一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的制作方法

1.本发明涉及氮化镓技术领域，具体是一种氮化镓器件及氮化镓封装结构。


背景技术：

2.氮化镓是一种无机物，化学式gan，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。
3.对于现在的氮化镓器件就是采用了塑料盒体进行装置，导致了在内部形成不稳定情况，且内部会有空气的掺杂使得元器件进行运行时受到一定的影响，而现在有的氮化镓器件在采用了塑封的结构进行固定时，需要采用封装设备，传统的封装设备需要将封装的外表皮进行放置到指定位置，直接性的进行挤压加热塑封，使得会有挤压到手的危险情况，让设备在进行运行时存在着一定的风险，同时在塑封时还是无法进行整体式的进行收缩塑封，使得对元器件造成了挤压的损坏风险，不利于对氮化镓器件进行封装工作。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，以解决上述背景技术中提出的对于现在的氮化镓器件就是采用了塑料盒体进行装置，导致了在内部形成不稳定情况，且内部会有空气的掺杂使得元器件进行运行时受到一定的影响，而现在有的氮化镓器件在采用了塑封的结构进行固定时，需要采用封装设备，传统的封装设备需要将封装的外表皮进行放置到指定位置，直接性的进行挤压加热塑封，使得会有挤压到手的危险情况，让设备在进行运行时存在着一定的风险，同时在塑封时还是无法进行整体式的进行收缩塑封，使得对元器件造成了挤压的损坏风险，不利于对氮化镓器件进行封装工作的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，包括主封装箱，所述主封装箱的底面螺纹连接有支撑底块，所述主封装箱的两侧边对称焊接有固定侧板，所述固定侧板的一侧边螺栓连接有推动气缸，所述主封装箱的两侧边对称开设有侧卡槽，所述侧卡槽的内侧边卡接有活动推板，所述活动推板在远离固定侧板的一侧边水平焊接有延伸支杆，所述延伸支杆在远离活动推板的一端水平焊接有固定横杆，所述固定横杆的一侧边垂直焊接有底托板，所述底托板在远离固定横杆的一端顶面水平开设有导热框，所述底托板的顶面固定卡接有卡料底板，所述卡料底板的顶面均匀开设有卡料槽，所述主封装箱在靠近固定横杆的一侧边开设有延伸通孔，所述主封装箱的顶面螺栓连接有顶压气缸，所述主封装箱的顶面镶嵌有控制键，所述底托板的顶面水平对接有密封外罩，所述密封外罩的外侧边熔接有塑封边框，所述塑封边框的侧边插接有连接杆，所述连接杆在远离塑封边框的一端开设有穿线孔，所述主封装箱在远离延伸通孔的一侧边螺栓连接有后推气缸，所述主封装箱的内侧边固定套接有内隔离层，所述主封装箱的底面均匀开设有底螺孔，所述主封装箱的侧壁内部镶嵌有
控制主板，所述顶压气缸的输出端水平焊接有顶加热框，所述内隔离层的内侧底面垂直向上焊接有底支撑块，所述底支撑块的顶面水平焊接有顶托板，所述顶托板的顶面水平开设有卡板槽，所述内隔离层的内侧底面螺栓连接有温度箱，所述温度箱的输出端电性连接有连接线，所述内隔离层的内侧底面螺栓连接有泵体，所述后推气缸的输出端固定焊接有对接板，所述对接板在远离后推气缸的一侧边插接有插接管，所述对接板的侧边插接有连接软管，所述顶加热框与顶托板的内侧边镶嵌有加热丝，所述密封外罩的内侧边固定套接有内撑层，所述密封外罩的内侧边水平设置有绝缘层板，所述绝缘层板的两侧边对称水平粘接有导电层板，一块所述绝缘层板的侧边焊接有硅芯片，一块所述绝缘层板的侧边焊接有氮化镓芯片，所述氮化镓芯片的侧边插接有连接导线。
6.作为本发明的一种优选实施方式：所述支撑底块的个数为四个，且四个支撑底块分别对接设置在底螺孔的底开口端位置，四个支撑底块的顶端螺杆插接在对应的底螺孔的内侧边螺纹固定连接设置，固定侧板的个数为两块，且两块固定侧板分别对称垂直设置在主封装箱的两侧边靠近边缘位置。
7.作为本发明的一种优选实施方式：所述推动气缸的个数与固定侧板的个数保持一致设置，且推动气缸的输出端水平贯穿固定侧板的侧壁垂直焊接在活动推板的一侧边位置，活动推板的个数与固定侧板的个数保持一致设置，且活动推板与固定侧板相互之间平行设置，活动推板的一端垂直卡接在侧卡槽的内侧边位置。
