基片处理装置的制作方法

1.本发明涉及一种基片处理装置。


背景技术：

2.目前已知一种对半导体晶片等基片供给处理液，来对基片进行处理的基片处理装置。
3.专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的基片保持部；和对基片保持部所保持的基片供给处理液的供给部。
4.基片保持部包括：位于基片下方的基座板(base plate)；设置在基座板的周缘部的抓持机构，其能够抓持基座板的周缘部；和设置在基座板的中央下部的旋转轴，其能够使基座板旋转。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本特开2017
‑
92387号公报


技术实现要素：

8.发明要解决的技术问题
9.本发明提供一种技术，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
10.用于解决技术问题的技术方案
11.本发明的一个技术方案的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放孔，该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。
12.发明效果
13.依照本发明，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
附图说明
14.图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
15.图2是表示实施方式的处理单元的概略结构的图。
16.图3是表示实施方式的基片保持机构的具体结构的截面图。
17.图4是表示在实施方式的基片保持机构将晶片配置于上方位置的状态的图。
18.图5是实施方式的基座板的平面图。
19.图6是表示实施方式的液排放孔的结构的截面图。
20.图7是表示实施方式的回收杯状体的结构的截面图。
21.图8是表示实施方式的处理单元执行的一连串基片处理的步骤的流程图。
22.图9是表示实施方式的一连串基片处理中晶片的转速变化的图。
23.图10是表示第一变形例的保持部的结构的截面图。
24.图11是表示第一变形例的第一引导部升降处理的步骤的流程图。
25.图12是表示第二变形例的槽部的结构的截面图。
26.图13是表示第三变形例的槽部的结构的截面图。
具体实施方式
27.下面，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置的方式(下文记作“实施方式”)详细地进行说明。此外，本发明并不限定于该实施方式。此外，各实施方式能够在处理内容不发生矛盾的范围内适当组合。另外，在以下各实施方式中，对同一部位标注同一附图标记并省略重复的说明。
28.另外，在下述的实施方式中，有时会使用“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”等表述，但这些表述并不要求严格的“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”。即，上述各表述允许例如制造精度、设置精度等误差。
29.另外，在下面参照的各图中，为使说明易于理解，有时会给出定义彼此正交的x轴方向、y轴方向和z轴方向，并以正z轴方向为铅垂向上方向的正交坐标系。并且，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称作θ方向。
30.专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的基片保持部；和对基片保持部所保持的基片供给处理液的供给部。
31.基片保持部包括：位于基片下方的基座板；设置在基座板的周缘部的抓持机构，其能够抓持基座板的周缘部；和设置在基座板的中央下部的旋转轴，其能够使基座板旋转。该基片保持部通过用抓持机构抓持基片的周缘部，以将基片保持成与基座板隔开间隔的状态。
32.在这种基片处理装置中，尤其在以低转速对基片进行处理的情况下，供给到基片的处理液可能会沿着抓持机构流入基座板的上表面。
33.在基座板配置有旋转轴和升降销(lift pin)等各种驱动部。因此，若处理液流入基座板的上表面，流入的处理液可能会从基座板的上表面流到驱动部从而妨碍驱动部的正常工作。
