1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将溴化铯、溴化铅和2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸溶于溶剂中，搅拌后得到钙钛矿溶液；
将钙钛矿溶液涂覆至基底上，加热，即在基底表面制备得到钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述溴化铯、溴化铅和2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸的质量比为1:1.15:(0.1～0.7)。
3.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的制备方法制备得到。
4.一种钙钛矿器件，其特征在于，包括如权利要求3所述的钙钛矿薄膜。
5.一种钙钛矿led器件，其特征在于，包括：
衬底；
空穴传输层，位于所述衬底的一侧面；
如权利要求3所述的钙钛矿薄膜，位于所述空穴传输层远离所述衬底的一侧面；
电子传输层，位于所述钙钛矿薄膜远离所述衬底的一侧面；
金属电极层，位于所述电子传输层远离所述衬底的一侧面。
6.如权利要求5所述的钙钛矿led器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为氧化镍；
和/或，所述电子传输层的材料为氧化锌；
和/或，所述金属电极层的材料为铝。
7.一种钙钛矿led器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底一侧面制备空穴传输层；
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧面制备如权利要求3所述的钙钛矿薄膜；
在所述钙钛矿薄膜远离所述衬底的一侧面制备电子传输层；
在所述电子传输层远离所述衬底的一侧面制备金属电极层。
8.如权利要求7所述的钙钛矿led器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的制备方法包括以下步骤：
将乙酸镍溶解在醇溶剂中，再加入单乙醇胺，搅拌后得到氧化镍前驱体；
将氧化镍前驱体涂覆在所述衬底上，退火后得到氧化镍薄膜即为空穴传输层。
9.如权利要求7所述的钙钛矿led器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的制备方法，包括以下步骤：
将氢氧化钾加入至醇中，搅拌，得到氢氧化钾醇溶液；
将二水乙酸锌加入至醇中，搅拌，得到二水乙酸锌醇溶液；
将氢氧化钾醇溶液加入至二水乙酸锌醇溶液中，加热后过滤得到沉淀；
将沉淀分散至氯苯中得到氧化锌氯苯溶液，将氧化锌氯苯溶液涂覆至钙钛矿薄膜表面，退火后得到氧化锌薄膜即为电子传输层。
10.如权利要求7所述的钙钛矿led器件的制备方法，其特征在于，所述金属电极层的制备方法为：以铝丝为蒸发源以蒸镀法在电子传输层表面制备得到铝，即为电子传输层。