显示面板及其修复方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其修复方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)作为新一代显示技术，相较于传统的液晶显示器，具有更高的对比度、更快的反应速度和更广的视角，广泛应用于智能手机及电视领域。
3.为了满足窄边框显示产品的需求，目前，阵列基板行驱动(gate driver on array，goa)技术普遍应用于oled显示面板中。然而，goa电路中易出现金属断线问题，导致级传失效，降低了goa电路的驱动性能。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及其修复方法，以解决现有技术中goa电路中的金属断线问题。
5.本技术实施例提供一种显示面板，其包括：
6.基板；
7.goa电路，设置在所述基板上，所述goa电路包括沿第一方向排列的多个goa单元，每一所述goa单元包括间隔设置且沿第二方向排列的多个薄膜晶体管；以及
8.修复线路，设置在所述goa电路上，所述修复线路包括第一修复线和第二修复线，所述第一修复线在所述基板上的正投影位于每一所述goa单元的相邻两个所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影之间，所述第一修复线沿所述第一方向延伸设置，在相邻两个所述薄膜晶体管之间，所述第一修复线的数量为至少两条；所述第二修复线在所述基板上的正投影位于相邻两个所述goa单元在所述基板上的正投影之间，所述第二修复线沿所述第二方向延伸设置，所述第二修复线与所述第一修复线相交。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述goa电路还包括：
10.连接走线，所述连接走线连接于每一所述goa单元的相邻两个所述薄膜晶体管之间，所述连接走线在所述基板上的正投影与所述第一修复线在所述基板上的正投影相交；
11.级传走线，所述级传走线连接于相邻两个所述goa单元之间，所述级传走线在所述基板上的正投影与所述第一修复线在所述基板上的正投影相交，在所述第一方向上，所述级传走线在所述基板上的正投影位于所述第二修复线在所述基板上的正投影的外侧；以及
12.时钟信号走线，所述时钟信号走线设置在相邻两个所述goa单元之间，一所述时钟信号走线对应电连接于一所述goa单元，所述时钟信号走线在所述基板上的正投影与所述第一修复线在所述基板上的正投影相交，在所述第一方向上，所述时钟信号走线在所述基板上的正投影位于所述第二修复线在所述基板上的正投影的外侧。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述第一方向上，所述第二修复线在所述基板上的正投影位于所述级传走线和所述时钟信号走线在所述基板上的正投影之间。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括阳极，所述第一修复线和所述第二修复线均与所述阳极同层且绝缘设置。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述修复线路还包括第三修复线，所述第三修复线在所述基板上的正投影位于每一所述goa单元的相邻两个所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影之间，所述第三修复线沿所述第二方向延伸设置，且与所述第一修复线相交，所述连接走线在所述基板上的正投影位于所述第三修复线和所述第二修复线在所述基板上的正投影之间。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述修复线路还包括第四修复线，所述第四修复线在所述基板上的正投影位于相邻两个所述goa单元在所述基板上的正投影之间，所述第四修复线沿所述第一方向延伸设置，且与所述第二修复线相交，所述第四修复线在所述基板上的正投影位于所述第一修复线在所述基板上的正投影的外侧，所述级传走线在所述基板上的正投影与所述第四修复线在所述基板上的正投影相交。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括遮光部，所述遮光部设置在所述goa电路远离所述基板的一侧，一所述遮光部对应覆盖一所述薄膜晶体管，所述遮光部分别与所述第一修复线和所述第四修复线相连；
