一种高功率半导体激光器的制作方法

文档序号:25740346发布日期:2021-07-06 18:50阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高功率半导体激光器,包括机箱(1),其特征在于:所述机箱(1)顶部转动连接有箱盖(2),所述机箱(1)与箱盖(2)之间转动连接有铰链(31),所述机箱(1)后壁固定连接有下挂耳(17),所述箱盖(2)后壁固定连接有上挂耳(19),所述上挂耳(19)、下挂耳(17)之间转动连接有缓冲液压杆(18),所述机箱(1)前壁转动连接有箱门(3),所述箱门(3)前壁固定连接有把手(4),所述机箱(1)前壁固定连接有控制面板(5),所述控制面板(5)设置在机箱(1)前壁且位于箱门(3)上方,所述机箱(1)上表面固定连接有工作台面(32),所述机箱(1)下表面转动连接有滚轮(15),所述机箱(1)侧壁从上到下依次固定连接有第一进水管(13)、第二排水管(14),所述工作台面(32)上表面固定连接有为光源及集束成形装置,所述机箱(1)内侧设置有温度检测组件、初级散热装置、次级散热装置,所述次级散热装置上设置有流量调节组件。

2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述控制面板(5)前壁从左到右依次固定连接有急停开关(6)、镭射开关(7)、功率调节开关(8)、第一温度显示屏(9)、第二温度显示屏(10)、第一水流调节开关(11)、第二水流调节开关(12),所述第一温度显示屏(9)、第二温度显示屏(10)与温度检测组件电连接,所述急停开关(6)、镭射开关(7)、功率调节开关(8)与光源及集束成形装置电连接,所述第一水流调节开关(11)、第二水流调节开关(12)与次级散热装置电连接。

3.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述初级散热装置包括散热板(33)、绝缘板(34)、散热杆(29),所述散热板(33)固定连接在工作台面(32)内壁,所述绝缘板(34)固定连接在散热板(33)上表面,所述散热杆(29)固定连接在散热板(33)下表面,所述散热杆(29)远离散热板(33)的一端伸入次级散热装置内部。

4.根据权利要求3所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述绝缘板(34)为金刚石,所述散热板(33)、散热杆(29)材质为铜材。

5.根据权利要求4所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述次级散热装置包括冷却箱(26)、第二进水管(20)、喷水管(37),所述冷却箱(26)固定连接在机箱(1)内侧上壁,所述冷却箱(26)设置在工作台面(32)下表面,所述第二进水管(20)固定连接在冷却箱(26)侧壁与第一进水管(13)之间,所述第二进水管(20)远离第一进水管(13)的端部固定连接有三通接头(21),所述三通接头(21)两个出口与冷却箱(26)侧壁之间分别固定连接有第一分水管(22)、第二分水管(23),所述冷却箱(26)远离第一分水管(22)、第二分水管(23)的一侧与第二排水管(14)之间固定连接有第一排水管(27),所述喷水管(37)固定连接在冷却箱(26)内侧壁,所述喷水管(37)进口端与第二分水管(23)贯通,所述喷水管(37)外壁固定连接有喷水嘴(38),所述喷水嘴(38)喷水方向为散热板(33)下表面。

6.根据权利要求5所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述流量调节组件包括第一电子调节阀(24)、第二电子调节阀(25),所述第一电子调节阀(24)固定连接在第一分水管(22)外壁,所述第二电子调节阀(25)固定连接在第二分水管(23)外壁。

7.根据权利要求6所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述光源及集束成形装置包括集束成形模块(30)、激光发生模块(35),所述集束成形模块(30)固定连接在工作台面(32)上表面,所述激光发生模块(35)固定连接在初级散热装置上表面,所述集束成形模块(30)侧壁固定连接有激光出口(16)。

8.根据权利要求7所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述温度检测装置包括第一温度传感器(36)、第二温度传感器(28),所述第一温度传感器(36)固定连接在激光发生模块(35)上表面,所述第二温度传感器(28)固定连接在第一排水管(27)外壁。


技术总结
本发明提供一种高功率半导体激光器,涉及激光技术领域。该高功率半导体激光器,包括机箱,所述机箱顶部转动连接有箱盖,所述机箱与箱盖之间转动连接有铰链,所述机箱后壁固定连接有下挂耳,所述箱盖后壁固定连接有上挂耳,所述上挂耳、下挂耳之间转动连接有缓冲液压杆,本发明,使用金刚石做绝缘层,具有最高的热导率、绝缘性,散热杆为多组长条形杆状,提高热交换速度,通过喷雾冷却结合大通量水冷的次级冷却方案,大大提高对芯片的散热效率,流量调节组件配合温度检测组件共同使用,在低功率、高功率转换时,可以根据温度调整喷水管及第一分水管的流量,节约资源,且避免散热能力过强,导致芯片有源区表面结霜的情况出现。

技术研发人员:梁娟
受保护的技术使用者:梁娟
技术研发日:2021.03.30
技术公布日:2021.07.06
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