电极结构及其制备方法、显示基板、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极结构及其制备方法、显示基板、显示装置。


背景技术：

2.裸眼3d(3
‑
dimensional的简称)显示技术是一种无须佩戴3d眼镜，即可以使人们观看到形象逼真的立体影像显示技术，它将佩戴者从传统的3d眼镜的束缚中解脱出来，从根本上解决了长时间佩戴3d眼镜所出现的头晕目眩的问题，极大的提高了人们的观看舒适度。
3.然而现有裸眼3d显示产品，存在ppi(像素密度)低、信息量少、3d视角小等缺陷，易使人产生头晕，且用户体验不佳。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开的目的在于提出一种电极结构及其制备方法、显示基板、显示装置。
5.基于上述目的，本公开提供了一种电极制备方法，包括：
6.提供一衬底，所述衬底包括导电膜层；
7.在所述导电膜层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成过孔；
8.在所述过孔内形成过孔填充结构，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向的厚度等于所述过孔的深度；
9.采用纳米压印工艺及干刻工艺，在所述平坦化层上形成电极层；所述电极层通过所述过孔填充结构与所述导电膜层电连接。
10.可选的，所述在所述电极过孔内形成过孔填充结构，包括：
11.采用电镀填充工艺在所述电极过孔内形成所述过孔填充结构；
12.其中，所述过孔填充结构的材料包括金属。
13.可选的，所述在所述导电膜层上形成平坦化层之前，还包括：
14.在所述导电膜层上形成电镀种子层，所述电镀种子层的材料与所述过孔填充结构的材料相同。
15.可选的，所述在所述过孔内形成过孔填充结构，包括：
16.采用气相沉积工艺，在所述过孔内形成所述过孔填充结构；所述过孔填充结构包括依次形成的沉积种子层以及与所述沉积种子层材料相同的所述过孔填充子结构。
17.可选的，还包括：
18.在所述过孔内形成过孔填充材料，所述过孔填充材料沿垂直于所述平坦化层方向的厚度大于所述过孔的深度；
19.采用化学机械抛光工艺对所述过孔填充材料进行处理，形成所述过孔填充结构。
20.可选的，所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，包括：
21.在所述平坦化层上形成第一压印胶层；
22.采用纳米压印工艺在所述第一压印胶上形成与所述电极层的图案相同的第一压印胶图案；
23.采用干刻工艺，去除所述第一压印胶图案中与所述电极层位置重合的部分所述第一压印胶层；
24.形成电极材料膜层；
25.剥离剩余的所述第一压印胶层，生成所述电极层。
26.可选的，所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，包括：
27.在所述平坦化层上形成电极材料膜层；
28.在所述电极材料膜层上形成第二压印胶层；
29.采用纳米压印工艺在所述第二压印胶层上形成与所述电极层的图案相同的第二压印胶图案；
30.采用干刻工艺，去除所述第二压印胶图案中与所述电极层位置不重合的部分所述第二压印胶层；
31.剥离剩余的所述第二压印胶层，生成所述电极层。
32.可选的，所述导电膜层包括源漏极层，所述电极层包括多个与子像素单元对应的阳极单元或与亚像素单元对应的阳极子单元；所述电极层的材料包括金属或金属氧化物组层的多层结构。
33.本公开还提供了一种电极结构，包括：
34.衬底，包括导电膜层；
35.平坦化层，设置于所述衬底上，包括过孔；
36.过孔填充结构，设置于所述过孔内，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向是厚度等于所述过孔的深度；
