显示设备及制造显示设备的方法和多屏幕显示设备与流程

显示设备及制造显示设备的方法和多屏幕显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年10月23日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0138677号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法。


背景技术：

4.随着对信息显示的兴趣的增加和对使用便携式信息介质的需求的增加，对显示设备的需求显著增加，并且正在进行其商业化。
5.应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效提交日之前不是相关领域的技术人员已知或领会的部分的思想、概念或认识。


技术实现要素：

6.各种实施方式涉及通过具有最小化的无效空间和减少的掩模数量的简单制造工艺形成的显示设备以及制造该显示设备的方法。
7.实施方式可以提供显示设备，显示设备可以包括：衬底，包括显示区域和非显示区域，并且包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，在显示区域中设置在第一表面上；信号线，在非显示区域中设置在第一表面上，并且电连接至多个像素中的每个；垫层，设置在多个像素和信号线上，垫层包括暴露信号线的一部分的至少一个接触孔；连接器，设置在至少一个接触孔中，并且电连接至信号线；以及驱动器，设置在垫层上，并且通过连接器电连接至像素。
8.在实施方式中，多个像素中的每个可以包括：显示元件层，设置在衬底的第一表面上并且包括至少一个发光元件；以及像素电路层，设置在显示元件层上并且包括电连接至该至少一个发光元件的至少一个晶体管。
9.在实施方式中，显示设备还可以包括在非显示区域中设置在像素电路层和垫层之间的焊盘电极。焊盘电极可以通过至少一个接触孔将信号线电连接至连接器。
10.在实施方式中，显示元件层可以包括：第一底层，包括彼此间隔开的第一底部图案和第二底部图案；至少一个发光元件，设置在第一底部图案和第二底部图案之间；以及第一接触电极和第二接触电极，设置在至少一个发光元件上。像素电路层可以包括：第一导电图案，电连接至第一接触电极；第二导电图案，电连接至第二接触电极；第二底层，设置在显示元件层上并且与第一导电图案和第二导电图案间隔开；以及至少一个晶体管，设置在第一导电图案和第二导电图案上。
11.在实施方式中，第二底层可以与至少一个发光元件和至少一个晶体管重叠。
12.在实施方式中，第二底层可以包括设置在至少一个发光元件和至少一个晶体管之
间的光阻挡部件，光阻挡部件阻挡到至少一个晶体管的光。第二底层可以是至少一个晶体管的栅电极。
13.在实施方式中，第一导电图案、第二导电图案和第二底层各自可以包括具有反射性的导电材料。
14.在实施方式中，显示元件层还可以包括：第一绝缘层，设置在第一底层上并且暴露第一底部图案和第二底部图案中的每个的一部分；以及第二绝缘层，设置在第一接触电极和第二接触电极上并且暴露第一接触电极和第二接触电极中的每个的一部分。像素电路层还可以包括：平坦化层，在第二绝缘层上设置在第一导电图案和第二导电图案上；第三绝缘层，设置在至少一个晶体管上，并且暴露第一导电图案和第二导电图案中的每个的一部分；第一桥接图案，设置在第三绝缘层上并且电连接至第一导电图案；以及第二桥接图案，设置在第三绝缘层上，与第一桥接图案间隔开并且电连接至第二导电图案。
15.在实施方式中，多个像素中的每个可以包括发射光的发射区域。第一底层可以与发射区域重叠。
16.在实施方式中，第一底层、第一接触电极和第二接触电极可以各自包括透明导电材料。
17.在实施方式中，平坦化层可以包括仅设置在第一导电图案和第二导电图案上的部分。
18.在实施方式中，平坦化层可以设置在第一导电图案、第二导电图案和第二底层上，并且与第一导电图案和第二导电图案以及第二底层中的全部重叠。
19.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在衬底的第二表面上的虚设层。
20.在实施方式中，显示元件层还可以包括：第一绝缘层，设置在第一底层上；第一电极和第二电极，设置在第一绝缘层上并且彼此间隔开；以及第二绝缘层，设置在第一接触电极和第二接触电极上并且暴露第一接触电极和第二接触电极中的每个的一部分。像素电路层还可以包括：平坦化层，在第二绝缘层上设置在第一导电图案和第二导电图案上；第三绝缘层，设置在至少一个晶体管上并且暴露第一导电图案和第二导电图案中的每个的一部分；第一桥接图案，设置在第三绝缘层上并且电连接至第一导电图案；以及第二桥接图案，设置在第三绝缘层上，与第一桥接图案间隔开并且电连接至第二导电图案。
21.在实施方式中，多个像素中的每个可以包括发射光的发射区域。第一底层可以不与发射区域重叠。
22.在实施方式中，第一底层可以包括吸收或阻挡外部光的光阻挡部件。
23.在实施方式中，至少一个发光元件可以在第一绝缘层上设置在第一电极和第二电极之间。
24.在实施方式中，显示元件层还可以包括设置在第一电极和第二电极之间以及在第一接触电极和第二接触电极之间的附加绝缘层。至少一个发光元件可以在附加绝缘层上设置在第一电极和第二电极之间。
25.在实施方式中，至少一个晶体管可以包括：半导体层；绝缘层，设置在半导体层和第二底层之间；栅电极，与半导体层的区域重叠；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；以及第一端子和第二端子，电接触半导体层的相对端。
26.实施方式可以提供多屏幕显示设备，该多屏幕显示设备可以包括多个显示设备，
多个显示设备各自包括：显示面板，具有设置在衬底上的多个像素；垫层，设置在显示面板上，并且包括暴露显示面板的一部分的接触孔；以及驱动器，设置在垫层上并且通过设置在接触孔中的连接器电连接至多个像素。多个像素中的每个可以包括：第一底层，设置在衬底上并且包括彼此间隔开的第一底部图案和第二底部图案；至少一个发光元件，设置在第一底部图案和第二底部图案之间；以及第一接触电极和第二接触电极，设置在至少一个发光元件上；第一绝缘层，设置在第一接触电极和第二接触电极上，并且暴露第一接触电极和第二接触电极中的每个的一部分；第二底层，设置在第一绝缘层上，第二底层与电连接至第一接触电极的第一导电图案和电连接至第二接触电极的第二导电图案间隔开，并且与至少一个发光元件重叠；第二绝缘层，设置在第一导电图案、第二导电图案和第二底层上；至少一个晶体管，设置在第二绝缘层上并且电连接至该至少一个发光元件；第一桥接图案，设置在晶体管上并且电连接至第一导电图案；以及第二桥接图案，设置在晶体管上，与第一桥接图案间隔开并且电连接至第二导电图案。
27.根据前述实施方式的显示设备可以通过包括在衬底上提供包括至少一个像素区域的像素的方法来制造。
28.在实施方式中，提供像素可以包括：在衬底的第一表面上形成包括彼此间隔开的第一底部图案和第二底部图案的第一底层；在第一底部图案和第二底部图案之间对准至少一个发光元件；以及在至少一个发光元件上形成彼此间隔开的第一接触电极和第二接触电极；在第一接触电极和第二接触电极上形成第一绝缘层，第一绝缘层暴露第一接触电极和第二接触电极中的每个的一部分；在第一绝缘层上形成彼此间隔开的第一导电图案、第二导电图案和第二底层；在第一导电图案、第二导电图案和第二底层上形成至少一个晶体管；在至少一个晶体管上形成暴露第一导电图案和第二导电图案中的每个的区域的第二绝缘层；以及在第二绝缘层上形成电连接至第一导电图案的第一桥接图案和电连接至第二导电图案的第二桥接图案。
29.在实施方式中，第二底层可以设置在至少一个发光元件和至少一个晶体管之间，并且与至少一个发光元件和至少一个晶体管重叠。
附图说明
30.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上及其它的方面和特征将变得更加显而易见。
31.图1是示意性地示出根据实施方式的多屏幕显示设备的立体图。
32.图2是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图。
33.图3a是示意性地示出根据实施方式的显示设备的立体图。
34.图3b是图3a的显示面板的示意性剖视图。
35.图4是示意性地示出根据实施方式的显示面板的平面图。
36.图5a是沿着图3a的线ii-ii'截取的剖视图。
37.图5b是示出图5a的部分ea的示意性放大剖视图。
38.图6是示意性地示出根据实施方式的发光元件的立体图。
39.图7是示出图6的发光元件的剖视图。
40.图8是示出包括在图5a中所示的每个像素中的部件的电连接关系的实施方式的等
效电路图。
41.图9a至图11是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
42.图12是示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
43.图13和图14是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
44.图15a至图15n是示出制造图9a的显示面板的方法的示意性剖视图。
45.图16和图17是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
具体实施方式
46.由于本公开允许各种变化和多个实施方式，因此将在附图中示出实施方式并在书面描述中详细描述实施方式。然而，这并不旨在将本公开限制于特定的实践模式，并且应当理解，在本公开的精神和技术范围内的所有变化、等同和替代都包含在本公开中。
47.在整个本公开中，相同的附图标记在各种附图和实施方式中指代相同的部件。为了说明的清楚，附图中的元件的尺寸可以被放大。应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。在本公开中，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
48.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b或者a和b”。术语“和”以及“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
49.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个”旨在包括“从
……
的组中选择的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为意指“a、b或者a和b”。
50.还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(include)”、“具有(have)”以及它们的变型指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在或添加。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，不仅可以第一部分直接设置在第二部分上，而且还可以第三部分介于第一部分和第二部分之间。此外，当表示诸如层、膜、区域或板的第一部分形成在第二部分上时，第二部分的其上形成有第一部分的表面不限于第二部分的上表面，而是可以包括诸如第二部分的侧表面或下表面的其它表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部分在第二部分之下或下方时，不仅可以第一部分直接在第二部分之下或下方，而且还可以第三部分介于第一部分和第三部分之间。
51.例如，为了易于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下方”、“以下”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如附图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图中所示的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下方”或“以下”的设备可以被放置在另一设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。设备也可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
52.术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意指第一对象可以在第二对象上方或下方或者在第二对象的一侧，并且反之，第二对象可以在第一对象上方或下方或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在
……
之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
53.当元件被描述为与另一元件“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此并排设置，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
54.术语“面对(face)”和“面对(facing)”意指第一元件可以直接或间接与第二元件相对。在第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。
55.应当理解，当元件(例如，第一元件)被称为(可操作地或通信地)与另一元件(例如，第二元件)“联接”或“连接”/(可操作地或通信地)“联接至”或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，第一元件可以与第二元件直接联接或直接连接或者经由另一元件(例如，第三元件)与第二元件联接或连接/可以直接联接或连接至第二元件或者经由另一元件(例如，第三元件)联接或连接至第二元件。相反，应当理解，当元件(例如，第一元件)被称为“与”另一元件(例如，第二元件)“直接联接”或“直接连接”/“直接联接至”或“直接连接至”另一元件(例如，第二元件)”时，没有其它元件(例如，第三元件)介于该元件和该另一元件之间。
56.短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，以及短语“在示意性剖视图中”意指观察从侧部被垂直切割的对象的截面。
57.如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所陈述的值以及如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
58.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中限定的那些术语应解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的含义进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
59.为了详细描述本公开，参考附图描述本公开的实施方式和所需的细节，使得本公开所属领域的普通技术人员可以容易地实践本公开。此外，只要在句子中没有具体提及，单数形式也可以包括复数形式。
60.图1是示意性地示出根据实施方式的多屏幕显示设备tdd的立体图。图2是沿着图1的线i-i'截取的剖视图。图3a是示意性地示出根据实施方式的显示设备dd的立体图。图3b是图3a的显示面板dpp的示意性剖视图。图4是示意性地示出根据实施方式的显示面板dpp的平面图。图5a是沿着图3a的线ii-ii'截取的示意性剖视图。
61.参考图1至图5a，根据实施方式的多屏幕显示设备tdd可以是包括显示设备dd的多屏幕显示设备。
62.如果显示设备dd是使用至少一个表面作为显示表面的电子设备(例如，智能电话、
电视、平板个人计算机(pc)、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式pc、膝上型pc、网络书计算机、工作站、服务器、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、医疗器械、相机或可佩戴设备)，则本公开可以应用于显示设备dd。