18.所述显示面板还包括阳极，所述第一修复线、所述第二修复线、所述第三修复线、所述第四修复线以及所述遮光部均与所述阳极同层设置。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板具有预设熔接区，所述预设熔接区位于所述连接走线与所述修复线路的交叠区、所述级传走线与所述修复线路的交叠区以及所述时钟信号走线与所述修复线路的交叠区中的至少一者；
20.所述显示面板还包括依次设置在所述基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、层间介质层、源漏金属层、钝化层以及平坦化层，所述修复线路设置在所述平坦化层远离所述基板的一侧，所述显示面板位于所述预设熔接区的部分上开设有凹槽，所述凹槽至少贯穿所述平坦化层，所述修复线路对应所述凹槽的部分填充于所述凹槽内。
21.可选的，在本技术的一些实施例中，所述连接走线、所述级传走线和所述时钟信号走线中的至少一者位于所述源漏金属层中，所述源漏金属层包括第一预设熔接线，所述第一预设熔接线位于所述预设熔接区，所述凹槽贯穿所述平坦化层，并与所述第一预设熔接线相对设置。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，所述连接走线、所述级传走线和所述时钟信号走线中的至少一者位于所述栅极金属层中，所述栅极金属层包括第二预设熔接线，所述第二预设熔接线位于所述预设熔接区，所述凹槽依次贯穿所述平坦化层、所述钝化层以及所述层间介质层，并与所述第二预设熔接线相对设置。
23.本技术实施例还提供一种显示面板的修复方法，所述显示面板包括：
24.基板；
25.goa电路，设置在所述基板上，所述goa电路包括沿第一方向排列的多个goa单元，每一所述goa单元包括间隔设置且沿第二方向排列的多个薄膜晶体管；以及
26.修复线路，设置在所述goa电路上，所述修复线路包括第一修复线和第二修复线，所述第一修复线在所述基板上的正投影位于每一所述goa单元的相邻两个所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影之间，所述第一修复线沿所述第一方向延伸设置，在相邻两个所述
薄膜晶体管之间，所述第一修复线的数量为至少两条；所述第二修复线在所述基板上的正投影位于相邻两个所述goa单元在所述基板上的正投影之间，所述第二修复线沿所述第二方向延伸设置，所述第二修复线与所述第一修复线相交；
27.所述goa电路包括金属走线，所述金属走线的至少部分沿所述第二方向延伸设置，至少部分所述金属走线在所述基板上的正投影与所述第一修复线在所述基板上的正投影相交，且位于所述第二修复线在所述基板上的正投影的外侧，所述修复方法包括以下步骤：
28.检测所述金属走线的断线位置，所述断线位置位于相邻两条所述第一修复线之间，所述第一修复线与所述金属走线的交叠处为修复点；
29.在靠近所述修复点的区域，断开所述第一修复线和所述第二修复线相交区域以外的部分，以在所述金属走线、所述第一修复线以及所述第二修复线之间形成导电通道；
30.在所述修复点处，将所述第一修复线和所述金属走线进行熔接。
31.相较于现有技术中的显示面板，本技术提供的显示面板通过在goa电路上设置修复线路，修复线路包括第一修复线和第二修复线，第一修复线在基板上的正投影位于每一goa单元的相邻两个薄膜晶体管在基板上的正投影之间，第一修复线沿第一方向延伸设置，在相邻两个薄膜晶体管之间，第一修复线的数量为至少两条；第二修复线在基板上的正投影位于相邻两个goa单元在基板上的正投影之间，第二修复线沿第二方向延伸设置，第二修复线与第一修复线相交。本技术通过设置上述修复线路，当显示面板中的金属走线发生断线时，能够利用修复线路中的第一修复线和第二修复线对断线位置进行修复，从而能够保证金属走线的信号传输不受影响，有利于提高goa电路的驱动性能。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术第一实施例提供的显示面板的结构示意图。
34.图2是图1所示的显示面板的预设熔接区的第一结构示意图。
35.图3是图1所示的显示面板的预设熔接区的第二结构示意图。
