始化电压线vl可以通过初始化连接线1173连接到第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7。初始化电压线vl可以具有恒定电压(例如，
‑
2v)。
143.初始化电压线vl可以布置在与主有机发光二极管oled的像素电极121(或称为第一像素电极121)(例如，参照图9)的层相同的层中，并且可以包括与主有机发光二极管oled的像素电极121的材料相同或基本上相同的材料。像素电极121可以连接到发射控制薄膜晶体管t6。像素电极121可以通过接触孔1163连接到连接电极cm，并且连接电极cm可以通过接触孔1153连接到发射控制漏电极d6。
144.已经参照图6描述了布置在与像素电极121的层相同的层中的初始化电压线vl。然而，本公开不限于此，在另一实施例中，初始化电压线vl可以布置在与电极电压线hl的层相同的层中。
145.图7是根据实施例的主显示区域mda中的像素布置结构的示意性布局图。
146.多个主子像素pm可以布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)。这里描述的子像素指作为用于实现图像的最小单元的发射区域。当有机发光二极管用作显示元件时，发射区域可以由像素限定层119(见图9)的开口限定，这将在下面更详细地描述。
147.如图7中所示，布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)的主子像素pm可以以pentile(或称为“五瓦片”)结构布置。红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb可以分别实现红色、绿色和蓝色。
148.多个红色子像素pr和多个蓝色子像素pb交替地布置在第一行1n中，多个绿色子像素pg在相邻的第二行2n中以合适的间隔(例如，特定间隔或预定间隔)间隔开，蓝色子像素pb和红色子像素pr交替地布置在相邻的第三行3n中，多个绿色子像素pg在相邻的第四行4n中以合适的间隔(例如，特定间隔或预定间隔)间隔开，并且可以重复这样的像素的布置直
到第n行(其中，n是自然数)。就这一点而言，蓝色子像素pb和红色子像素pr可以比绿色子像素pg大。
149.布置在第一行1n中的多个红色子像素pr和多个蓝色子像素pb以及布置在第二行2n中的多个绿色子像素pg可以相对于彼此交错。因此，红色子像素pr和蓝色子像素pb交替地布置在第一列1m中，多个绿色子像素pg在相邻的第二列2m中以合适的间隔(例如，特定间隔或预定间隔)间隔开，蓝色子像素pb和红色子像素pr交替地布置在相邻的第三列3m中，多个绿色子像素pg在相邻的第四列4m中以合适的间隔(例如，特定间隔或预定间隔)间隔开，并且可以重复这样的像素的布置直到第m列(其中，m是自然数)。
150.换句话说，在上述像素布置中，红色子像素pr布置在虚拟四边形vs(使绿色子像素pg处的中心点作为虚拟四边形vs的中心点)的顶点之中的彼此面对的第一顶点和第三顶点上，蓝色子像素pb布置在作为虚拟四边形vs的其他顶点的第二顶点和第四顶点上。就这一点而言，虚拟四边形vs可以被不同地修改为矩形、菱形、正方形等。
151.上述像素布置结构可以被称为pentile矩阵结构或pentile结构，并且可以通过应用通过共享相邻像素来表达颜色的渲染驱动使用少量像素来实现高分辨率。
152.尽管图7示出了以pentile矩阵结构布置的多个主子像素pm，但是本公开不限于此。例如，多个主子像素pm可以以各种合适的形状和结构(以诸如条纹结构、马赛克布置结构、三角形布置结构等为例)布置。
153.图8a和图8b是根据一个或更多个实施例的组件区域ca中的像素布置结构的示意性布局图。
154.参照图8a，多个辅助子像素pa可以布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)。辅助子像素pa可以均发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
155.组件区域ca可以包括透射区域ta和包括至少一个辅助子像素pa的像素组pg。像素组pg和透射区域ta在x轴方向和y轴方向上交替地布置，并且例如可以布置成网格。在这种情况下，组件区域ca可以包括多个像素组pg和多个透射区域ta。
156.像素组pg可以被定义为子像素的集合，在子像素的集合中，多个辅助子像素pa在单位区域(例如，预定单位区域或预设单位区域)中成组。例如，如图8a中所示，一个像素组pg可以包括以pentile结构布置的八个辅助子像素pa。换句话说，一个像素组pg可以包括两个红色子像素pr、四个绿色子像素pg和两个蓝色子像素pb。
157.在组件区域ca中，基本单元u可以在x轴方向和y轴方向上重复布置，在基本单元u中，特定数量的像素组pg和特定数量的透射区域ta成组。在图8a中，基本单元u可以具有其中两个像素组pg和两个透射区域ta彼此相邻布置并且以四边形形状成组的形状和布置。如这里所使用的，基本单元u指重复的形状的划分，而不是指构造的断开。
158.如图7中所示，主显示区域mda可以具有对应单元u'。对应单元u'可以具有与基本单元u的面积相同或基本上相同的面积(例如，相同或基本上相同的尺寸)。在这种情况下，包括在对应单元u'中的主子像素pm的数量可以比包括在基本单元u中的辅助子像素pa的数量大。例如，在一些实施例中，可以以1:2的比例设置每单位面积(例如，每相同的单位区域尺寸)布置的辅助子像素pa的数量和每单位面积(例如，每相同的单位区域尺寸)布置的主子像素pm的数量。在这种情况下，当包括在基本单元u中的辅助子像素pa的数量是16时，包括在对应单元u'中的主子像素pm的数量可以是32。
