半导体的粘接方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体的粘接方法。


背景技术：

2.半导体在加工过程中通常要经过切割和研磨及其他手工工序，这些工序都需要将半导体粘接在基板上进行。目前，通常是用uv胶粘接半导体与基板，然而，由于uv胶水中含有气泡，容易造成粘接不牢固，从而影响半导体的生产质量。


技术实现要素：

3.本发明实施例的目的是提供一种半导体的粘接方法，能够提高半导体与基板之间的粘接强度，从而提高半导体的生产质量。
4.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体的粘接方法，包括：
5.采用uv胶粘接半导体与基板，得到半导体制品；
6.将所述半导体制品固定在处理室内的旋转台上；
7.控制所述旋转台以预设转速进行旋转；
8.控制所述处理室内的真空装置进行抽真空，使得所述处理室内的真空度保持在预设范围内；
9.在预设时间后，对所述半导体制品进行固化。
10.作为上述方案的改进，所述方法还包括：
11.控制所述处理室内的超声波发生装置以预设频率发出超声波。
12.作为上述方案的改进，所述预设频率为90-110khz。
13.作为上述方案的改进，所述在预设时间后，对所述半导体制品进行固化，具体包括：
14.在预设时间后，控制所述旋转台、所述超声波发生装置、所述真空装置停止运行；
15.清除所述半导体制品的粘接边缘处溢出的uv胶；
16.对清除溢出胶后的所述半导体制品进行固化。
17.作为上述方案的改进，所述预设时间为15-25分钟。
18.作为上述方案的改进，所述旋转台的温度保持在110-120℃。
19.作为上述方案的改进，所述预设转速为450-550rmp。
20.作为上述方案的改进，所述预设范围为-2.00
±
0.5mpa。
21.实施本发明实施例，具有如下有益效果：
22.本发明实施例提供一种半导体的粘接方法，先采用uv胶粘接半导体与基板，得到半导体制品，再通过对半导体制品进行旋转，能够有效将uv胶内的气泡旋转出来，并且，通过抽真空处理，使得气泡内部的压力大于外部，有效地令uv胶内的气泡破裂，在预设时间后，对半导体制品进行固化，因此，能够减少粘接半导体与基板的uv胶内的气泡，从而有效提高半导体与基板之间的粘接强度，进而提高半导体的生产质量。
附图说明
23.图1是本发明提供的实施例中的一种半导体的粘接方法的流程图。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.请参阅图1所示，其是本发明提供的实施例中的一种半导体的粘接方法的流程图，所述的半导体的粘接方法包括以下步骤：
26.s10、采用uv胶粘接半导体与基板，得到半导体制品；
27.s11、将所述半导体制品固定在处理室内的旋转台上；
28.s12、控制所述旋转台以预设转速进行旋转；
29.s13、控制所述处理室内的真空装置进行抽真空，使得所述处理室内的真空度保持在预设范围内；
30.s14、在预设时间后，对所述半导体制品进行固化。
31.需要说明的是，uv胶是一种必须通过紫外线光照射才能固化的一类胶粘剂，本实施例在uv胶未固化前通过旋转、抽真空等方式能够去除uv胶内的气泡。
32.示例性地，所述基板为陶瓷基板，当然，所述基板不限于陶瓷基板，还可以是玻璃基板等其他基板，在此不做更多的赘述。
33.本发明实施例提供一种半导体的粘接方法，先采用uv胶粘接半导体与基板，得到半导体制品，再通过对半导体制品进行旋转，能够有效将uv胶内的气泡旋转出来，并且，通过抽真空处理，使得气泡内部的压力大于外部，有效地令uv胶内的气泡破裂，在预设时间后，对半导体制品进行固化，因此，能够减少粘接半导体与基板的uv胶内的气泡，从而有效提高半导体与基板之间的粘接强度，进而提高半导体的生产质量。
34.作为其中一个可选的实施例，所述方法还包括：
35.s13'、控制所述处理室内的超声波发生装置以预设频率发出超声波。
36.在本实施例中，通过的超声波发生装置发生超声波振动，能够加速uv胶内的气泡破裂，从而进一步提高半导体与基板之间的粘接强度。
37.进一步地，为了保证气泡的消除效果，可以是设置所述预设频率为90-110khz。例如，所述预设频率可以为90khz、95khz、100khz、105khz、110khz。当然，所述预设频率不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
38.作为其中一个可选的实施例，所述在预设时间后，对所述半导体制品进行固化，具体包括：
39.s141、在预设时间后，控制所述旋转台、所述超声波发生装置、所述真空装置停止运行；
40.s142、清除所述半导体制品的粘接边缘处溢出的uv胶；
41.s143、对清除溢出胶后的所述半导体制品进行固化。
42.在本实施例中，在对半导体制品进行固化前，先清除粘接边缘处溢出的uv胶，从而
能够提高半导体的良率。
43.进一步地，为了保证气泡的消除效果，需要设定合适的处理时长，因此，可以是设置所述预设时间为15-25分钟。例如，所述预设时间可以为15分钟、17.5分钟、20分钟、22.5分钟、25分钟。当然，所述预设时间不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
44.进一步地，为了提高气泡的消除效果，可以是将所述旋转台的温度保持在110-120℃，从而使胶水接近沸点，提高气泡的活跃度，使得气泡更加容易被旋转出来或破裂。例如，所述温度可以为110℃、112.5℃、115℃、117.5℃、120℃。当然，所述温度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
45.进一步地，为了提高气泡的消除效果，可以是设置所述预设转速为450-550rmp，从而使气泡有足够强的离心力，以从胶水中脱离。例如，所述预设转速可以为450rmp、475rmp、500rmp、525rmp、550rmp。当然，所述预设转速不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
46.进一步地，为了提高气泡的消除效果，可以是设置所述预设范围为-2.00
±
0.5mpa，从而令胶水接近沸点，提高气泡的活跃度，使得气泡更加容易被旋转出来或破裂。
47.下面通过一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：
48.1)在uv胶没有固化之前，将半导体用uv胶粘接在陶瓷基板上，得到半导体制品。
49.2)准备具有真空环境的旋转台，将半导体制品固定在旋转台上；其中，旋转台的温度保持在115℃，使得uv胶保持融化状态。
50.3)启动旋转台，带动半导体元器件进行旋转；其中，旋转台的转速为500rmp。
51.旋转的时间为20分钟；
52.4)启动真空装置，抽真空，使真空度保持在-2.00
±
0.5mpa的范围内，同时启动超声波发生装置以100khz的频率发出超声波，使得胶水中的气泡被甩出来。
53.5)关闭旋转台、超声波发生装置和真空装置。
54.6)取出半导体制品，清除溢出的uv胶，
55.7)将半导体制品进行固化。
56.作为试验，对未采用本实施例提供的方法粘接得到的半导体制品的粘接强度进行测定，得到粘接强度为2.5mpa；对采用本实施例提供的方法粘接得到的半导体制品的粘接强度进行测定，得到粘接强度为3-4mpa。基于上述结果可见，本实施例提供的半导体的粘接方法，有效提高半导体与基板之间的粘接强度。
57.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。