36.图4是图1所示的显示面板的goa电路中连接走线断线时的修复结构示意图。
37.图5是图1所示的显示面板的goa电路中级传走线断线时的修复结构示意图。
38.图6是图1所示的显示面板的goa电路中时钟信号走线断线时的修复结构示意图。
39.图7是本技术第二实施例提供的显示面板的结构示意图。
40.图8是图7所示的显示面板的goa电路中连接走线断线时的修复结构示意图。
41.图9是本技术第三实施例提供的显示面板的结构示意图。
42.图10是图9所示的显示面板的goa电路中级传走线断线时的修复结构示意图。
43.图11是本技术第四实施例提供的显示面板的结构示意图。
44.图12是图11所示的显示面板的goa电路中连接走线断线时的修复结构示意图。
45.图13是图11所示的显示面板的goa电路中级传走线断线时的修复结构示意图。
46.图14是图11所示的显示面板的goa电路中时钟信号走线断线时的修复结构示意
图。
具体实施方式
47.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
48.本技术实施例提供一种显示面板及其修复方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
49.本技术提供一种显示面板，所述显示面板包括基板和设置在所述基板上的goa电路和修复线路。所述goa电路包括沿第一方向排列的多个goa单元。每一所述goa单元包括间隔设置且沿第二方向排列的多个薄膜晶体管。所述修复线路包括第一修复线和第二修复线。所述第一修复线在所述基板上的正投影位于每一所述goa单元的相邻两个所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影之间。所述第一修复线沿所述第一方向延伸设置。在相邻两个所述薄膜晶体管之间，所述第一修复线的数量为至少两条。所述第二修复线在所述基板上的正投影位于相邻两个所述goa单元在所述基板上的正投影之间。所述第二修复线沿所述第二方向延伸设置。所述第二修复线与所述第一修复线相交。
50.由此，本技术通过设置上述修复线路，当显示面板中的金属走线发生断线时，能够利用修复线路中的第一修复线和第二修复线对断线位置进行修复，从而能够保证金属走线的信号传输不受影响，有利于提高goa电路的驱动性能。
51.需要说明的是，为方便描述本技术，本技术以下各实施例仅示意出了goa电路中的两个goa单元的结构，但并不限于此。
52.请参照图1，本技术第一实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括基板10和设置在基板10上的goa电路11和修复线路12。goa电路11包括沿第一方向x排列的多个goa单元11a。每一goa单元11a包括间隔设置且沿第二方向y排列的多个薄膜晶体管111。修复线路12包括第一修复线121和第二修复线122。第一修复线121在基板10上的正投影位于每一goa单元11a的相邻两个薄膜晶体管111在基板10上的正投影之间。第一修复线121沿第一方向x延伸设置。在相邻两个薄膜晶体管111之间，第一修复线121的数量为至少两条。第二修复线122在基板10上的正投影位于相邻两个goa单元11a在基板10上的正投影之间。第二修复线122沿第二方向y延伸设置。第二修复线122与第一修复线121相交。
53.具体的，本实施例中的显示面板100还包括金属走线(图中未标识)。所述金属走线的至少部分沿第二方向y延伸设置。至少部分所述金属走线在基板10上的正投影与第一修复线121在基板10上的正投影相交，且位于第二修复线122在基板10上的正投影的外侧。
54.当goa电路11的所述金属走线发生断线时，本实施例的显示面板100的修复方法包括以下步骤：
55.b1：检测所述金属走线的断线位置，所述断线位置位于相邻两条第一修复线121之
间，第一修复线121与所述金属走线的交叠处为修复点；
56.b2：在靠近所述修复点的区域，断开第一修复线121和第二修复线122相交区域以外的部分，以在所述金属走线、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道；
57.b3：在所述修复点处，将第一修复线121和所述金属走线进行熔接。