37.电极层，设置于所述平坦化层上，通过所述过孔填充结构与所述导电膜层连接。
38.可选的，所述过孔填充结构通过电镀填充工艺在所述电极过孔内形成；所述电极结构，还包括：
39.电镀种子层，设置于所述导电膜层与所述平坦化层之间，且所述电镀种子层的材料与所述过孔填充结构的材料相同。
40.本公开还提供了一种显示基板，包括如上述任一项所述的电极结构。
41.本公开还提供了一种显示装置，包括如上述所述的显示基板。
42.从上面所述可以看出，本公开提供的电极结构及其制备方法、显示基板、显示装置，采用纳米压印工艺及干刻工艺制作电极层，可以使得电极层中各子电极单元之间的间隔与空隙更小，从而提高采用本公开方法制作的显示产品的ppi，增加显示产品显示内容的信息量，同时还避免产生摩尔纹显示不良。同时，由于预先填充了平坦化层上的过孔，使得平坦化层远离导电膜层的一侧平坦，这样在形成包含图案的电极层时，不会因平坦化层不平坦而不能采用纳米压印工艺及干刻工艺。
附图说明
43.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1a为光栅式裸眼3d显示技术的显示原理示意图；
45.图1b为柱状透镜3d显示技术的显示原理示意图；
46.图2a为本公开实施例的单层子像素阳极结构示意图；
47.图2b为单层子像素非连续发光摩尔纹效应的示意图；
48.图3为相关技术中阳极结构的示意图；
49.图4为本公开实施例所述电极制备方法的流程示意图；
50.图5a为本公开实施例的衬底结构示意图；
51.图5b为本公开实施例的平坦化层形成示意图；
52.图5c为本公开实施例的过孔填充示意图；
53.图5d为本公开实施例的过孔填充结构形成示意图；
54.图5e为本公开实施例的电极层形成示意图；
55.图5f为本公开实施例的像素定义层形成示意图；
56.图6a为本公开实施例的纳米压印模板的结构示意图；
57.图6b为本公开实施例的纳米压印模板的另一结构示意图；
58.图7为本公开实施例的电极结构示意图；
59.图8a为本公开实施例的盲孔电镀有机添加剂的作用示意图；
60.图8b为本公开实施例的盲孔电镀填充效果示意图；
61.图8c为本公开实施例的电镀时间与填充效果示意图；
62.图9为本公开实施例采用气相沉积进行过孔填充的示意图；
63.图10为本公开实施例过孔填充的流程示意图；
64.图11为本公开实施例的干刻工艺设备示意图；
65.图12为本公开实施例电极层制备的流程示意图；
66.图13a为本公开实施例第一压印胶层形成示意图；
67.图13b为本公开实施例对第一压印胶层进行纳米压印工艺处理后的结构示意图；
68.图13c为本公开实施例剥离部分第一压印胶层后的结构示意图；
69.图13d为本公开实施例电极材料膜层形成后的结构示意图；
70.图13e为本公开实施例剥离剩余第一压印胶层后的结构示意图；
71.图14为本公开实施例电极层制备的另一流程示意图；
72.图15a为本公开实施例在平坦化层上形成电极材料膜层后的结构示意图；
73.图15b为本公开实施例第二压印胶层形成后的结构示意图；
74.图15c为本公开实施例对第二压印胶层进行纳米压印工艺处理后的结构示意图；
75.图15d为本公开实施例剥离部分第二压印胶层后的结构示意图；
76.图15e为本公开实施例剩余第二压印胶层后的结构示意图；
77.图16a为本公开实施例子像素的结构示意图；
78.图16b为本公开实施例子像素的另一结构示意图。
具体实施方式
79.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
80.需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