8.作为本发明的一种优选实施方式：所述延伸支杆的一端垂直焊接在活动推板的一侧边中心位置，且两根延伸支杆相互之间平行对称设置在主封装箱的两侧边位置，固定横杆的两端垂直焊接在两根延伸支杆远离活动推板的一端之间侧边位置，底托板的一端垂直焊接在固定横杆靠近主封装箱的一侧边中心位置，且底托板在远离固定横杆的一端水平对接在延伸通孔的中心位置，卡料底板采用耐高温材料制作，且固定设置在靠近导热框的边缘位置，底托板采用高效导热材料制作设置。
9.作为本发明的一种优选实施方式：所述卡料槽的个数为多个，且多个卡料槽相互之间平行设置，延伸通孔贯穿主封装箱侧壁延伸至内部，且延伸通孔的内部与内隔离层的内部保持通接设置，顶压气缸的输出端垂直向下贯穿主封装箱的顶面延伸至内部，且顶压气缸固定设置在主封装箱的顶面中心位置，密封外罩采用热收缩材料制作，且密封外罩呈两个碗状结构相互扣接设置在导电层板的顶面和底面位置，密封外罩卡接设置在导热框的内侧边位置，且塑封边框的底面对接在导热框的顶开口边缘位置。
10.作为本发明的一种优选实施方式：所述连接杆的个数为多根，且多根连接杆相互之间平行，多根连接杆的一端贯穿塑封边框延伸至密封外罩的内侧边位置，且延伸端分别与硅芯片、氮化镓芯片和连接导线相互保持电性连接设置，后推气缸的输出端水平贯穿主封装箱的侧壁延伸至内部，底螺孔均竖直向开设在主封装箱的底面四边角位置，控制主板与控制键相互之间保持电性连接设置，顶加热框与顶托板相互之间叠加式平行设置，且顶压气缸的输出端垂直向下焊接在顶加热框的顶面靠近一侧边位置。
11.作为本发明的一种优选实施方式：所述顶托板与延伸通孔的中心位置设置保持在同一水平面位置，卡板槽的规格尺寸与底托板的规格尺寸保持一致设置，且卡板槽在靠近延伸通孔的一侧边开设有开口，连接线在远离温度箱的一端贯穿顶托板和顶加热框的侧壁延伸内部，且延伸端与加热丝保持电性连接设置，连接软管的一端固定套接在泵体的输出
端，且另一端与插接管相互之间保持通接设置。
12.作为本发明的一种优选实施方式：所述绝缘层板的四周侧边水平设置在塑封边框的之间位置，导电层板的个数为两块，且两块导电层板相互之间叠加式平行设置在绝缘层板的顶面和底面中心位置。
13.作为本发明的一种优选实施方式：所述硅芯片和氮化镓芯片分别固定设置在两块导电层板的顶面和底面位置，且硅芯片和氮化镓芯片均与导电层板相互之间保持电性连接设置，连接导线的一端固定连接在氮化镓芯片导电端，且另一端焊接在一块导电层板的侧边保持电性连接设置。
14.与现有技术相比，本发明的有益效果是：1、本发明通过设计自动推送料结构使得更加的安全可靠，在对控制键进行按压使得控制主板控制着推动气缸进行工作，在推动气缸的拉动下使得活动推板在侧卡槽的内部进行滑动作用，且在对顶压气缸的向下推压下使得顶加热框向下运动，使得顶加热框进行挤压在塑封边框的顶面位置，同时对后推气缸的推动下使得带动着对接板进行对接在塑封边框的侧边位置，从而让插接管的一端贯穿塑封边框之间缝隙进入到密封外罩内侧边位置，在加热熔接同时泵体通过连接软管进行抽取空气，使得插接管对密封外罩内部的空气进行抽出，在对密封外罩内部空气完全抽空后，最后在导热框和卡板槽进行对塑封边框进行上下面的加热熔接处理，双面的加热处理使得更加的快速高效。
15.2、本发明在熔接同时连接杆进行对应卡接在卡料底板顶面的卡料槽的内部稳定住即可完成对器件进行封装处理，装置设计结构简单操作方便，在采用了热收缩的固定结构使得器件更加的稳定，同时在采用了双面热熔结构使得封装快速高效，且真空处理使得内部部件运行更加的稳定。
附图说明
16.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的封装立体结构示意图；图2为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的器件立体结构示意图；图3为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的封装俯视连接细节的结构示意图；图4为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的主封装箱正视剖面连接细节的结构示意图；图5为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的后推气缸侧视连接细节的结构示意图；图6为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的顶加热框正视剖面连接细节的结构示意图；图7为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的密封外罩正视剖面连接细节的结构示意图；图8为一种氮化镓器件及氮化镓封装结构的绝缘层板正视剖面连接细节的结构示意图。