58.因此，本实施例通过在goa电路11中设置第一修复线121和第二修复线122，当显示面板100中的金属走线发生断线时，能够利用第一修复线121和第二修复线122对断线位置进行修复，从而能够保证金属走线的信号传输不受影响，有利于提高goa电路11的驱动性能。
59.下面结合goa电路11中的金属走线类型对本实施例的显示面板100的结构及其修复方法进行详细的说明。
60.在本实施例中，goa电路11中的金属走线包括连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c。
61.连接走线11a连接于每一goa单元11a的相邻两个薄膜晶体管111之间。连接走线11a沿第二方向y延伸设置。连接走线11a在基板10上的正投影与第一修复线121在基板10上的正投影相交。
62.级传走线11b连接于相邻两个goa单元11a之间。具体的，级传走线11b可以连接于相邻两个goa单元11a中相对设置的两个薄膜晶体管111之间，也可以连接于相邻两个goa单元11a中交错设置的两个薄膜晶体管111之间。如图1所示，本实施例仅以级传走线11b连接于相邻两个goa单元11a中交错设置的两个薄膜晶体管111之间为例进行说明，但并不限于此。
63.其中，级传走线11b在基板10上的正投影与第一修复线121在基板10上的正投影相交。在第一方向x上，级传走线11b在基板10上的正投影位于第二修复线122在基板10上的正投影的外侧。
64.时钟信号走线11c设置在相邻两个goa单元11a之间。一时钟信号走线11c对应电连接于一goa单元11a，且与对应的时钟信号总线电连接。具体的，一goa单元11a中的时钟信号走线11c与对应的第一时钟信号总线ck1相连，相邻的另一goa单元11a中的时钟信号走线11c与对应的第二时钟信号总线ck2相连。
65.其中，时钟信号走线11c在基板10上的正投影与第一修复线121在基板10上的正投影相交。在第一方向x上，时钟信号走线11c在基板10上的正投影位于第二修复线122在基板10上的正投影的外侧。
66.在本实施例中，在第一方向x上，第二修复线122在基板10上的正投影位于级传走线11b和时钟信号走线11c在基板10上的正投影之间。
67.当级传走线11b或时钟信号走线11c发生断线时，上述设置可以利用第一修复线121和第二修复线122来进行断线修复。由于修复后的导通路径越短，对应走线在信号传输过程中的信号延迟几率越低，因此，上述设置可以避免因级传走线11b或时钟信号走线11c中的一者断线修复后的导通路径过大时对信号传输造成影响。
68.在本实施例中，显示面板100还包括阳极(图中未示出)，所述阳极位于显示面板100的显示区域。第一修复线121和第二修复线122均与阳极同层且绝缘设置。
69.上述设置使得在阳极的制备工艺中可以直接形成第一修复线121和第二修复线
122，无需增加显示面板100制程中的光罩数量，从而能够在不增加工艺成本的基础上形成用于修复金属走线断线的修复线路12。
70.具体的，所述阳极的材料可以为ito/ag/ito。通常情况下，连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c的片电阻大致相同，均为0.1ω
‑
0.15ω，如可以为0.1ω、0.115ω、0.12ω、0.125ω、0.13ω、0.14ω或0.15ω。ito/ag/ito走线的片电阻通常为0.2ω
‑
0.5ω，如可以为0.2ω、0.5ω、0.3ω、0.35ω、0.4ω、0.45ω或0.5ω。当第一修复线121和第二修复线122与阳极采用同一道工艺制备时，由于ito/ag/ito走线与连接走线11a/级传走线11b/时钟信号走线11c的片电阻的差异较小，因此，在使用ito/ag/ito走线作为第一修复线121和第二修复线122时，可以降低修复后的信号延迟效应。
71.显示面板100具有预设熔接区13。预设熔接区13位于连接走线11a与修复线路12的交叠区、级传走线11b与修复线路12的交叠区以及时钟信号走线11c与修复线路12的交叠区中的至少一者。预设熔接区13用于在连接走线11a、级传走线11b或时钟信号走线11c中的至少一者断开时，将断开的连接走线11a、级传走线11b或时钟信号走线11c中的至少一者与修复线路12电连接。