34.为此，人们期待一种尤其在以低转速对基片进行处理的情况下，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达旋转轴等驱动部。
35.＜基片处理系统的概略结构＞
36.图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
37.送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11能够载置承载器c。承载器c能够收纳多片半导体晶片(下文记作晶片w)。
38.输送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括用于保持晶片w的晶片保持机构。基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，用晶片保持机构在承载器c与交接部14之间输送晶片w。
39.处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置在输送部15的两侧。
40.输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17包括用于保持晶片w的晶片保持机构。基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶片w。
41.处理单元16对由基片输送装置17输送来的晶片w进行规定的基片处理。
42.另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19中存储有对基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18读取并执行存储于存储部19中的程序，来控制基片处理系统1的动作。
43.该程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
44.在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器c中取出晶片w，将取出的晶片w载置到交接部14。载置于交接部14的晶片w被处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，送入到处理单元16。
45.送入到处理单元16的晶片w在由处理单元16进行了处理后，被基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片w被基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器c。
46.＜处理单元的概略结构＞
47.下面，参照图2，对处理单元16的概略结构进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16的概略结构的图。
48.如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、液供给部40和回收杯状体50。
49.腔室20收纳基片保持机构30、液供给部40和回收杯状体50。腔室20的顶板部设置有ffu(fan filter unit，风机过滤器)21。ffu21在腔室20内形成下降流(down flow)。
50.基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和旋转驱动部33。保持部31水平地保持晶片w。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，在前端部水平地支承保持部31。旋转驱动部33例如是电动机，使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基片保持机构30利用旋转驱动部33使支柱部32旋转，来使支柱部32所支承的保持部31旋转。由此，基片保持机构30使保持部31所保持的晶片w旋转。
51.液供给部40对晶片w供给处理液。液供给部40与处理液供给源70连接。
52.回收杯状体50以包围保持部31的方式配置，用于收集因保持部31的旋转而从晶片w飞散的处理液。在回收杯状体50的底部形成有排液口55，由回收杯状体50收集到的处理液从该排液口55被排出到处理单元16的外部。此外，在回收杯状体50的底部形成有排气口56，该排气口56将从ffu21供给来的气体排出到处理单元16的外部。
53.<基片保持机构的具体结构>