81.根据显示原理的不同，裸眼3d技术可以分为光栅式裸眼3d技术和柱状透镜3d显示技术。其中，基于光栅式裸眼3d技术的显示装置以其制程简单，串扰小和生产成本低的优势，受到显示行业的关注。参考图1a所示的显示原理示意图，这种光栅式显示装置是利用设在背光模块和显示屏100(screen)之间设置类似光栅的视差障壁101(parallaxbarrier)，以产生明暗相间的条纹，亮条纹通过显示屏进入观看者的左眼和右眼。由于进入左眼102的亮条纹和进入右眼103的亮条纹是从两个角度发出的光线，观看者的两只眼睛所看到的图像是具有视差的两幅图像；具有时差的两幅图像在观看者大脑中叠加后，就能够使观看者在裸眼的情况下观看到3d化的显示图像。
82.上述类似光栅的视差障壁通常由液晶(lc)单元形成，液晶(lc)单元的工作模式与液晶显示屏(liquid crystal display，lcd)的工作模式类似，在裸眼3d显示装置处于3d模式时，通过控制液晶单元形成类似光栅的图案用作视差障壁，实现裸眼3d的显示效果。在裸眼3d显示装置处于2d(2
‑
dimensional)模式时，lc单元被切换到透明状态，使得视差屏障不存在，从而实现普通的2d显示屏的显示效果。
83.柱状透镜3d显示装置的显示原理如图1b所示，本领域技术人员可以通过现有技术和公知常识获知柱状透镜3d显示装置的显示原理以及包括的其它结构，这里不再赘述。
84.在oled裸眼3d显示装置中，为了提高分辨率，通常将红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b分别分割为多个亚像素；如图2a所示，子像素(即红色、绿色和蓝色子像素)的阳极也同样被分割为多个阳极子单元。其中，每个阳极的长度为54.9μm、宽度为36.6μm，每个阳极子单元的长度为6.85μm、宽度为2.28μm，再加上位于阳极子单元周围的像素界定层的宽度，使得相邻两个阳极子单元之间存在空隙(space)约为2.5μm，这种结构的单层子像素非连续发光摩尔纹效应如图2b所示，可以看出因空隙较大，导致摩尔纹效应较为明显。即，相关技术在制作阳极子单元时，由于相邻两个阳极子单元之间的间隔以及空隙大，不仅导致显示产品的ppi低、信息量少，同时还导致了摩尔纹显示不良。
85.如图3所示，相关技术中，在源漏极层(图中未示出)上制作平坦化层3’，在平坦化层3’上通过光刻工艺直接制作阳极层5’，阳极层5’中的部分阳极层材料穿过平坦化层3’上的过孔与源漏极层连接。在阳极层制作过程中，由于过孔处的凹陷，会影响阳极层材料的沉积，导致阳极层5’不平坦，最终影响到其上子像素el器件发光的连续性和亮度均匀性。同时，受工艺限制，无法减小阳极子单元之间的间隔。
86.申请人在实现本公开的过程中发现，若能够在形成阳极层之前，提前填充平坦化层上的过孔，保证阳极层平坦，即可避免影响到阳极层上子像素el器件发光的连续性和亮度均匀性。
87.以下，通过具体的实施例进一步详细说明本公开的技术方案。
88.如图4所示，本公开实施例提供一种电极制备方法，包括：
89.步骤s101，提供一衬底，所述衬底包括导电膜层。
90.参照图5a所示，在本实施例中，首先提供一衬底1，该衬底可包括基板11以及制作于基板11上的导电膜层12。其中，基板11可以为玻璃基板、pi基板等；导电膜层12的材料可以为金属，也可以为其他导电材料。
91.步骤s102，在所述导电膜层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成过孔。
92.参照图5b所示，平坦化层3上形成有多个过孔，且多个过孔贯穿平坦化层3，通过过孔实现分别设置于平坦化层3两侧的电极层及导电膜层12的连接。
93.步骤s103，在所述过孔内形成过孔填充结构，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向的厚度等于所述过孔的深度。
94.参照图5d所示，本实施例中，待形成平坦化层3(pln)以及平坦化层上的过孔后，先采用导电材料例如金属对过孔进行填充从而形成具有导电性能的过孔填充结构4，并使过孔填充结构4的厚度与过孔深度相同，从而使得平坦化层3远离导电膜层12的一侧平坦，进而使得该侧设置的电极层平坦。