72.在本实施例中，连接走线11a与修复线路12的交叠区、级传走线11b与修复线路12的交叠区以及时钟信号走线11c与修复线路12的交叠区均为预设熔接区13。由此，当连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c发生断线时，可以在对应的预设熔接区13实现断线的修复。
73.在一些实施例中，还可以将连接走线11a与修复线路12的交叠区、级传走线11b与修复线路12的交叠区以及时钟信号走线11c与修复线路12的交叠区中的任意一者或者两者作为预设熔接区13，在此不再赘述。
74.请参照图2和图3，显示面板100还包括依次设置在基板10上的栅极金属层101、栅极绝缘层102、层间介质层103、源漏金属层104、钝化层105以及平坦化层106。薄膜晶体管111包括栅极111a、有源层112a、源极113a和漏极114a。其中，栅极111a位于栅极金属层101中。有源层112a位于栅极绝缘层102和层间介质层103之间。源极113a和漏极114a位于源漏金属层104中。修复线路12设置在平坦化层106远离基板10的一侧。
75.显示面板100位于预设熔接区13的部分上开设有凹槽13a。凹槽13a至少贯穿平坦化层106。修复线路12对应凹槽13a的部分填充于凹槽13a内。
76.结合图1和图2，连接走线11a、级传走线11b和时钟信号走线11c中的至少一者位于源漏金属层104中。其中，将连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c中位于源漏金属层104中的走线记为第一走线13b，并将第一走线13b位于预设熔接区13的部分记为第一预设熔接线131。第一预设熔接线131与相邻薄膜晶体管111的源极113a或漏极114a相连。第一预设熔接线131用于在第一走线13b发生断线时与预设熔接区13的修复线路12导通。其中，凹槽13a与第一预设熔接线131相对设置。凹槽13a于基板10所在平面的正投影位于第一预设熔接线131于基板10所在平面的正投影内。
77.如图2所示，由于凹槽13a贯穿平坦化层106，即修复线路12对应凹槽13a的部分延伸至平坦化层106中。通常情况下，平坦化层106为有机膜层，其厚度较大，可达1.5μm，上述设置可以减小修复线路12与第一预设熔接线131之间的距离，当需要在预设熔接区13进行断线修复时，能够增加修复线路12与第一预设熔接线131的熔接几率，有利于提高第一走线
13b的修复成功几率。
78.结合图1和图3，连接走线11a、级传走线11b和时钟信号走线11c中的至少一者位于栅极金属层101中。其中，将连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c中位于栅极金属层101中的走线记为第二走线13c，并将第二走线13c位于预设熔接区13的部分记为第二预设熔接线132。第二预设熔接线132与相邻薄膜晶体管111的栅极111a相连。第二预设熔接线132用于在第二走线13c发生断线时与预设熔接区13的修复线路12导通。其中，凹槽13a与第二预设熔接线132相对设置。凹槽13a于基板10所在平面的正投影位于第二预设熔接线132于所述基板10所在平面的正投影内。
79.如图3所示，凹槽13a依次贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，修复线路12对应凹槽13a的部分自平坦化层106延伸至层间介质层103中。
80.通常情况下，平坦化层106为有机膜层，平坦化层106的厚度较大，可达1.5μm，钝化层105为氧化硅或者氮化硅等无机膜层，钝化层105的厚度可达0.2μm，层间介质层103为无机膜层，层间介质层103的厚度可达0.2μm，上述设置可以减小修复线路12与熔接线之间的距离，另外，由于栅极绝缘层102的厚度通常仅为0.15μm，由此导致修复线路12与第二预设熔接线132之间的距离较远。上述设置通过使凹槽13a依次贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，当需要在预设熔接区13进行断线修复时，能够增加修复线路12与第二预设熔接线132的熔接几率，有利于提高第二走线13c的修复成功几率。
81.需要说明的是，在一些实施例中，凹槽13a还可以仅贯穿平坦化层106；或者，凹槽13a也还可以仅贯穿平坦化层106和钝化层105，在此不再赘述。