63.多屏幕显示设备tdd(或者也称为“拼接显示器”)可以包括壳体hs以及在第一方向dr1和第二方向dr2上以矩阵形状布置或设置的显示设备dd。显示设备dd可以显示单独的图像或部分地显示图像。显示设备dd可以包括具有相同类型、结构、尺寸或方法的显示面板，但本公开不限于此。
64.显示设备dd可以以矩阵形状布置或设置。矩阵形状可以包括至少一行和至少两列。
65.壳体hs可以物理地连接显示设备dd，使得显示设备dd可以形成多屏幕显示设备tdd。壳体hs可以设置在显示设备dd的表面(或上表面)上，并且可以控制显示设备dd的移动或固定显示设备dd。显示设备dd中的每个可以通过至少一个紧固件fl可拆卸地紧固至壳体hs。因此，容易将显示设备dd附接至壳体hs或者将显示设备dd从壳体hs拆卸，使得即使显示设备dd发生故障，也可以容易地修复显示设备dd。
66.显示设备dd中的每个可以以各种形式(例如，以具有两对平行边的矩形板的形式)设置，但本公开不限于此。在显示设备dd中的每个以大致的矩形板的形式设置的情况下，两对边中的一对可以比两对边中的另一对长。尽管在附图中显示设备dd中的每个具有由线型线形成的直角拐角，但本公开不限于此。在实施方式中，在以大致的矩形板的形式设置的每个显示设备dd中，长边和短边彼此相交处的拐角可以具有大致的圆化形状。
67.在实施方式中，为了解释起见，示出了其中每个显示设备dd具有具备一对长边和一对短边的大致的矩形形状的示例。长边延伸的方向是指第二方向dr2，短边延伸的方向是指第一方向dr1，并且垂直于长边和短边的方向是指第三方向dr3。在实施方式中，每个显示设备dd的至少一部分可以具有柔性，并且显示设备dd可以在具有柔性的部分处折叠。
68.每个显示设备dd可以包括显示图像的显示区域dd_da以及提供或设置在显示区域dd_da的至少一侧上的非显示区域dd_nda。非显示区域dd_nda可以是其中不显示图像的区域。然而，本公开不限于此。在实施方式中，显示区域dd_da的形状和非显示区域dd_nda的形状可以被设计成彼此相关。
69.在实施方式中，每个显示设备dd可以包括感测区域和非感测区域。每个显示设备dd不仅可以通过感测区域显示图像，而且还可以感测在图像显示表面(或输入表面)上作出的触摸输入，或者感测从正面入射的光。非感测区域可以围绕感测区域，但这仅用于说明的目的，并且本公开不限于此。在实施方式中，显示区域dd_da的区域可以对应于感测区域。
70.在多屏幕显示设备tdd的屏幕上显示的图像可能通过设置在显示设备dd之间的边界区域中的非显示区域dd_nda(例如，通过接缝区域)断开连接。在非显示区域dd_nda的宽度(或表面面积)相对大的情况下，可能增强图像在显示设备dd之间的边界区域处的断开连接的感觉。
71.相反，在减小非显示区域dd_nda的宽度(或表面面积)的情况下，可以增大显示区域dd_da的尺寸而不增大显示设备dd的尺寸。因此，可以设置更大的显示区域dd_da。此外，在减小非显示区域dd_nda的情况下，当使用显示设备dd实现多屏幕显示设备tdd时，可以最小化显示设备dd之间的边界的可见性，使得可以显示更平滑的图像。
72.每个显示设备dd可以包括显示面板dpp和驱动器drp。
73.显示面板dpp可以显示图像。自发光显示面板(诸如，使用有机发光二极管(oled)作为发光元件的有机发光显示面板、使用纳米级发光二极管(led)作为发光元件的纳米级led显示面板以及使用量子点(qd)和有机发光二极管的量子点oled面板。诸如液晶显示(lcd)面板、电泳显示(epd)面板或电润湿显示(ewd)面板的非发光显示面板可以用作显示面板dpp。在非发光显示面板用作显示面板dpp的情况下，显示设备dd可以包括背光单元或向显示面板dpp提供光的其它发光单元。
74.显示面板dpp可以包括衬底sub、像素pxl和垫层csl。
75.衬底sub可以由具有近似的矩形形状的区域形成。然而，可以改变设置在衬底sub中的区域的数量。衬底sub的形状可以根据设置在衬底sub中的区域而改变。在实施方式中，衬底sub可以包括在第三方向dr3上彼此面对的第一表面sf1和第二表面sf2。第一表面sf1(或上表面)可以是衬底sub的其上依次设置像素pxl、垫层csl和驱动器drp的表面。第二表面sf2(或下表面)可以是其上显示图像的图像显示表面。
76.衬底sub可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。此外，衬底sub可以由具有柔性的材料制成，以便是可弯曲的或可折叠的，并且具有单层或多层结构。例如，具有柔性的材料的示例可以包括聚苯乙烯、聚乙烯基乙醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，构成衬底sub的材料不限于前述实施方式的材料。
77.衬底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以是其中提供或设置像素pxl并且因此显示图像的区域。非显示区域nda可以是其中没有提供或设置像素pxl的区域，并且因此可以是其中不显示图像的区域。
78.显示面板dpp的显示区域da可以与对应的显示设备dd的显示区域dd_da对应。显示面板dpp的非显示区域nda可以与对应的显示设备dd的非显示区域dd_nda对应。
79.像素pxl可以提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上。为了解释起见，图4仅示出了一个像素pxl，但多个像素pxl可以基本上提供或设置在衬底sub的显示区域da中。
80.像素pxl可以设置在衬底sub的显示区域da中。像素pxl中的每个是指用于显示图像的最小单元。像素pxl各自可以包括发射白光和/或彩色光的发光元件。像素pxl中的每个可以发射红色、绿色和蓝色的颜色的光，但本公开不限于此，并且像素pxl可以发射诸如青色、品红色或黄色的颜色的光。
81.像素pxl可以以矩阵形式布置或设置于在第一方向dr1上延伸的行中和在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上延伸的列中。然而，像素pxl的布置不限于特定的布置。例如，像素pxl可以以各种形式布置或设置。尽管像素pxl中的每个已经示出为具有大致的矩形形状，但本公开不限于此。像素pxl可以具有各种形状。此外，当设置像素pxl时，像素pxl可以具有不同的表面面积(或不同的尺寸)。例如，在像素pxl发射不同颜色的光的情况下，像素pxl可以按照颜色具有不同的表面面积(或不同的尺寸)或不同的形状。
82.在实施方式中，像素pxl中的每个可以包括依次设置在衬底sub的第一表面sf1上的显示元件层dpl和像素电路层pcl。
83.显示元件层dpl可以提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上，并且包括发射光的
发光元件以及与发光元件电连接的电极。例如，发光元件可以是包括无机发光材料的无机发光元件，但本公开不限于此。在实施方式中，发光元件可以是使用有机发光二极管和量子点发射光使得要发射的光的波长被改变的发光元件(量子点发光元件)。将参考图6和图7对发光元件作出详细描述。
84.像素电路层pcl可以设置在显示元件层dpl上。像素电路层pcl可以包括与显示元件层dpl的部件中的一个或多个电连接的至少一个晶体管以及电连接至晶体管的信号线。晶体管各自可以设置成使得半导体层、栅电极以及第一端子和第二端子依次堆叠在晶体管中，且绝缘层插置在半导体层、栅电极以及第一端子和第二端子之间，但本公开不限于此。此处，半导体层可以包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅和有机半导体。
85.在实施方式中，薄膜封装层tfe可以设置在显示元件层dpl上。显示面板dpp可以选择性地包括薄膜封装层tfe。
86.薄膜封装层tfe可以是封装衬底或具有具备多层结构的封装层的形式。在薄膜封装层tfe具有封装层的形式的情况下，薄膜封装层tfe可以包括无机和/或有机层。例如，薄膜封装层tfe可以具有通过依次堆叠无机层、有机层和无机层而形成的结构。薄膜封装层tfe可以防止外部空气或水渗入显示元件层dpl或像素电路层pcl。在实施方式中，可以省略薄膜封装层tfe。
87.与像素pxl电连接的线部分可以设置在衬底sub的非显示区域nda中。线部分可以将驱动器drp与像素pxl电连接。线部分可以是与电连接至每个像素pxl以向像素pxl提供信号的信号线(例如，扫描线、数据线和发射控制线)电连接的扇出线。此外，线部分可以是与电连接至每个像素pxl以实时补偿像素pxl的电特性的变化的信号线(例如，控制线和感测线)电连接的扇出线。
88.垫层csl可以提供或设置在薄膜封装层tfe上。垫层csl可以是用于保护设置在其下方的像素pxl的保护膜。垫层csl可以包括包括有机材料的有机绝缘层，但本公开不限于此。在实施方式中，垫层csl可以起到减轻外部冲击的作用，并且包括可弹性变形的材料。在实施方式中，垫层csl和衬底sub可以包括相同的材料或类似的材料，或者垫层csl可以包括从作为衬底sub的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。然而，垫层csl的材料不限于前述实施方式的材料，并且可以选择一种或多种适当的材料来形成垫层csl，只要其不影响通过显示设备dd显示的图像即可。
89.垫层csl可以包括一个或多个接触孔ch。接触孔ch可以设置在其中可以设置有像素pxl的显示区域da中以分散在显示区域da中，或者可以设置在特定的或选定的区域(例如，非显示区域nda)中，并且可以穿过垫层csl。连接器cm(连接构件)可以提供或设置在每个接触孔ch中。
90.连接器cm可以是导电粘合部件。如图5a中所示，连接器cm可以将电连接至像素pxl中的每个的信号线sl与设置在显示面板dpp上的驱动器drp电连接。此处，导电粘合部件可以形成为各向异性导电膜，但本公开不限于此。
91.信号线sl可以与每个像素pxl电连接，以向对应的像素pxl施加信号(或电压)。例如，信号线sl可以是向对应的像素pxl发送扫描信号的扫描线，或者可以是电连接至扫描线的扇出线。此外，信号线sl可以是将数据信号传输至对应的像素pxl的数据线，或者可以是电连接至数据线的扇出线。信号线sl可以是将驱动电源的电压传输至对应的像素pxl的电
力线，或者可以是电连接至电力线的扇出线。此外，信号线sl可以是将发射控制信号传输至对应的像素pxl的发射控制线，或者可以是电连接至发射控制线的扇出线。然而，本公开不限于此。在实施方式中，连接器cm可以是电连接至导电粘合部件的焊盘电极。
92.驱动器drp可以设置在显示面板dpp的垫层csl上，以通过连接器cm与像素pxl电连接。驱动器drp可以包括电路衬底(未示出)，电路衬底上安装有电连接至提供或设置在每个像素pxl中的发光元件的驱动芯片。
93.在下文中，将参考图5b集中于穿过垫层csl的接触孔ch形成在非显示区域dd_nda中的情况来描述显示面板dpp和驱动器drp之间的连接关系。
94.图5b是示出图5a的部分ea的示意性放大剖视图。
95.关于图5b的显示设备，以下描述将集中于与前述实施方式的不同之处，以避免重复描述。
96.参考图3a、图4、图5a和图5b，显示面板dpp和驱动器drp可以设置在显示设备dd的非显示区域dd_nda中。
97.设置在非显示区域dd_nda中的显示面板dpp可以包括可以依次提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上的绝缘层、信号线sl、焊盘电极pd、垫层csl和连接器cm。
98.绝缘层可以包括依次提供或设置和/或形成在第一表面sf1上的第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3、第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5以及钝化层psv。
99.第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3、第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。
100.第一绝缘层ins1可以提供或设置和/或形成在衬底sub的第一表面sf1上。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，无机材料可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的材料中的至少一种。然而，第一绝缘层ins1的材料不限于前述实施方式的材料。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括包括有机材料的有机绝缘层。第一绝缘层ins1可以设置成单层结构，并且第一绝缘层ins1也可以设置成具有至少两个层的多层结构。
101.第二绝缘层ins2可以提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1上。在实施方式中，第二绝缘层ins2可以仅提供或设置在显示设备dd的显示区域dd_da的区域中，并且可以不提供或设置在非显示区域dd_nda中。
102.第三绝缘层ins3可以提供或设置和/或形成在第二绝缘层ins2上。第三绝缘层ins3可以包括有机绝缘层以减小由设置在其下方的部件引起的台阶差，其中有机绝缘层包括有机材料。
103.第四绝缘层ins4可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上。第四绝缘层ins4和第一绝缘层ins1可以包括相同的材料或类似的材料，或者第四绝缘层ins4可以包括从作为第一绝缘层ins1的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。
104.第五绝缘层ins5可以提供或设置和/或形成在第四绝缘层ins4上。第五绝缘层ins5可以形成为包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。信号线sl可以提供和/或设置在第五绝缘层ins5上。
105.钝化层psv可以提供或设置和/或形成在其上设置有信号线sl的第五绝缘层ins5上。钝化层psv可以是包括有机材料的有机绝缘层，并且可以部分地开口以暴露信号线sl的
至少一部分。钝化层psv可以形成为包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。无机绝缘层可以包括例如诸如硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的材料中的至少一种。有机绝缘层可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
106.信号线sl可以是通过连接器cm电连接至驱动器drp的扇出线，以将信号(或电压)传输至设置在显示设备dd的显示区域dd_da(或衬底sub的显示区域da)中的像素pxl。信号线sl可以是参考图5a描述的信号线sl。信号线sl可以提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3、第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5的绝缘层中的任一个上。例如，信号线sl可以提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上，但本公开不限于此。
107.焊盘电极pd可以提供或设置和/或形成在钝化层psv上，并且与信号线sl的暴露于外部的至少一部分电连接。焊盘电极pd可以是将信号线sl与驱动器drp电连接的中间介质。焊盘电极pd的一侧可以接触设置在穿过垫层csl的接触孔ch中的连接器cm，并且焊盘电极pd的另一侧可以接触信号线sl。连接器cm和信号线sl可以在显示设备dd的非显示区域dd_nda中通过焊盘电极pd彼此电连接。因此，显示面板dpp和驱动器drp可以在非显示区域dd_nda中彼此电连接。
108.在实施方式中，可以省略焊盘电极pd。信号线sl可以接触或直接接触连接器cm并且与连接器cm电连接和/或物理地连接。
109.垫层csl可以提供或设置和/或形成在焊盘电极pd和钝化层psv上。垫层csl可以包括暴露焊盘电极pd的一部分的接触孔ch。接触孔ch可以形成在非显示区域dd_nda中。连接器cm可以提供或设置在接触孔ch中。连接器cm可以是导电粘合部件。