17.图中：1、主封装箱；2、支撑底块；3、固定侧板；4、推动气缸；5、侧卡槽；6、活动推板；
7、延伸支杆；8、固定横杆；9、底托板；10、导热框；11、卡料底板；12、卡料槽；13、延伸通孔；14、顶压气缸；15、控制键；16、密封外罩；17、塑封边框；18、连接杆；19、穿线孔；20、后推气缸；21、内隔离层；22、底螺孔；23、控制主板；24、顶加热框；25、底支撑块；26、顶托板；27、卡板槽；28、温度箱；29、连接线；30、泵体；31、对接板；32、插接管；33、连接软管；34、加热丝；35、内撑层；36、绝缘层板；37、导电层板；38、硅芯片；39、氮化镓芯片；40、连接导线。
具体实施方式
18.请参阅图1
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2，本发明实施例中，一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，包括主封装箱1，主封装箱1的底面螺纹连接有支撑底块2，主封装箱1的两侧边对称焊接有固定侧板3，支撑底块2的个数为四个，且四个支撑底块2分别对接设置在底螺孔22的底开口端位置，四个支撑底块2的顶端螺杆插接在对应的底螺孔22的内侧边螺纹固定连接设置，固定侧板3的个数为两块，且两块固定侧板3分别对称垂直设置在主封装箱1的两侧边靠近边缘位置，固定侧板3的一侧边螺栓连接有推动气缸4，主封装箱1的两侧边对称开设有侧卡槽5，侧卡槽5的内侧边卡接有活动推板6，推动气缸4的个数与固定侧板3的个数保持一致设置，且推动气缸4的输出端水平贯穿固定侧板3的侧壁垂直焊接在活动推板6的一侧边位置，活动推板6的个数与固定侧板3的个数保持一致设置，且活动推板6与固定侧板3相互之间平行设置，活动推板6的一端垂直卡接在侧卡槽5的内侧边位置，活动推板6在远离固定侧板3的一侧边水平焊接有延伸支杆7，延伸支杆7在远离活动推板6的一端水平焊接有固定横杆8，固定横杆8的一侧边垂直焊接有底托板9，底托板9在远离固定横杆8的一端顶面水平开设有导热框10，底托板9的顶面固定卡接有卡料底板11，延伸支杆7的一端垂直焊接在活动推板6的一侧边中心位置，且两根延伸支杆7相互之间平行对称设置在主封装箱1的两侧边位置，固定横杆8的两端垂直焊接在两根延伸支杆7远离活动推板6的一端之间侧边位置，底托板9的一端垂直焊接在固定横杆8靠近主封装箱1的一侧边中心位置，且底托板9在远离固定横杆8的一端水平对接在延伸通孔13的中心位置，卡料底板11采用耐高温材料制作，且固定设置在靠近导热框10的边缘位置，底托板9采用高效导热材料制作设置，卡料底板11的顶面均匀开设有卡料槽12，主封装箱1在靠近固定横杆8的一侧边开设有延伸通孔13，主封装箱1的顶面螺栓连接有顶压气缸14，卡料槽12的个数为多个，且多个卡料槽12相互之间平行设置，延伸通孔13贯穿主封装箱1侧壁延伸至内部，且延伸通孔13的内部与内隔离层21的内部保持通接设置，顶压气缸14的输出端垂直向下贯穿主封装箱1的顶面延伸至内部，且顶压气缸14固定设置在主封装箱1的顶面中心位置，主封装箱1的顶面镶嵌有控制键15，底托板9的顶面水平对接有密封外罩16，密封外罩16的外侧边熔接有塑封边框17，密封外罩16采用热收缩材料制作，且密封外罩16呈两个碗状结构相互扣接设置在导电层板37的顶面和底面位置，密封外罩16卡接设置在导热框10的内侧边位置，且塑封边框17的底面对接在导热框10的顶开口边缘位置，塑封边框17的侧边插接有连接杆18，连接杆18的个数为多根，且多根连接杆18相互之间平行，多根连接杆18的一端贯穿塑封边框17延伸至密封外罩16的内侧边位置，且延伸端分别与硅芯片38、氮化镓芯片39和连接导线40相互保持电性连接设置，连接杆18在远离塑封边框17的一端开设有穿线孔19；请参阅图3
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5，本发明实施例中，一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其中主封装箱1在远离延伸通孔13的一侧边螺栓连接有后推气缸20，主封装箱1的内侧边固定套接有内
