1.氮化物发光二极管，包含衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层，低温三维氮化物层，u型氮化物层，n型氮化物层、发光层和p型氮化物层，其特征在于：所述低温三维层和u型氮化物层之间设置有低温p型二维氮化物层，所述低温p型二维氮化物层的p型掺杂浓度为1e17~1e20。
2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述低温p型二维氮化物层的p型掺杂浓度为1e17~1e19。
3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述低温p型二维氮化物层的厚度为1~3μm。
4.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述低温p型二维氮化物层为单层或者多层结构。
5.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述低温p型二维氮化物层为ugan/pgan超晶格结构。
6.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述超晶格结构的对数为2~50。
7.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述低温p型二维氮化物层的p型掺杂为固定掺杂或者渐变掺杂方式。
8.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述u型氮化物层的厚度为0.5~1μm。
9.氮化物发光二极管的制备方法，其包含以下步骤：
1、提供一衬底；
2、于所述衬底上生长缓冲层，低温三维氮化物层，u型氮化物层，n型氮化物层，发光层和p型氮化物层；
其特征在于：还包含以下步骤，在所述低温三维氮化物层和u型氮化物层之间形成低温p型二维氮化物层，所述低温p型二维氮化物层的p型掺杂浓度为1e17~1e20。
10.根据权利要求9所述的氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于：所述低温p型二维层的生长温度为900~1050℃，生长压力为100~300torr。