82.请参照图4至图6，下面结合goa电路11中的断线情况对本实施例所述的显示面板100的修复方法进行详细的阐述。
83.如图4所示，当检测到goa电路11中的连接走线11a发生断线时，连接走线11a的断线位置位于相邻两条第一修复线121之间的位置a处。此时，连接走线11a的修复方法如下：
84.b11：采用激光切割工艺切断第一修复线121和第二修复线122相交位置以外的部分，切断位置为a1、a2、a3、a4。
85.b12：采用镭射切割工艺在修复点m处进行熔接处理，以将位置a处对应的相邻两个薄膜晶体管111导通，从而实现两者之间的信号传输。其中，修复点m所在区域对应本实施例中的预设熔接区13，修复点m处对应的修复线路12为第一修复线121。
86.情形1：若连接走线11a位于源漏金属层104中，结合图2，连接走线11a对应修复点m处的部分为第一预设熔接线131，通过熔接处理使第一修复线121与第一预设熔接线131导通，并在第一预设熔接线131、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保相邻薄膜晶体管111之间的信号传输不受影响。
87.在情形1中，由于第一修复线121贯穿至平坦化层106中，使得第一修复线121和第一预设熔接线131之间距离较近，仅间隔一层钝化层105，因而能够大大提高第一修复线121和第一预设熔接线131的熔接几率。
88.情形2：若连接走线11a位于栅极金属层101中，结合图3，连接走线11a对应修复点m的部分为第二预设熔接线132，通过熔接处理使第一修复线121与第二预设熔接线132导通，并在第二预设熔接线132、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保相邻薄膜晶体管111之间的信号传输不受影响。
89.在情形2中，由于第一修复线121贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，使得第一修复线121和第二预设熔接线132之间距离较近，仅间隔一层栅极绝缘层102，因而能够大大提高第一修复线121和第二预设熔接线132的熔接几率。
90.如图5所示，当检测到goa电路11中的级传走线11b发生断线时，级传走线11b的断线位置位于相邻两条第一修复线121之间的位置b处。此时，级传走线11b的修复方法如下：
91.b21：采用激光切割工艺切断第一修复线121和第二修复线122相交位置以外的部分，切断位置为b1、b2、b3、b4。
92.b22：采用镭射切割工艺在修复点n处进行熔接处理，以将相邻goa单元11a导通，从而实现两者之间的信号传输。其中，修复点n所在区域对应本实施例中的预设熔接区13，修复点n处对应的修复线路12为第一修复线121。
93.情形1：若级传走线11b位于源漏金属层104中，结合图2，级传走线11b对应修复点n处的部分为第一预设熔接线131，通过熔接处理使第一修复线121与第一预设熔接线131导通，并在第一预设熔接线131、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保相邻goa单元11a之间的信号传输不受影响。
94.在情形1中，由于第一修复线121贯穿至平坦化层106中，使得第一修复线121和第一预设熔接线131之间距离较近，仅间隔一层钝化层105，因而能够大大提高第一修复线121和第一预设熔接线131的熔接几率。
95.情形2：若级传走线11b位于栅极金属层101中，结合图3，级传走线11b对应修复点n的部分为第二预设熔接线132，通过熔接处理使第一修复线121与第二预设熔接线132导通，并在第二预设熔接线132、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保相邻goa单元11a之间的信号传输不受影响。
96.在情形2中，由于第一修复线121贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，使得第一修复线121和第二预设熔接线132之间距离较近，仅间隔一层栅极绝缘层102，因而能够大大提高第一修复线121和第二预设熔接线132的熔接几率。
