显示基板及其亮度补偿方法、显示装置与流程

1.本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其亮度补偿方法、显示装置。


背景技术：

2.微型有机发光二极管(micro
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oled，micro organic light
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emitting diode)是近年来发展起来的微型显示器，硅基有机发光二极管(oled，organic light
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emitting diode)为其中一种。硅基oled具有高像素密度(ppi，pixels per inch)，体积小，高对比度的特点，采用成熟的集成电路互补金属氧化物半导体(cmos，complementary metal oxide semiconductor)工艺制成，实现了像素的有源寻址，可以实现在硅基衬底上制备包括时序控制(tcon)电路、过电流保护(ocp，over current protection)电路等多种功能电路，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基oled广泛应用于虚拟现实、增强现实近眼显示领域中，特别是增强现实(ar，augmented reality)/虚拟现实(vr，virtual reality)头戴显示装置中。


技术实现要素：

3.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
4.第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：硅基衬底，所述硅基衬底具有显示区域、位于所述显示区域周边的外围区域、位于所述外围区域一侧的绑定区域，所述绑定区域的硅基衬底内集成有焊盘组件；所述焊盘组件包括至少一个第一绑定电极；所述外围区域的硅基衬底上设置有至少一个发光传感器组，所述发光传感器组与所述第一绑定电极电连接；所述发光传感器组在接收测试电流后，通过所述第一绑定电极输出检测电压。
5.第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的亮度补偿方法，应用于上述显示基板，该方法包括：向至少一个发光传感器组提供测试电流，并通过与所述发光传感器组电连接的第一绑定电极获取检测电压；根据所述检测电压和测试电流，确定所述发光传感器组的内阻测试结果；根据所述发光传感器组的内阻测试结果，对显示区域的发光元件进行亮度补偿。
6.第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
7.本公开实施例提供的显示基板，能够检测发光传感器组所在位置处的内阻，进而获知显示区域的发光元件的内阻，就可以根据发光元件的内阻变化调节显示亮度，能够保证显示基板亮度的均一性。
8.本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
9.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
10.附图用来提供对本技术技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。
11.图1为一示例中显示基板的结构示意图；
12.图2为一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图；
13.图3为一示例中显示区域的局部剖视图；
14.图4为一示例中显示基板的平面示意图；
15.图5为一示例中采用内部电流源进行检测时的电路结构示意图；
16.图6为一示例中采用外部电流源进行检测时的电路结构示意图；
17.图7为一示例中亮度补偿方法的流程图；
18.图8为一示例中进行亮度补偿的示意图。
具体实施方式
19.本技术描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本技术所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
20.本技术包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本技术已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本技术中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
