1.一种led外延结构生长方法，其特征在于，包括在衬底上依次生长第一gan层、第二gan层、第三gan层、第一超晶格层、第二超晶格层和发光层；
所述第一超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂si的n型gan和不掺杂si的inxga(1-x)n，其中，x＝0.10-0.15，交替生长周期数为6-10个；
生长掺杂si的n型gan：在830-850℃温度条件下，使反应腔压力为150-250mbar，通入nh3、tmga、n2、h2和sih4，持续生长30-60nm掺杂si的n型gan；
生长不掺杂si的inxga(1-x)n：保持温度和压力不变，通入nh3、tega和tmin，持续生长1-1.5nm不掺杂si的inxga(1-x)n。
2.根据权利要求1所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，所述第三gan层的生长工艺为在750-800℃温度条件下，使反应腔压力为150-250mbar，通入nh3、tmga、h2和sih4持续生长30-60nm掺杂si的n型gan，si的掺杂浓度为1e19-1.5e19atoms/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，所述第二超晶格层的生长工艺为交替生长掺杂si的n型gan和不掺杂si的n型gan，交替生长周期数为10-20个，si的掺杂浓度为3e19-5e19atoms/cm3。
4.根据权利要求3所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，第二超晶格层的生长工艺中，生长掺杂si的n型gan：在850-900℃温度条件下，使反应腔压力为150-250mbar，通入nh3、tmga、h2和sih4持续生长3-4nm掺杂si的n型gan；
生长不掺杂si的n型gan：保持温度和压力不变，通入nh3、tmga和h2生长3-4nm不掺杂si的n型gan。
5.根据权利要求1所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，所述发光层包括依次生长的第一发光层和第二发光层；所述第一发光层的生长工艺包括交替生长掺杂in的inyga(1-y)n和掺杂si的n型gan，其中y＝0.20-0.35，si的掺杂浓度为5e16-1e17atoms/cm3，交替生长周期数为13-14个。
6.根据权利要求5所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，第一发光层的生长工艺中，生长掺杂in的inyga(1-y)n：在700-750℃温度条件下，使反应腔压力为200-400mbar，通入nh3、tega、tmin和n2生长2.5-4.2nm掺杂in的inyga(1-y)n；
生长掺杂si的n型gan：保持反应腔压力不变，升高温度至850-900℃，通入nh3、tmga、n2和sih4生长8-15nm掺杂si的n型gan。
7.根据权利要求5所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，所述第二发光层的生长工艺为：在700-750℃温度条件下，使反应腔压力为200-400mbar，通入nh3、tega、tmin和n2生长2.5-4.2nm掺杂in的inyga(1-y)n；然后保持反应腔压力，升高温度至850-900℃，通入nh3、tmga和n2生长8-15nm不掺杂si的n型gan。
8.根据权利要求1所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，还包括在发光层上方依次生长第一p型gan层、p型algan层、第二p型gan层和第三p型gan层，其中，第一p型gan层中mg的掺杂浓度为1e20-5e20atoms/cm3，第二p型gan层中mg的掺杂浓度为1e19-1e20atoms/cm3，第三p型gan层中mg的掺杂浓度为1e20-2e20atoms/cm3；p型algan层中mg的掺杂浓度为1e19-5e19atoms/cm3，al的掺杂浓度为1e20-3e20atoms/cm3。
9.根据权利要求8所述的一种led外延结构生长方法，其特征在于，在生长第一p型gan层、p型algan层、第二p型gan层和第三p型gan层时通入二茂镁；生长p型algan层时通入tmal。
10.一种led外延结构，采用如权利要求1至9任意一项所述的led外延结构生长方法制成，其特征在于，包括从下至上层叠设置的衬底(1)、第一gan层(2)、第二gan层(3)、第三gan层(4)、第一超晶格层(5)、第二超晶格层(6)、发光层、第一p型gan层(9)、p型algan层(10)、第二p型gan层(11)和第三p型gan层(12)。