54.下面，参照图3和图4，更具体地对上述处理单元16所具有的基片保持机构30的结构进行说明。图3是表示实施方式的基片保持机构30的具体结构的截面图。图4是表示在实施方式的基片保持机构30将晶片w配置于上方位置的状态的图。
55.如图3所示，基片保持机构30所具有的保持部31包括：用于抓持晶片w的周缘部的多个抓持机构301；和用于支承多个抓持机构301的基座板302。
56.多个抓持机构301包括主体部311和旋转轴部312。主体部311大致呈l字形状。具体而言，主体部311包括抓持部311a和操作部311b，抓持部311a向一个方向延伸，能够在前端部接触晶片w的周缘部，操作部311b向另一个方向延伸，在前端部接触后述的升降销板352的下表面。旋转轴部312设置在基座板302的外周部，进行轴支承使得主体部311能够相对于基座板302旋转。关于抓持机构301的动作，在后文说明。
57.基座板302是直径比晶片w大的大致圆板状的部件，位于由多个抓持机构301抓持的晶片w的下方。
58.在基座板302的中央部形成供后述的背面供给部34插通的第一贯通孔321。第一贯通孔321与设置于基座板302的下部的支柱部32的中空部32a连通。
59.在基座板302的中间部形成供后述的基片升降机构35的连接部353插通的多个第二贯通孔322。
60.在基座板302的外周部，形成有沿基座板302的周向(即晶片w的周向)延伸的槽部100。并且，在该槽部100形成有多个液排放孔101，液排放孔101用于排出从晶片w沿着抓持机构301流到基座板302的上表面的处理液。
61.多个液排放孔101在基座板302位于比上述第一贯通孔321和多个第二贯通孔322靠外侧的位置。因此，通过将流到基座板302的上表面的处理液从液排放孔101排出，能够抑制处理液流入位于比液排放孔101靠内侧处的第一贯通孔321和多个第二贯通孔322。
62.第一贯通孔321和第二贯通孔322在基座板302的下方连通，在基座板302的下方配置有旋转驱动部33和后述的升降驱动部34b等驱动部。因此，通过抑制处理液流入第一贯通孔321和多个第二贯通孔322，能够抑制处理液到达这些驱动部。
63.像这样，实施方式的基座板302由于具有液排放孔101，尤其在以低转速对晶片w进行处理的情况下，能够抑制从晶片w流出的处理液沿着抓持机构301和基座板302到达驱动部。关于槽部100和液排放孔101的具体结构，在后文说明。
64.在基座板302的上表面，在第一贯通孔321和多个第二贯通孔322各自的周围，设置有包围第一贯通孔321或第二贯通孔322的多个周壁部323。像这样，在第一贯通孔321和多个第二贯通孔322的周围设置了周壁部323。由此，即使在处理液到达基座板302的中间部和中央部的情况下，也能够抑制处理液流入第一贯通孔321和多个第二贯通孔322。因此，能够更可靠地抑制处理液到达位于基座板302下方的驱动部。
65.保持部31还包括第一引导部303和第二引导部304。第一引导部303和第二引导部304是环状的部件，与基座板302隔开间隔配置在基座板302的外周部上方。第一引导部303和第二引导部304由未图示的支柱固定在基座板302，随基座板302一起旋转。第一引导部303配置在第二引导部304的内侧。
66.第一引导部303和第二引导部304用于将从旋转的晶片w流出的处理液引导至回收杯状体50(参照图2)。
67.其中，第一引导部303以靠近由抓持机构301抓持的晶片w的周缘部的方式配置，经由处理液与晶片w相连，由此利用表面张力使处理液从晶片w流出。
68.具体而言，第一引导部303的上表面配置于与晶片w的上表面大致相同的高度。晶
片w上的处理液在因旋转产生的离心力的作用下从晶片w的周缘部溢出，从而与第一引导部303的上表面接触。由此，形成第一引导部303与晶片w经由处理液相连的状态。通过形成该状态，晶片w上的处理液将在表面张力的作用下移动到第一引导部303的上表面。
69.移动到第一引导部303的上表面的处理液通过第一引导部303与第二引导部304之间而到达基座板302的上表面。到达基座板302的处理液在因旋转产生的离心力的作用下，从基座板302与第二引导部304之间流出而被回收杯状体50收集。
70.此处，包括第一引导部303的上表面在内的表面例如可以通过喷砂处理等使之亲水化。在以低转速对晶片w进行处理的情况下，由于离心力较小，第一引导部303表面上的处理液的流动性较差，处理液容易滞留在尤其是第一引导部303的上表面。于是，通过使第一引导部303的表面亲水化，改善第一引导部303表面上的处理液的流动性，即使在以低转速对晶片w进行处理的情况下，也能够高效地将处理液排出。