95.可选的，过孔填充结构4的材料可包括铝、锌、铜、镍、铬、金、银、锡等金属材料。
96.步骤s104，采用纳米压印工艺及干刻工艺，在所述平坦化层上形成电极层；所述电极层通过所述过孔填充结构与所述导电膜层电连接。
97.参照图5e所示，本步骤中，通过纳米压印工艺及干刻工艺形成图案化的电极层5，图案化的电极层5中包括各个子电极单元，其中至少部分子电极单元通过过孔填充结构穿过平坦化层与导电膜层电连接。
98.本实施例中，采用纳米压印工艺及干刻工艺制作电极层，可以使得电极层中各子电极单元之间的间隔与空隙更小，从而提高采用本公开方法制作的显示产品的ppi，增加显示产品显示内容的信息量，同时还避免产生摩尔纹显示不良。同时，由于预先填充了平坦化层上的过孔，使得平坦化层远离导电膜层的一侧平坦，这样在形成包含图案的电极层时，不会因平坦化层不平坦而不能采用纳米压印工艺及干刻工艺。
99.图6a、图6b为纳米压印工艺所采用的两种纳米压印模板，在本实施例中，通过采用纳米压印工艺及干刻工艺形成电极层，在形成电极层的图案时，可以减少电极层中各个子电极单元之间的间隙，使得各个子电极单元之间的间隙可以减小到800nm以下，甚至可以减小到70nm，从而增加显示产品显示内容的信息量，并增大了子像素的发光面积，从而变相提升了el器件的寿命，同时还可以避免产生摩尔纹显示不良。此外，结合立体微透镜结构，实现oled裸眼3d技术，从而解决了现有3d显示产品，存在ppi低、信息量少、3d视角小等缺陷以及易使人产生头晕、用户体验不佳的问题。
100.可选的，在上述实施例中，该衬底1可以为衬底基板，导电膜层12可以包括源漏极层(sd)，所述电极层包括多个与子像素单元对应的阳极单元或与亚像素单元对应的阳极子单元。则本公开提供一种阳极制备方法，包括：
101.步骤s201，提供一衬底基板，所述衬底包括源漏极层。
102.本实施例中，基板11可以为玻璃基板、pi基板等；源漏极层的材料可为金属ti/al/ti。
103.步骤s202，在所述源漏极层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成阳极过孔。
104.步骤s203，在所述阳极过孔内形成过孔填充结构，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向的厚度等于所述过孔的深度。
105.本实施例中，可采用铜等导电材料形成过孔填充结构，在实现过孔填平以及平坦层的平坦化的同时，还能保证阳极层可通过过孔填充结构与源漏极层连接。
106.步骤s204，采用纳米压印工艺及干刻工艺，在所述平坦化层上形成阳极层；所述阳极层通过所述过孔填充结构与所述源漏极层电连接。
107.参照图5f所示，阳极层制作完成后，可制作像素定义层(pdl)或者亚像素定义层6，并制作隔离柱(ps)等结构。
108.可选的，本实施例中，可先通过溅射工艺制备阳极膜层，其中阳极膜层的材料可以为mo/al(alnd)/mo、ti/al/mo、ito/alnd/ito、ti/al/ito及ito/al/ito等金属或金属氧化物组成的多层结构，从而形成反射阳极，提高显示亮度；再通过纳米压印工艺和干刻工艺，对阳极膜层进行图形化，制备出间隔小于800nm的阳极单元或者阳极子单元，甚至可以制作出间隔小于70nm的阳极单元或者阳极子单元，从而可避免曝光和湿刻工艺单层阳极结构中space大，经透镜放大后产生严重摩尔纹效应的问题。
109.可选的，在上述实施例中，衬底也可为其他结构，平坦化层可为其他不具有导电性能的绝缘结构，相应的导电膜层也可为除源漏极层以外的其他导电膜层结构；当两导电膜层需通过位于两导电膜层之间的绝缘层上的过孔连接时，为保证导电膜层的平坦，均可采用本公开实施例所述电极制备方法实现。