159.如图8a中所示，其中辅助子像素pa的布置结构是pentile结构并且其分辨率是主显示区域mda的分辨率的1/2的组件区域ca的像素布置结构可以被称为1/2pentile结构。然而，本公开不限于此，并且可以根据组件区域ca的期望的分辨率来不同地修改像素组pg中包括的辅助子像素pa的数量和/或布置。
160.参照图8b，组件区域ca的像素布置结构可以具有1/4pentile结构。例如，如图8b中所示，八个辅助子像素pa可以在像素组pg中以pentile结构布置，并且一个像素组pg可以包括在基本单元u中。在这种情况下，基本单元u的剩余区域可以设置为透射区域ta。因此，在一些实施例中，可以以1:4的比例设置每单位面积(例如，每相同的单位区域尺寸)布置的辅助子像素pa的数量和每单位面积(例如，每相同的单位区域尺寸)布置的主子像素pm的数量。在这种情况下，一个像素组pg可以被透射区域ta围绕(例如，在像素组pg外围周围被透射区域ta围绕)。
161.尽管图8a和图8b示出了多个辅助子像素pa以pentile矩阵结构布置，但是本公开不限于此。例如，多个辅助子像素pa可以以各种合适的形状和结构(以诸如条纹结构、马赛克布置结构、三角形布置结构等为例)布置。
162.此外，尽管图8a和图8b示出了辅助子像素pa具有与图7的对应的主子像素pm的尺寸相同或基本上相同的尺寸，但是本公开不限于此。例如，辅助子像素pa的尺寸可以比发射与辅助子像素pa发射的颜色光相同的颜色光的主子像素pm的尺寸大。对于非限制性示例，辅助子像素pa的蓝色子像素pb的尺寸可以比主子像素pm的蓝色子像素pb的尺寸大。可以通过考虑组件区域ca与主显示区域mda之间的亮度和/或分辨率的差异来设计尺寸的差异。
163.图9是根据实施例的显示面板10的一部分的示意性剖视图，并且示意性地示出了主显示区域mda和组件区域ca。
164.参照图9，显示面板10包括主显示区域mda和组件区域ca。主子像素pm布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)，并且组件区域ca包括辅助子像素pa和透射区域ta。主像素电路pc和主有机发光二极管oled可以布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)。主像素电路pc可以包括主薄膜晶体管tft和主存储电容器cst，并且主有机发光二极管oled可以是连接到主像素电路pc的显示元件。辅助像素电路pc'和辅助有机发光二极管oled'可以布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)。辅助像素电路pc'可以包括辅助薄膜晶体管tft'和辅助存储电容器cst'，并且辅助有机发光二极管oled'可以是连接到辅助像素电路pc'的显示元件。
165.在图9中，示出了将有机发光二极管用作显示元件的情况。然而，本公开不限于此，在其他实施例中，可以采用无机发光元件或量子点发光元件作为显示元件。
166.在下文中，将描述其中堆叠有包括在显示面板10中的组件、层和/或元件的结构。显示面板10可以包括彼此堆叠的基底100、缓冲层111、电路层pcl、显示元件层edl、密封构件encm和光学功能层ofl。
167.如上所述，基底100可以包括绝缘材料，诸如以玻璃、石英或聚合物树脂为例。基底100可以是刚性基底或者能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
168.缓冲层111可以布置在基底100上，以减少或防止来自基底100的底部的异物、湿气和/或外部空气的渗透，并且在基底100上提供平坦的或基本上平坦的表面。缓冲层111可以
包括无机材料(以诸如氧化物或氮化物为例)、有机材料或有机
‑
无机复合材料，并且可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。在一些实施例中，在基底100与缓冲层111之间还可以包括用于防止或基本上防止外部空气的渗透的阻挡层。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(sio2)或氮化硅(sin
x
)。缓冲层111可以包括彼此堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
169.在一些实施例中，在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)，底部金属层bml可以布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，底部金属层bml可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。底部金属层bml可以布置在辅助像素电路pc'下方，以防止或基本上防止辅助薄膜晶体管tft'的特性由于从组件等发射的光而劣化。此外，底部金属层bml可以防止或基本上防止从组件40(见图2)等发射的光和/或朝向组件40(见图2)行进的光衍射通过连接到辅助像素电路pc'的布线之间的窄间隙。底部金属层bml可以不存在于透射区域ta处(例如，不存在于透射区域ta中或不存在于透射区域ta上)。
170.底部金属层bml可以通过接触孔连接到与其布置在不同的层中的偏置布线bw。底部金属层bml可以从偏置布线bw接收恒定的或基本上恒定的电压或信号。例如，底部金属层bml可以接收偏置电压。在一些实施例中，偏置电压可以具有与驱动电压elvdd的电平不同的电平。然而，本公开不限于此，在其他实施例中，偏置电压可以具有与驱动电压elvdd的电平相同的或基本上相同的电平。