21.此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本技术实施例的精神和范围内。
22.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种
或多种功能的元件等。
23.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
24.为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
25.oled显示装置应用在近眼显示设备中，显示基板亮度的均一性决定着用户体验。硅基oled显示装置应用在ar/vr装置中时，由于oled器件需要与光机结构(例如ar/vr整机结构)相匹配，在光机结构的放大作用下，会把显示画面中的缺陷放大，这要求显示基板的亮度具有较高的均一性。因此，硅基oled器件在设计与制造过程中，需要整个显示基板的亮度保持一致。并且，硅基oled显示装置在使用过程中，发光元件的内阻会发生变化，容易导致显示基板的亮度不均，使用寿命逐渐衰减。
26.本公开实施例提供了一种显示基板，包括：硅基衬底，硅基衬底具有显示区域、位于显示区域周边的外围(dummy)区域、位于外围区域一侧的绑定区域，绑定区域的硅基衬底内集成有焊盘组件，焊盘组件包括至少一个第一绑定电极(bonding pad)。外围区域的硅基衬底上设置有至少一个发光传感器组，发光传感器组与第一绑定电极电连接；发光传感器组在接收测试电流后，通过第一绑定电极输出检测电压。
27.本公开实施例中，根据测试电流及检测电压，能够得到发光传感器组所在位置处的内阻。可以利用外围区域的内阻代表显示区域的内阻，利用外围区域的发光传感器组的内阻变化反映显示区域的发光元件的内阻变化。而且，本公开实施例的方案能够检测发光元件的内阻，根据内阻可以得到发光元件的起亮电压，就可以通过调节发光元件的起亮电压来调节显示亮度，能够保证显示基板亮度的均一性，并起到寿命补偿的作用。并且，在外围区域设置发光传感器组，并不会给正常的画面显示带来影响，有助于制备工艺的均一性。
28.在一些示例性实施方式中，发光传感器组包括阵列排布的多个发光传感器，且多个发光传感器并联连接。
29.在一些示例性实施方式中，多个发光传感器的第一电极电连接，并与第一绑定电极电连接，多个发光传感器的第二电极均与第一电源线电连接。例如：第一电极可以是多个发光传感器的阳极，第二电极可以是多个发光传感器的阴极，发光传感器的阴极可以和发光元件的阴极电连接，即发光传感器的阴极(或者说发光元件的阴极)作为发光传感器和发光元件的公共电极，第一电源线可以连接至公共电极。
30.在本示例性实施方式中，当向发光传感器组输入测试电流时，在焊盘组件的第一绑定电极可以检测到发光传感器组的检测电压即阳极电压，由于发光传感器组的阴极电压是已知的公共电极电压，可以计算得到发光传感器组阴极和阳极之间的跨压，利用该跨压除以测试电流即可得到发光传感器组的内阻。
31.在一些示例性实施方式中，显示区域的硅基衬底上设置有多个发光元件，显示区域的硅基衬底内设置有多个像素电路，多个发光元件和多个像素电路一一对应电连接；发光元件和所述发光传感器的结构大致相同。
32.发光传感器的尺寸大小、排列间距及形状等参数均可以与发光元件的相同，可以采用同样的工艺制备外围区域的发光传感器及显示区域的发光元件。有助于简化工序，且能够保证制备工艺的均一性。
33.在一些示例性实施方式中，至少一个发光传感器组可以设置在位于显示区域的一侧的外围区域，利用该至少一个发光传感器组的内阻代表整个显示区域的发光元件的内阻。
34.在一些示例性实施方式中，绑定区域在第二方向上位于所述外围区域的一侧，至少两个发光传感器组沿第一方向位于显示区域的相对两侧，第一方向与第二方向交叉。
35.在一些示例性实施方式中，第一方向垂直于第二方向。
36.在本示例性实施方式中，可以将显示区域沿第一方向划分为第一部分和第二部分，则可以利用靠近第一部分的发光传感器组的内阻代表显示区域在第一部分的内阻，利用靠近第二部分的发光传感器组的内阻代表显示区域在第二部分的内阻。相比于在显示区域的一侧的外围区域设置发光传感器组的方案，在显示区域的沿第一方向的相对两侧设置发光传感器组，考虑到了oled的制作过程中膜层均一性的差异，兼顾了不同使用范围的发光元件，在显示区域的面积较大的情况下，得到的结果更加精准。
37.在一些示例性实施方式中，多个发光传感器组可以分别设置在显示区域的三侧或者四周，分别用以代表显示区域的不同部分的发光元件的内阻。可以根据实际需求设置发光传感器组的位置及组数，本公开实施例对发光传感器组的布局形式不作限制。