110.如前述实施方式中所描述的，设置在显示面板dpp上的驱动器drp可以通过垫层csl的设置在非显示区域dd_nda中的接触孔ch与显示面板dpp电连接。然而，本公开不限于此。在实施方式中，设置在显示面板dpp上的驱动器drp可以通过形成在显示区域dd_da中的接触孔ch与显示面板dpp电连接。
111.图6是示意性地示出根据实施方式的发光元件ld的立体图，并且图7是图6的发光元件ld的示意性剖视图。
112.在实施方式中，发光元件ld的类型和/或形状不限于图6和图7中所示的实施方式的发光元件ld的类型和/或形状。
113.参考图6和图7，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。例如，发光元件ld可以形成为通过依次堆叠第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13而形成的发光叠层。
114.发光元件ld可以形成为在一方向上延伸的形状。如果发光元件ld延伸的方向被限定为纵向方向，则发光元件ld可以在纵向方向上具有第一端(或下端)和第二端(或上端)。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件ld的第一端(或下端)上。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的第二端(或上端)上。例如，第一半导体层11可以设置在发光元件ld的第一端(或下端)上，并且第二半导体层13可以设置在发光元件ld的第二端(或上端)上。
115.发光元件ld可以具有各种形状。例如，发光元件ld可以具有可以在纵向方向上可以是长的(例如，具有大于1的纵横比)的大致的杆状形状、大致的棒状形状或大致的筒状或大致的柱状形状。然而，本公开不限于此。在实施方式中，发光元件ld可以具有可以在纵向方向上是短的(例如，具有小于1的纵横比)的大致的杆状形状、大致的棒状形状或大致的筒状或大致的柱状形状。在实施方式中，发光元件ld可以具有其中其长度l和其直径d可以彼此相同的大致的杆状形状、大致的棒状形状或大致的筒状或大致的柱状形状。
116.在实施方式中，发光元件ld在纵向方向上的长度l可以大于其直径d(或其截面的宽度)。发光元件ld可以包括发光二极管(led)，该发光二极管(led)被制造成具有微型或超小型尺寸，例如，直径d和/或长度l到微米级至纳米级的程度。
117.在发光元件ld在纵向方向上是长的情况下，发光元件ld的直径d可以近似为约0.5μm至约6μm，并且其长度l可以近似为约1μm至约10μm。然而，发光元件ld的直径d和长度l不限于此。可以改变发光元件ld的尺寸以满足应用发光元件ld的照明设备或自发光显示设备的条件(或设计条件)。
118.第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层，n型半导体层可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn的半导体材料，并且掺杂有第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)，诸如si、ge、sn或te。然而，第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种其它材料形成。在实施方式中，第一半导体层11可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第一半导体层11可以包括与有源层12接触的上表面和在发光元件ld的纵向方向上暴露于外部的下表面。第一半导体层11的下表面可以对应于发光元件ld的第一端(或下端)。
119.有源层12可以设置在第一半导体层11上，并且具有单量子阱或多量子阱结构。例如，在有源层12具有多量子阱结构的情况下，有源层12可以通过周期性地和重复地堆叠作为一个单元设置的阻挡层(未示出)、应变增强层和阱层来形成。应变增强层可以具有比阻挡层的晶格常数小的晶格常数，使得可以进一步增强要施加至阱层的应变(例如，压应变)。然而，有源层12的结构不限于前述实施方式的有源层12的结构。
120.有源层12可以发射具有约400nm至约900nm的波长的光，并且使用双异质结构。在实施方式中，可以在发光元件ld的纵向方向上在有源层12的上部分和/或下部分上形成掺杂有导电掺杂剂的包层(未示出)。例如，包层可以形成为algan层或inalgan层。在实施方式中，诸如algan或inalgan的材料可以用于形成有源层12，并且各种其它材料可以形成有源层12。有源层12可以包括接触第一半导体层11的第一表面和接触第二半导体层13的第二表面。
121.如果将具有一电压或更高电压的电场施加到发光元件ld的相对端，则发光元件ld可以通过有源层12中的电子-空穴对的耦合来发射光。由于可以通过使用前述原理来控制发光元件ld的光发射，因此发光元件ld可以用作各种发光器件以及显示设备的像素的光源(发光源)。
122.第二半导体层13可以设置在有源层12的第二表面上，并且包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层，该p型半导体层可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn的半导体材料，并且掺杂有第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)，诸如
mg、zn、ca、sr或ba。然而，用于形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料形成。在实施方式中，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第二半导体层13可以包括与有源层12的第二表面接触的下表面和在发光元件ld的纵向方向上暴露于外部的上表面。此处，第二半导体层13的上表面可以对应于发光元件ld的第二端(或上端)。
123.在实施方式中，第一半导体层11和第二半导体层13可以在发光元件ld的纵向方向上具有不同的厚度。例如，在发光元件ld的纵向方向上，第一半导体层11可以具有比第二半导体层13的厚度大的厚度。因此，发光元件ld的有源层12可以设置成更靠近第二半导体层13的上表面而不是第一半导体层11的下表面。
124.尽管第一半导体层11和第二半导体层13各自被示出为形成为单层，但本公开不限于此。在实施方式中，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13各自还可以包括一个或多个层，例如，包层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。tsbr层可以是应变释放层，其晶格结构设置在其它半导体层之间，使得应变释放层用作缓冲层以减小晶格常数的差异。尽管tsbr层可以形成为诸如p-gainp、p-alinp或p-algainp的p型半导体层，但本发明不限于此。
125.在实施方式中，发光元件ld除了包括第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13之外还可以包括设置在第二半导体层13上的附加电极(未示出，并且下文中称为“第一附加电极”)。在实施方式中，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11的第一端上的另一附加电极(未示出，并且下文中称为“第二附加电极”)。
126.第一附加电极和第二附加电极中的每个可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。在实施方式中，第一附加电极和第二附加电极中的每个可以是肖特基接触电极。第一附加电极和第二附加电极可以包括导电材料。例如，第一附加电极和第二附加电极可以包括不透明金属，诸如铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)以及其氧化物或合金，它们可以单独使用或组合使用，但本公开不限于此。在实施方式中，第一附加电极和第二附加电极还可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)。
127.包括在第一附加电极和第二附加电极中的材料可以彼此相同或不同。第一附加电极和第二附加电极可以是基本上透明的或半透明的。因此，由发光元件ld产生的光可以穿过第一附加电极和第二附加电极，并且发射至发光元件ld外部。在实施方式中，在由发光元件ld产生的光通过除了发光元件ld的相对端之外的区域发射至发光元件ld外部而不是穿过第一附加电极和第二附加电极的情况下，第一附加电极和第二附加电极可以包括不透明金属。
128.在实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘膜(或绝缘层)14。然而，在实施方式中，绝缘膜14可以被省略，或者可以仅覆盖第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13中的一个或多个，或者与第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13中的一个或多个重叠。
129.绝缘膜14可以防止有源层12由于与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触而短路。此外，绝缘膜14可以最小化发光元件ld的表面中的缺陷，从而提高发光元件ld的寿命和其发光效率。在发光元件ld设置成彼此紧密接触的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。不限制是否设置绝缘膜14，只要可
以防止有源层12与外部导电材料短路即可。
130.绝缘膜14可以围绕包括第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的发射叠层的整个外周表面。
131.尽管在前述实施方式中，绝缘膜14已经被描述为围绕第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13的各外周表面的整体，但本公开不限于此。在实施方式中，在发光元件ld可以包括第一附加电极的情况下，绝缘膜14可以围绕第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和第一附加电极的各外周表面的整体。在实施方式中，绝缘膜14可以不围绕第一附加电极的外周表面的整体，或者可以围绕第一附加电极的外周表面的仅一部分，但可以不围绕第一附加电极的外周表面的其余部分。此外，在实施方式中，在第一附加电极设置在发光元件ld的第二端(或上端)上并且第二附加电极设置在发光元件ld的第一端(或下端)上的情况下，绝缘膜14可以暴露第一附加电极和第二附加电极中的每个的至少一个区域。
132.绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括从由硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)、钛氧化物(tio
x
)、铪氧化物(hfo
x
)、钛锶氧化物(srtio
x
)、钴氧化物(co
x
oy)、氧化镁(mgo)、锌氧化物(zno
x
)(锌氧化物(zno
x
)可以是zno或zno2)、钌氧化物(ruo
x
)、氧化镍(nio)、钨氧化物(wo
x
)、钽氧化物(tao
x
)、钆氧化物(gdo
x
)、锆氧化物(zro
x
)、镓氧化物(gao
x
)、钒氧化物(v
x
oy)、zno:al、zno:b、in
x
oy:h、铌氧化物(nb
x
oy)、镁氟化物(mgf
x
)、铝氟化物(alf
x
)、alucone聚合物膜、氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、铝氮化物(aln
x
)、氮化镓(gan)、氮化钨(wn)、氮化铪(hfn)、氮化铌(nbn)、氮化钆(gdn)、氮化锆(zrn)和氮化钒(vn)构成的组中选择的一种或多种绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且可以使用具有绝缘性的各种材料作为绝缘膜14的材料。
133.绝缘膜14可以以单层的形式或者以包括至少双层的多层的形式设置。
134.在实施方式中，发光元件ld可以被实现为具有核-壳结构的发光图案。第一半导体层11可以设置在发光元件ld的核中，例如，发光元件ld的中央部分中。有源层12可以提供或设置和/或形成为围绕第一半导体层11的外周表面。第二半导体层13可以提供或设置和/或形成为围绕有源层12。此外，发光元件ld还可以包括围绕第二半导体层13的至少一个侧的附加电极(未示出)。在实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘膜14，绝缘膜14提供或设置在具有核-壳结构的发光图案的外周表面上，并且可以包括透明绝缘材料。可以通过生长方法来制造实现为具有核-壳结构的发光图案的发光元件ld。
135.发光元件ld可以用作用于各种发光器件的发光源(或光源)。发光元件ld可以通过表面处理工艺制造。例如，可以对发光元件ld进行表面处理，使得当发光元件ld与流体溶液(或溶剂)混合并且供应给每个像素区域(例如，每个像素的发射区域或每个子像素的发射区域)时，发光元件ld可以均匀地分布，而不是在溶液中不均匀地聚集。
136.包括以上描述的发光元件ld的发光单元(或发光器件)可以用在需要光源的各种类型的设备(包括显示设备)中。例如，在发光元件ld设置在显示面板的每个像素的像素区域中的情况下，发光元件ld可以用作像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件ld也可以用于需要光源的其它类型的电子设备(诸如，照明设备)中。
137.图8是示出包括在图5a中所示的每个像素pxl中的部件的电连接关系的实施方式的等效电路的示图。
138.例如，图8示出了根据实施方式的可以在有源显示设备中使用的像素pxl中包括的
部件的电连接关系。然而，实施方式可以应用于的像素pxl中包括的部件的类型不限于此。
139.在图8中，不仅图5a中所示的像素中的每个中包括的部件而且在其中提供或设置部件的区域都被称为“像素pxl”。
140.参考图5a至图8，每个像素pxl(在下文中称为“像素”)可以包括发射单元emu，发射单元emu产生具有与数据信号对应的亮度的光。此外，像素pxl还可以选择性地包括驱动发射单元emu的像素电路pxc。
141.像素电路pxc可以电连接至对应的像素pxl的扫描线和数据线。例如，在像素pxl设置在显示区域da的第i行(其中i是整数)和第j列(其中j是整数)中的情况下，像素pxl的像素电路pxc可以电连接至显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。此外，像素电路pxc可以电连接至显示区域da的第i控制线cli和第j感测线senj。
142.像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3以及存储电容器cst。
143.第一晶体管t1(驱动晶体管)可以包括电连接至第一驱动电源vdd的第一端子以及电连接至发光元件ld中的每个的第一电极el1的第二端子。第一晶体管t1的栅电极可以电连接至第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制要供应给发光元件ld的驱动电流的量。
144.第二晶体管t2(开关晶体管)可以包括电连接至数据线(例如，第j数据线dj)的第一端子以及电连接至第一节点n1的第二端子。此处，第二晶体管t2的第一端子和第二端子可以彼此不同，并且例如，如果第一端子是漏电极，则第二端子可以是源电极。第二晶体管t2的栅电极可以电连接至第i扫描线si。
145.当具有能够使第二晶体管t2导通的电压的扫描信号从第i扫描线si供应给第二晶体管t2时，第二晶体管t2可以被导通以将第j数据线dj电连接至第一节点n1。此处，可以将对应的帧的数据信号供应给第j数据线dj，并且因此可以将该数据信号传输至第一节点n1。传输至第一节点n1的数据信号可以被充电至存储电容器cst。
146.第三晶体管t3可以电连接在第一晶体管t1和第j感测线senj之间。例如，第三晶体管t3的第一端子可以电连接至第一晶体管t1的电连接至第一电极el1的第二端子。第三晶体管t3的第二端子可以电连接至第j感测线senj。第三晶体管t3的栅电极可以电连接至第i控制线cli。第三晶体管t3可以在感测时段期间由具有供应给第i控制线cli的栅极导通电压的控制信号导通，以便将第j感测线senj电连接至第一晶体管t1。