110.在一些可选的实施例中，步骤s103中所述在所述过孔内形成过孔填充结构，包括：采用电镀填充工艺在所述电极过孔内形成所述过孔填充结构。其中，所述过孔填充结构的材料包括金属，例如金属铜。
111.可选的，如图7所示，在所述导电膜层上形成平坦化层之前，还包括：在所述导电膜层上形成电镀种子层2，所述电镀种子层2的材料与所述过孔填充结构4的材料相同，且电镀种子层2在衬底上的正投影与所述过孔在所述衬底上的正投影至少部分重合，即电镀种子层通过过孔裸露。本公开中，若采用金属铜进行电镀形成过孔填充结构时，同样选择金属铜作为电镀种子层的材料。
112.可选的，过孔填充结构与电镀种子层的材料不限于金属铜，也可采用其他满足本公开结构要求以及工艺要求的材料制作过孔填充结构与电镀种子层。
113.以下以采用金属铜进行电镀生成过孔填充结构为例，详细说明本实施例的技术方案。
114.本实施例中，首先在导电膜层上形成以铜为材料的电镀种子层，之后在电镀种子层上形成平坦化层以及平坦化层上的过孔。其中，当导电膜层为源漏极层时，导电膜层的材料采用ti/al/ti；形成电镀种子层后，导电膜层与电镀种子层形成ti/al/ti/cu膜层。
115.之后，采用盲孔电镀金属填充工艺或者电化学盲孔填充工艺在过孔内形成过孔填充结构。
116.其中，盲孔电镀金属填充工艺采用含铜离子溶液，在电镀种子层的“引诱”下实现定点、定速沉积，通过多种有机添加剂的协同作用，实现过孔底部沉积速率远大于表面沉积速率，从而实现pln过孔金属填充目的。
117.其中，有机添加剂加入不仅可以使镀层铜晶粒精细化，而且还能改善镀液的分散能力，使镀层光亮、平整。在以酸性填孔镀液中，添加剂类型主要有载运剂/抑制剂(carrier)、整平剂(leveler)和光亮剂(brightener)三种：
118.抑制剂peg是高分子的聚醇类化合物，被阴极表面吸附后与氯离子一起抑制电镀速率，使得高低电流区的差异降低；同时它还充当了润湿剂，起到降低界面的表面张力(降低接触角)和增强传质效果的作用。在填孔电镀中，抑制剂加入可以使铜层稳定沉积。
119.整平剂lev是含氮有机物，主要功能是吸附在高电流密度区(凸起区或转角处，如图8a所示，)，使该处的电镀速度趋缓但不影响低电流密度区(凹陷区)的电镀，以此来整平表面。它也是电镀填孔必加的添加剂。
120.光亮剂(sps)含硫有机物，在电镀填孔中的主要作用是帮助铜离子加速在阴极还原，形成新的镀铜晶核(降低表面扩散沉积能量)，使铜层结构变得更细致起来。另外光亮剂在填孔电镀中还可以帮助盲孔孔内电镀铜迅速沉积。
121.图8b为盲孔电镀金属填充工艺的效果示意图。如图8b所示，h1表示孔底部到顶部的铜厚，h2表示平坦化层(pln)和面铜总厚度，h3表示电镀面铜厚度，凹陷度＝(h2
‑
h1)/h2*100％，填充度＝1
‑
凹陷度％。
122.在本实施例中，利用上层cu金属作为电镀种子层，可提高盲孔电镀沉积的速率，和电镀沉积的填充率，充分利用cu金属导电率高，稳定性好的特性。
123.可选的，步骤s103中所述在所述过孔内形成过孔填充结构，还可以包括：采用气相沉积工艺(cvd)，在所述过孔内形成所述过孔填充结构；所述过孔填充结构包括依次形成的沉积种子层以及与所述沉积种子层材料相同的所述过孔填充子结构。
124.本实施例中，如图9所示，采用wf6为原料，先与sih4反应形成w沉积的沉积种子层：2wf6+3sih4→
2w(s)+3sif4(g)+6h2，之后再与h2反应沉积w金属，wf6(g)+3h2→
w(s)+6hf(g)，从而形成材料为w金属的过孔填充子结构。
125.在上述实施例中，如图8c所示，在对过孔进行填充形成过孔填充结构时，可通过适当控制工艺参数和电镀液配比实现整版均匀，从而获得相应厚度的过孔填充结构。当受工艺限制不容易使得过孔填充结构恰好将平坦化层上的过孔填充好时，可在形成过孔填充结构时采用过填充，如图5c所示，之后再去除掉多余的填充部分的方式实现过孔填充结构的制作。因此步骤s103中在所述过孔内形成过孔填充结构，如图10所示，还包括：