171.当底部金属层bml接收偏置电压时，可以降低(例如，可以显著地降低)静电放电的概率。在一些实施例中，底部金属层bml可以包括例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)。底部金属层bml可以包括上述材料中的一种或更多种的单层或多层。
172.电路层pcl布置在缓冲层111上，并且可以包括主像素电路pc和辅助像素电路pc'、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和平坦化层117。主像素电路pc可以包括主薄膜晶体管tft和主存储电容器cst，并且辅助像素电路pc'可以包括辅助薄膜晶体管tft'和辅助存储电容器cst'。
173.主薄膜晶体管tft和辅助薄膜晶体管tft'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管tft包括第一半导体层a1、第一栅电极g1、第一源电极s1和第一漏电极d1。辅助薄膜晶体管tft'包括第二半导体层a2、第二栅电极g2、第二源电极s2和第二漏电极d2。主薄膜晶体管tft可以连接到主有机发光二极管oled，因此可以驱动主有机发光二极管oled。辅助薄膜晶体管tft'可以连接到辅助有机发光二极管oled'，因此可以驱动辅助有机发光二极管oled'。
174.在一些实施例中，第一半导体层a1和第二半导体层a2布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括从包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
175.第二半导体层a2可以与底部金属层bml叠置，且第二缓冲层111b位于其间。在实施
例中，第二半导体层a2的宽度可以比底部金属层bml的宽度小，因此，当在与基底100垂直的方向上投影时(例如，当在平面图中观察时)，第二半导体层a2可以与底部金属层bml完全叠置。
176.第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层a1和第二半导体层a2。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，以诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)为例。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料中的一种或更多种的单层或多层。
177.第一栅电极g1和第二栅电极g2布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层a1和第二半导体层a2叠置。第一栅电极g1和第二栅电极g2可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以包括单层或多层。作为示例，第一栅电极g1和第二栅电极g2可以包括钼(mo)的单层。
178.第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极g1和第二栅电极g2。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，以诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)为例。第二栅极绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料中的一种或更多种的单层或多层。
179.主存储电容器cst的第一上电极ce2和辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
180.在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)，第一上电极ce2可以与布置在第一上电极ce2下方的第一栅电极g1叠置。第一栅电极g1和第一上电极ce2可以彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间，并且可以构成主存储电容器cst。在这种情况下，第一栅电极g1可以与主存储电容器cst的第一下电极ce1对应(例如，可以是主存储电容器cst的第一下电极ce1)。
181.在组件区域ca处(例如，在组件区域ca中或在组件区域ca上)，第二上电极ce2'可以与布置在第二上电极ce2'下方的第二栅电极g2叠置。第二栅电极g2和第二上电极ce2'可以彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间，并且可以构成辅助存储电容器cst'。在这种情况下，第二栅电极g2可以与辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'对应(例如，可以是辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1')。
182.第一上电极ce2和第二上电极ce2'可以包括例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以包括上述这些材料中的一种或更多种的单层或多层。
183.层间绝缘层115可以覆盖第一上电极ce2和第二上电极ce2'。层间绝缘层115可以包括例如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。层间绝缘层115可以包括包含上述无机绝缘材料中的一种或更多种的单层或多层。