147.感测时段可以是在其中提取设置在显示区域da中的像素pxl中的每个的特征信息(例如，第一晶体管t1的阈值电压等)的时段。
148.存储电容器cst可以包括电连接至第一驱动电源vdd的第一电极以及电连接至第一节点n1的第二电极。可以用与供应给第一节点n1的数据信号对应的电压对存储电容器cst进行充电，并且维持充电的电压，直到向其供应后续帧的数据信号。
149.发射单元emu可以包括电连接在第一电力线pl1和第二电力线pl2之间的发光元件ld，第一驱动电源vdd的电压被施加至第一电力线pl1，第二驱动电源vss的电压被施加至第二电力线pl2。例如，发射单元emu可以包括经由像素电路pxc和第一电力线pl1电连接至第一驱动电源vdd的第一电极el1(或“第一对准电极”)、通过第二电力线pl2电连接至第二驱动电源vss的第二电极el2(或“第二对准电极”)以及在第一电极el1和第二电极el2之间以
相同方向彼此并联电连接的发光元件ld。
150.包括在发射单元emu中的发光元件ld中的每个可以包括通过第一电极el1电连接至第一驱动电源vdd的第一端和通过第二电极el2电连接至第二驱动电源vss的第二端。第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电位。例如，第一驱动电源vdd可以被设置为高电位电源，并且第二驱动电源vss可以被设置为低电位电源。此处，在像素pxl的发光时段期间，第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之间的电位差可以被设置为等于或大于发光元件ld的阈值电压的值的值。
151.如上所述，发光元件ld可以形成相应的有效光源，并且可以在第一电极el1和第二电极el2之间以相同方向(例如，以前向方向)彼此并联电连接，具有不同电位的电压被分别供应至第一电极el1和第二电极el2。有效光源可以形成像素pxl的发射单元emu。
152.发射单元emu的发光元件ld可以发射具有与通过像素电路pxc供应给其的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路pxc可以向发射单元emu供应与相应帧数据的灰度级值对应的驱动电流。供应给发射单元emu的驱动电流可以流入相应的发光元件ld中。因此，发光元件ld中的每个可以发射具有与施加至其的电流对应的亮度的光，使得发射单元emu可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
153.在实施方式中，发射单元emu还可以包括至少一个无效光源(例如，反向发光元件ldr)以及形成相应的有效光源的发光元件ld。反向发光元件ldr可以与形成有效光源的发光元件ld一起在第一电极el1和第二电极el2之间彼此并联电连接。此处，反向发光元件ldr可以以与发光元件ld相反的方向电连接在第一电极el1和第二电极el2之间。即使当在第一电极el1和第二电极el2之间施加驱动电压(例如，前向驱动电压)时，反向发光元件ldr也可能维持失效。因此，电流基本上不流过反向发光元件ldr。
154.每个发射单元emu可以包括至少一个串联级，串联级包括彼此并联电连接的发光元件ld。例如，如图8中所示，发射单元emu可以具有串联或并联结构。
155.发射单元emu可以包括依次电连接在第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之间的第一串联级set1和第二串联级set2。第一串联级set1可以包括形成其对应的串联级的电极对的两个电极el1和cte1以及在该两个电极el1和cte1之间以相同方向彼此并联电连接的发光元件ld，并且第二串联级set2可以包括形成其对应的串联级的电极对的两个电极cte2和el2以及在该两个电极cte2和el2之间以相同方向彼此并联电连接的发光元件ld。
156.第一串联级set1可以包括第一电极el1、第一中间电极cte1以及电连接在第一电极el1和第一中间电极cte1之间的至少一个第一发光元件ld1。此外，第一串联级set1可以包括以与第一发光元件ld1的方向相反的方向电连接在第一电极el1和第一中间电极cte1之间的反向发光元件ldr。
157.第二串联级set2可以包括第二中间电极cte2、第二电极el2以及电连接在第二中间电极cte2和第二电极el2之间的至少一个第二发光元件ld2。此外，第二串联级set2可以包括以与第二发光元件ld2的方向相反的方向电连接在第二中间电极cte2和第二电极el2之间的反向发光元件ldr。
158.第一串联级set1的第一中间电极cte1和第二串联级set2的第二中间电极cte2可以彼此集成并电连接。例如，第一中间电极cte1和第二中间电极cte2可以形成将第一串联级set1电连接至第二串联级set2的中间电极cte，其中第一串联级set1和第二串联级set2
依次设置。在第一中间电极cte1和第二中间电极cte2集成的情况下，第一中间电极cte1和第二中间电极cte2可以是中间电极cte的不同区域。
159.在前述实施方式中，第一串联级set1的第一电极el1可以是每个像素pxl的发射单元emu的阳极电极。第二串联级set2的第二电极el2可以是发射单元emu的阴极电极。
160.尽管图8示出了第一晶体管t1至第三晶体管t3是n型晶体管的实施方式，但本公开不限于此。例如，第一晶体管t1至第三晶体管t3中的至少一个可以改变为p型晶体管。此外，尽管图8示出了发射单元emu电连接在像素电路pxc和第二驱动电源vss之间的实施方式，但发射单元emu可以电连接在第一驱动电源vdd和像素电路pxc之间。
161.像素电路pxc的结构可以以各种方式改变。例如，像素电路pxc还可以包括至少一个晶体管元件(诸如，初始化第一节点n1的晶体管元件和/或控制发光元件ld的发光时间的晶体管元件)或其它电路元件(诸如，用于提高第一节点n1的电压的升压电容器)。
162.可以应用于本公开的像素pxl的结构不限于图8中所示的实施方式，并且像素pxl可以具有各种结构。例如，在本公开的精神和范围内，每个像素pxl可以设置在无源发光显示设备等中。可以省略像素电路pxc，并且包括在发射单元emu中的发光元件ld的相对端可以电连接至或者直接且电连接至第i扫描线si、第j数据线dj、控制线、第一驱动电源vdd要施加至的第一电力线pl1和/或第二驱动电源vss要施加至的第二电力线pl2。
163.图9a至图11是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。图12是示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。图12是显示设备的剖视图，其示意性地示出了设置在图9b的显示面板之上的驱动器drp。
164.图9a、图10和图11示出了接触孔ch和连接器cm没有设置在像素区域pxa中的像素pxl的各种实施方式。图9b、图9c和图12示出了接触孔ch和连接器cm设置在像素区域pxa中并且单个像素pxl可以通过接触孔ch和连接器cm电连接至或者直接且电连接至驱动器drp的示例。
165.尽管图9a至图12简单地示出了其中每个电极形成为单个电极并且每个绝缘层形成为单个绝缘层的像素pxl，但本公开不限于此。
166.尽管图9a至图12示出了一个发光元件ld设置在其中提供或设置像素pxl的像素区域pxa中的情况，但本公开不限于此。例如，至少两个发光元件ld可以设置在像素区域pxa中。
167.此外，在实施方式的描述中，词语“部件提供或设置和/或形成在相同的层上”可以意指部件通过相同的工艺形成，并且词语“部件提供或设置和/或形成在不同的层上”可以意指部件通过不同的工艺形成。
168.参考图4、图5a、图5b以及图9a至图12，根据实施方式的显示面板dpp可以包括衬底sub、垫层csl和至少一个像素pxl。
169.衬底sub可以包括在第三方向dr3上(或在衬底sub的厚度方向上)彼此相对的第一表面sf1和第二表面sf2。在实施方式中，第一表面sf1可以是衬底sub的上表面，并且第二表面sf2可以是衬底sub的下表面。在实施方式中，第二表面sf2可以是显示设备dd的图像显示表面。
170.绝缘层和导电层可以设置在衬底sub的第一表面sf1上。例如，绝缘层可以包括可以依次堆叠在衬底sub的第一表面sf1上的第一绝缘层ins1至第五绝缘层ins5、钝化层psv
等。
171.导电层可以提供或设置和/或形成在绝缘层之间。例如，导电层可以包括提供或设置和/或形成在衬底sub上的第一导电层、提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上的第二导电层、提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上的第三导电层、提供或设置在第四绝缘层ins4上的第四导电层以及提供或设置在第五绝缘层ins5上的第五导电层。然而，提供或设置在衬底sub上的绝缘层和导电层不限于前述实施方式的绝缘层和导电层。在实施方式中，除了绝缘层和导电层之外，可以在衬底sub的第一表面sf1上提供或设置其它绝缘层和其它导电层。
172.像素pxl可以提供或设置在像素区域pxa中，像素区域pxa设置在衬底sub的显示区域da中。像素区域pxa可以包括发射光的发射区域ema以及围绕发射区域ema的外围区域。此处，外围区域可以包括非发射区域，没有光从非发射区域发射。像素pxl可以包括在像素区域pxa中设置在衬底sub上的显示元件层dpl以及提供或设置在显示元件层dpl上的像素电路层pcl。像素pxl可以在图9a至图12的箭头的方向上朝向衬底sub的第二表面sf2发射光。
173.显示元件层dpl可以包括提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上的第一底层btl1、设置在第一绝缘层ins1上的至少一个发光元件ld以及提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第三绝缘层ins3。
174.第一底层btl1可以包括可以提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上并且在第一方向dr1上彼此间隔开的第1-1底部图案或第一底部图案btl1_1以及第1-2底部图案或第二底部图案btl1_2。第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以在衬底sub的第一表面sf1上彼此电分离和/或物理地分离。为了便于说明，尽管图9a至图12示出了第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间在第一方向dr1上的距离大于发光元件ld的长度l，但本公开不限于此。在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间在第一方向dr1上的距离可以等于或不同于发光元件ld的长度l(参考图6)。
175.第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以包括透明导电材料(或透明导电物质)，以防止当光在显示设备dd的图像显示方向上(例如，在朝向衬底sub的第二表面sf2的方向上)行进时，由发光元件ld发射的光的路径被第1-1底部图案btl1_1或第1-2底部图案btl1_2阻碍。透明导电材料(或透明导电物质)可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo))以及导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot))。在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以包括半透明(或不透明)金属。例如，半透明金属可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金的金属。在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2包括不透明金属的情况下，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以设置在衬底sub的第一表面sf1上而不与由发光元件ld发射的光的路径重叠，以便当光朝向衬底sub的第二表面sf2行进时最小化光损失。
176.第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的材料不限于前述材料。
177.尽管第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个可以提供或设置和/或形成为单层结构，但本公开不限于此。在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部
图案btl1_2中的每个可以提供或设置和/或形成为多层结构，该多层结构通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的至少两种材料而形成。
178.如上所述，在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2包括透明或半透明材料(或透明或半透明材料物质)的情况下，第一底层btl1可以是提供或设置和/或形成在衬底sub上的第一导电层。
179.在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以用作对准电极(或对准线)，对准电极(或对准线)用于通过在发光元件ld对准在像素pxl的发射区域ema中之前从相应的对准焊盘接收对准信号(或对准电压)来对准发光元件ld。要发送至第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的对准信号(或对准电压)可以是具有适于在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间对准发光元件ld的电压差和/或相位差的信号。要分别发送至第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的对准信号(或对准电压)中的至少一个对准信号(或至少一个对准电压)可以是交流(ac)信号(或ac电压)，但本公开不限于此。
180.第一绝缘层ins1可以提供或设置和/或形成在包括第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的第一底层btl1上。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以提供或设置和/或形成在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2上。例如，第一底层btl1可以设置在衬底sub的第一表面sf1和第一绝缘层ins1之间。
181.第一绝缘层ins1可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，第一绝缘层ins1可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的材料中的至少一种。第一绝缘层ins1和参考图5b描述的第一绝缘层ins1可以具有相同的配置。
