超材料单元结构、超材料及超材料面板的制作方法

文档序号:33798369发布日期:2023-04-19 10:40阅读:43来源:国知局
超材料单元结构、超材料及超材料面板的制作方法

本发明实施例涉及通信领域,具体而言,涉及一种超材料单元结构、超材料及超材料面板。


背景技术:

1、随着近年来的科技发展,电磁探测技术日新月异,探测精度日益增加,对军事目标的生存能力产生提出了极大的挑战。为了降低目标被探测的可能性,目标电磁缺陷散射抑制技术的发展尤为重要。在瞬息万变的现代战争中,目标应用环境极为复杂,这也就要求缺陷散射抑制材料具备极高的环境适应性,例如曲面随形、透明等性能。

2、现有技术中并不能有效的抑制棱边散射。


技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种超材料单元结构、超材料及超材料面板,以至少解决相关技术中不能有效的抑制棱边散射的问题。

2、根据本发明的一个实施例,提供了一种超材料单元结构,包括:带通结构和带阻结构;其中,带通结构的内部被镂空,且镂空的形状与带阻结构的整体形状相吻合,带阻结构设置在带通结构的内部被镂空区域,且带阻结构的外部轮廓与带通结构的内部轮廓之间形成连通的缝隙,带通结构和带阻结构的材料均为氧化铟锡ito材料。

3、在一个示例性实施例中,带阻结构包括:两个相互垂直交叉连接的工字形结构,其中,工字形结构的中间部分间隔设置三个圆环形缝隙。

4、在一个示例性实施例中,圆环形缝隙与带阻结构的外部轮廓与带通结构的内部轮廓之间形成连通的缝隙的宽度相同。

5、根据本发明的一个实施例,提供了一种超材料,包括散射板和权利要求1至3中任一项的超材料单元结构,超材料单元结构以阵列方式排布,并贴覆在散射板的表面上。

6、在一个示例性实施例中,超材料设置有前缘棱边散射抑制区、目标区和后缘棱边散射抑制区,其中,前缘棱边散射抑制区呈三角形,用于抑制入射电磁波在前缘棱边所形成的前缘边缘绕射;后缘棱边散射抑制区呈矩形,用于抑制入射电磁波在后缘棱边所形成的后缘行波回波散射;目标区呈矩形,目标区设置在前缘棱边散射抑制区和后缘棱边散射抑制区之间。

7、在一个示例性实施例中,前缘棱边散射抑制区,包括:n列超材料单元结构和一列贴片结构,其中,贴片结构设置在远离目标区的一列中,n列超材料单元结构中每列超材料单元结构中的ito材料的厚度均不相同,n是大于1的自然数。

8、在一个示例性实施例中,前缘棱边散射抑制区的顶角设置为80°。

9、在一个示例性实施例中,后缘棱边散射抑制区,包括:m列超材料单元结构,其中,m列超材料单元结构中每列超材料单元结构中的ito材料的厚度均不相同,m是大于1的自然数。

10、根据本发明的一个实施例,提供了一种超材料面板,包括:权利要求4-8中任一项的超材料,超材料面板包括金属层。

11、通过本发明,由于超材料单元结构包括带通结构和带阻结构,带通结构的内部被镂空,且镂空的形状与带阻结构的整体形状相吻合,带阻结构设置在带通结构的内部被镂空区域,且带阻结构的外部轮廓与带通结构的内部轮廓之间形成连通的缝隙,带通结构和带阻结构的材料均为氧化铟锡ito材料。可以在需要抑制棱边散射的目标表面时,降低由棱边带来的散射增强。因此,可以解决相关技术中不能有效的抑制棱边散射的问题,达到有效的抑制棱边散射的效果。



技术特征:

1.一种超材料单元结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的超材料单元结构,其特征在于,所述带阻结构包括:

3.根据权利要求2所述的超材料单元结构,其特征在于,所述圆环形缝隙与所述带阻结构的外部轮廓与所述带通结构的内部轮廓之间形成连通的缝隙的宽度相同。

4.一种超材料,其特征在于,包括散射板和权利要求1至3中任一项所述的超材料单元结构,所述超材料单元结构以阵列方式排布,并贴覆在所述散射板的表面上。

5.根据权利要求4所述的超材料,其特征在于,所述超材料设置有前缘棱边散射抑制区、目标区和后缘棱边散射抑制区,其中,

6.根据权利要求5所述的超材料,其特征在于,所述前缘棱边散射抑制区,包括:

7.根据权利要求5所述的超材料,其特征在于,所述前缘棱边散射抑制区的顶角设置为80°。

8.根据权利要求5所述的超材料,其特征在于,所述后缘棱边散射抑制区,包括:

9.一种超材料面板,其特征在于,包括:权利要求4-8中任一项所述的超材料,所述超材料面板包括金属层。


技术总结
本发明实施例提供了一种超材料单元结构、超材料及超材料面板,该超材料单元结构,包括:带通结构和带阻结构;其中,带通结构的内部被镂空,且镂空的形状与带阻结构的整体形状相吻合,带阻结构设置在带通结构的内部被镂空区域,且带阻结构的外部轮廓与带通结构的内部轮廓之间形成连通的缝隙,带通结构和带阻结构的材料均为氧化铟锡ITO材料。通过本发明,解决了相关技术中不能有效的抑制棱边散射的问题,达到有效的抑制棱边散射的效果。

技术研发人员:刘若鹏,赵治亚,张昌磊
受保护的技术使用者:深圳光启尖端技术有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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