38.在一些示例性实施方式中，发光传感器组包括沿第二方向依次排布的m个发光传感器，m为大于或等于100的整数。在发光传感器组的工作中，由于发光传感器组中的多个发光传感器是并联的，该多个发光传感器可以起到平均电流的作用，设置发光传感器组中包含合适数量的发光传感器，不仅能够更准确的检测内阻，也便于发光传感器组的长期稳定工作。
39.在一些示例性实施方式中，外围区域的硅基衬底内集成有电流源电路和控制晶体管；电流源电路与控制晶体管电连接，控制晶体管与发光传感器组电连接；电流源电路配置为在控制晶体管的控制下，向发光传感器组提供测试电流。
40.在一些示例性实施方式中，焊盘组件还包括至少一个第二绑定电极，第二绑定电极与发光传感器组电连接，配置为向发光传感器组提供测试电流。
41.在一些示例性实施方式中，焊盘组件与柔性线路板(fpc)绑定连接。fpc线路板能够实现显示基板与外部电路的电连接。
42.下面以一示例对本公开的显示基板进行说明。
43.图1为一示例中显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板包括：硅基衬底11，硅基衬底11具有显示区域101、位于显示区域101周边的外围区域102、位于外围区域102一侧的绑定区域，绑定区域的硅基衬底内集成有焊盘组件103，焊盘组件103包括至少一个第一绑定电极。在显示区域101沿第一方向x的相对两侧，分别设置有沿第二方向y设置的发光传感器组104及发光传感器组106，发光传感器组104及发光传感器组106均设置为单列排布的形式，第一方向x与第二方向y相互垂直。每个发光传感器组的多个发光传感器的第一电极电连接，并与第一绑定电极电连接，每个发光传感器组的多个发光传感器的第二电极均与第一电源线电连接，发光传感器的第二电极设置为与发光元件105共用的公共电极，第一
电源线与公共电极电连接。本示例中，每个发光传感器与显示区域101的发光元件105采用同样的制备工艺，每列发光传感器组中发光传感器的数量与相邻列的显示区域101的发光元件105的数量相同。
44.图1所示的结构中，显示基板沿第一方向x的长度大于沿第二方向y的长度，即本示例是在显示基板的长边一侧设置焊盘组件103，采用长边出pin的布局方式，在长边一侧的面积较大，方便于放置电路，有利于光机结构的匹配设计。
45.图1中发光传感器组106的检测电压输出至第一绑定电极的pad1，发光传感器组104的检测电压输出至第一绑定电极的pad2。当向发光传感器组输入测试电流时，发光传感器组将会点亮，根据分别输出至pad1和pad2的检测电压，能够分别计算出外围区域的发光传感器组106和发光传感器组104的内阻。输入给发光传感器组106的测试电流，可以与输入给发光传感器组104的测试电流不同，即不同的发光传感器组可以单独进行内阻检测。在图1中，沿显示区域101在第一方向x上的中心线将显示区域101划分为第一部分和第二部分，第一部分靠近发光传感器组106，第二部分靠近发光传感器组104，本示例中，利用发光传感器组106的内阻代表显示区域101的第一部分中发光元件的内阻，利用发光传感器组104的内阻代表显示区域101的第二部分中发光元件的内阻。
46.图2为一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图。硅基衬底11通过焊盘组件103上的绑定电极与柔性线路板20绑定连接，柔性线路板20能够实现显示基板与外部电路的电连接。在硅基衬底11上设置有发光结构层，发光结构层包括多个发光元件，多个发光元件在各自对应的第一电极和第二电极的驱动下发光，发光元件可以为oled。盖板玻璃18覆盖在发光结构层上，多个发光元件发出的光线能够透过盖板玻璃18后射出，盖板玻璃18具有保护发光元件的功能。盖板玻璃18的尺寸大于显示区域100的尺寸，盖板玻璃18的尺寸小于硅基衬底11的尺寸，且盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。为实现光线透过，盖板玻璃18可以采用透明材料进行制备，例如：具有高透过率的素玻璃。
47.在本示例中，硅基衬底11的尺寸为11.1mm*9.5mm，盖板玻璃18比硅基板11单边内缩0.1mm，为10.9mm*9.3mm，显示区域的尺寸比盖板玻璃18单边内缩0.5mm。
48.图3为一示例中显示区域的局部剖视图。如图3所示，显在垂直于显示基板的平面内，显示区域100包括：依次设置在硅基衬底11上的发光结构层、第一薄膜封装层15、彩色薄膜层16、第二薄膜封装层17、以及盖板玻璃18。发光结构层包括多个发光元件。至少一个发光元件包括：依次设置在硅基衬底上的第一电极12、有机发光层13以及第二电极14。