182.第一绝缘层ins1可以提供或设置和/或形成在衬底sub的第一表面sf1上，以覆盖第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的整个表面，或者与第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的整个表面重叠。在发光元件ld被供应(供给)至第一绝缘层ins1上并且在第一绝缘层ins1上对准之后，第一绝缘层ins1可以部分地开口以暴露第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的区域。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以以单独图案的形式被图案化，该单独图案在发光元件ld的供应(供给)和对准之后被部分地设置在发光元件ld之下或下方。第一绝缘层ins1可以覆盖第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的除了第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的该区域之外的其它区域，或者与第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2的除了第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的该区域之外的其它区域重叠。在实施方式中，可以省略第一绝缘层ins1。在实施方式中，如图10中所示，第一绝缘层ins1可以完全覆盖第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2或者与第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2重叠，而不暴露第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的区域。
183.发光元件ld可以设置在其中形成有第一绝缘层ins1的像素pxl的发射区域ema中。
184.发光元件ld可以是发光二极管，该发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有微型尺寸或超小型尺寸，例如，到纳米级至微米级的程度的尺寸。发光元件ld可以是通过蚀刻方法或生长方法制造的微型或超小型发光二极管。
185.尽管在像素pxl的发射区域ema中可以对准和/或提供或设置至少两个至数十个发光元件ld，但在发射区域ema中对准和/或提供或设置的发光元件ld的数量不限于此。在实
施方式中，在发射区域ema中对准和/或提供或设置的发光元件ld的数量可以以各种方式改变。
186.发光元件ld可以发射彩色光和/或白光中的一种。在实施方式中，发光元件ld可以发射具有短波长带的蓝光，但本公开不限于此。
187.发光元件ld可以在第一绝缘层ins1上在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间对准，使得发光元件ld的延伸方向(或其纵向方向)在剖视图中平行于第一方向dr1。如果省略第一绝缘层ins1，则发光元件ld可以在衬底sub上在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间对准。发光元件ld可以分散在溶液中，并且被供应(或供给)至像素pxl的像素区域pxa(或发射区域ema)。
188.可以通过喷墨印刷方法、狭缝涂布方法或各种其它方法将发光元件ld供应(或供给)至每个像素pxl的像素区域pxa(或发射区域ema)。例如，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合，并且通过喷墨印刷方法或狭缝涂布方法供应(或供给)至像素区域pxa(或发射区域ema)。此处，如果将对应的对准信号(或对应的对准电压)施加至在像素区域pxa中提供或设置的第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2，则可以在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间形成电场。因此，发光元件ld可以在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间对准。
189.在对准发光元件ld之后，可以通过挥发或其它方法去除溶剂。结果，发光元件ld可以对准和/或提供或设置在像素pxl的像素区域pxa(或发射区域ema)中。
190.第二绝缘层ins2可以提供或设置和/或形成在发光元件ld上。第二绝缘层ins2可以提供或设置和/或形成在发光元件ld上，以部分地覆盖发光元件ld的外周表面(或表面)或者与发光元件ld的外周表面(或表面)部分地重叠，使得发光元件ld的相对端暴露于外部。
191.第二绝缘层ins2可以由单层或多层形成，并且包括包括至少一种无机材料的无机绝缘层或包括至少一种有机材料的有机绝缘层。第二绝缘层ins2还可以固定发光元件ld。在本公开的精神和范围内，第二绝缘层ins2可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层具有保护发光元件ld的有源层12(参考图6)免受外部氧气、水等的影响的优点。然而，本公开不限于此。根据其中发光元件ld用作光源的显示设备dd的设计条件等，第二绝缘层ins2可以形成为包括有机材料的有机绝缘层。
192.由于在已经完成在像素pxl的像素区域pxa(或发射区域ema)中对准发光元件ld之后在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2，因此可以防止发光元件ld从对准位置移位。在形成第二绝缘层ins2之前，在第一绝缘层ins1和发光元件ld之间存在间隙(或间隔)的情况下，在形成第二绝缘层ins2的工艺期间，可以用第二绝缘层ins2填充间隙。因此，第二绝缘层ins2可以形成为有机绝缘层，该有机绝缘层在用第二绝缘层ins2填充第一绝缘层ins1和发光元件ld之间的间隙方面具有优势。
193.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以提供或设置和/或形成在其上形成有发光元件ld和第二绝缘层ins2的第一绝缘层ins1上。
194.第一接触电极cne1可以提供或设置和/或形成在发光元件ld的相对端中的一个、第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上。第一接触电极cne1可以电连接至和/或物理地连接至发光元件ld的由第二绝缘层ins2暴露在外的一端。例如，发光元件ld的一端可以与参考
图6和图7描述的发光元件ld的第二半导体层13(即，发光元件ld的第二端)对应。
195.此外，第一接触电极cne1可以设置在第1-1底部图案btl1_1的未被第一绝缘层ins1覆盖或者不与第一绝缘层ins1重叠的区域上，使得第一接触电极cne1接触第1-1底部图案btl1_1。第一接触电极cne1可以与第1-1底部图案btl1_1电连接以形成双层结构，用于减小线电阻并且最小化由于信号延迟引起的失真。然而，本公开不限于此。在实施方式中，在第1-1底部图案btl1_1被第一绝缘层ins1完全覆盖或者与第一绝缘层ins1完全重叠的情况下，第一接触电极cne1可以与第1-1底部图案btl1_1分离而不与第1-1底部图案btl1_1电连接，并且因此可以设置为与第1-1底部图案btl1_1分离的部件。
196.第二接触电极cne2可以提供或设置和/或形成在发光元件ld的相对端中的另一端、第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上。第二接触电极cne2可以电连接至和/或物理地连接至发光元件ld的由第二绝缘层ins2暴露在外的另一端。例如，发光元件ld的另一端可以与参考图6和图7描述的发光元件ld的第一半导体层11(即，发光元件ld的第一端)对应。
197.此外，第二接触电极cne2可以设置在第1-2底部图案btl1_2的未被第一绝缘层ins1覆盖或者不与第一绝缘层ins1重叠的区域上，使得第二接触电极cne2接触第1-2底部图案btl1_2。第二接触电极cne2可以与第1-2底部图案btl1_2电连接以形成双层结构，用于减小线电阻并且最小化由于信号延迟引起的失真。然而，本公开不限于此。在实施方式中，在第1-2底部图案btl1_2被第一绝缘层ins1完全覆盖或者与第一绝缘层ins1完全重叠的情况下，第二接触电极cne2可以与第1-2底部图案btl1_2分离而不与第1-2底部图案btl1_2电连接，并且因此可以设置为与第1-2底部图案btl1_2分离的部件。
198.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种透明导电材料形成，以允许由发光元件ld发射的光在显示设备的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2)无损耗地行进。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括各种透明导电材料(或各种透明导电物质)中的至少一种，该各种透明导电材料(或各种透明导电物质)包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)，并且第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以是基本上透明的或半透明的以满足透射比(或透射率)。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的材料不限于上述材料。在实施方式中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2也可以由各种不透明导电材料(或各种不透明导电物质)形成。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2各自可以形成为单层或多层。
199.在剖视图中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在第二绝缘层ins2上设置成在第一方向dr1上彼此间隔开。第一接触电极cne1可以与第1-1底部图案btl1_1重叠，且第一绝缘层ins1插置在它们之间。第二接触电极cne2可以与第1-2底部图案btl1_2重叠，且第一绝缘层ins1插置在它们之间。尽管图9a至图12示出了第1-1底部图案btl1_1与第一接触电极cne1完全重叠且第一绝缘层ins1插置在第1-1底部图案btl1_1与第一接触电极cne1之间，以及第1-2底部图案btl1_2与第二接触电极cne2完全重叠且第一绝缘层ins1插置在第1-2底部图案btl1_2与第二接触电极cne2之间，但本公开不限于此。在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1可以与第一接触电极cne1部分地重叠，并且第1-2底部图案btl1_2可以与第二接触电极cne2部分地重叠。
200.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以是提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上的第二导电层。第三绝缘层ins3可以提供或设置和/或形成在
第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上。
201.第三绝缘层ins3可以覆盖第一接触电极cne1和第二接触电极cne2或者与第一接触电极cne1和第二接触电极cne2重叠，以便保护第一接触电极cne1和第二接触电极cne2，并且防止氧气、水等渗入发光元件ld。第三绝缘层ins3可以包括包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。在实施方式中，第三绝缘层ins3可以包括包括有机材料的有机绝缘层，以减轻由设置在其下方的部件引起的台阶差。有机绝缘层可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。第三绝缘层ins3可以与参考图5b描述的第三绝缘层ins3相同。
202.第三绝缘层ins3可以部分地开口以暴露第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个的区域。
203.以下将描述像素电路层pcl。
204.像素电路层pcl可以包括第一导电图案cp1、第二导电图案cp2、第二底层btl2、平坦化层pll、第四绝缘层ins4、至少一个晶体管t、驱动电压线dvl、第五绝缘层ins5、桥接图案brp、第一电力线pl1和钝化层psv。
205.第一导电图案cp1可以与第一接触电极cne1的由第三绝缘层ins3暴露的区域电连接。第一导电图案cp1可以是将显示元件层dpl的部件中的一个或多个(例如，第一接触电极cne1)与像素电路层pcl的部件中的一个或多个(例如，晶体管t)电连接的中间介质。
206.第二导电图案cp2可以与第二接触电极cne2的由第三绝缘层ins3暴露的区域电连接。第二导电图案cp2可以是将显示元件层dpl的部件中的一个或多个(例如，第二接触电极cne2)与像素电路层pcl的部件中的一个或多个(例如，驱动电压线dvl)电连接的中间介质。
207.在实施方式中，第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以提供或设置在相同的层上，包括相同的材料或类似的材料，并且通过相同的工艺形成。在剖视图中，第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以在第三绝缘层ins3上提供或设置成在第一方向dr1上彼此间隔开。
208.第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以用作提供或设置在第三绝缘层ins3上的光引导部件，以在显示设备的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2)引导由发光元件ld发射的光。为此，第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以由具有反射性的导电材料(或导电物质)形成。导电材料(或导电物质)可以包括不透明金属。例如，不透明金属可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金的金属。在实施方式中，第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以由透明导电材料(或透明导电物质)形成。透明导电材料(或透明导电物质)可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo))以及导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot))。在第一导电图案cp1和第二导电图案cp2包括透明导电材料(或透明导电物质)的情况下，可以设置由不透明金属制成的附加导电层，以在显示设备的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2或衬底sub的下表面)反射由发光元件ld发射的光。
209.第二底层btl2可以在第三绝缘层ins3上提供或设置和/或形成在第一导电图案cp1和第二导电图案cp2之间。
210.第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，以对应于像素pxl的发射区域ema。例如，第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，使得第二底层btl2与发射区域ema中的发光元件ld重叠。
211.第二底层btl2可以是在显示设备的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2)反射由发光元件ld发射的光的反射部件。此外，第二底层btl2可以用作提供或设置在发光元件ld和晶体管t之间的光阻挡部件，以阻挡由发光元件ld发射的光朝向晶体管t行进。第二底层btl2可以用作包括在像素电路层pcl中的晶体管t(例如，驱动晶体管tdr)的栅电极ge。
212.第二底层btl2可以由具有反射性的导电材料(或导电物质)形成。导电材料(或导电物质)可以包括不透明金属。在实施方式中，第二底层btl2以及第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以提供或设置在相同的层上，包括相同的材料或类似的材料，并且通过相同的工艺形成。
213.第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，以与第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个间隔开。例如，如图9a至图12中所示，第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，以与发光元件ld重叠并且在第一方向dr1上与第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个间隔开。