126.步骤s301，在所述过孔内形成过孔填充材料，所述过孔填充材料沿垂直于所述平坦化层方向的厚度大于所述过孔的深度。
127.步骤s302，采用化学机械抛光工艺(cmp)对所述过孔填充材料进行处理，形成所述过孔填充结构。其中，化学机械抛光设备如图11所示。
128.在上述实施例中，无论盲孔电镀金属填充工艺、电化学盲孔填充工艺及气相沉积工艺中，均可采用过孔填充材料对平坦化层进行过填充后，再进行化学机械抛光从而实现平坦化层的过孔填平以及平坦化。例如，在盲孔电镀金属填充工艺中，通过电镀铜对过孔进行过填充，即保证过孔中填充的铜沿垂直于平坦化层方向的厚度大于过孔的深度，再进行
化学机械抛光对过孔中填充的铜进行处理，从而获得最终的过孔填充结构。相应的，采用wf6为原料并通过气相沉积工艺形成过孔填充结构时，沉积足够的w金属后再进行化学机械抛光从而实现平坦化层的过孔填平以及平坦化。
129.可选的，在盲孔电镀金属填充工艺中，也可通过调整添加剂的比例等方式直接对平坦化层的过孔进行填充，使得过孔填充结构沿垂直于平坦化层方向的厚度等于过孔的深度，从而保证平坦化层面向电极层一侧的平坦。
130.在本公开的一些实施例中，步骤s104中所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，如图12所示，包括：
131.步骤s401，在所述平坦化层上形成第一压印胶层。
132.其中，在形成第一压印胶层之前，在衬底1上形成平坦化层3以及位于平坦化层3上的过孔，并采用过孔填充结构4对平坦化层3上的过孔进行填充。
133.如图13a所示，过孔填充完成后，在平坦化层3上形成第一压印胶层71。其中，第一压印胶层71为可以应用于纳米压印技术来进行压印的胶层。
134.步骤s402，采用纳米压印工艺在所述第一压印胶上形成与所述电极层的图案相同的第一压印胶图案。
135.如图13b所示，可采用紫外纳米压印工艺或者热固纳米压印工艺形成第一压印胶图案72，即形成该第一压印胶图案72的纳米压印胶可以采用热固化型的压印胶，也可以采用紫外固化型的压印胶。采用热固化型压印胶的实施方式，在平坦化层3上涂覆纳米压印胶，并以压印模板压印在压印胶上后，可通过热固化工艺，即采用加热的方式使得温度达到压印胶的固化温度，以使压印胶固化于平坦化层3上，脱去压印模板后，以形成带有凹陷结构的第一压印胶图案。采用紫外固化型压印胶的实施方式，在平坦化层3上涂覆紫外固化压印胶，并以压印模板压印在压印胶上后，可以通过紫外固化工艺将涂覆于平坦化层3的压印胶固化于平坦化层3上，脱去压印模板后，以形成带有凹陷结构的第一压印胶图案72。
136.步骤s403，采用干刻工艺，去除所述第一压印胶图案中与所述电极层位置重合的部分所述第一压印胶层。
137.如图13c所示，本步骤中采用干刻工艺(icp)去除第一压印胶图案72中与电极层5对应位置的底胶。其中第一压印胶图案72中与电极层5位置重合的部分第一压印胶层，即为在第一压印胶层在衬底1上的正投影与电极层5在衬底1上的正投影重合的部分第一压印胶层。
138.步骤s404，形成电极材料膜层。
139.如图13d所示，本步骤中可采用溅射工艺制备电极材料膜层，其中电极材料膜层的材料可采用mo/al(alnd)/mo、ti/al/mo、ito/alnd/ito及ti/al/ito等金属或金属氧化物。
140.步骤s405，剥离剩余的所述第一压印胶层，生成所述电极层。
141.如图13e所示，剥离剩余的第一压印胶层，这样覆盖于剩余的第一压印胶层上的电极材料也一同被剥离，从而只保留电极层5的图案。
142.可选的，在本公开的另一些实施例中，步骤s104中所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，如图14所示，还可以包括：