184.第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以统称为无机绝缘层il。在这种情况下，在一些实施例中，无机绝缘层il可以具有与透射区域ta对应的第一孔h1。第一孔h1可以使缓冲层111的上表面的一部分或基底100的上表面的一部分暴露。第一孔h1可以通过将与透射区域ta对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口彼此叠置来形成。这些开口可以均通过分开的工艺形成，或者可
以通过相同的工艺并发地(例如，同时地)形成。当通过分开的工艺形成开口时，第一孔h1的内侧表面可以不光滑，并且可以具有台阶状结构(例如，可以具有与阶梯形状相似的台阶)。
185.在其他实施例中，无机绝缘层il可以具有用于使缓冲层111暴露的凹槽，而不是第一孔h1。在其他实施例中，无机绝缘层il可以不具有与透射区域ta对应的第一孔h1或凹槽。在一些实施例中，无机绝缘层il大体上包括具有合适的透光率(例如，优异的透光率)的无机绝缘材料，因此，即使在无机绝缘层il不具有与透射区域ta对应的孔或凹槽时，无机绝缘层il也可以具有足够的透射率，因此可以允许组件40(例如，参照图2)发送/接收足够量的光。
186.第一源电极s1和第二源电极s2以及第一漏电极d1和第二漏电极d2可以布置在层间绝缘层115上。第一源电极s1和第二源电极s2以及第一漏电极d1和第二漏电极d2可以包括包含例如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述这些材料中的一种或更多种的单层或多层。作为示例，第一源电极s1和第二源电极s2以及第一漏电极d1和第二漏电极d2可以具有(例如，可以均具有)ti/al/ti的多层结构。
187.平坦化层117可以覆盖第一源电极s1和第二源电极s2以及第一漏电极d1和第二漏电极d2。平坦化层117可以具有平坦的或基本上平坦的上表面，使得布置在其上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的或基本上平坦的。
188.平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，在一些实施例中，平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，可以在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间形成布线等的导电图案，这对于高集成会是期望的(例如，会是有利的)。
189.平坦化层117可以包括例如通用商业聚合物(诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。平坦化层117可以包括无机绝缘材料，以诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)为例。当形成平坦化层117时，可以形成层并且可以对该层的上表面执行化学抛光和机械抛光，以提供平坦的或基本上平坦的上表面。
190.第一平坦化层117a可以覆盖主像素电路pc和辅助像素电路pc'。第二平坦化层117b可以布置在第一平坦化层117a上，并且可以具有平坦的或基本上平坦的上表面，使得第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的或基本上平坦的。
191.主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'布置在第二平坦化层117b上。主有机发光二极管oled的第一像素电极121和辅助有机发光二极管oled'的第二像素电极121'可以通过布置在平坦化层117上的连接电极cm和cm'分别连接到主像素电路pc和辅助像素电路pc'。
192.连接电极cm和cm'可以布置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。连接电极cm和cm'可以包括包含例如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述这些材料中的一种或更多种的单层或多层。作为示例，连接电极cm和cm'可以具有(例如，可以均具有)ti/al/ti的多层结构。
193.在图9中示出的实施例中，偏置布线bw可以与连接电极cm和cm'布置在第一平坦化
层117a上。偏置布线bw可以通过接触孔bcnt连接到布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的底部金属层bml。
194.平坦化层117可以具有与透射区域ta对应的第二孔h2。第二孔h2可以与第一孔h1叠置。图9示出了第二孔h2比第一孔h1大(例如，具有比第一孔h1的宽度大的宽度)。然而，本公开不限于此，例如，在另一实施例中，平坦化层117可以覆盖无机绝缘层il的第一孔h1的边缘，因此，第二孔h2的面积(例如，宽度)可以比第一孔h1的面积(宽度)小。
195.平坦化层117具有使主薄膜晶体管tft的第一源电极s1和第一漏电极d1中的一者暴露的通孔，并且第一像素电极121可以通过经由通孔接触第一源电极s1或第一漏电极d1而电连接到主薄膜晶体管tft。此外，平坦化层117具有使辅助薄膜晶体管tft'的第二源电极s2和第二漏电极d2中的一者暴露的通孔，并且第二像素电极121'可以通过经由通孔接触第二源电极s2或第二漏电极d2而电连接到辅助薄膜晶体管tft'。