214.设置在第三绝缘层ins3上以彼此间隔开的第一导电图案cp1、第二底层btl2和第二导电图案cp2可以是第三导电层。
215.平坦化层pll可以提供或设置和/或形成在第一导电图案cp1和第二导电图案cp2上。
216.平坦化层pll可以减轻由提供或设置在其下方的部件引起的台阶差。为此，平坦化层pll可以设置为包括有机材料的有机绝缘层。平坦化层pll和第三绝缘层ins3可以包括相同的材料或类似的材料，或者平坦化层pll可以包括从作为第三绝缘层ins3的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。
217.平坦化层pll可以以单独图案的形式提供或设置和/或形成，该单独图案可以部分地设置或者包括仅设置在第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个的区域上的部分。例如，平坦化层pll可以仅提供或设置和/或形成在第一导电图案cp1的形成在第一接触电极cne1的由第三绝缘层ins3暴露的区域上的区域和第二导电图案cp2的形成在第二接触电极cne2的由第三绝缘层ins3暴露的区域上的区域中的每个上。然而，本公开不限于此。在实施方式中，如图11中所示，平坦化层pll可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，以覆盖第一导电图案cp1、第二导电图案cp2和第二底层btl2的整个表面或者与第一导电图案cp1、第二导电图案cp2和第二底层btl2的整个表面重叠。
218.第四绝缘层ins4可以提供或设置和/或形成在平坦化层pll上。
219.第四绝缘层ins4和参考图5b描述的第四绝缘层ins4可以具有相同的配置。第四绝缘层ins4可以提供或设置和/或形成在衬底sub的第一表面sf1上，并且部分地开口以暴露第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个的区域。
220.半导体图案scl可以提供或设置和/或形成在第四绝缘层ins4上。
221.半导体图案scl可以提供或设置在第二底层btl2上，且第四绝缘层ins4插置在它们之间。半导体图案scl可以与第二底层btl2重叠。在本公开的精神和范围内，半导体图案
scl可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。例如，半导体图案scl可以具有通过依次堆叠由非晶硅形成的有源层和由不纯非晶硅形成的欧姆接触层而形成的结构，但本公开不限于此。
222.第一端子et1和第二端子et2可以形成在半导体图案scl上。
223.第一端子et1可以形成在半导体图案scl上，并且接触半导体图案scl的一端。在剖视图中，第一端子et1可以与第二底层btl2部分地重叠，且第四绝缘层ins4插置在它们之间。第二端子et2可以形成在半导体图案scl上，可以与第一端子et1间隔开，并且可以接触半导体图案scl的另一端。在剖视图中，第二端子et2可以与第二底层btl2部分地重叠，且第四绝缘层ins4插置在它们之间。
224.第一端子et1和第二端子et2中的每个可以具有从由铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、铝钕(alnd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金构成的组中选择的至少一种形成的单层结构，或者可以具有由钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)形成的多层结构，以降低线电阻。
225.半导体图案scl以及第一端子et1和第二端子et2可以与第二底层btl2一起形成底栅型晶体管t。此处，底栅型晶体管t可以是像素pxl的驱动晶体管tdr。驱动晶体管tdr和参考图8描述的第一晶体管t1可以具有相同的配置。在实施方式中，第一端子et1可以是参考图8描述的第一晶体管t1的源电极，并且第二端子et2可以是参考图8描述的第一晶体管t1的漏电极。
226.驱动电压线dvl可以提供或设置和/或形成在第四绝缘层ins4上。驱动电压线dvl和参考图8描述的第二电力线pl2可以具有相同的配置。驱动电压线dvl以及第一端子et1和第二端子et2可以提供或设置在相同的层上，但本公开不限于此。在实施方式中，驱动电压线dvl和提供或设置在像素电路层pcl中的导电层中的一个可以提供或设置在相同的层上。例如，可以以各种方式改变像素电路层pcl中的驱动电压线dvl的位置。
227.尽管在附图中没有直接示出，但驱动电压线dvl可以通过单独的连接器与设置在显示面板dpp之上的驱动器drp电连接。因此，可以从安装在驱动器drp上的电源向驱动电压线dvl施加低电位驱动电压(例如，参考图8描述的第二驱动电源vss的电压)。此处，单独的连接器可以包括焊盘电极和电连接至焊盘电极的各向异性导电膜。
228.驱动晶体管tdr的第一端子et1和第二端子et2以及驱动电压线dvl可以是在第四绝缘层ins4上提供或设置和/或形成的第四导电层。
229.第五绝缘层ins5可以提供或设置和/或形成在驱动晶体管tdr和驱动电压线dvl上。
230.第五绝缘层ins5可以提供或设置和/或形成在驱动晶体管tdr和驱动电压线dvl上，以保护驱动晶体管tdr和驱动电压线dvl。第五绝缘层ins5可以包括有机绝缘层、无机绝缘层或者设置在无机绝缘层上的有机绝缘层。第五绝缘层ins5可以部分地开口以暴露第一端子et1、第二端子et2和驱动电压线dvl中的每个的区域。此外，第五绝缘层ins5可以在其与第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个的由第四绝缘层ins4暴露的区域对应的区域中部分地开口。
231.桥接图案brp和第一电力线pl1可以提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上。
232.桥接图案brp可以包括第一桥接图案brp1和第二桥接图案brp2。第一桥接图案brp1和第二桥接图案brp2可以提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上，以彼此电间隔
开和/或物理地间隔开。
233.第一桥接图案brp1可以是将驱动晶体管tdr与第一导电图案cp1电连接的中间介质。第一桥接图案brp1的一端可以与驱动晶体管tdr的由第五绝缘层ins5暴露的第一端子et1电连接，并且第一桥接图案brp1的另一端可以与第一导电图案cp1的由第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5暴露的区域电连接。如上所述，当第一导电图案cp1与第一接触电极cne1电连接时，第一接触电极cne1和驱动晶体管tdr可以通过第一导电图案cp1和第一桥接图案brp1彼此电连接。
234.第二桥接图案brp2可以是将驱动电压线dvl与第二导电图案cp2电连接的中间介质。第二桥接图案brp2的一端可以与驱动电压线dvl的由第五绝缘层ins5暴露的区域电连接，并且第二桥接图案brp2的另一端可以与第二导电图案cp2的由第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5暴露的区域电连接。如上所述，当第二导电图案cp2与第二接触电极cne2电连接时，第二接触电极cne2和驱动电压线dvl可以通过第二导电图案cp2和第二桥接图案brp2彼此电连接。
235.第一电力线pl1可以与驱动晶体管tdr的由第五绝缘层ins5暴露的第二端子et2电连接。第一电力线pl1和参考图8描述的第一电力线pl1可以具有相同的配置。
236.桥接图案brp和第一电力线pl1可以是提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上的第五导电层。第五导电层和第四导电层可以包括相同的材料或类似的材料，或者第五导电层可以包括从作为第四导电层的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。桥接图案brp和第一电力线pl1中的每个可以具有单层结构，但本公开不限于此。在实施方式中，桥接图案brp和第一电力线pl1中的每个可以具有包括至少两个层的多层结构。
237.钝化层psv可以提供或设置和/或形成在桥接图案brp和第一电力线pl1的整个表面上。
238.钝化层psv可以提供或设置在桥接图案brp和第一电力线pl1上，并且保护桥接图案brp和第一电力线pl1。钝化层psv可以包括有机绝缘层、无机绝缘层或者设置在无机绝缘层上的有机绝缘层。钝化层psv和参考图5b描述的钝化层psv可以具有相同的配置。
239.在实施方式中，钝化层psv可以部分地开口以暴露第一电力线pl1的区域。例如，在单个像素pxl与驱动器drp电连接或直接电连接的情况下，钝化层psv可以部分地开口以暴露第一电力线pl1的区域，如图9b、图9c和图12中所示。包括在单个像素pxl中的第一电力线pl1可以被暴露并且通过连接器cm与驱动器drp电连接或直接电连接。在实施方式中，在连接器cm和第一电力线pl1之间可以选择性地提供或设置焊盘电极pd'。可以在钝化层psv上提供或设置和/或形成焊盘电极pd'。焊盘电极pd'可以用作将连接器cm与第一电力线pl1电连接使得连接器cm和第一电力线pl1可以更可靠地彼此连接的中间介质。
240.在实施方式中，在单个像素pxl通过设置在显示面板dpp的非显示区域nda中的信号线sl和焊盘电极pd与驱动器drp电连接而不是通过设置在像素区域pxa中的连接器cm与驱动器drp电连接或直接且电连接的情况下，单个像素pxl的像素区域pxa中的钝化层psv可以覆盖第一电力线pl1或者与第一电力线pl1重叠而不暴露第一电力线pl1，如图9a、图10和图11中所示。单个像素pxl的像素区域pxa中提供或设置的第一电力线pl1可以在非显示区域nda中与对应的信号线sl和对应的焊盘电极pd(参考图5b)电连接，并且通过信号线sl、焊盘电极pd和连接器cm与设置在显示面板dpp的上表面上的驱动器drp电连接。
241.垫层csl可以提供或设置和/或形成在钝化层psv上。垫层csl可以是参考图1至图5b描述的垫层csl。
242.垫层csl可以包括至少一个接触孔ch。接触孔ch可以穿过垫层csl。
243.在单个像素pxl通过设置在像素区域pxa中的连接器cm与驱动器drp电连接或直接电连接的情况下，接触孔ch可以设置在其中提供或设置单个像素pxl的像素区域pxa的垫层csl中，使得接触孔ch对应于第一电力线pl1的由钝化层psv暴露的区域。在实施方式中，在单个像素pxl通过设置在显示面板dpp的非显示区域nda中的信号线sl和焊盘电极pd与驱动器drp电连接而不是通过设置在像素区域pxa中的连接器cm与驱动器drp电连接或直接且电连接的情况下，接触孔ch可以设置在非显示区域nda中，而不是设置在其中提供或设置单个像素pxl的像素区域pxa中。
244.连接器cm可以提供或设置在垫层csl的接触孔ch中。
245.连接器cm可以包括导电粘合部件，并且可以是用于将驱动器drp与电连接至像素pxl的信号线(例如，第一电力线pl1)电连接的部件。在实施方式中，连接器cm可以是各向异性导电膜，但本公开不限于此。
246.连接器cm可以是用于将显示面板dpp的部件中的一个或多个与驱动器drp电连接的中间介质。在单个像素pxl可以与驱动器drp电连接或直接且电连接的情况下，连接器cm可以将显示面板dpp的第一电力线pl1与设置在垫层csl之上的驱动器drp电连接，如图12中所示。连接器cm可以设置在其中提供或设置单个像素pxl的像素区域pxa中。在实施方式中，在如图9a、图10和图11中所示那样单个像素pxl通过设置在显示面板dpp的非显示区域nda中的信号线sl和焊盘电极pd与驱动器drp电连接而不是通过设置在像素区域pxa中的连接器cm与驱动器drp电连接或直接且电连接的情况下，连接器cm可以通过信号线sl和焊盘电极pd与提供或设置在单个像素pxl中的信号线(例如，第一电力线pl1)电连接。
247.高电位驱动电压(例如，参考图8描述的第一驱动电源vdd的电压)可以从安装在驱动器drp上的电源施加至第一电力线pl1。如上所述，当第一电力线pl1与驱动晶体管tdr电连接时，施加至第一电力线pl1的高电位驱动电压可以被传输至驱动晶体管tdr的第二端子et2。
248.在驱动电流经由像素电路pxc(参考图8)从第一电力线pl1流至第二电力线pl2的情况下，驱动电流可以通过像素电路层pcl的驱动晶体管tdr流入显示元件层dpl的第一接触电极cne1中。驱动电流可以经由与第一接触电极cne1接触或直接接触(或电连接)的发光元件ld流向第二接触电极cne2。因此，发光元件ld可以以对应于所分布的电流的亮度发射光。在实施方式中，第一接触电极cne1可以被限定为用于将驱动晶体管tdr与发光元件ld电连接的阳极电极。第二接触电极cne2可以被限定为用于将驱动电压线dvl与发光元件ld电连接的阴极电极。第一接触电极cne1和参考图8描述的第一电极el1可以具有相同的配置。第二接触电极cne2和参考图8描述的第二电极el2可以具有相同的配置。
249.如上所述，包括可以依次堆叠的像素电路层pcl和显示元件层dpl的像素pxl可以设置在衬底sub的第一表面sf1上，并且驱动器drp可以设置在像素pxl之上。因此，可以在衬底sub的第二表面sf2(或显示设备dd(参考图1)的图像显示表面)中最小化非显示区域nda，使得可以向用户提供更宽的图像。此外，由于在每个显示设备dd中非显示区域nda倍最小化，因此当实现使用显示设备dd的多屏幕显示设备tdd(参考图1)时，显示设备dd之间的边
界区域可以被最小化以免被视觉识别。因此，可以显示具有提高质量的图像。
250.此外，根据上述实施方式，于在衬底sub的第一表面sf1上形成像素pxl并且形成包括至少一个接触孔ch的垫层csl之后，驱动器drp和像素pxl可以通过连接器cm彼此电连接。在像素pxl和驱动器drp依次提供或设置在衬底sub的相同表面(例如，第一表面sf1)上的情况下，与传统显示设备的制造工艺相比，制造显示设备dd的工艺可以被简化，其中，在传统显示设备的制造工艺中，在衬底sub的表面上形成像素pxl，将衬底sub倒置，通过使用激光发射与蚀刻工艺在衬底sub的后表面中形成通孔，用导电填充物填充通孔，并且将驱动器drp和像素pxl彼此电连接。
251.此外，在传统显示设备中，提供或设置在衬底sub的表面上的像素pxl可能因在将衬底sub倒置之后在衬底sub的后表面上执行的激光发射与蚀刻工艺而损坏。为了克服以上问题，在本公开中，像素pxl和驱动器drp可以依次提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上，使得可以省略激光发射与蚀刻工艺。因此，在实施方式中，可以最小化对在衬底sub的第一表面sf1上提供或设置的像素pxl的损坏，并且可以提高可靠性。
252.此外，根据上述实施方式，在包括发光元件ld的显示元件层dpl形成在衬底sub的第一表面sf1上之后，可以形成包括晶体管t的像素电路层pcl。通常，像素电路层pcl可以形成在衬底sub的表面上，并且显示元件层dpl可以形成在像素电路层pcl之上。由于包括在显示元件层dpl中的发光元件ld通过金属有机化学气相沉积(mocvd)方法在高温下制造，因此像素电路层pcl的设置在发光元件ld之下或下方的晶体管t可能受制造发光元件ld的工艺影响，并且因此晶体管t的电特性可能改变，或者晶体管t可能发生故障。为了克服前述问题，根据上述实施方式，在包括发光元件ld的显示元件层dpl形成在衬底sub的第一表面sf1上之后，可以形成包括晶体管t的像素电路层pcl。因此，前述问题可以被最小化。
253.在实施方式中，如图10中所示，虚设层dml可以设置在衬底sub的第二表面sf2上。
254.虚设层dml可以提供或设置和/或形成在衬底sub的第二表面sf2上，使得可以防止设置在衬底sub的第一表面sf1上的部件因外部入射光而被视觉识别。例如，虚设层dml可以形成为偏振膜。
255.图13和图14是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