49.发光元件的第一电极12可以采用氧化铟锡(ito)制备，从而具有较高的透过率、高功函数等特点。有机发光层13可以采用有机材料进行制备，在发光元件的第一电极12及发光元件的第二电极14施加的电压或者电流的作用下，有机材料中激发出空穴与电子形成激子，电子与空穴复合后实现发光。发光元件的第二电极14可以采用金属材料或者合金材料进行制备，例如镁、银等金属或合金。在发光元件的第二电极14的上侧设置有第一薄膜封装层15，彩色薄膜层16对应于有机发光层13设置，可以包括rgb彩色薄膜，实现发射光的彩色化显示。在彩色薄膜层16的上侧依次设置有第二薄膜封装层17和盖板玻璃18，能够起到保护彩色薄膜层16的作用。第二薄膜封装层17可以采用密封性好的材料进行制备，例如有机材料，或者如氧化硅，氮化硅等一种或多种无机材料形成的组合材料。第二薄膜封装层17与
第一薄膜封装层15相配合，能够实现对水汽、氧气的有效阻挡，有助于延长显示基板的使用寿命。
50.图4为一示例中显示基板的平面示意图，如图4所示，有机发光层13在显示基板11上的正投影覆盖于发光元件的第一电极12在显示基板11上的正投影。彩色薄膜层16在显示基板11上的正投影覆盖于有机发光层13在显示基板11上的正投影。盖板玻璃18在显示基板11上的正投影覆盖于彩色薄膜层16在显示基板11上的正投影。从正投影的关系上也可以看出，盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。
51.图5为一示例中采用内部电流源进行检测时的电路结构示意图。图5中是以上述发光传感器组106为例进行的说明。如图5所示，发光传感器组106中包括多个并联的发光传感器1061，多个并联的发光传感器1061的第一电极(例如，阳极(anode))电连接，并与第一绑定电极电连接，第二电极与第一电源线电连接，第二电极的电压为公共电极vcom的电压。在硅基衬底11内集成有电流源电路ldo和控制晶体管m1，电流源电路ldo与控制晶体管m1的第一极电连接，控制晶体管m1的第二极与发光传感器组电连接，控制晶体管m1的栅极与参考电压电路r连接。电流源电路ldo配置为在控制晶体管m1的控制下，向发光传感器组提供测试电流。参考电压电路r配置为向控制晶体管m1输出合适的参考电压(reference)使控制晶体管m1导通，参考电压电路r可以与柔性线路板电连接。当需要对发光传感器组106进行检测时，参考电压电路r向控制晶体管m1输出合适的参考电压使控制晶体管m1导通，电流源电路ldo能够向发光传感器组106输出测试电流，发光传感器组106被点亮，并在测试电流的作用下，将第一电极电压输出至pad1。由于发光传感器组106的第二电极电压是已知的公共电极电压，根据检测到的第一电极电压和已知的第二电极电压，可以得到发光传感器组106的第一电极和第二电极(即阴极和阳极)之间的跨压，利用该跨压除以测试电流可以得到发光传感器组106的内阻，进而得到位于显示区域101第一部分的发光元件内阻。同样的电路结构和操作步骤，也能够得到发光传感器组104的内阻，进而能够得到位于显示区域101第二部分的发光元件的内阻。在进行检测时，向发光传感器组106和发光传感器组104输入的测试电流可以为不同大小的电流。
52.在显示基板的制备过程中，每个芯片(chip)例如可以包含一个显示基板，每个晶圆(wafer)例如可以包含有多个芯片。当上述检测过程发生在显示基板的制备过程中时，得到的显示区域的第一部分和第二部分的两个内阻即为初始内阻，可以对显示区域的第一部分和第二部分的初始内阻进行比较，根据比较结果，能够评估整个芯片内的内阻差异。利用这个方法，也可以比较整个晶圆上不同位置的芯片的内阻差异，从而在进行每个芯片的电性参数调试时，能够作出有针对性的调节，以保证显示基板的显示均一性，提升产品良率。
53.上述通过内部电流源进行的测试可以称为第一检测模式。在第一检测模式中，测试电流是依据发光传感器组所在区域与显示区域的电流比例关系确定的，该电流比例关系可以根据发光传感器组中包含的发光传感器的数量和连接关系以及显示区域的发光元件的数量及排布等参数进行确定，例如可以计算发光传感器组在不同亮度下的电压和电流关系，结合已经设计好的显示区域在不同亮度下的电压和电流关系，可以得到在输入同样大小的电流的情况下，发光传感器组的亮度与显示区域的亮度关系，也能够得到在显示区域与发光传感器组的亮度相同的情况下，对应的发光传感器组的电流大小以及显示区域的电流大小，从而得出电流比例关系。该电流比例关系在显示基板的设计完毕后即可确定。在本