196.第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物，以诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)为例。第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括包含例如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的混合物(复合物)的反射膜。例如，在一些实施例中，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有在上述反射膜上/下面具有一个或更多个膜的结构，并且所述一个或更多个膜可以包括例如ito、izo、zno和/或in2o3。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有(例如，可以均具有)ito/ag/ito的堆叠结构。
197.像素限定层119可以布置在平坦化层117上，并且可以覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'中的每者的边缘。例如，像素限定层119可以包括分别使第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部(例如，中央部)暴露的第一开口op1和第二开口op2。主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'的发射区域(或者换句话说，主子像素pm和辅助子像素pa的尺寸和形状)分别由第一开口op1和第二开口op2限定。
198.像素限定层119可以通过增大第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与布置在第一像素电极121和第二像素电极121'之上的对电极123之间的距离来防止或基本上防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处发生电弧等。像素限定层119可以使用有机绝缘材料(以诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso、酚醛树脂等为例)通过合适的方法(以诸如旋涂为例)形成。
199.像素限定层119可以在透射区域ta处(例如，在透射区域ta中或在透射区域ta上)包括第三孔h3。第三孔h3可以与第一孔h1和第二孔h2叠置。透射区域ta中的透光率可以通过第一孔h1至第三孔h3来改善。尽管图9示出了相对于透射区域ta连续布置的缓冲层111，但是在其他实施例中，缓冲层111可以在透射区域ta处(例如，在透射区域ta中或在透射区域ta上)包括孔，例如以暴露基底100的顶表面。下面将更详细地描述的对电极123的一部分可以布置在第一孔h1至第三孔h3的内侧表面上。
200.第一发射层122b和第二发射层122b'布置在像素限定层119的第一开口op1和第二开口op2处(例如，布置在像素限定层119的第一开口op1和第二开口op2中或布置在像素限定层119的第一开口op1和第二开口op2上)，以分别与第一像素电极121和第二像素电极121'对应。第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且
可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
201.有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下面。例如，在一些实施例中，有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。然而，本公开不限于此，并且可以省略第一功能层122a和/或第二功能层122c。
202.第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下面(例如，布置在第一发射层122b和第二发射层122b'之下)。第一功能层122a可以包括包含有机材料的单层或多层。在一些实施例中，第一功能层122a可以是具有单层结构的空穴传输层(htl)。在其他实施例中，第一功能层122a可以包括空穴注入层(hil)和htl。第一功能层122a可以一体地形成以与包括在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，包括在主显示区域mda和组件区域ca中或包括在主显示区域mda和组件区域ca上)的主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'对应。
203.第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以包括包含有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二功能层122c可以一体地形成以与包括在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，包括在主显示区域mda和组件区域ca中或包括在主显示区域mda和组件区域ca上)的主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'对应。
204.对电极123布置在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，在一些实施例中，对电极123可以包括包含例如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金的(半)透明层。在一些实施例中，对电极123还可以包括位于包含上述材料中的一种或更多种的(半)透明层上的层，以诸如ito、izo、zno或in2o3为例。对电极123可以一体地形成以与包括在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，包括在主显示区域mda和组件区域ca中或包括在主显示区域mda和组件区域ca上)的主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'对应。