71.基片保持机构30还包括背面供给部34和基片升降机构35。背面供给部34对晶片w的背面供给氮气等气体。
72.背面供给部34被插通在支柱部32的中空部32a、基座板302的第一贯通孔321和后述的升降销板352的第三贯通孔352a中。在背面供给部34的内部形成有气体供给通路34a，气体供给通路34a经阀等与未图示的供给源连接。
73.背面供给部34与升降驱动部34b连接。升降驱动部34b用于使背面供给部34升降。
74.基片升降机构35例如在与基片输送装置17(参照图1)交接晶片w时使晶片w升降。具体而言，基片升降机构35包括多个升降销351、升降销板352和多个连接部353。
75.多个升降销351设置在升降销板352的上表面，在交接晶片w时从下方支承晶片w。其中，在晶片w配置于被多个抓持机构301抓持的下方位置时，多个升降销351不接触晶片w的下表面。
76.升降销板352以与基座板302重叠的方式配置在基座板302的上表面。升降销板352与基座板302相比直径小。
77.在升降销板352的中央部形成有第三贯通孔352a。第三贯通孔352a与支柱部32的中空部32a和基座板302的第一贯通孔321连通，能够供背面供给部34插通。
78.多个连接部353是圆柱状的部件，被固定在升降销板352的下表面。多个连接部353插通在形成于基座板302的第二贯通孔322中。多个连接部353被未图示的施力部件(例如弹簧)向下方施力。由此，升降销板352被按压在基座板302，成为与基座板302一体的状态。
79.另外，在多个连接部353的下方配置有未图示的升降驱动部。升降驱动部例如是包括活塞和气缸的空气气缸。升降驱动部用气缸使活塞上升，从而使之与位于活塞上方的连接部353抵接。接着，升降驱动部用气缸使活塞进一步上升，从而使连接部353上升。由此，升降销板352如图4所示地上升。
80.当升降销板352上升时，受升降销板352推压的抓持机构301的主体部311以旋转轴部312为中心旋转，从而解除抓持机构301对晶片w的抓持。于是，晶片w被设置于升降销板352上表面的多个升降销351支承。这样一来，晶片w从抓持机构301被交接到升降销351上。
81.<槽部和液排放孔的结构>
82.下面，参照图5和图6，对上述槽部100和液排放孔101的具体结构例进行说明。图5是实施方式的基座板302的平面图。此外，图6是表示实施方式的液排放孔101的结构的截面
图。
83.如图5所示，槽部100沿晶片w的周向延伸。槽部100设置于基座板302的整周。多个液排放孔101沿周向设置于槽部100。
84.此处，多个液排放孔101在槽部100中较多地设置于抓持机构301的周边。例如，令槽部100之中包含抓持机构301的抓持机构301周边的区域为第一区域a1，令不包含抓持机构301的区域为第二区域a2。此时，位于第一区域a1的液排放孔101彼此的间隔g1比位于第二区域的液排放孔101彼此的间隔g2小。
85.晶片w上的处理液容易沿着抓持机构301流入基座板302。因此，通过在抓持机构301的周围设置较多的液排放孔101，能够将沿着抓持机构301流入基座板302的处理液高效地从基座板302排出。
86.如图6所示，液排放孔101包括在槽部100开口的流入口101a、在基座板302的下表面开口的流出口101b以及将流入口101a和流出口101b连通的流路101c。
87.液排放孔101的流出口101b位于比流入口101a靠基座板302的外周侧的位置，流路101c随着去往基座板302外侧而向下倾斜。通过采用这样的结构，能够利用因基座板302的旋转产生的离心力，将积留于槽部100的处理液从液排放孔101高效地排出到基座板302的外部。
88.槽部100包括位于基座板302的内周侧的第一周壁100a和位于基座板302的外周侧的第二周壁100b。而且，第一周壁100a形成得比第二周壁100b高。通过采用这样的结构，能够抑制积留于槽部100的处理液越过第一周壁100a而流入基座板302的内侧。
89.另外，此处在第一区域a1设置了比第二区域a2多的液排放孔101，但不限于此，例如也可以使位于第一区域a1的液排放孔101的开口面积比位于第二区域a2的液排放孔101的开口面积大。
90.另外，此处给出了液排放孔101的形状在俯视时为圆形时的例子，但液排放孔101的形状例如也可以是狭缝状。