143.步骤s501，在所述平坦化层上形成电极材料膜层。
144.如图15a所示，过孔填充完成后，在平坦化层3上采用溅射工艺制作由mo/al
(alnd)/mo、ti/al/mo、ito/alnd/ito及ti/al/ito等金属或金属氧化物形成的电极材料膜层。
145.步骤s502，在所述电极材料膜层上形成第二压印胶层。
146.如图15b所示，在电极材料膜层上形成第二压印胶层73。其中，形成该第二压印胶层73的纳米压印胶可以采用热固化型的压印胶，也可以采用紫外固化型的压印胶。
147.步骤s503，采用纳米压印工艺在所述第二压印胶层上形成与所述电极层的图案相同的第二压印胶图案。
148.如图15c所示，可采用紫外纳米压印工艺或者热固纳米压印工艺形成第二压印胶图案。其中，采用热固化型压印胶的实施方式，在平坦化层3上涂覆纳米压印胶，并以压印模板压印在压印胶上后，可通过热固化工艺，即采用加热的方式使得温度达到压印胶的固化温度，以使压印胶固化于平坦化层3上，脱去压印模板后，以形成带有凹陷结构的第二压印胶图案。采用紫外固化型压印胶的实施方式，在平坦化层3上涂覆紫外固化压印胶，并以压印模板压印在压印胶上后，可以通过紫外固化工艺将涂覆于平坦化层3的压印胶固化于平坦化层3上，脱去压印模板后，以形成带有凹陷结构的第二压印胶图案。
149.步骤s504，采用干刻工艺，去除所述第二压印胶图案中与所述电极层位置不重合的部分所述第二压印胶层。
150.如图15d所示，采用干刻工艺(icp)去除第二压印胶图案73中与电极层5对应不重合位置的底胶，剥离时位于底胶下部的电极材料膜层也被剥离。其中，第二压印胶图案73中与电极层5位置不重合的部分第二压印胶层，即为在第二压印胶层在衬底1上的正投影与电极层5在衬底1上的正投影不重合的部分第二压印胶层。
151.步骤s505，剥离剩余的所述第二压印胶层，生成所述电极层。
152.如图15e所示，剥离剩余的第二压印胶层，从而裸露电极层5，从而形成电极层5的图案。
153.在一些可选的实施例中，可在制作完阳极图案后，采用上述实施例所述电极制备方法进一步对阳极层进行图案化，从而将与单个子像素单元对应的阳极单元进一步图案化，从而形成与亚像素单元对应的阳极子单元，之后制作亚像素定义层6、隔离柱(ps)、亚像素发光单元等结构。
154.如图16a所示，当将单个子像素划分为2*8的亚像素结构时，可将平坦化层3上的过孔设置于亚像素定义层6下，这样可以避免制作阳极层时基底不平坦，最终导致亚像素发光单元处的发光不均，造成显示mura。
155.如图16b所示，当将单个子像素划分为4*4的亚像素结构时，与外环十二个亚像素单元对应的平坦化层3上的过孔可以设置于亚像素定义层6下，而与内环的四个亚像素单元(即虚线内的四个亚像素单元)对应的平坦化层3上的过孔只能放置在亚像素单元的中心，导致内环四个亚像素单元的阳极不平坦，最终使得亚像素发光单元的出光方向、亮度和均匀性存在差异。而通过本实施例所述电极制备方法制作内环四个亚像素单元的阳极层，由于先采用过孔填充结构对平坦化层3上的过孔进行了填充，这样即使平坦化层3上的过孔位于亚像素单元的中心，也能够保证制作阳极层时基底平坦，不会导致亚像素发光单元处的发光不均等问题，从而在目前视网膜分辨率(326ppi)的基础上实现4
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4子像素分割，提升了oled 3d显示的分辨率，提高3d显示的画质，使得3d视图可视面积更大和接近现实世界。
156.可选的，上述实施例中，图16a中的十六个亚像素单元的阳极结构以及图16b中外环中十二个亚像素单元的阳极结构也可采用本公开实施例所述阳极制作方法制作，进一步保证阳极层的平坦，包括亚像素单元发光的连续性和亮度均匀性。
