技术特征：
1.一种异质结红外光电传感器，其特征在于，采用基于cu/snse/ge/in
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ga的异质结的光电传感器；将snse/ge的异质结作为光吸收活性层，在snse/ge的异质结的界面处形成电场；将cu的微栅格结构作为顶电极，与snse的晶体薄膜形成欧姆接触；将in
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ga合金或in的晶体薄膜作为底电极，与ge的晶体基片形成欧姆接触。2.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述snse的晶体薄膜厚度设置为50
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90nm，电阻率设置为2.20
×
103ω
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cm，电导类型设置为p型。3.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述ge的晶体基片厚度设置为100
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200μm，电阻率设置为1.0
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5.0ω
·
cm，电导类型设置为n型。4.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述顶电极的厚度设置为60
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100nm，结构设置为鱼骨状结构，线宽设置为100μm，线长设置为4.8mm，间隔设置为500μm。5.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述底电极的厚度设置为60
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100nm。6.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述cu/snse/ge/in
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ga的异质结的光电传感器设置为方形器件，尺寸设置为5mm
×
5mm
×
200μm。7.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述cu/snse/ge/in
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ga的异质结的光电传感器所感知的红外光波长为1064nm、1310nm和1550nm。8.一种异质结红外光电传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于ge晶体基片得到表面洁净的ge衬底，在ge衬底上构造高结晶度的snse晶体薄膜，得到具有电学突变结的snse/ge的异质结；在所述snse/ge的异质结上snse晶体薄膜的一侧制备cu栅格电极，得到cu/snse/ge的异质结；在所述cu/snse/ge的异质结上ge晶体基片的一侧制备in
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ga合金或in电极，得到具有cu/snse/ge/in
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ga的异质结的红外光电传感器。9.如权利要求8中所述的一种异质结红外光电传感器的制备方法，其特征在于，通过超声清洗设备对ge晶体基片进行处理，得到表面洁净的ge衬底，采用物理气相沉积法或磁控溅射结合后退火工艺在ge衬底上构造高结晶度的snse晶体薄膜。10.如权利要求8中所述的一种异质结红外光电传感器的制备方法，其特征在于，通过真空热蒸发、磁控溅射或电子束蒸发工艺在所述snse/ge的异质结上snse晶体薄膜的一侧制备结构由掩膜版或光刻工艺所决定的cu栅格电极，通过旋涂工艺在ge晶体基片的一侧旋涂一层in
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ga合金或蒸发一层in薄膜作为器件的底接触欧姆电极。
技术总结
本公开提供了一种异质结红外光电传感器及其制备方法，采用基于Cu/SnSe/Ge/In
技术研发人员：张洪宾 陆佳俊 佀国翔 吕绍艳 程瑞杉 徐彦彩 李娇 孙硕齐
受保护的技术使用者：山东师范大学
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/11/21