91.<回收杯状体的具体结构>
92.下面，参照图7，对回收杯状体50的具体结构例进行说明。图7是表示实施方式的回收杯状体50的结构的截面图。
93.如图7所示，回收杯状体50从靠晶片w的旋转中心近的内侧起依次具有第一杯状体51和第二杯状体52。此外，回收杯状体50在比第一杯状体51靠晶片w的旋转中心近的内周侧具有以晶片w的旋转中心为中心的圆筒状的内壁部53。
94.第一杯状体51、第二杯状体52和内壁部53设置在回收杯状体50的底部54之上。
95.第一杯状体51包括第一周壁部511、第一液承接部512和升降机构513。
96.第一周壁部511从底部54竖立设置，形成为筒状(例如圆筒状)。第一周壁部511与内壁部53之间形成有空间，该空间为用于回收处理液等并将其排出的第一排液槽501。第一液承接部512设置在第一周壁部511的上方。
97.升降机构513包括：插通在第一周壁部511的中空部中并与第一液承接部512的下表面连接的活塞513a；和使活塞513a升降的气缸513b。该升降机构513通过用气缸513b使活塞513a升降，来使第一液承接部512升降。
98.由此，第一液承接部512在处理位置和避让位置之间移动，其中，处理位置是接收
从旋转的晶片w飞散来的处理液的位置，避让位置是从处理位置避让到下方侧的位置。
99.详细而言，当第一液承接部512位于处理位置时，第一液承接部512与形成在基座板302的上表面与第二引导部304之间的处理液的流出口400相对。由此，形成从流出口400通往第一排液槽501的流路。
100.另一方面，在内壁部53具有从内壁部53去往基座板302的周缘部而向斜上方延伸的延伸部531。第一液承接部512在位于避让位置时与内壁部53的延伸部531抵接。由此，将通往第一排液槽501的流路封闭。
101.第二杯状体52包括第二周壁部521和第二液承接部522。第二周壁部521在底部54竖立设置于第一周壁部511的外周侧，形成为筒状。并且，第二周壁部521与第一周壁部511之间的空间成为用于回收处理液等并将其排出的第二排液槽502。
102.第二液承接部522从第二周壁部521的上端连续地形成。第二液承接部522形成为将保持部31所保持的晶片w的周围包围，并且延伸至第一液承接部512的上方。
103.第二液承接部522在第一液承接部512位于避让位置时，与流出口400相对。由此，形成从流出口400通往第二排液槽502的流路。
104.在底部54形成有第一排液口541和第二排液口542。第一排液口541与第一排液槽501连通，第二排液口542与第二排液槽502连通。
105.第一排液口541与排液管543连接。排液管543在中途设置有阀544，在该阀544的位置处分支为第一排液管543a和第二排液管543b。作为阀544，例如能够使用三通阀，其能够在闭阀位置、将排出路径开放到第一排液管543a一侧的位置、与将排出路径开放到第二排液管543b一侧的位置之间进行切换。
106.第一排液管543a例如与未图示的废液罐连接。另一方面，第二排液管543b与处理液供给源70(参照图1)连接，使排液返回处理液供给源70。即，第二排液管543b构成循环管线的一部分。在处理液可重复利用的情况下，切换阀544以使处理液流入第二排液管543b。
107.第二排液口542与排液管545连接。在排液管545设置有阀546。排液管545例如与未图示的废液罐连接。
108.内壁部53的延伸部531位于液排放孔101的下方。在该延伸部531的根端部形成有连通口532。连通口532与第一排液槽501连通。
109.从液排放孔101流出的处理液在被延伸部531承接后，通过连通口532流入第一排液槽501，从第一排液口541流出到外部。像这样，液排放孔101经连通口532和第一排液槽501与第一排液口541相连。因此，无需设置例如用于使流入基座板302内侧的处理液排出的专用的排液口。
110.<处理单元的具体动作>
111.下面，参照图8，对处理单元16的具体的动作例进行说明。图8是表示实施方式的处理单元16执行的一连串基片处理的步骤的流程图。基片处理系统1所具有的各装置按照控制部18的控制执行图8所示的各处理步骤。
112.如图8所示，在处理单元16中首先进行送入处理(步骤s101)。在该送入处理中，利用保持部31保持由基片输送装置17(参照图1)送入到腔室20(参照图2)内的晶片w。具体而言，首先将晶片w载置到配置于上方位置的基片升降机构35的升降销351上。之后，基片升降机构35下降而被配置到下方位置。由于基片升降机构35下降，基片升降机构35的升降销板