示例中，在显示区域101沿第一方向的相对两侧的外围区域102分别设置有沿第二方向单列设置的发光传感器组104及发光传感器组106，每列发光传感器组分别包括1200个发光传感器，显示区域101中包含1200行乘以1600列个发光元件，则当输入的测试电流为10ma时，发光传感器组的电流为64灰阶下的电流，对应显示区域的电流是255灰阶下的电流。当确定了该电流比例关系后，在进行测试时，可以相应地调整测试电流的大小，能够对显示区域进行更加全面的检测。
54.图6为一示例中采用外部电流源进行检测时的电路结构示意图。图6中是以上述发光传感器组106为例进行的说明。如图6所示，发光传感器组106中包括多个并联的发光传感器1062，多个并联的发光传感器1062的第一电极(例如，阳极(anode))电连接，第二电极与第一电源线电连接，即第二电极的电压为公共电极vcom的电压，焊盘组件103包括至少一个第二绑定电极，第二绑定电极与发光传感器组的第一电极电连接，第二绑定电极配置为向发光传感器组提供测试电流。iout表示外部电源线，设置为向焊盘组件103的第二绑定电极输入测试电流以对发光传感器组进行检测。当需要对发光传感器组106进行检测时，由外部电源线iout向第二绑定电极中输入测试电流，发光传感器组106被点亮，并在测试电流的作用下，将第一电极电压输出至pad1。由于发光传感器组106的第二电极电压是已知的公共电极电压，根据检测到的第一电极电压和已知的第二电极电压，可以得到发光传感器组106的第一电极和第二电极(即阴极和阳极)之间的跨压，利用该跨压除以测试电流可以得到发光传感器组106的内阻，进而得到位于显示区域101第一部分的发光元件内阻。同样的电路结构和操作步骤，也能够得到发光传感器组104的内阻，进而得到位于显示区域101第二部分的发光元件的内阻。在进行内阻检测时，向发光传感器组106和发光传感器组104输入的测试电流可以为不同大小的电流。
55.上述通过外部电流进行的测试可以称为第二检测模式。第二检测模式下测试电流及电流比例关系的确定方式与第一检测模式中的相同，在此不再赘述。第二检测模式也可以应用在上述对初始内阻进行检测的场景。
56.图7为一示例中亮度补偿方法的流程图。如图7所示，本示例中的亮度补偿方法包括以下步骤：
57.s100：向至少一个发光传感器组提供测试电流，并通过与发光传感器组电连接的第一绑定电极获取检测电压；
58.s200：根据检测电压和测试电流，确定发光传感器组的内阻测试结果；
59.s300：根据发光传感器组的内阻测试结果，对显示区域的发光元件进行亮度补偿。
60.发光传感器组的测试数据可以代表显示区域的发光元件的对应数据，在经过多次内阻测试后，即可以得出不同时间下显示区域的第一部分、第二部分的发光元件的阳极电压、内阻、亮度等数据，以及进一步分析得到的如发光元件在不同内阻下亮度和电流的关系等数据，通过分析这些数据即可得到亮度补偿方案。例如，根据内阻随时间的变化情况可以得出起亮电压的变化，就可以根据本次测量得到的内阻，相应调节显示区域的诸如电压、电流等电性参数，实现对发光元件的亮度补偿。
61.下面以利用第二检测模式进行内阻检测为例，说明本示例中进行亮度补偿的过程。在下面的陈述中，对具体的检测过程不再赘述。图8为一示例中进行亮度补偿的示意图。如图8所示，在显示基板制备完成后，测量并记录发光传感器组的初始阳极电压v1以及初始
内阻r1，测试电流为i1时，发光传感器组的亮度为d1，计算得到初始起亮电压为x1。在经过一段时间的使用后，测量并记录发光传感器组的阳极电压v2以及内阻r2，测试电流为i1时，发光传感器组的亮度为d2，计算得到起亮电压为x2。再次经过一段时间的使用后，测量并记录发光传感器组的阳极电压v3以及内阻r3，测试电流为i1时，发光传感器组的亮度为d3，计算得到起亮电压为x3，以此类推。可以设置为每经过固定的时间间隔利用第二检测模式进行一次内阻测试，该固定的时间间隔可以根据需要进行设置。为保证在相同条件下进行分析，每次测试时输入的测试电流可以设置为相等，例如，均设置为i1。发光元件在长时间工作之后，内阻会变大，对应的起亮电压会升高。可以在每进行一次内阻测试后即进行一次亮度补偿，也可以在经过多次内阻测试后进行亮度补偿，可以根据需要选择进行亮度补偿的频率。以上述进行第二次内阻测试后即进行亮度补偿为例，在初始情况下，输入测试电流i1时，发光传感器组的亮度为d1；而在第二次内阻测试时，由于发光元件的内阻变为r2，使得在输入同样的测试电流i1的情况下，对应的亮度变为d2，此时需要通过进行亮度补偿，使得在输入同样的测试电流i1的情况下，发光传感器组的亮度仍保持为d1。这种情况下，可以根据起亮电压x2调整发光传感器组的第一电极和第二电极之间的电压差，使该电压差与内阻x2的商为i1，这样就可以使发光传感器组在正常工作时，亮度仍为d1。