205.从形成在主显示区域mda处(例如，形成在主显示区域mda中或形成在主显示区域mda上)的第一像素电极121到对电极123的层可以构成主有机发光二极管oled。从形成在组件区域ca处(例如，形成在组件区域ca中或在组件区域ca上)的第二像素电极121'到对电极123的层可以构成辅助有机发光二极管oled'。
206.包括有机材料的上层150可以形成在对电极123上。上层150可以是用于保护对电极123并提高光提取效率的层。在一些实施例中，上层150可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。在一些实施例中，具有彼此不同的折射率的层可以堆叠在上层150处(例如，堆叠在上层150中或堆叠在上层150上)。例如，上层150可以包括彼此堆叠的高折射率层/低折射率层/高折射率层。就这一点而言，高折射率层的折射率可以是1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以是1.3或更小。
207.在一些实施例中，上层150可以另外包括氟化锂(lif)。在其他实施例中，上层150可以另外包括无机绝缘材料，以诸如氧化硅(sio2)或氮化硅(sin
x
)为例。
208.第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以包括与透射区域ta对应的透射孔tah。换句话说，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以分别具有与透射区域ta对应的开口。开口的面积可以彼此相同或基本上相同。例如，对电极123的开口的面积可以与透射孔tah的面积相同或基本上相同。
209.如这里使用的表述“与透射区域ta对应的透射孔tah”可以被理解为“与透射区域ta叠置的透射孔tah”。就这一点而言，透射孔tah的面积(例如，宽度)可以比形成在无机绝缘层il中的第一孔h1的面积(例如，宽度)小。例如，图9示出了透射孔tah的比第一孔h1的宽度小的宽度wt。就这一点而言，透射孔tah的面积可以被定义为构成透射孔tah的开口之中的具有最小面积的开口的面积。第一孔h1的面积也可以被定义为构成第一孔h1的开口之中的具有最小面积的开口的面积。
210.由于透射孔tah，对电极123的一部分可以不存在于透射区域ta处(例如，不存在于透射区域ta中或不存在于透射区域ta上)，因此，透射区域ta处(例如，透射区域ta中或透射区域ta上)的透光率可以增大(例如，可以显著地增大)。可以通过各种合适的方法形成包括透射孔tah的对电极123。例如，在实施例中，可以在基底100的整个表面之上形成用于形成对电极123的材料，然后，可以通过激光剥离去除与透射区域ta对应的部分，以形成具有透射孔tah的对电极123。在另一实施例中，可以通过金属自图案化(msp)方法形成具有透射孔tah的对电极123。在另一实施例中，可以通过使用精细金属掩模(fmm)沉积对电极123的方法来形成具有透射孔tah的对电极123。
211.组件区域ca的底部金属层bml可以与整个组件区域ca对应。在这种情况下，底部金属层bml可以包括与透射区域ta叠置的下孔bmlh。在一些实施例中，透射区域ta的形状和/或尺寸可以由下孔bmlh的形状和/或尺寸限定。
212.在一些实施例中，可以期望在主显示区域mda处(例如，主显示区域mda中或在主显示区域mda上)不布置底部金属层bml。例如，当在基底100的整个表面之上或在基底100的大部分之上设置底部金属层bml时，在通过使用激光使主薄膜晶体管tft的第一半导体层a1结晶的工艺期间可能会发生缺陷。
213.在图9中示出的实施例中，底部金属层bml可以仅与组件区域ca对应，因此，可以降低形成显示面板10的工艺的缺陷率。
214.图10是根据实施例的显示面板10的子像素、一些布线和底部金属层bml之间的布置关系的示意性平面图。因为图10的平面图仅示出了显示面板10的一部分，所以可以省略显示面板10的其他子像素。另外，因为为了便于说明和描述，图10的平面图仅示出了布线中的一些，所以可以省略其他布线。换句话说，图10的平面图仅示出了组件区域ca和组件区域ca外部(例如，与组件区域ca相邻)的主显示区域mda的一部分。
215.参照图10，扫描线sl可以在x轴方向上延伸，并且可以将扫描信号传输到主子像素pm的像素电路和辅助子像素pa的像素电路。数据线dl可以在y轴方向上延伸，并且可以将数据信号传输到主子像素pm的像素电路和辅助子像素pa的像素电路。
216.扫描线sl可以包括第一扫描线sl1和第二扫描线sl2。第一扫描线sl1可以在x轴方向上延伸，并且可以电连接到在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)彼此布置在同一行处(例如，布置在同一行中或布置在同一行上)的主子像素pm的像素电路。第一扫描线sl1可以穿过透射区域ta而不连接到辅助子像素pa的像素电路。第二扫描线sl2可以在x轴方向上延伸，并且可以电连接到在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，在主显示区域mda和组件区域ca中或在主显示区域mda和组件区域ca上)彼此布置在同一行处(例如，布置在同一行中或布置在同一行上)的主子像素pm的像素电路和辅助子像素pa的像素电路。