352按下抓持机构301的操作部311b。由此，抓持机构301的抓持部311a旋转而抓持晶片w的周缘部。
113.之后，利用旋转驱动部33使基座板302旋转。由此，晶片w在被抓持机构301水平抓持的状态下，与基座板302一起旋转。
114.接着，在处理单元16中，例如进行使用蚀刻液等药液的药液处理(步骤s102)。在该药液处理中，液供给部40(参照图2)位于晶片w的中央上方。然后，对晶片w的上表面(例如图案形成面)供给蚀刻液等药液。
115.供给到晶片w的蚀刻液，在因晶片w的旋转而产生的离心力的作用下在晶片w的表面扩散。由此，晶片w的上表面被药液处理。供给到晶片w上的药液会因晶片w的旋转而产生的离心力向晶片w的外侧飞散。具体而言，晶片w上的药液在移动到第一引导部303的上表面之后，通过第一引导部303与第二引导部304之间而到达基座板302的上表面外周部。然后，药液从基座板302与第二引导部304之间的流出口400(参照图7)流出到基座板302的外侧。在药液处理中，第一杯状体51配置于处理位置。因此，流出到基座板302外侧的药液在被第一杯状体51承接后，通过第一排液槽501从第一排液口541被排出。
116.另外，流入基座板302内侧的药液先积留在槽部100中，之后从液排放孔101流出到基座板302的下方。从液排放孔101流出的药液通过连通口532和第一排液槽501从第一排液口541被排出。
117.接着，在处理单元16中进行清洗处理(步骤s103)。在清洗处理中，首先使第一杯状体51的第一液承接部512移动到避让位置。之后，从液供给部40对晶片w的上表面供给diw(去离子水)等清洗液。供给到晶片w的清洗液在因晶片w的旋转而产生的离心力的作用下在晶片w的上表面扩散。由此，残留在晶片w上的药液被清洗液冲走。从晶片w飞散的清洗液通过第二排液槽502从第二排液口542被排出。
118.接着，在处理单元16中进行干燥处理(步骤s104)。在干燥处理中，通过增大晶片w的转速，将残留在晶片w表面的清洗液甩去以使晶片w干燥。
119.接着，在处理单元16中进行送出处理(步骤s105)。在送出处理中，利用基片输送装置17(参照图1)从处理单元16的腔室20取出晶片w。之后，晶片w经交接部14和基片输送装置13被收纳到载置于承载器载置部11的承载器c。该送出处理完成后，1片晶片w的处理就完成了。
120.此处，参照图9，说明上述一连串基片处理中晶片w的转速的控制。图9是表示实施方式的一连串基片处理中晶片w的转速变化的图。
121.如图9所示，处理单元16在送入处理(步骤s101)中用抓持机构301抓持了晶片w后，开始基座板302的旋转并增大至第一高转速r1。
122.接着，处理单元16在药液处理(步骤s102)中开始从液供给部40对晶片w的上表面供给药液。此时，处理单元16首先以第一高转速r1使晶片w旋转，从而使供给到晶片w上的药液扩散到晶片w的整个上表面。之后，处理单元16使晶片w的转速从第一高转速r1降低至第一低转速r2，在使晶片w以第一低转速r2旋转的状态下，继续对晶片w的上表面供给药液。
123.排液管543(参照图7)在药液处理中以第一高转速r1使晶片w旋转的期间，与第一排液管543a连接。即，在以第一高转速r1使晶片w旋转的期间，从晶片w上飞散的药液通过第一排液管543a被排出到废液罐。之后，在晶片w的转速变更至第一低转速r2的时刻，将排液
管543的连接目标切换至第二排液管543b。
124.进行药液处理前的晶片w的上表面可能附着有颗粒等。在该情况下，药液处理刚开始后从晶片w飞散的药液中可能混有颗粒等。于是，在处理单元16中，在药液处理开始后的一段期间内将从晶片w上飞散的药液排出到废液罐，然后才回收从晶片w上飞散的药液。由此，能够抑制颗粒混入到循环管线中。
125.在药液处理中，一边以第一低转速r2使晶片w旋转一边对晶片w的上表面供给药液的处理，相当于“以低转速对基片进行处理的情况”之一例。此外，处理单元16在接下来的清洗处理中，也一边以第一低转速r2使晶片w旋转一边对晶片w的上表面供给清洗液。该处理也是“以低转速对基片进行处理的情况”之一例。
126.在清洗处理结束、干燥处理开始时，处理单元16使晶片w的转速从第一低转速r2增大至第二低转速r3。从第一低转速r2到第二低转速r3的增速较小，例如，在第一低转速r2为10rpm的情况下，第二低转速r3为30rpm。之后，处理单元16在以第二低转速r3使晶片w旋转规定时间后，使晶片w的转速从第二低转速r3增大至第二高转速r4。