256.除了提供或设置在第一绝缘层ins1和第一接触电极cne1之间的第一电极arl1以及提供或设置在第一绝缘层ins1和第二接触电极cne2之间的第二电极arl2之外，图13和图14中所示的显示面板与图9b的显示面板可以具有基本上相同或类似的配置。
257.因此，为了避免重复描述，图13和图14的显示面板的描述将集中于与前述实施方式的显示面板的不同之处。在实施方式的以下描述中没有单独解释的部件可以与前述实施方式的部件相同。相同的附图标记将被用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的部件。
258.参考图4、图5a、图13和图14，根据实施方式的显示面板dpp可以包括衬底sub、薄膜封装层tfe、垫层csl和至少一个像素pxl。此处，像素pxl可以包括可以依次堆叠在衬底sub的第一表面sf1上的显示元件层dpl和像素电路层pcl。
259.显示元件层dpl可以包括第一底层btl1、第一绝缘层ins1、第一电极arl1和第二电极arl2、发光元件ld、第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第三绝缘层ins3。
260.第一底层btl1可以包括提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上的第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2。在剖视图中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以设置在衬底sub的第一表面sf1上，以在第一方向dr1上彼此间隔开。
261.在实施方式中，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以提供或设置在衬底sub的第一表面sf1上，而不与像素pxl的发射区域ema重叠。第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2各自可以是吸收或阻挡外部光的光阻挡部件，以防止设置在衬底sub的第一表面sf1上的部件被视觉识别。例如，第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2各自可以是黑色矩阵。
262.第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2各自可以包括至少一种光阻挡材料和/或光反射材料。第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以设置在衬底sub的第一表面sf1上而不与像素pxl的发射区域ema重叠，以便最小化由发光元件ld发射并且朝向衬底sub的第二表面sf2行进的光的损失。
263.第一绝缘层ins1可以提供或设置和/或形成在第一底层btl1上。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以完全覆盖第一底层btl1或者与第一底层btl1完全重叠。
264.第一电极arl1和第二电极arl2可以提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1上。
265.在剖视图中，第一电极arl1和第二电极arl2可以提供或设置和/或形成在第一绝缘层ins1上，以在第一方向dr1上彼此间隔开。第一电极arl1和第二电极arl2可以在第一绝缘层ins1上彼此电分离和/或物理地分离。
266.第一电极arl1和第二电极arl2可以包括透明导电材料(或透明导电物质)，以防止当光在显示设备dd的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2)行进时由发光元件ld发射的光的路径被第一电极arl1和第二电极arl2阻碍。透明导电材料(或透明导电物质)可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo))以及导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot))。在实施方式中，第一电极arl1和第二电极arl2可以包括半透明(或不透明)金属。
267.第一电极arl1和第二电极arl2可以用作对准电极(或对准线)，对准电极(或对准线)用于在发光元件ld对准在像素pxl的发射区域ema中之前通过从对应的对准焊盘接收对准信号(或对准电压)来对准发光元件ld。在发光元件ld对准在像素pxl的发射区域ema中之后，可以将信号(或电压)施加至第一电极arl1和第二电极arl2中的每个，或者没有信号(或没有电压)可以被施加至第一电极arl1和第二电极arl2中的每个。
268.如果将对应的对准信号(或对应的对准电压)施加至第一电极arl1和第二电极arl2，则可以在第一电极arl1和第二电极arl2之间形成电场，使得可以在第一绝缘层ins1上在第一电极arl1和第二电极arl2之间提供或设置和/或对准发光元件ld。在发光元件ld在第一绝缘层ins1上对准在第一电极arl1和第二电极arl2之间的情况下，第一电极arl1可以通过第一接触电极cne1电连接至发光元件ld的相对端中的一端，并且第二电极arl2可以通过第二接触电极cne2电连接至发光元件ld的相对端中的另一端。在前述实施方式中，发光元件ld在第一绝缘层ins1上对准在第一电极arl1和第二电极arl2之间，但本公开不限于此。在实施方式中，发光元件ld可以在第一电极arl1和第二电极arl2中的每个上对准，并且与第一电极arl1和第二电极arl2中的每个部分地重叠。第一电极arl1可以接触或直接接触发光元件ld的第一端，并且第二电极arl2可以接触或直接接触发光元件ld的第二端。
269.第一接触电极cne1可以提供或设置和/或形成在发光元件ld的第一端、第一电极arl1、第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上。第一接触电极cne1可以设置或直接设置在第一电极arl1上，并且与第一电极arl1电连接和/或物理地连接。由于第一接触电极cne1设置或直接设置在第一电极arl1上，因此第一接触电极cne1和第一电极arl1可以形成双层结构，该双层结构能够减小线电阻并且最小化由于信号延迟引起的失真。然而，本公开不限于此，并且第一电极arl1和第一接触电极cne1可以彼此电分离和/或物理地分离。例如，如图14中所示，在附加绝缘层adins设置在第一电极arl1和第一接触电极cne1之间并且完全覆盖第一电极arl1或者与第一电极arl1完全重叠的情况下，第一接触电极cne1可以与第一电极arl1电分离和/或物理地分离，以因此提供或设置为与第一电极arl1分离的部件。
270.第二接触电极cne2可以提供或设置和/或形成在发光元件ld的第二端、第二电极arl2、第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上。第二接触电极cne2可以设置或直接设置在第二电极arl2上，并且与第二电极arl2电连接和/或物理地连接。由于第二接触电极cne2设置或直接设置在第二电极arl2上，因此第二接触电极cne2和第二电极arl2可以形成双层结构，该双层结构能够减小线电阻并且最小化由于信号延迟而引起的失真。然而，本公开不限于此，并且第二电极arl2和第二接触电极cne2可以彼此电分离和/或物理地分离。例如，如图14中所示，在附加绝缘层adins设置在第二电极arl2和第二接触电极cne2之间并且完全覆盖第二电极arl2或者与第二电极arl2完全重叠的情况下，第二接触电极cne2可以与第二电极arl2电分离和/或物理地分离，以因此提供或设置为与第二电极arl2分离的部件。
271.第三绝缘层ins3可以提供或设置和/或形成在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上。
272.图15a至图15n是示出制造图9b的显示面板的方法的示意性剖视图。
273.在下文中，将参考图15a至图15n顺序地描述制造根据图9b中所示的实施方式的显示面板的方法。
274.参考图9b和图15a，可以在衬底sub的第一表面sf1上形成第一导电层。第一导电层可以包括第一底层btl1，第一底层btl1包括第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2。第一底层btl1可包括透明导电材料(或透明导电物质)。
275.参考图9b、图15a和图15b，可以在其上形成有第一底层btl1的衬底sub的整个表面上形成第一绝缘层ins1。第一绝缘层ins1可以部分地开口，以暴露第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的区域。然而，本公开不限于此。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以完全覆盖第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2或者与第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2完全重叠，而不暴露第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2。
276.在以下描述的形成第二绝缘层ins2的工艺期间，第一绝缘层ins1可以部分地开口，以暴露第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的区域。
277.参考图9b和图15a至图15c，可以将对应的对准信号(或对应的对准电压)施加至第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2，使得可以在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间形成电场。
278.第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2可以是用于在像素pxl的像素区域pxa(或发射区域ema)中对准发光元件ld的对准电极(或对准线)。
279.在将具有周期的ac电力或具有电压的直流(dc)电力的对准信号(或对准电压)施加至第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2中的每个的情况下，可以通过第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间的电位差来形成电场。在本公开的精神和范围内，在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间已经形成电场之后，可以通过使用喷墨印刷方法等将包括发光元件ld的混合液体(或溶液)供应(或供给)至像素区域pxa(或发射区域ema)。例如，可以在像素区域pxa(或发射区域ema)的第一绝缘层ins1之上设置喷墨喷嘴，并且可以通过喷墨喷嘴向像素区域pxa(或发射区域ema)供应(或供给)包括至少一个发光元件ld的混合液体(或溶液)。此处，溶剂可以是丙酮、水、乙醇和甲苯中的至少一种，但本公开不限于此。例如，溶剂可以具有油墨或浆料的形式。向像素区域pxa(或发射区域ema)供应(或供给)发光元件ld的方法不限于前述实施方式的方法。供给发光元件ld的方法可以以各种方式改变。
280.在将发光元件ld供应(或供给)至像素区域pxa(或发射区域ema)之后，可以去除溶剂。
281.在发光元件ld被供应(或供给)至像素区域pxa(或发射区域ema)的情况下，发光元件ld的自对准可以由在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间形成的电场引起。发光元件ld可以在第一绝缘层ins1上在第1-1底部图案btl1_1和第1-2底部图案btl1_2之间对准。
282.参考图9b和图15a至图15d，在将绝缘层施加至其上设置有发光元件ld的第一绝缘层ins1的整个表面上之后，可以在其上执行使用掩模的工艺，并且因此第二绝缘层ins2可以形成为设置在发光元件ld的表面上。第二绝缘层ins2可以形成为单层或多层，并且包括包括至少一种无机材料的无机绝缘层或包括至少一种有机材料的有机绝缘层。
283.可以在发光元件ld的表面上提供或设置第二绝缘层ins2，使得发光元件ld的相对端暴露于外部。第二绝缘层ins2可以提供或设置在发光元件ld的表面上，并且将发光元件ld固定至对准位置，从而防止发光元件ld从对准位置移位。
284.参考图9b和图15a至图15e，可以在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2上形成第二导电层。第二导电层可以包括第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。
285.可以在第1-1底部图案btl1_1上的第一绝缘层ins1、发光元件ld的一端和第二绝缘层ins2上形成第一接触电极cne1。第一接触电极cne1可以提供或设置在第1-1底部图案btl1_1的由第一绝缘层ins1暴露的区域和发光元件ld的由第二绝缘层ins2暴露的一端上，或者直接提供或设置在第1-1底部图案btl1_1的由第一绝缘层ins1暴露的区域和发光元件ld的一端上，以因此电连接至第1-1底部图案btl1_1和发光元件ld的一端中的每个。如果第1-1底部图案btl1_1被第一绝缘层ins1完全覆盖或者与第一绝缘层ins1完全重叠，则第一接触电极cne1可以与第1-1底部图案btl1_1电绝缘并且电连接至发光元件ld的一端。
286.可以在第1-2底部图案btl1_2上的第一绝缘层ins1、发光元件ld的另一端和第二绝缘层ins2上形成第二接触电极cne2。第二接触电极cne2可以提供或设置在第1-2底部图案btl1_2的由第一绝缘层ins1暴露的区域和发光元件ld的由第二绝缘层ins2暴露的另一端上，或者直接提供或设置在第1-2底部图案btl1_2的由第一绝缘层ins1暴露的区域和发光元件ld的由第二绝缘层ins2暴露的另一端上，以因此电连接至第1-2底部图案btl1_2和发光元件ld的另一端中的每个。如果第1-2底部图案btl1_2被第一绝缘层ins1完全覆盖或
者与第一绝缘层ins1完全重叠，则第二接触电极cne2可以与第1-2底部图案btl1_2电绝缘并且电连接至发光元件ld的另一端。
287.参考图9b和图15a至图15f，在将绝缘层施加至第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的整个表面之后，可以在其上执行使用掩模的工艺以形成暴露第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个的区域的第三绝缘层ins3。
288.第三绝缘层ins3可以包括包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。
289.参考图9b和图15a至图15g，可以在第三绝缘层ins3上形成第三导电层。第三导电层可以包括第一导电图案cp1和第二导电图案cp2以及第二底层btl2。
290.第一导电图案cp1可以提供或设置在第一接触电极cne1的由第三绝缘层ins3暴露的区域上，以因此与第一接触电极cne1电连接和/或物理地连接。第二导电图案cp2可以提供或设置在第二接触电极cne2的由第三绝缘层ins3暴露的区域上，以因此与第二接触电极cne2电连接和/或物理地连接。第二底层btl2可以形成在第三绝缘层ins3上以与发光元件ld重叠。
291.第一导电图案cp1、第二底层btl2和第二导电图案cp2可以由具有反射性的导电材料(或导电物质)形成。
292.参考图9b和图15a至图15h，可以仅在第一导电图案cp1的一区域和第二导电图案cp2的一区域中的每个上形成平坦化层pll，在第一接触电极cne1的由第三绝缘层ins3暴露的区域上形成或设置第一导电图案cp1，在第二接触电极cne2的由第三绝缘层ins3暴露的区域上形成第二导电图案cp2。
293.平坦化层pll可以是用于减轻由于设置在其下方的部件而导致的台阶差的部件，并且包括包括有机材料的有机绝缘层。
294.参考图9b和图15a至图15i，可以在平坦化层pll、第一导电图案cp1和第二导电图案cp2、第二底层btl2和第三绝缘层ins3的整个表面上形成第四绝缘层ins4。第四绝缘层ins4可以包括包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。