隔离层21，主封装箱1的底面均匀开设有底螺孔22，主封装箱1的侧壁内部镶嵌有控制主板23，顶压气缸14的输出端水平焊接有顶加热框24，后推气缸20的输出端水平贯穿主封装箱1的侧壁延伸至内部，底螺孔22均竖直向开设在主封装箱1的底面四边角位置，控制主板23与控制键15相互之间保持电性连接设置，顶加热框24与顶托板26相互之间叠加式平行设置，且顶压气缸14的输出端垂直向下焊接在顶加热框24的顶面靠近一侧边位置，内隔离层21的内侧底面垂直向上焊接有底支撑块25，底支撑块25的顶面水平焊接有顶托板26，顶托板26的顶面水平开设有卡板槽27，内隔离层21的内侧底面螺栓连接有温度箱28，温度箱28的输出端电性连接有连接线29，内隔离层21的内侧底面螺栓连接有泵体30，后推气缸20的输出端固定焊接有对接板31，顶托板26与延伸通孔13的中心位置设置保持在同一水平面位置，卡板槽27的规格尺寸与底托板9的规格尺寸保持一致设置，且卡板槽27在靠近延伸通孔13的一侧边开设有开口，连接线29在远离温度箱28的一端贯穿顶托板26和顶加热框24的侧壁延伸内部，且延伸端与加热丝34保持电性连接设置，对接板31在远离后推气缸20的一侧边插接有插接管32；请参阅图6
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8，本发明实施例中，一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其中对接板31的侧边插接有连接软管33，连接软管33的一端固定套接在泵体30的输出端，且另一端与插接管32相互之间保持通接设置，顶加热框24与顶托板26的内侧边镶嵌有加热丝34，密封外罩16的内侧边固定套接有内撑层35，密封外罩16的内侧边水平设置有绝缘层板36，绝缘层板36的四周侧边水平设置在塑封边框17的之间位置，导电层板37的个数为两块，且两块导电层板37相互之间叠加式平行设置在绝缘层板36的顶面和底面中心位置，绝缘层板36的两侧边对称水平粘接有导电层板37，一块绝缘层板36的侧边焊接有硅芯片38，一块绝缘层板36的侧边焊接有氮化镓芯片39，氮化镓芯片39的侧边插接有连接导线40，硅芯片38和氮化镓芯片39分别固定设置在两块导电层板37的顶面和底面位置，且硅芯片38和氮化镓芯片39均与导电层板37相互之间保持电性连接设置，连接导线40的一端固定连接在氮化镓芯片39导电端，且另一端焊接在一块导电层板37的侧边保持电性连接设置。
19.部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
20.本发明的工作原理是：将密封外罩16的底面进行水平放置到底托板9的顶面导热框10的内部，绝缘层板36水平放置到密封外罩16的顶面位置，且将另一半的密封外罩16进行扣接在绝缘层板36的顶面位置，在对控制键15进行按压使得控制主板23控制着推动气缸4进行工作，在推动气缸4的拉动下使得活动推板6在侧卡槽5的内部进行滑动作用，在活动推板6的滑动下使得延伸支杆7和固定横杆8进行向主封装箱1的方向运动，从而带动着底托板9进行水平贯穿延伸通孔13进入到内部，且进入到内部后继续运行，进行插接到顶托板26顶面的卡板槽27的内部，且在对顶压气缸14的向下推压下使得顶加热框24向下运动，使得顶加热框24进行挤压在塑封边框17的顶面位置，同时对后推气缸20的推动下使得带动着对接板31进行对接在塑封边框17的侧边位置，从而让插接管32的一端贯穿塑封边框17之间缝隙进入到密封外罩16内侧边位置，在温度箱28的控制下使得加热丝34进行发热到指定稳定，使得对塑封边框17进行加热熔接处理，在加热熔接同时泵体30通过连接软管33进行抽取空气，使得插接管32对密封外罩16内部的空气进行抽出，在对密封外罩16内部空气完全抽空后，后推气缸20的收缩
下使得插接管32从塑封边框17之间位置进行缓慢抽出，最后在导热框10和卡板槽27进行对塑封边框17进行上下面的加热熔接处理，且在熔接同时连接杆18进行对应卡接在卡料底板11顶面的卡料槽12的内部稳定住即可完成对器件进行封装处理。
21.以上所述的，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。