127.在以低转速对晶片w进行处理的情况下，与以高转速对晶片w进行处理的情况正比，在晶片w的上表面会残留大量的药液。因此，在干燥处理中将晶片w上的清洗液甩去时，若晶片w的转速急剧增大，晶片w上残留的大量清洗液会一下子流出。若此时晶片w的转速较高，则清洗液剧烈飞散而发生雾化，可能进入设置于回收杯状体50的排气口56(参照图2)中。此外，从晶片w上流出的清洗液的一部分还可能流入基座板302的内侧。
128.为此，处理单元16在干燥处理中，先使晶片w的转速增大至比第一低转速r2稍高的第二低转速r3，之后再使晶片w的转速增大至第二高转速r4。晶片w上的清洗液的大部分能够通过使晶片w的转速稍微增大而从晶片w上流出。像这样，通过先以较小的转速使晶片w上残留的大量的清洗液从晶片w上排除，之后再使晶片w的转速增大至适于干燥处理的转速(第二高转速r4)，能够抑制清洗液流入排气口56等。
129.在干燥处理结束、送出处理开始时，处理单元16使晶片w停止旋转。
130.(变形例)
131.图10是表示第一变形例的保持部的结构的截面图。如图10所示，第一变形例的保持部31a包括使第一引导部303升降的升降驱动部331。升降驱动部331例如与用于将第一引导部303固定在基座板302的支柱332连接。
132.图11是表示第一变形例的第一引导部升降处理的步骤的流程图。如图11所示，处理单元16判断是否已经到了要切换至高转速处理的时刻(步骤s201)。在实施方式中，高转速处理是以第一高转速r1或第二高转速r4使晶片w旋转而进行的处理。
133.在步骤s201中，在判断为已经到了要切换至高转速处理的时刻的情况下(步骤s201，“是”)，处理单元16利用升降驱动部331使第一引导部303下降(步骤s202)。
134.在已结束步骤s202的处理的情况下，处理单元16判断是否已经到了要切换至低转速处理的时刻(步骤s203)。此外，处理单元16例如在已处于高转速处理中等情况下，即使步骤s201中未到要切换至高转速处理的时刻(步骤s201，“否”)，也将处理转移至步骤s203。
135.在实施方式中，低转速处理是以第一低转速r2或第二低转速r3使晶片w旋转而进行的处理。在步骤s203中，在判断为已经了切换至低转速处理的情况下(步骤s203，“是”)，处理单元16利用升降驱动部331使第一引导部303上升(步骤s204)。
136.在步骤s203中未到要切换至低转速处理的时刻的情况下(步骤s203，“否”)，或者已结束步骤s204的处理的情况下，处理单元16判断干燥处理是否已结束(步骤s205)。在该处理中，在干燥处理未结束的情况下(步骤s205，“否”)，处理单元16使处理返回步骤s201。而在判断为干燥处理已结束的情况下(步骤s205，“是”)，处理单元16结束第一引导部升降处理。
137.像这样，处理单元16可以仅在高转速处理和低转速处理之中的低转速处理时使第一引导部303上升，利用第一引导部303引导从晶片w流出的处理液。由此，在低转速处理时，处理液沿着第一引导部303从晶片w上流出，因此能够减小沿着抓持机构301从晶片w上流出的处理液的量。即，能够减小沿着抓持机构301流入基座板302的处理液的量，所以能够抑制处理液到达驱动部。
138.此外，第一引导部303并不要求必须为环状。例如，第一引导部303也可以是竖立设置在基座板302的上表面的圆柱状的部件(销)。
139.下面，参照图12和图13，对槽部的变形例进行说明。图12是表示第二变形例的槽部的结构的截面图。此外，图13是表示第三变形例的槽部的结构的截面图。
140.也可以如图12所示，基座板302b的槽部100b，其第一周壁100ba和第二周壁100bb随着去往槽部100b的内侧而向下倾斜。像这样，通过使第一周壁100ba和第二周壁100bb倾斜，能够容易将处理液引导到槽部100b内。
141.也可以如图13所示，基座板302c的槽部100c除了第一周壁100ca和第二周壁100cb之外，底面100cc也倾斜。在该情况下，底面100cc优选随着去往液排放孔101而向下倾斜。像这样，通过使槽部100c的底面100cc随着去往液排放孔101而向下倾斜，能够使积留在槽部100c的处理液高效地从液排放孔101流出。并且能够抑制在槽部100c内发生处理液的残留。