62.在进行亮度补偿时，可以以整个显示区域的全部发光元件为最小补偿单位进行亮度补偿，以实现整个显示区域亮度的均一性。亮度补偿的方式可以是修改公共电极(vcom)的电压值。发光元件在长时间使用后内阻变大，在流经发光元件的电流相同时，发光元件的电压会增大，所以增大公共电极电压，有利于增大发光元件的阴极和阳极之间的跨压，由此能够确保显示基板亮度的均一性，延长显示面板的使用寿命。或者，亮度补偿的方式可以是调整输入给发光元件的数据电压，通过增大数据电压能够增大发光元件的阴极和阳极之间的跨压，可以确保显示基板亮度的均一性，延长显示基板的使用寿命。也可以采用其它亮度补偿的方式，本示例对此不做限制。
63.在进行亮度补偿时，可以以单个发光元件为最小补偿单位进行亮度补偿，例如依据显示区域的第一部分、第二部分的发光元件的内阻随时间变化的关系以及第一部分、第二部分的发光元件的排布，建立整个显示区域的每个发光元件的内阻变化模型，利用该模型能够计算出单个发光元件的平均内阻变化，可以通过调节输入给单个发光元件阳极的数据电压，以进行亮度改善。
64.在进行亮度补偿时，可以以多个发光元件(例如显示区域的第一部分的发光元件以及第二部分的发光元件)为最小补偿单位进行亮度补偿，例如可以以最小补偿单位包含的多个发光元件为单位进行调节，调整输入给该多个发光元件的数据电压。可以根据实际需求设计亮度补偿的最小单位及补偿方式，本示例对此不做限制。
65.本示例中进行亮度补偿的做法可以采用第一检测模式进行检测，检测过程不再赘述。
66.本示例在硅基oled显示基板上设置发光传感器组，发光传感器组设置在外围区域，不会影响显示画面的功能，还可以保证制作工艺的均一性。在外围区域的相对两侧各自设置发光传感器组，能够实现对显示区域的第一部分、第二部分的发光元件内阻的检测。在进行检测时，既可以采用内部电流源的第一检测模式来进行测试，也可以通过外部输入电流的第二检测模式来进行测试，可以根据需要选择检测模式。通过内阻测试可以得到发光
元件的起亮电压，通过修改公共电极的电压值或者调整输入给发光元件的数据电压以调节起亮电压，可以改善显示区域亮度的均一性。在显示基板的制备过程中，可以掌握整个芯片以及整个晶圆上的内阻分布情况，有助于对生产参数进行调节，提升产品良率。
67.本示例中的硅基oled显示基板，通过对发光元件内阻的检测，能够识别出发光元件在初始状态与长时间使用后的内阻变化，以此计算出发光元件的起亮电压的差异，并能够补偿发光元件的寿命，达到对显示基板的寿命补偿。在显示基板的寿命得到提升后，与之相连的柔性线路板的使用寿命也能够得到提升。
68.本公开实施例还提供一种显示基板的亮度补偿方法，应用于上述实施例中的显示基板，所述方法包括：向至少一个发光传感器组提供测试电流，并通过与发光传感器组电连接的第一绑定电极获取检测电压；根据所述检测电压和测试电流，确定发光传感器组的内阻测试结果；根据发光传感器组的内阻测试结果，对显示区域的发光元件进行亮度补偿。
69.本公开实施例提供的显示基板的亮度补偿方法，能够计算显示区域的发光元件的内阻，在计算出内阻后就可以得到发光元件的起亮电压，进而能够对显示基板的亮度进行补偿，有助于延长显示基板的使用寿命。
70.在一些示例性实施方式中，所述向至少一个发光传感器组提供测试电流，包括：通过所述显示基板的硅基衬底上设置的电流源向所述至少一个发光传感器组提供测试电流。
71.在一些示例性实施方式中，所述向至少一个发光传感器组提供测试电流，包括：通过所述显示基板的硅基衬底上设置的焊盘组件的第二绑定电极向所述至少一个发光传感器组提供测试电流。
72.在一些示例性实施方式中，所述根据所述检测电压和测试电流，确定发光传感器组的内阻测试结果，包括：计算所述检测电压与第一电源线的电压之间的电压差，根据所述电压差与所述测试电流确定发光传感器组的内阻测试结果。
73.在一些示例性实施方式中，所述对显示区域的发光元件进行亮度补偿，包括：修改所述发光元件的公共电极的电压值，或者调整输入给所述发光元件的数据电压。
74.在一些示例性实施方式中，所述对显示区域的发光元件进行亮度补偿，包括：以显示区域的单个或多个所述发光元件为最小补偿单位进行亮度补偿。
75.本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示基板。在一些示例性实施方式中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本公开实施例对此并不限定。
76.在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
77.虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。