技术特征：
1.一种qfn封装结构，包括封装框架、芯片和塑封层，所述封装框架包括至少一个基岛，至少分布于所述基岛一侧的引脚，所述芯片设置于所述基岛上，电性连接于所述引脚，所述塑封层包覆所述封装框架和所述芯片，所述引脚侧面和底面暴露于所述塑封层，其特征在于，所述qfn封装结构还包括绝缘层和电磁屏蔽层，所述引脚包括接地引脚，所述电磁屏蔽层包覆所述塑封层侧面和顶面，所述绝缘层至少设置于所述电磁屏蔽层和所述引脚之间，且暴露所述接地引脚，电磁屏蔽层通过接地引脚接地。2.根据权利要求1所述的qfn封装结构，其特征在于，所述绝缘层包覆所述塑封层侧面和顶面，所述电磁屏蔽层设于所述绝缘层上，包覆qfn封装结构顶面和侧面。3.根据权利要求1所述的qfn封装结构，其特征在于，所述绝缘层为环氧树脂、聚酰亚胺、干膜或阻焊油墨。4.根据权利要求1所述的qfn封装结构，其特征在于，所述电磁屏蔽层为铜、或不锈钢，或钛溅射夹层金属薄膜材料、或含银/铜的高密度金属填料的导电树脂等导电复合材料，或是上述材料中至少两种的组合。5.一种qfn封装结构制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一封装框架和芯片，所述封装框架包括基岛和至少分布于所述基岛一侧的引脚，所述引脚包括接地引脚，将所述芯片置于所述基岛上，并将所述芯片与所述引脚电性连接；塑封所述封装框架和所述芯片，形成包覆所述封装框架和所述芯片的塑封层；切割获得单颗所述qfn封装结构，至少于所述qfn封装结构侧面形成绝缘层，并使所述绝缘层暴露所述接地引脚；于qfn封装结构侧面和顶面形成电磁屏蔽层。6.根据权利要求5所述的qfn封装结构制造方法，其特征在于，包括步骤：于qfn封装结构侧面及顶面形成所述绝缘层；于所述绝缘层侧面和所述绝缘层顶面形成所述电磁屏蔽层。7.根据权利要求5所述的qfn封装结构制造方法，其特征在于，“并使所述绝缘层暴露所述接地引脚”具体包括：于所述绝缘层对应于所述接地引脚处的位置刻蚀形成开口。8.根据权利要求5所述的qfn封装结构制造方法，其特征在于，“并使所述绝缘层暴露所述接地引脚”具体包括：于所述接地引脚侧边处设置遮挡物；于所述塑封层上形成绝缘层，并剥离所述遮挡物。9.根据权利要求5所述的qfn封装结构制造方法，其特征在于，所述绝缘层为环氧树脂、聚酰亚胺、干膜或阻焊油墨。10.根据权利要求5所述的qfn封装结构制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层为铜、或不锈钢，或钛溅射夹层金属薄膜材料、或含银/铜的高密度金属填料的导电树脂等导电复合材料，或是上述材料中至少两种的组合。
技术总结
本发明提供一种QFN封装结构及其制造方法，所述QFN封装结构包括封装框架、芯片和塑封层，封装框架包括至少一个基岛，至少分布于基岛一侧的引脚，芯片设置于基岛上，电性连接于引脚，塑封层包覆封装框架和芯片，引脚侧面和底面暴露于塑封层，QFN封装结构还包括绝缘层和电磁屏蔽层，引脚包括接地引脚，电磁屏蔽层包覆塑封层侧面和顶面，绝缘层至少设置于电磁屏蔽层和引脚之间，且暴露接地引脚，电磁屏蔽层通过接地引脚接地。在QFN封装结构引脚外侧设置绝缘层，防止引脚与电磁屏蔽层发生短接，且绝缘层暴露接地引脚，使得电磁屏蔽层通过接地管脚接地，从而实现QFN封装结构的电磁屏蔽设计。设计。设计。
技术研发人员：高云 刘庭 张月升 范荣
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：2021.08.13
技术公布日：2023/2/17