217.数据线dl可以包括第一数据线dl1和第二数据线dl2。第一数据线dl1可以在y轴方向上或基本上在y轴方向上延伸，并且可以电连接到在布置在组件区域ca的下侧上的主显示区域mda处(例如，在布置在组件区域ca的下侧上的主显示区域mda中或在布置在组件区域ca的下侧上的主显示区域mda上)彼此布置在同一列处(例如，布置在同一列中或布置在同一列上)的主子像素pm的像素电路，可以穿过组件区域ca的透射区域ta，并且可以电连接到在布置在组件区域ca的上侧上的主显示区域mda处(例如，在布置在组件区域ca的上侧上的主显示区域mda中或在布置在组件区域ca的上侧上的主显示区域mda上)彼此布置在同一列处(例如，布置在同一列中或布置在同一列上)的主子像素pm的像素电路。第二数据线dl2可以在y轴方向上延伸，并且可以电连接到在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，在主显示区域mda和组件区域ca中或在主显示区域mda和组件区域ca上)彼此布置在同一列处(例如，布置在同一列中或布置在同一列上)的主子像素pm的像素电路和辅助子像素pa的像素电路。数据线dl可以布置在与扫描线sl的层不同的层中。
218.尽管图10示出了连续设置在主显示区域mda和组件区域ca处(例如，设置在主显示区域mda和组件区域ca中或设置在主显示区域mda和组件区域ca上)的扫描线sl和数据线dl，但是扫描线sl和数据线dl可以在一些区域处(例如，一些区域中或一些区域上)连接到布置在与扫描线sl和/或数据线dl的层不同的层中的桥接线。
219.如图10中所示，布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置组件区域ca上)的扫描线sl和数据线dl可以偏置到组件区域ca的一侧，而不是布置在透射区域ta的中心部处(例如，中心部中或中心部上)，以增大组件区域ca的透光率。例如，布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的扫描线sl和数据线dl可以适当地弯曲。因此，在彼此间隔开的像素组pg之间穿过的扫描线sl之间的距离可以比穿过像素组pg中的子像素的扫描线sl之间的距离小。此外，在彼此间隔开的像素组pg之间穿过的数据线dl之间的距离可以比穿过像素组pg中的子像素的数据线dl之间的距离小。
220.在一些实施例中，布置在彼此间隔开的像素组pg之间的第一数据线dl1可以被偏置到像素组pg的左侧(例如，在x轴方向上的左侧)，并且第二数据线dl2可以被偏置到像素组pg的右侧(例如，在x轴方向上的右侧)。在一些实施例中，布置在彼此间隔开的像素组pg之间的第一扫描线sl1可以向下偏置(例如，在像素组pg的y轴方向上向下偏置)，并且第二扫描线sl2可以向上偏置(例如，在像素组pg的y轴方向上向上偏置)。
221.根据上述布线布置结构，可以改善透射区域ta的透光率和整个组件区域ca的透光率。随着布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的布线之间的距离减小，可能会发生光的衍射，因此，底部金属层bml可以被布置成与布置在组件区域ca处(例如，布置在组件区域ca中或布置在组件区域ca上)的布线叠置。
222.在一些实施例中，底部金属层bml可以与整个组件区域ca对应，并且可以包括与透射区域ta对应的下孔bmlh。在一些实施例中，底部金属层bml可以不布置在主显示区域mda处(例如，不布置在主显示区域mda中或不布置在主显示区域mda上)。
223.底部金属层bml可以通过偏置布线bw连接到布置在外围区域dpa处(例如，布置在外围区域dpa中或布置在外围区域dpa上)的偏置电压供应线15。偏置布线bw可以通过接触孔连接到底部金属层bml的边缘部。
224.在下文中，将更详细地描述根据本公开的一个或更多个示例实施例的偏置布线bw
的布置。
225.图11是图10的部分i的放大平面图，并且图12是与图11的线ii
‑
ii'和iii
‑
iii'对应的示意性剖视图。然而，因为图11和图12为了便于说明和描述仅示出了部分构造，所以未示出其他构造。
226.参照图11和图12，根据实施例的显示面板10包括与组件区域ca对应的底部金属层bml和连接到底部金属层bml的偏置布线bw。
227.可以彼此间隔开并且可以在y轴方向上延伸的驱动电压线pl和数据线dl可以布置在主显示区域mda处(例如，布置在主显示区域mda中或布置在主显示区域mda上)。在实施例中，偏置布线bw在y轴方向上延伸，并且可以与驱动电压线pl叠置。
228.红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb的主子像素pm可以在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)以pentile结构布置。主子像素pm的第一像素电极121可以与数据线dl和驱动电压线pl至少部分地叠置。在一些实施例中，主子像素pm的第一像素电极121可以与偏置布线bw至少部分地叠置。第一像素电极121可以通过连接电极cm(例如，见图9)连接到布置在第一像素电极121下方的薄膜晶体管。主子像素pm的尺寸可以由覆盖第一像素电极121的边缘的像素限定层119的第一开口op1限定。
229.偏置布线bw可以穿过布置在外围区域dpa与组件区域ca之间的主显示区域mda，并且可以通过接触孔bcnt连接到底部金属层bml的边缘部。