97.如图6所示，当检测到goa电路11中的时钟信号走线11c发生断线时，时钟信号走线11c的断线位置位于相邻两条第一修复线121之间的位置c处。此时，时钟信号走线11c的修复方法如下：
98.b21：采用激光切割工艺切断第一修复线121和第二修复线122相交位置以外的部分，切断位置为c1、c2、c3、c4、c5、c6。
99.b22：采用镭射切割工艺在修复点p处进行熔接处理，以将时钟信号走线11c与对应的时钟信号总线导通，从而实现两者之间的信号传输。其中，修复点p所在区域对应本实施例中的预设熔接区13，修复点p处对应的修复线路12为第一修复线121。
100.情形1：若时钟信号走线11c位于源漏金属层104中，结合图2，时钟信号走线11c对应修复点p处的部分为第一预设熔接线131，通过熔接处理使第一修复线121与第一预设熔接线131导通，并在第一预设熔接线131、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保时钟信号走线11c与对应的时钟信号总线之间的信号传输不受影响。
101.在情形1中，由于第一修复线121贯穿至平坦化层106中，使得第一修复线121和第一预设熔接线131之间距离较近，仅间隔一层钝化层105，因而能够大大提高第一修复线121和第一预设熔接线131的熔接几率。
102.情形2：若时钟信号走线11c位于栅极金属层101中，结合图3，时钟信号走线11c对应修复点p的部分为第二预设熔接线132，通过熔接处理使第一修复线121与第二预设熔接线132导通，并在第二预设熔接线132、第一修复线121以及第二修复线122之间形成导电通道，从而确保时钟信号走线11c与对应的时钟信号总线之间的信号传输不受影响。
103.在情形2中，由于第一修复线121贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，使得第一修复线121和第二预设熔接线132之间距离较近，仅间隔一层栅极绝缘层102，因而能够大大提高第一修复线121和第二预设熔接线132的熔接几率。
104.请参照图7，本技术第二实施例提供一种显示面板100。本技术第二实施例提供的显示面板100与第一实施例的不同之处在于：修复线路12还包括第三修复线123，第三修复线123在基板10上的正投影位于每一goa单元11a的相邻两个薄膜晶体管111在基板10上的正投影之间，第三修复线123沿第二方向y延伸设置，且与第一修复线121相交，连接走线11a在基板10上的正投影位于第三修复线123和第二修复线122在基板10上的正投影之间。
105.本实施例通过在修复线路12中增加第三修复线123，可以增加连接走线11a断线时的修复位置。
106.如图8所示，当检测到goa电路11中的连接走线11a发生断线时，连接走线11a的断线位置位于相邻两条第一修复线121之间的位置a处。此时，连接走线11a的修复方法如下：
107.b11’：采用激光切割工艺切断第一修复线121和第二修复线122相交位置以外的部分，切断位置为a1’、a2’、a3’、a4’。
108.b12’：采用镭射切割工艺在修复点m处进行熔接处理，以将相邻薄膜晶体管111导通，从而实现两者之间的信号传输。
109.其中，b12’与前述第一实施例中b12的不同之处仅在于：修复后的导电通道位于第一预设熔接线131/第二预设熔接线132、第一修复线121以及第三修复线123之间。
110.需要说明的是，本实施例中连接走线11a位于源漏金属层104或者栅极金属层101时的具体修复方法可以参照前述实施例中步骤b12的描述，在此不再赘述。
111.请参照图9，本技术第三实施例提供一种显示面板100。本技术第三实施例提供的显示面板100与第二实施例的不同之处在于：修复线路12还包括第四修复线124，第四修复线124在基板10上的正投影位于相邻两个goa单元11a在基板10上的正投影之间，第四修复线124沿第一方向x延伸设置，且与第二修复线122相交，第四修复线124在基板10上的正投影位于第一修复线121在基板10上的正投影的外侧，级传走线11b在基板10上的正投影与第四修复线124在基板10上的正投影相交。
112.本实施例通过在修复线路12中增加第四修复线124，能够应对级传走线11b的不同断线情况，从而实现更多断线位置的修复。
113.如图10所示，当检测到goa电路11中的级传走线11b发生断线时，级传走线11b的断线位置位于第一修复线121和第四修复线124之间的位置b’处。此时，级传走线11b的修复方法如下：