142.如上所述，实施方式的基片处理装置(其一例为处理单元16)包括抓持机构(其一例为抓持机构301)和基座板(其一例为基座板302)。抓持机构抓持基片(其一例为晶片w)的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放孔(其一例为液排放孔101)，该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液(其一例为药液和清洗液)。
143.也可以为，基座板包括设置在基座板的上表面并沿基片的周向延伸的槽部(其一例为槽部100)。在该情况下，液排放孔可以设置在槽部。
144.也可以为，基座板包括沿周向设置于槽部的多个液排放孔。在该情况下，位于槽部中的抓持机构的周边区域即第一区域(其一例为第一区域a1)的液排放孔彼此的间隔(其一例为间隔g1)，比位于槽部中的第一区域以外的第二区域(其一例为第二区域a2)的液排放孔彼此的间隔(其一例为间隔g2)小。
145.也可以为，基座板包括多个液排放孔。在该情况下，多个液排放孔可以包括：位于第一区域的第一液排放孔，该第一区域是槽部中的抓持机构的周边区域；和第二液排放孔，其位于槽部中第一区域以外的第二区域。此外，第一液排放孔的开口面积可以比第二液排放孔的开口面积大。
146.也可以为，槽部包括位于基座板的内周侧的第一周壁(其一例为第一周壁100a)和位于基座板的外周侧的第二周壁(其一例为第二周壁100b)。在该情况下，第一周壁的高度可以比第二周壁的高度高。
147.也可以为，液排放孔包括在基座板的上表面开口的流入口(其一例为流入口101a)和在基座板的下表面开口的流出口(其一例为流出口101b)。在该情况下，流出口可以位于比流入口靠基座板的外周侧的位置。
148.也可以为，实施方式的基片处理装置包括引导部件(其一例为第一引导部303)。引导部件以靠近被抓持机构抓持的基片的周缘部的方式配置，经由处理液与基片相连，由此使处理液从基片流出。在该情况下，引导部件可以具有亲水性的表面。
149.也可以为，实施方式的基片处理装置包括使引导部件升降的升降驱动部(其一例为升降驱动部331)。
150.也可以为，基座板包括：贯通基座板的贯通孔(其一例为第一贯通孔321和第二贯通孔322)，其形成在比液排放孔靠基座板的内侧的位置；和设置在基座板的上表面并包围贯通孔的周壁部(其一例为周壁部323)。
151.也可以为，实施方式的基片处理装置包括液供给部(其一例为液供给部40)、旋转驱动部(其一例为旋转驱动部33)和控制部(其一例为控制部18)。液供给部对用抓持机构抓持的基片供给处理液。旋转驱动部使基座板旋转。控制部对液供给部和旋转驱动部进行控制。在该情况下，控制部执行液处理(其一例为药液处理和清洗处理)和干燥处理，其中，该液处理中一边控制旋转驱动部使基片以第一转速(其一例为第一低转速r2)旋转，一边控制液供给部对基片供给处理液，该干燥处理通过在液处理之后控制旋转驱动部使基片的转速增大至比第一转速大的第二转速(其一例为第二高转速r4)，来将基片上的处理液甩去。在该情况下，控制部可以在使基片的转速增大至第二转速之前，使基片的转速增大至比第一转速大且比第二转速小的第三转速(其一例为第二低转速r3)。
152.依照实施方式的基片处理装置，尤其是在以低转速对基片进行处理的情况下，能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
153.本次公开的实施方式在所有方面都只是例示而不应当认为是限制性的。实际上，上述实施方式能够通过各种方式具体实现。此外，上述实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其思想的基础上，能够以各种方式省略、替换和改变。
154.附图标记说明
155.1：基片处理系统
156.4：控制装置
157.16：处理单元
158.18：控制部
159.19：存储部
160.20：腔室
161.30：基片保持机构
162.31：保持部
163.32：支柱部
164.33：旋转驱动部
165.34：背面供给部
166.35：基片升降机构
167.40：液供给部
168.50：回收杯状体
169.100：槽部
170.100a：第一周壁
171.100b：第二周壁
172.101：液排放孔
173.301：抓持机构
174.302：基座板
175.303：第一引导部
176.304：第二引导部
177.351：升降销
178.352：升降销板
179.r1：第一高转速
180.r2：第一低转速
181.r3：第二低转速
182.r4：第二高转速
183.w：晶片。