1.一种发光器件，其特征在于，包括：堆叠结构；
所述堆叠结构包括堆叠设置的至少两层半导体发光层；
其中，所述至少两层半导体发光层中至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述至少两层半导体发光层包括第一半导体发光层和第二半导体发光层；
所述至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位，包括：
所述第一半导体发光层的至少一端在第一方向超出所述第二半导体发光层、所述第二半导体发光层的至少一端在第二方向超出所述第一半导体发光层；其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述发光器件的出光面。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体发光层的至少一端在第一方向与所述第一半导体发光层呈台阶状、所述第一半导体发光层的至少一端在第二方向与所述第二半导体发光层呈台阶状。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，每层半导体发光层至少包括邻接面；所述堆叠设置，包括：
相邻的两层半导体发光层中一半导体发光层的邻接面和另一半导体发光层的邻接面部分或全部重叠形成重叠区。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述重叠区为相邻的两层半导体发光层中一半导体发光层的邻接面的部分区域、以及另一半导体发光层的邻接面的部分区域。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，至少一半导体发光层的重叠区出射所述半导体发光层发出的光，或者，至少一半导体发光层的重叠区不出射所述半导体发光层发出的光。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，靠近发光器件的出光面的半导体发光层被构造为透射从远离发光器件的出光面的半导体发光层发出的光。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，至少一半导体发光层在远离发光器件的出光面的一侧设置有反射层，所述反射层被构造为反射所述半导体发光层发出的光。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述反射层包括下述至少之一：
分布式布拉格反射dbr层；金属反射层。
10.根据权利要求1至9任一所述的发光器件，其特征在于，所述至少两层半导体发光层，包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层，分别发出不同波长的颜色光。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，朝靠近出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层发出的光的波长依次减小。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述至少两层半导体发光层，包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的三层半导体发光层，分别发出红光、绿光和蓝光。
13.根据权利要求1至9任一所述的发光器件，其特征在于，还包括：
非堆叠结构，所述非堆叠结构包括至少一层半导体发光层，所述非堆叠结构设置于所述堆叠结构的与堆叠方向不同的方向。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述非堆叠结构设置于所述堆叠结构的与堆叠方向垂直的方向。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，在所述堆叠结构的出光方向上所述非堆叠结构的位置为以下任意一种：
靠近所述堆叠结构的出光侧；
靠近所述堆叠结构的背光侧；
位于所述堆叠结构的出光侧和背光侧之间。
16.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述堆叠结构和所述非堆叠结构间隔设置。
17.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，以下位置中至少之一设置有光隔离结构：
两个相邻的堆叠结构之间；
两个相邻的非堆叠结构之间；
相邻的堆叠结构和非堆叠结构之间。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17任一所述的发光器件。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，至少两个所述发光器件之间设置有光隔离结构。