295.随后，可以在第四绝缘层ins4上形成半导体图案scl。半导体图案scl可以由硅(例如，非晶硅)形成，或者可以由多晶硅形成。在半导体图案scl由非晶硅形成的情况下，可以进一步执行使用激光器等的结晶工艺。
296.在实施方式中，在本公开的精神和范围内，半导体图案scl可以由包括二元化合物(ab
x
)、三元化合物(ab
xcy
)、四元化合物(ab
xcydz
)等的半导体氧化物形成，该半导体氧化物包含铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)、铝(al)、铪(hf)、锆(zr)、镁(mg)等。这些成分可以单独或组合使用。
297.在实施方式中，可以在第四绝缘层ins4上形成与第二底层btl2重叠的半导体图案scl。在剖视图中，半导体图案scl可以与第二底层btl2完全重叠。由于由发光元件ld发射的光通过第二底层btl2朝向衬底sub的第二表面sf2行进，因此第二底层btl2可以用作用于阻挡光朝向半导体图案scl行进的光阻挡部件。
298.参考图9b和图15a至图15j，可以在其上形成有半导体图案scl的第四绝缘层ins4上形成第四导电层。第四导电层可以包括第一端子et1、第二端子et2和驱动电压线dvl。
299.第一端子et1可以形成在半导体图案scl上以接触半导体图案scl的一端。第二端
子et2可以形成在半导体图案scl上以接触半导体图案scl的另一端。第一端子et1和第二端子et2可以在半导体图案scl上彼此间隔开。
300.第一端子et1可以是源电极，并且第二端子et2可以是漏电极。此处，设置在半导体图案scl之下或下方的第二底层btl2可以用作栅电极ge，且第四绝缘层ins4插置在第二底层btl2和半导体图案scl之间。
301.因此，第二底层btl2、半导体图案scl、第一端子et1和第二端子et2可以形成底栅型晶体管t。此处，底栅型晶体管t可以是例如驱动晶体管tdr。
302.参考图9b和图15a至图15k，在将绝缘层施加至驱动晶体管tdr和驱动电压线dvl上之后，可以在其上执行使用掩模的工艺以形成暴露第一端子et1、第二端子et2和驱动电压线dvl中的每个的区域的第五绝缘层ins5。
303.此外，在前述工艺期间，可以去除第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5中的每个的区域，使得第一导电图案cp1和第二导电图案cp2中的每个的区域被暴露。
304.参考图9b和图15a至图15l，可以在第五绝缘层ins5上形成第五导电层。第五导电层可以包括桥接图案brp和第一电力线pl1。桥接图案brp可以包括在第五绝缘层ins5上彼此间隔开的第一桥接图案brp1和第二桥接图案brp2。
305.第一桥接图案brp1可以与第一导电图案cp1的由第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5暴露的区域以及与第一端子et1的由第五绝缘层ins5暴露的区域两者电连接。因此，第一端子et1和第一导电图案cp1可以通过第一桥接图案brp1彼此电连接。
306.第二桥接图案brp2可以与第二导电图案cp2的由第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5暴露的区域以及与驱动电压线dvl的由第五绝缘层ins5暴露的区域两者电连接。因此，驱动电压线dvl和第二导电图案cp2可以通过第二桥接图案brp2彼此电连接。
307.第一电力线pl1可以与第二端子et2的由第五绝缘层ins5暴露的区域电连接。
308.参考图9b和图15a至图15m，可以在第五导电层上形成钝化层psv。随后，在钝化层psv上形成绝缘层之后，可以在其上执行使用掩模的工艺，以形成包括与第一电力线pl1的区域对应的接触孔ch的垫层csl。
309.此后，可以通过去除钝化层psv的设置在垫层csl之下或下方并且与垫层csl的接触孔ch对应的部分来暴露第一电力线pl1的区域。
310.参考图9b和图15a至图15n，可以在接触孔ch中设置连接器cm。可以在连接器cm之上设置驱动器drp(参考图12)，使得驱动器drp和第一电力线pl1可以彼此电连接。
311.在通过上述制造工艺形成的显示设备中，像素pxl和驱动器drp可以依次形成在衬底sub的相同表面(例如，第一表面sf1)上，使得可以简化制造工艺。此外，由于图像显示在衬底sub的其上没有形成像素pxl和驱动器drp的第二表面sf2上，因此第二表面sf2(或显示表面)的非显示区域可以被最小化，使得可以向用户提供更宽的图像。
312.在前述实施方式中，尽管第二底层btl2被示出为用作晶体管t的栅电极ge以形成底栅型驱动晶体管tdr，但本公开不限于此。在实施方式中，栅电极ge可以提供或设置为与第二底层btl2分离并且设置在半导体图案scl上的部件。在下文中，将描述栅电极ge提供或设置为与第二底层btl2分离并且设置在半导体图案scl之上的部件的实施方式。
313.图16和图17是根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
314.除了包括在像素电路层pcl中的晶体管t是顶栅型晶体管并且设置了附加的覆盖
层cpl之外，图16和图17中所示的显示面板和图9a的显示面板可以具有基本上相同或类似的部件。
315.因此，为了避免重复描述，图16和图17的显示面板的描述将集中于与前述实施方式的显示面板的不同之处。在实施方式的以下描述中未单独解释的部件与前述实施方式的部件相同。相同的附图标记将被用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的部件。
316.参考图4、图5a和图5b、图16和图17，根据实施方式的显示面板dpp可以包括衬底sub、覆盖层cpl、垫层csl和至少一个像素pxl。此处，像素pxl可以包括可以依次堆叠在衬底sub的第一表面sf1上的显示元件层dpl和像素电路层pcl。
317.像素电路层pcl可以包括第一导电图案cp1和第二导电图案cp2、第二底层btl2、平坦化层pll、第四绝缘层ins4、第五绝缘层ins5和第六绝缘层ins6、驱动电压线dvl、栅极绝缘层gi、桥接图案brp、钝化层psv、第一电力线pl1和至少一个晶体管t。
318.第一导电图案cp1可以与显示元件层dpl的部件中的一个或多个(例如，第一接触电极cne1)电连接。第二导电图案cp2可以与显示元件层dpl的部件中的一个或多个(例如，第二接触电极cne2)电连接。第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以用作光引导部件，光引导部件在显示设备的图像显示方向上(例如，朝向衬底sub的第二表面sf2)引导由显示元件层dpl的发光元件ld发射的光。为此，第一导电图案cp1和第二导电图案cp2可以由具有反射性的不透明导电材料(或不透明导电物质)形成。
319.第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在显示元件层dpl的第三绝缘层ins3上，以与设置在像素pxl的发射区域ema中的发光元件ld对应。在实施方式中，第二底层btl2可以是提供或设置在显示元件层dpl的发光元件ld和像素电路层pcl的晶体管t之间的光阻挡部件，以便阻挡由发光元件ld发射的光朝向晶体管t行进。第二底层btl2可以由具有反射性的不透明导电材料(或不透明导电物质)形成。
320.第二底层btl2可以提供或设置和/或形成在第三绝缘层ins3上，以与要形成晶体管t的半导体图案scl的位置对应，并且第二底层btl2可以用于维持半导体图案scl的恒定电压特性，从而增强晶体管t的特性。在实施方式中，第二底层btl2可以与晶体管t的部件中的一个或多个(例如，第一端子et1(或源电极))电连接，从而增加了要施加至晶体管t的栅电极ge的栅极电压的驱动范围。
321.第一导电图案cp1、第二导电图案cp2和第二底层btl2可以提供或设置在相同的层上，包括相同的材料或类似的材料，并且通过相同的工艺形成。
322.第四绝缘层ins4可以提供或设置和/或形成在第一导电图案cp1、第二导电图案cp2和第二底层btl2上。晶体管t可以设置在第四绝缘层ins4上。在实施方式中，晶体管t可以是控制发光元件ld的驱动电流的驱动晶体管tdr。
323.驱动晶体管tdr可以包括半导体图案scl、栅电极ge、第一端子et1和第二端子et2。第一端子et1可以是源电极，并且第二端子et2可以是漏电极。
324.半导体图案scl可以提供或设置和/或形成在第四绝缘层ins4上，以对应于第二底层btl2。半导体图案scl可以包括接触第一端子et1的第一接触区域和接触第二端子et2的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以与驱动晶体管tdr的栅电极ge重叠。在本公开的精神和范围内，半导体图案scl可以是由多
晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。例如，沟道区域可以是没有掺杂杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。第一接触区域和第二接触区域中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
325.栅电极ge可以提供或设置和/或形成在栅极绝缘层gi上，以与半导体图案scl的沟道区域对应。栅电极ge可以提供或设置在栅极绝缘层gi上，并且与半导体图案scl的沟道区域重叠。栅电极ge可以具有由从由铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、铝钕(alnd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金构成的组中选择的至少一种形成的单层结构，或者可以具有由钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)形成的多层结构以降低线电阻。
326.驱动电压线dvl和栅电极ge可以提供或设置和/或形成在相同的层上。驱动电压线dvl和参考图8描述的第二电力线pl2可以具有相同的配置。驱动电压线dvl可以通过单独的连接器与设置在显示面板dpp之上的驱动器drp电连接。
327.栅极绝缘层gi可以是由无机材料形成的无机绝缘层。例如，栅极绝缘层gi可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的材料中的至少一种。然而，栅极绝缘层gi的材料不限于前述实施方式的材料。在实施方式中，栅极绝缘层gi可以由包括有机材料的有机绝缘层形成。尽管栅极绝缘层gi可以设置成单层结构，但栅极绝缘层gi也可以设置成具有至少两层的多层结构。尽管栅极绝缘层gi可以形成在其上形成有半导体图案scl的第四绝缘层ins4的整个表面上，但本公开不限于此。在实施方式中，栅极绝缘层gi可以以单独图案的形式提供或设置和/或形成，该单独图案仅在其中设置栅电极ge和驱动电压线dvl的区域中部分地设置和提供，如图17中所示。
328.第一端子et1和第二端子et2各自可以提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上，并且通过依次穿过栅极绝缘层gi和第五绝缘层ins5的接触孔分别接触半导体图案scl的第一接触区域和第二接触区域。例如，第一端子et1可以接触半导体图案scl的第一接触区域，并且第二端子et2可以接触半导体图案scl的第二接触区域。第一端子et1和第二端子et2中的每个与栅电极ge可以包括相同的材料或类似的材料，或者第一端子et1和第二端子et2中的每个可以包括从作为栅电极ge的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。
329.桥接图案brp可以提供或设置和/或形成在第五绝缘层ins5上。桥接图案brp可以包括在第五绝缘层ins5上彼此间隔开的第一桥接图案brp1和第二桥接图案brp2。
330.第一桥接图案brp1可以与通过去除第五绝缘层ins5、栅极绝缘层gi和第四绝缘层ins4的相应区域而暴露的第一导电图案cp1的区域电连接。此外，第一桥接图案brp1可以与驱动晶体管tdr的第一端子et1集成在一起或者与驱动晶体管tdr的第一端子et1设置在一起，以与第一端子et1电连接和/或物理地连接。像素电路层pcl的驱动晶体管tdr和显示元件层dpl的第一接触电极cne1可以通过第一桥接图案brp1和第一导电图案cp1彼此电连接。
331.第二桥接图案brp2可以与通过去除第五绝缘层ins5、栅极绝缘层gi和第四绝缘层ins4的相应区域而暴露的第二导电图案cp2的区域电连接。此外，第二桥接图案brp2可以与通过去除第五绝缘层ins5的另一区域而暴露的驱动电压线dvl的区域电连接。像素电路层pcl的驱动电压线dvl和显示元件层dpl的第二接触电极cne2可以通过第二桥接图案brp2和第二导电图案cp2彼此电连接。
332.如图17中所示，在栅极绝缘层gi以单独图案的形式部分地设置使得栅极绝缘层gi
仅设置在特定或选定区域中的情况下，第一桥接图案brp1可以与通过去除第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5的相应区域而暴露的第一导电图案cp1的区域电连接，并且第二桥接图案brp2可以与通过去除第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5而暴露的第二导电图案cp2的区域电连接。
333.钝化层psv可以提供或设置和/或形成在桥接图案brp上。钝化层psv可以包括包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层。在实施方式中，钝化层psv可以部分地开口以暴露第二端子et2的区域。
334.第一电力线pl1可以提供或设置和/或形成在钝化层psv上。第一电力线pl1和参考图8描述的第一电力线pl1可以具有相同的配置。
335.第六绝缘层ins6可以提供或设置和/或形成在第一电力线pl1上。第六绝缘层ins6和栅极绝缘层gi可以包括相同的材料或类似的材料，或者第六绝缘层ins6可以包括从作为栅极绝缘层gi的材料的示例提供的材料之中选择的一种或多种材料。第六绝缘层ins6可以部分地开口以暴露第一电力线pl1的区域。
336.覆盖层cpl可以提供或设置和/或形成在第六绝缘层ins6上。覆盖层cpl可以部分地开口以暴露第一电力线pl1的由第六绝缘层ins6暴露的区域。覆盖层cpl可以包括包括无机材料的无机绝缘层，以便防止外部空气、水等渗入像素电路层pcl。然而，在实施方式中，可以省略覆盖层cpl。
337.垫层csl可以提供或设置和/或形成在覆盖层cpl上。垫层csl可以是用于保护设置在其下方的像素pxl的保护膜。垫层csl可以包括包括有机材料的有机绝缘层。
338.在根据实施方式的显示设备和制造显示设备的方法中，可以在衬底的第一表面(或上表面)上形成或设置包括发射光的发光元件的显示元件层。可以在显示元件层上形成或设置包括晶体管的像素电路层。与像素电路层电连接的驱动器可以设置在像素电路层上。因此，像素和驱动器可以依次提供或设置在衬底的第一表面(或上表面)上。因此，可以简化制造显示设备的工艺。
339.在实施方式中，导电反射部件可以设置在显示元件层和像素电路层之间，使得由发光元件朝向衬底的第一表面(或上表面)发射的光可以被朝向与第一表面相对的第二表面(或下表面)引导。因此，可以保护包括在像素电路层中的部件，并且可以最小化由于包括在像素电路层中的部件而导致的光的损失。
340.此外，根据实施方式，像素可以设置在衬底的第一表面(或上表面)上，并且驱动器可以设置在像素之上。因此，可以最小化显示表面(例如，衬底的第二表面(或下表面))上的非显示区域，使得可以向用户提供更宽的图像。
341.实施方式的效果不受前述内容的限制，并且在本文中预期其它各种效果。
342.虽然以上已经描述了各种实施方式，但本领域的技术人员将理解，在不背离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
343.因此，本说明书中所公开的实施方式仅用于说明的目的，而不是限制本公开的技术精神和范围。本公开的范围将由所附权利要求来限定。