114.b21’：采用激光切割工艺切断第一修复线121、第二修复线122以及第四修复线124相交位置以外的部分，切断位置为b1’、b2’、b3’、b4’、b5’、b6’。
115.b22：采用镭射切割工艺在修复点n1’处和修复点n2’处进行熔接处理，以将相邻goa单元11a导通，从而实现两者之间的信号传输。其中，修复点n1’处和修复点n2’处所在区
域均对应本实施例中的预设熔接区13，修复点n1’处对应的修复线路12为第一修复线121，修复点n2’处对应的修复线路12为第四修复线124。
116.情形1：若级传走线11b位于源漏金属层104中，结合图2，级传走线11b对应修复点n1’/修复点n2’的部分均为第一预设熔接线131，通过熔接处理使第一修复线121与第一预设熔接线131导通、第四修复线124与第一预设熔接线131导通，并在第一预设熔接线131、第一修复线121、第二修复线122以及第四修复线124之间形成导电通道，从而确保相邻goa单元11a之间的信号传输不受影响。
117.在情形1中，由于第一修复线121和第四修复线124均贯穿至平坦化层106中，使得第一修复线121和第一预设熔接线131之间、以及第四修复线124和第一预设熔接线131之间均距离较近，仅间隔一层钝化层105，因而能够大大提高第一修复线121和第一预设熔接线131之间、以及第四修复线124和第一预设熔接线131之间的熔接几率。
118.情形2：若级传走线11b位于栅极金属层101中，结合图3，级传走线11b对应修复点n1’/修复点n2’的部分均为第二预设熔接线132，通过熔接处理使第一修复线121与第二预设熔接线132导通、第四修复线124与第二预设熔接线132导通，并在第二预设熔接线132、第一修复线121、第二修复线122以及第四修复线124之间形成导电通道，从而确保相邻goa单元11a之间的信号传输不受影响。
119.在情形2中，由于第一修复线121和第四修复线124均贯穿平坦化层106、钝化层105以及层间介质层103，使得第一修复线121和第二预设熔接线132之间、以及第四修复线124和第二预设熔接线132之间均距离较近，仅间隔一层栅极绝缘层102，因而能够大大提高第一修复线121和第二预设熔接线132之间、以及第四修复线124和第二预设熔接线132之间的熔接几率。
120.请参照图11，本技术第四实施例提供一种显示面板100。本技术第四实施例提供的显示面板100与第三实施例的不同之处在于：显示面板100还包括遮光部14，遮光部14设置在goa电路11远离基板10的一侧，一遮光部14对应覆盖一薄膜晶体管111，遮光部14分别与第一修复线121和第四修复线124相连；显示面板100还包括阳极，第一修复线121、第二修复线122、第三修复线123、第四修复线124以及遮光部14均与阳极同层设置。
121.其中，阳极的材料为ito/ag/ito。第一修复线121、第二修复线122、第三修复线123、第四修复线124以及遮光部14一体成型，且与阳极采用同一道工艺制得，其材料均为ito/ag/ito。
122.本实施例通过在goa电路11中的薄膜晶体管111上方设置遮光部14，可以遮蔽外界环境光，避免外界环境光射向薄膜晶体管111中，有利于降低薄膜晶体管111阈值电压的偏移几率，从而能够提高薄膜晶体管111的电学性能。
123.进一步的，由于本实施例在阳极的制备工艺中可以同时形成修复线路12中的所有修复线以及遮光部14，因此，本实施例在不增加工艺成本且满足断线修复需求的同时，能够提高goa电路11中薄膜晶体管111的电学性能。
124.请参照图12至图14，图12至图14依次为本实施例所述的显示面板100中连接走线11a、级传走线11b以及时钟信号走线11c断线时的修复结构示意图。
125.其中，连接走线11a断线时的修复方法以及时钟信号走线11c断线时的修复方法均可以参照前述第一实施例的描述，级传走线11b断线时的修复方法可以参照前述第三实施
例的描述，在此不再赘述。
126.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其修复方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。