157.基于同一发明构思，与上述任意实施例方法相对应的，本公开一个或多个实施例还提供了一种电极结构，如图7所示，所述电极结构包括衬底1、平坦化层3、过孔填充结构4以及电极层5。其中，衬底1可包括导电膜层12，导电膜层12的材料可以为金属，也可以为其他导电材料。平坦化层3设置于所述衬底1上，包括多个贯穿平坦化层3过孔，该过孔用于实现分别设置于平坦化层3两侧的电极层及导电膜层12的连接。过孔填充结构4设置于所述过孔内，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向是厚度等于所述过孔的深度，且过孔填充结构4的材料也采用导电材料。电极层5设置于所述平坦化层3上，通过所述过孔填充结构4与所述导电膜层12连接。其中，电极层5通过纳米压印工艺及干刻工艺形成，电极层5中包括各个子电极单元，其中至少部分子电极单元通过过孔填充结构4穿过平坦化层3与导电膜层12电连接。
158.本实施例中所述电极结构，采用纳米压印工艺及干刻工艺制作电极层，可以使得电极层中各子电极单元之间的间隔与空隙更小，从而提高采用本公开方法制作的显示产品的ppi，增加显示产品显示内容的信息量，同时还避免产生摩尔纹显示不良。同时，由于预先填充了平坦化层上的过孔，使得平坦化层远离导电膜层的一侧平坦，这样在形成包含图案的电极层时，不会因平坦化层不平坦而不能采用纳米压印工艺及干刻工艺。
159.可选的，在上述实施例中，该衬底1可以为衬底基板，导电膜层12可以包括源漏极层(sd)，所述电极层包括多个与子像素单元对应的阳极单元或与亚像素单元对应的阳极子单元。其中，其中阳极层的材料可以为mo/al(alnd)/mo、ti/al/mo、ito/alnd/ito及ti/al/ito等金属或金属氧化物。
160.在一些可选的实施例中，所述过孔填充结构通过电镀填充工艺在所述电极过孔内形成；所述电极结构，还包括电镀种子层2，所述电镀种子层2设置于所述导电膜层12与所述平坦化层3之间，且电镀种子层2在衬底上的正投影与所述过孔在所述衬底上的正投影至少部分重合，即电镀种子层通过过孔裸露。同时，所述电镀种子层2的材料与所述过孔填充结构的材料相同，即若采用金属铜进行电镀形成过孔填充结构时，同样选择金属铜作为电镀种子层的材料。
161.可选的，过孔填充结构与电镀种子层的材料不限于金属铜，也可采用其他满足本公开结构要求以及工艺要求的材料制作过孔填充结构与电镀种子层。
162.在另一些可选的实施例中，过孔填充结构包括依次形成的沉积种子层以及与所述沉积种子层材料相同的所述过孔填充子结构。其中，在形成沉积种子层以及过孔填充子结构时，采用wf6为原料，先与sih4反应形成w沉积的沉积种子层：2wf6+3sih4→
2w(s)+3sif4(g)+6h2，之后再与h2反应沉积w金属，wf6(g)+3h2→
w(s)+6hf(g)，从而形成材料为w金属的过孔填充子结构。
163.上述实施例所述的电极结构通过前述任一实施例中所述的电极制备方法实现，并且具有相应的方法实施例的有益效果，在此不再赘述。
164.基于同一发明构思，本公开一个或多个实施例还提供了一种显示基板，包括如上述任一项实施例所述的电极结构。
165.上述实施例所述的显示基板包括前述实施例中所述的电极结构，并且具有相应的电极结构实施例的有益效果，在此不再赘述。
166.基于同一发明构思，本公开一个或多个实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例所述的显示基板。
167.上述实施例所述的显示装置包括前述实施例中所述的显示基板，并且具有相应的显示基板实施例的有益效果，在此不再赘述。
168.需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
169.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
170.本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。