230.在实施例中，偏置布线bw可以在主显示区域mda处(例如，在主显示区域mda中或在主显示区域mda上)与在y轴方向上或基本上在y轴方向上延伸的驱动电压线pl叠置。偏置布线bw可以布置在覆盖驱动电压线pl的第一平坦化层117a上。换句话说，驱动电压线pl可以布置在偏置布线bw与包括在像素电路pc中的薄膜晶体管tft和存储电容器cst之间。驱动电压线pl可以用作屏蔽电极，并且因为驱动电压线pl可以布置在偏置布线bw下方，所以可以减少可能在偏置布线bw与像素电路pc之间形成的耦合现象。
231.在一些实施例中，偏置布线bw在x轴方向上的宽度wb可以比驱动电压线pl在x轴方向上的宽度wp小。此外，偏置布线bw可以与驱动电压线pl的中心部(例如，中央部)叠置。因此，可以减少由于偏置布线bw导致的耦合现象。
232.在一些实施例中，偏置布线bw可以通过穿透第一平坦化层117a、无机绝缘层il和第二缓冲层111b的接触孔bcnt连接到底部金属层bml。在其他实施例中，与图12中示出的实施例不同，还可以包括中间电极层以将偏置布线bw和底部金属层bml彼此连接。
233.如图11中所示，偏置布线bw可以沿着其中布置有主子像素pm之中的红色子像素pr和蓝色子像素pb的列布置。换句话说，偏置布线bw可以包括与红色子像素pr叠置的第一偏置布线bw1和与蓝色子像素pb叠置的第二偏置布线bw2。在一些实施例中，偏置布线bw可以与红色子像素pr和蓝色子像素pb的第一像素电极121叠置。
234.图13是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。在图13中，与图11的元件相同的元件用相同的附图标记表示，因此，可以不重复其冗余的描述。
235.参照图13，偏置布线bw可以穿过布置在外围区域dpa与组件区域ca之间的主显示区域mda，并且可以通过接触孔bcnt连接到底部金属层bml的边缘部。在图13中示出的实施例中，偏置布线bw可以沿着其中布置有主子像素pm之中的绿色子像素pg的列布置。在这种情况下，偏置布线bw可以与绿色子像素pg的第一像素电极121叠置。
236.图14是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，图15是沿着图14的线iv
‑
iv'截取的显示面板的剖视图。在图14和图15中，与图11和图12的元件相同的元件用相同的附图标记表示，因此，可以不重复其冗余的描述。
237.参照图14和图15，偏置布线bw穿过布置在外围区域dpa与组件区域ca之间的主显示区域mda，并且连接到底部金属层bml。
238.在实施例中，偏置布线bw可以与底部金属层bml一体地设置。即，偏置布线bw可以与底部金属层bml布置在第一缓冲层111a上，并且可以从底部金属层bml分支出多个以在y轴方向上延伸。
239.形成在偏置布线bw上的层可以由于偏置布线bw而具有曲线或台阶。在这种情况下，如果薄膜晶体管tft的半导体层在工艺中形成在台阶上，则台阶在工艺中会导致缺陷。
240.因此，在实施例中，偏置布线bw可以与数据线dl叠置，从而减少偏置布线bw与薄膜晶体管tft的一个或更多个半导体层的叠置。因此，可以减少薄膜晶体管tft的缺陷。
241.在一些实施例中，偏置布线bw可以与其中布置有红色子像素pr和蓝色子像素pb的像素电路的列的数据线dl叠置。在其他实施例中，偏置布线bw可以与其中布置有绿色子像素pg的像素电路的列的数据线dl叠置。
242.图16示出了根据一个或更多个实施例的关于在不使用偏置布线bw时灰色的亮度变化的模拟结果。
243.在图16中，实施例1与图11的实施例对应，并且示出了偏置布线bw布置在第一平坦化层117a(例如，参照图12)上并且与红色子像素pr和蓝色子像素pb叠置的情况。在实施例1的情况下，可以看出，在11至255的灰度级下，灰色的亮度变化不大于0.2。
244.在图16中，实施例2与图13的实施例对应，并且示出了偏置布线bw布置在第一平坦化层117a(例如，参照图12)上并且与绿色子像素pg素叠置的情况。在实施例2的情况下，可以看出，灰色的亮度变化在31至255的灰度级下小(例如，很小或可忽略)，并且当灰度级为11时是约0.1。换句话说，可以确认，实施例2示出了最小的变化。
245.在图16中，实施例3与图14的实施例对应，并且示出了偏置布线bw布置在与底部金属层bml(例如，参照图15)的层相同的层中并且与红色子像素pr和蓝色子像素pb的像素电路叠置的情况。在实施例3的情况下，可以看出，随着灰度级增大，灰色的亮度变化增大但不大于
‑
1.0。当灰色的亮度变化是
±
1.0或更小时，亮度变化不显著，并且可以看出，实施例1至实施例3的所有实施例对亮度变化几乎没有影响。
246.如上所述，根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示面板和显示设备包括布置在与驱动电压线的层不同的层中的偏置布线，并且因为偏置布线连接到底部金属层，所以可以减小由于施加到底部金属层的电压导致的显示面板的特性的变化。然而，本公开的方面和特征不限于这样的示例效果。
247.尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中能够进行各种修改。将理解的是，除非另外描述，否则每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。因此，对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体地指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且
不将被解释为限于这里公开的具体的示例实施例，并且对所公开的示例实施例的各种修改以及其他示例实施例旨在包括在如权利要求和它们的等同物中限定的本公开的精神和范围内。